专利名称：用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统的制作方法
用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统发明背景 1.发明领域本发明总地涉及用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统。某些实施方案涉及用于检测单管芯掩模版(die reticle)上的晶体生长(crystal growth)缺陷的方法。2.相关领域的描沭下列描述及实施例不由于其被包含在此章节中而承认为现有技术。制造诸如逻辑及存储器器件的半导体器件通常包括使用大量半导体制造工艺处理诸如半导体晶片的基底以形成所述半导体器件的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种半导体制造工艺，其涉及将一图形从一掩模版传输至设置在一半导体晶片上的一抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实施例包括但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积以及离子植入。 多个半导体器件可制造在单一半导体晶片上的一配置中并接着分成个别半导体器件。术语“掩模版”和“掩模(mask)”在这里以可交换的方式使用。掩模版一般包括具有在其上形成的不透明材料的图形化区的透明衬底，所述透明衬底诸如玻璃、硼硅酸盐玻璃(borosilicate glass)和熔融石英(fused silica) 0不透明区可以用蚀刻到透明衬底中的区来代替。本领域中已知很多不同类型的掩模版，并且如本文中使用的术语掩模版意图包括所有类型的掩模版。用于制作掩模版的工艺在许多方面与晶片图形化工艺类似。例如，一般地，掩模版制作(reticle manufacturing)的目标是在衬底上形成图形。以这种方式，掩模版制作可以包括诸如图形生成的多个不同步骤，所述图形生成步骤可以包括以预先确定的图形，将具有在其上形成的抗蚀剂层的衬底曝光于光源。可替换地，掩模版可以通过电子束(e-beam) 直写曝光来图形化。在曝光步骤之后，掩模版经显影、检查、蚀刻、剥离和检查步骤被处理， 以完成图形转移(pattern transfer)过程。掩模版中的缺陷是集成电路(IC)制作中产率下降的一个原因。因此，掩模版的检查是掩模版制作工艺中的关键步骤。一旦掩模版被制造和检查，其可以被认证为针对制作是可接受的并且被释放来进行制作。然而，在掩模板使用寿命的正常过程(normal course)期间，缺陷可以被引入到掩模版中。例如，在一些使用掩模版的曝光(特别地，利用深紫外(DUV)光)后，缺陷可以出现在掩模版上，所述缺陷可以被追溯到在先前无缺陷的掩模版表面上生长的晶体缺陷，所述无缺陷的掩模版表面包括那些受保护膜(pellicle)保护的掩模版表面。这样的晶体缺陷通常也被称为“薄雾缺陷(haze defects)”或者“掩模版薄雾”，因为包括这样的缺陷的掩模版区域呈现为雾蒙蒙的。由于与掩模版环境中的水分反应的空气传播分子污染物，掩模版薄雾可以出现在云状物质形成时。例如，可能的是，由于在掩模版制作工艺期间所实施的清除程序而可能在掩模版上形成薄雾。另外，或者可替换地，薄雾可以由在生产制造设施中掩模版被使用的所述生产制造设施中的空气传播分子污染物的出现和聚集导致。无论掩模版薄雾的起因是什么，掩模版上的薄雾缺陷的开销都将是过高的(例如达数百万美元)， 并且特别地在利用DUV光刻工具的制造设施中是成问题的。因此，许多制造商周期地成像或者测试掩模版来确保其是无缺陷的。无论是出于认证还是再认证(re-qualification)的目的，可以被执行用于掩模版的检查类型根据所述掩模版自身而变化。例如，一些掩模版仅仅包括单管芯，而其他掩模版包括多于一个的相同的管芯。在掩模版包括多于一个的相同的管芯的情况下，由检查系统针对一个管芯生成的图像或其他输出可以与针对同一掩模版上的另一管芯的图像或其他输出相比。这样的“管芯到管芯(die-to-die)”检查在本质上是有效的、高效的且不昂贵的。然而，显然，这样的“管芯到管芯”检查无法针对仅具有一个管芯的掩模版来执行。