专利名称：用于有机电致发光器件的材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及通式Α([(Ν η N)CuL2])的单核中性的铜⑴络合物，和该络合物用于 制造光电组件的用途，
权利要求
1.通式A的中性化合物
2.权利要求1的化合物，特征在于a)NΠ N是负一价的，两个配体L是中性的，或b)NΠ N是中性的，两个配体L合起来带负一价电荷， 因此通式A的化合物整体是电中性的。
3.根据权利要求1或2的通式I或II的化合物
4.根据权利要求1或2的通式III、IV、V或VI的化合物
5.
6.其中由E和F表示的N杂环彼此独立地具有如权利要求3和4中由A、B、C或D表示的 经由N配位的基团相同的含义，B"“彼此独立地具有如在权利要求3、4和5中提及的桥连 基(B)、B'、B〃或B"‘相同的含义或也可以代表单键；此外符号ρ彼此独立地代表0、1、 2或3，其中至少一个描述N杂环和L之间的桥连基的符号ρ不等于0。
7.根据权利要求1-6中一项或多项的化合物，特征在于在配体L中的配位原子E等于
8.根据权利要求1-7中一项或多项的化合物在电子器件中的用途。
9.包括根据权利要求1-7中一项或多项的一种或多种化合物的电子器件，所述电子器 件优选选自有机电致发光器件(OLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、 有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光探 测器、有机光接收器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管 (0-laser) ,OLED传感器，尤其是没有与外界密闭屏蔽的气体传感器和蒸气传感器和有机等 离子体激光发光器件。
10.根据权利要求9的电子器件，特征在于根据权利要求1-7中一项或多项的化合物用 作发光光电组件中发光体层中的发光体，或用作光电组件的吸收剂层中的吸收剂材料，或 用作电荷传输材料，尤其是用作空穴传输材料。
11.根据权利要求9或10的有机电致发光器件，特征在于根据权利要求1-7中一项或 多项的化合物与基质材料组合使用，其中所述基质材料优选选自芳族酮、芳族氧化膦、芳族 亚砜、芳族砜、三芳基胺、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、双极性基质材 料、硅烷、氮杂硼杂环戊二烯、硼酸酯、三嗪衍生物、锌络合物、二氮杂硅杂环戊二烯或四氮 杂硅杂环戊二烯衍生物和两种或多种这些基质材料的混合物。
12.制造根据权利要求9-11中一项或多项的电子器件的方法，特征在于通过升华工 艺施加一个或多个层，或通过OVPD (有机气相沉积)工艺或借助于载气升华施加一个或多 个层，或从溶液中或通过任何希望的印刷方法制造一个或多个层。
全文摘要
本发明涉及具有经由氮结合的双齿配体和两个膦或胂配体的单核中性的铜(I)络合物，涉及其用于制造电子组件的用途，以及涉及包括所述络合物的电子器件。
文档编号H01L51/30GK102077382SQ200980124912
公开日2011年5月25日 申请日期2009年8月25日 优先权日2008年9月22日
发明者乌维·蒙科维乌斯, 于江波, 哈特穆特·耶尔森, 拉法尔·切尔维涅茨 申请人:默克专利有限公司