相反， 一种用于检测单管芯掩模版上的缺陷的常用检查方法包括使用掩模版检查系统(例如，在商业上可从加利福尼亚州圣何塞市的KLA-Tencor获得的那些中的一个)直接(例如，通过以逐个位置为基础，比较所述掩模版透射的光与所述掩模版反射的光)检查掩模版。然而， 尽管这样的掩模版检查系统是有效的且已经在商业上获得很大成功，这样的掩模版检查系统针对这样的一些应用仍具有一些缺点，在所述应用中掩模版检查系统具有相对高的购置成本和相对慢的吞吐率(throughput)。因此，将会是有益的是，开发用于检测掩模版(并且特别地，是单管芯掩模版)上的缺陷的方法和系统，所述方法和系统是有效的、高效的且不昂贵的，并且特别适用于诸如掩模版再认证的应用，一般地，针对所述应用，很少存在或不存在掩模版检查系统的可用性。
发明内容
下列的方法和系统的各种实施方案的描述并非以任何方式被解读为限制所附权利要求书的主旨。一个实施方案涉及用于检测掩模版上的缺陷的方法。所述方法包括在晶片上的第一种区域和所述晶片上的至少一个第二种区域中印刷掩模版。所述掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中。所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中。所述掩模版为单管芯掩模版。所述方法还包括使用晶片检查系统获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。所述方法还包括分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第一图像中的变化。此外，所述方法包括基于所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。在一个实施方案中，所述参数包括剂量。在另一实施方案中，所述参数包括聚焦 (focus)。在附加实施方案中，所述方法包括在所述晶片上的第三种区域中印刷所述掩模版。所述掩模版使用所述光刻工艺附加参数的不同的值被印刷在不同的第三种区域中。所述方法还包括使用所述晶片检查系统获取所述第三种区域的第三图像，分开地比较针对不同的第三种区域所获取的所述第三图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第三图像中的变化，并且基于所述第三图像的第一部分中变化大于所述第三图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第三图像中的两个或更多个共同的所述第三图像的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。在一个这样的实施方案中，所述参数包括剂量而所述附加参数包括聚焦。在一个实施方案中，所述第一种区域被设置在所述晶片上的一列中，而所述至少一个第二种区域被设置在所述晶片上的一个或更多个附加列中。在另一实施方案中，所述第一种区域对应于所述晶片上的不同管芯，所述至少一个第二种区域对应于所述晶片上的至少一个附加管芯，并且分开地比较针对所述不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述至少一个第二图像的操作包括比较所述不同管芯中的一个与所述至少一个附加管芯中的一个。在附加实施方案中，所述第一种区域对应于所述晶片上的不同管芯，所述至少一个第二种区域对应于所述晶片上的至少两个附加管芯，并且分开地比较针对所述不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述至少一个第二图像的操作包括比较所述不同管芯中的一个与所述附加管芯中的两个。在一个实施方案中，所述变化包括与所述至少一个第二图像中特征的关键尺寸 (CDs)相比所述第一图像中特征的CD中的变化。在另一实施方案中，检测所述缺陷的操作包括比较所述第一图像内所述第一部分的位置，以识别对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分。在一个实施方案中，检测所述缺陷的操作包括基于所述第一部分和对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的潜在缺陷，并且审查 (review)对应于对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分的所述晶片上的位置，以确定所述潜在缺陷是否为真实缺陷。在另一实施方案中，检测所述缺陷的操作包括比较所述第一图像中的所述第一部分的位置与对应于所述掩模版上的图形化特征的所述第一图像中的图形化特征的位置，以将对应于所述晶体生长缺陷的所述第一部分与对应于所述掩模版上其他缺陷的所述第一部分分开。在附加实施方案中，检测所述缺陷包括执行基于设计的所述第一部分的入容器(binning)，以将所述晶体生长缺陷与所述掩模版上的其他缺陷分开。在一个实施方案中，所述方法在释放所述掩模版以进行制作和在制作中使用所述掩模版之后被执行。在另一实施方案中，所述缺陷不包括所述掩模版上图形化特征中的缺陷。在附加实施方案中，所述晶体生长缺陷包括以所述参数的所述标称值在所述晶体上印刷的晶体生长缺陷。在又一实施方案中，晶体生长缺陷包括将在以所述参数的所述标称值利用所述掩模版被印刷在所述晶片上的所述管芯的几乎100%中印刷。在又另一实施方案中，所述缺陷出现在所述第一图像和所述一个或更多个第二图像中。上述方法的实施方案中每个的每个步骤可以以本文所描述的方式进一步被执行。 另外，上述方法的实施方案中的每个可以包括本文所描述的任何一个或更多个其他方法的任何一个或更多个其他步骤。此外，上述方法的实施方案的每个可以通过本文所描述的任何系统执行。另一实施方案与用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法相关。所述计算机实现的方法包括获取晶片上的第一种区域的第一图像。所述第一图像由晶片检查系统生成。掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中。所述掩模版为单管芯掩模版。所述计算机实现的方法还包括获取所述晶片上的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。所述一个或更多个第二图像由所述晶片检查系统生成。所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中。所述计算机实现的方法还包括分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第一图像中的变化。此外，计算机实现的方法包括基于所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。上述计算机实现的方法的每个步骤可以以本文所描述的方式进一步被执行。另外，所述计算机实现的方法可以包括本文所描述的任何一个或更多个其他方法的任何一个或更多个其他步骤。附加实施方案涉及被配置来检测掩膜板上的缺陷的晶片检查系统。所述系统包括检查子系统，所述检查子系统被配置来获取晶片上的第一种区域的第一图像和所述晶片上的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中。所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中。所述掩模版为单管芯掩模版。所述系统还包括计算机子系统，所述计算机子系统被配置来分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第一图像中的变化，并且基于所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。所述系统可以以本文所描述的方式进一步被配置。附图描述得益于对较佳实施方案的以下详细描述并在参考附图之后，本领域技术人员可明白本发明的另外的优点，在所述附图中
图1是示意图，根据本文所描述的实施方案图示说明掩模版可以被印刷在晶片中的所述晶片上的第一种区域和至少一个第二种区域的一个实施方案的平视图；图2是示意图，图示说明不同特征和掩模版的实施例的平视图，其中所述不同特征使用光刻工艺参数标称值被印刷在晶片上，所述掩模版具有邻近所述掩模版上特征中的一个的晶体生长缺陷；图3是示意图，图示说明以所述光刻工艺参数的不同的值被印刷在所述晶片上的图2的不同特征的平视图；图4是示意图，图示说明覆盖有图2的所述不同特征的图3的所述不同特征，以及与图2的所述不同特征的关键尺寸(CD)相比图3的所述不同特征的CD中的变化的平面图；图5是框图，图示说明计算机可读介质的一个实施方案，所述计算机可读介质包括在计算机系统上可执行以实现用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法的程序指令；以及图6是示意图，图示说明被配置来检测掩模版上的缺陷的晶片检查系统的一个实施方案的侧视图。
虽然本发明允许有各种修改及替代形式，但是其特定实施方案以实施例的方式示出在附图中并在本文中加以详细描述。所述附图可能并未按比例绘制。然而，应该了解，所述附图及其详细描述并不预计将本发明限于所公开的特定形式，而相反，本发明涵盖落入如所附权利要求书所定义的本发明的精神及范畴内的全部修改、等同方案及替代方案。
具体实施例方式本文中使用的术语“晶片”一般指由半导体或非半导体材料形成的基底。此半导体或非半导体材料的实施例包括(但不限于)单晶硅、砷化镓以及磷化铟。此类基底通常可在半导体制造设施中找到和/或处理。一个或更多个层可以被形成在晶片上。许多不同类型的此类层在本领域中已为人所知，而且本文中所用的术语晶片是预计包含此类层的所有类型可以被形成于其上的晶片。形成于一晶片上的一个或更多个层可以是图形化的。例如，一晶片可包括多个管芯，每一个管芯具有可重复的图形化特征。此类材料层的形成及处理可最终导致完成的半导体器件。这样，晶片可以包括并非完成的半导体器件的所有层都已经被形成于其上的衬底，或者完成的半导体器件的所有层都已经被形成于其上的衬底。现在参考附图，应注意所述图并非按比例绘制。具体来说，在很大程度上夸大所述图中一些部件的比例以强调所述部件的特性。亦应注意所述图并非按相同比例绘制。已使用相同参考数字来指示在一个以上的图中所示出的可以同样配置的部件。一个实施方案涉及用于检测掩模版上的缺陷的方法。所述方法包括在晶片上的第一种区域和所述晶片上的至少一个第二种区域中印刷掩模版。所述掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中。所述不同的第一种区域中的每个可以对应于所述晶片上的所述掩模版的不同“快照(shot)”。此外，所述参数的不同的值可以根据所述晶片上的各个快照而被调制。以这种方式，所述方法可以包括利用所述光刻工艺参数的变化的值在所述晶片上印刷调制的快照。所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中。这样，所述方法包括准备具有本文进一步描述的布局中的一个的印刷出的(print-down)晶片。在一个实施方案中，所述参数包括剂量。特别地，所述参数可以包括所述晶片使用所述掩模版被曝光的所述剂量。在另一实施方案中，所述参数包括聚焦。特别地，所述参数可以包括所述晶片使用所述掩模版被曝光的所述聚焦。以这种方式，光刻工艺的参数可以为所述光刻工艺的曝光参数。所述参数的不同的值可以包括本文所描述的任一不同的值。 另外，所述标称值可以包括针对所述参数的最佳已知的值或者针对所述参数的一些预先确定的值。例如，如果使用在光刻工艺中的所述曝光系统已知在0 μ m的聚焦下操作是最佳的，则针对聚焦的所述标称值可以为0 μ m。以这种方式，在本文所描述的实施方案中将掩模版印刷在晶片上类似于掩模版是如何以工艺窗口认证(process window qualification, PffQ)方法被印刷在晶片上的，所述工艺窗口认证方法被用于检测无瑕疵掩模版(clean reticle)上的边际设计(marginal design)和光刻工艺边际。PWQ方法被详细描述于与本文具有共同拥有人的、授权给 Peterson等人的美国专利No. 6，902，855，通过引用将其并入本文，就像是在此进行完整阐述一样。本文所描述的实施方案可以包括在该专利中所描述的任何一个或更多个方法中的任何一个或更多个步骤。在一个实施方案中，第一种区域被设置在晶片上的一列中。以这种方式，所述方法可以包括利用光刻工艺参数的不同的值将一列调制的快照印刷在所述晶片上。例如，图1 根据本文所描述的实施方案，图示说明掩模版可以被印刷在其中的所述晶片上的第一种区域和至少一个第二种区域。如图1中所示，第一种区域10可以被设置在晶片14上的列12 中。图1所示的第一种区域10利用其不同的值被印刷的光刻工艺参数是剂量。例如，如图 1所示，不同的第一种区域中的一个可以利用为+4mJ/cm2(“E = +4”)的剂量的标称值被印刷，不同的第一种区域中的另一个可以利用为+3mJ/cm2( "Ε = +3”)的剂量的标称值被印刷，不同的第一种区域中的又一个可以利用为+2mJ/cm2( "Ε = +2”)的剂量的标称值被印刷，……以及，不同的第一种区域中的再一个可以利用为-4mJ/cm2( "Ε = -4”)的剂量的标称值被印刷。以这种方式，剂量可以以lmj/cm2的增量在各第一种区域间变化。然而，剂量可以以任何其他适合的增量跨任何适合的剂量范围变化。另外，不同的值可以被选定，从而某些第一种区域曝光过度(例如，E =+4、E =+3等)，而某些第一种区域曝光不足(例如，E = -4、E = -3 等)。至少一个第二种区域可以被设置在晶片上的一个或更多个附加列中。例如，如图 1所示，第二种区域16可以被设置在晶片14上的列18中。如果第一种区域以剂量的不同调制值被印刷，掩模版可以以剂量的相同标称值被印刷在第二种区域16中的每个。如图1 所示，列18可以包括不同的第二种区域16，并且第二种区域中的每个可以如本文所描述地被用于与第二种区域中的每个在同一行中的第一种区域。这样的设置是有益的，因为在所述晶片上的同一行中的第一种区域和第二种区域可以由晶片检查系统顺序地扫描，并且在扫描期间生成的图像可以如本文进一步描述的那样来比较。然而，列18可以仅包括一个第二种区域。列18也可以包括多于一个的第二种区域和少于列12中的第一种区域的数目的第二种区域。至少一个第二种区域还可以或者可替换地被设置在晶片上的不同的附加列中。例如，如图1所示，第二种区域20可以被设置在晶片14上的列22中。如果第一种区域以剂量的不同调制值被印刷，掩模版可以以剂量的相同标称值被印刷在第二种区域20中的每个。 如图1所示，列22可以包括不同的第二种区域20，并且第二种区域中的每个可以如本文所描述地被用于与第二种区域中的每个在同一行中的第一种区域。如上所述，这样的设置是有益的。然而，列22可以仅包括一个第二种区域。列22也可以包括多于一个第二种区域和少于列12中的第一种区域的数目的第二种区域。第一种区域10、第二种区域16以及第二种区域20中的每个可以以光刻工艺的其他参数(例如，聚焦)的相同值被印刷。掩模版为单管芯掩模版。例如，当管芯的大小妨碍多于一个相同的管芯设置在单个掩模版上时，掩模版可以包括单个管芯。掩模版上的单个管芯可以被用于制造单个器件。 然而，掩模版上的单个管芯可以被用于制造多个、不同的器件。例如，掩模版上的单个管芯可以包括图形化的特征，所述图形化的特征被用于制造晶片上的多个、不同的器件。尽管本文所描述的实施方案特别适用于检测如本文进一步描述的单管芯掩模版上的缺陷，而本文所描述的实施方案也可以被用于检测非单管芯掩模版(即，多管芯掩模版)上的缺陷。在一个实施方案中，第一种区域对应于晶片上的不同管芯。例如，在晶片上的不同的第一种区域中的每个中，掩模版可以被印刷一次(例如，仅仅一次)。以这种方式，掩模版上的管芯可以在晶片上的第一种区域中的每个中被印刷一次(例如仅仅一次)。从而，掩模版上的管芯可以被印刷在晶片上的不同的第一种区域的每个中。在一个这样的实施方案中，所述至少一个第二种区域对应于晶片上的至少一个附加管芯。所述至少一个第二种区域可以对应于如上所述的晶片上的至少一个附加管芯。以这种方式，第一种区域和至少一个第二种区域可以对应于晶片上的不同管芯。在另一这样的实施方案中，所述至少一个第二种区域对应于晶片上的至少两个附加管芯。所述至少一个第二种区域可以对应于如上所述的至少两个附加管芯。例如，掩模版可以被印刷在晶片上的两个不同的第二种区域中，从而所述两个不同的第二种区域中的每个对应于晶片上的一个管芯。以这种方式，被印刷在晶片上的第一种区域中的每个和一个或更多个第二种区域中的每个可以对应于晶片上的不同管芯。如上所述，掩模版可以使用光刻工艺的至少一个参数的不同的值被印刷在晶片上的不同区域中。例如，如果掩模版使用图1所示的布局被印刷，掩模版可以使用剂量的不同的值被印刷在列12中的第一种区域10中。以这种方式，可以存在被印刷在晶片上的至少一个具有变化的剂量的列。然而，掩模版可以使用光刻工艺的附加参数的不同的值被印刷在同一晶片上的其他不同的区域中。例如，在某些实施方案中，所述方法包括将掩模版印刷在晶片上的第三种区域中。掩模版使用光刻工艺的附加参数的不同的值被印刷在不同的第三种区域中。以这种方式，所述方法可以包括利用光刻工艺的两个不同的参数的变化的值将调制的快照印刷在晶片上。第三种区域可以如上所述地被设置在晶片上。例如，第一种区域可以被设置在晶片上的一列中，并且第三种区域可以被设置在晶片上的不同的列中。图1根据本文所描述的实施方案，还图示说明在晶片中掩模版可以被印刷的所述晶片上的第三种区域。如图1所示，第三种区域M可以被设置在晶片14上的列沈中。图 1所示的第三种区域M利用其不同的值来印刷的光刻工艺参数为聚焦。例如，如图1所示， 不同的第三种区域中的一个可以利用为+4ym(“F = +4”)的聚焦的标称值被印刷，不同的第三种区域中的另一个可以利用为+3ym( “F = +3”)的聚焦的标称值被印刷，不同的第三种区域中的又一个可以利用为+2ym( “F = +2”)的聚焦的标称值被印刷，……以及，不同的第三种区域中的再一个可以利用为-4μπι( “F = -4”)的曝光剂量的标称值被印刷。 以这种方式，晶片可以包括至少一个具有变化的剂量的列和一个可选的具有变化的聚焦的列。如图1所示，聚焦可以以Iym的增量在各第三种区域间变化。然而，聚焦可以以任何其他适合的增量跨任何适合的聚焦值范围变化。另外，掩模版可以以正离焦的不同的值(例如，F = +4、F = +3等)被印刷在某些第三种区域中，而可以以负离焦的不同的值(例如， F = -4、F = -3等)被印刷在某些第三种区域中。另外，至少一个第二种区域观可以被设置在晶片14上的列30中。如果第三种区域以聚焦的不同调制值被印刷，掩模版可以以聚焦的相同标称值被印刷在第二种区域观的每个中。如图1所示，列30可以包括不同的第二种区域观，并且第二种区域中的每个可以如本文所述地被用于与所述第二种区域中的每个在同一行中的第三种区域。如上所述， 这样的设置是有益的。然而，列30可以仅包括一个第二种区域。列30也可以包括多于一个的第二种区域和少于列M中的第三种区域的数目的第二种区域。因此，如图1所示，在两个调制的列12和沈之间可以存在以标称条件被印刷的至少两个列18和30。这两列中的每个可以如本文所描述地被用于不同的调制的列。可替换地，这两列都可以如本文所描述地被用于两个调制的列。此外，或者可替换地，至少一个第二种区域32可以被设置在晶片14上的列34中。 如果第三种区域以聚焦的不同调制值被印刷，掩模版可以以聚焦的相同标称值被印刷在第二种区域32中的每个中。如图1所示，列34可以包括不同的第二种区域32，并且第二种区域中的每个可以如本文所描述地被用于与所述第二种区域中的每个在同一行中的第三种区域。如上所述，这样的设置是有益的。然而，列34可以仅包括一个第二种区域。列34也可以包括多于一个的第二种区域以及少于列26中的第三种区域的数目的第二种区域。第三种区域M、第二种区域观以及第二种区域32中的每个可以以光刻工艺的其他参数(例如剂量)的相同的值被印刷。另外，晶片上的所有第二种区域可以以剂量的相同的标称值和聚焦的相同的标称值被印刷。图1所示的带阴影的矩形图示说明仅有掩模版的一部分可以被印刷在晶片上的区域中的所述区域，以及位于在所述晶片的区域之外掩模版无法被印刷在其中的区域。以这种方式，所示方法可以包括利用光刻工艺的两个参数的不同的值，将调制的快照的不同的列印刷在晶片上。另外，第三种区域可以对应于晶片上的不同管芯(即，与对应于第一种区域的管芯不同的管芯，以及与对应于至少一个第二种区域的一个或更多个管芯不同的管芯)。在一个这样的实施方案中，所述参数包括剂量，而所述附加参数包括聚焦。以这种方式，所述方法可以包括利用变化的剂量和聚焦，将调制的快照的不同的列印刷在晶片上。所述方法还包括使用晶片检查系统获取第一种区域的第一图像和至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。晶片检查系统可以为在商业上可获得的晶片检查系统， 例如在商业上可以从加利福尼亚州圣何塞市的KLA-Tencor获得的2350工具以及^xx工具。晶片检查系统可以被配置用于图形化晶片的检查。另外，晶片检查系统可以被配置用于亮场(BF)检查。此外，晶片检查系统可以被配置为光学检查系统。使用晶片检查系统获取第一图像和一个或更多个第二图像可以以任何适合的方式来执行。例如，使用晶片检查系统获取第一图像和一个或更多个第二图像可以通过扫描晶片来执行。扫描晶片可以包括相对于晶片检查系统的光学件移动晶片(通过在晶片检查系统上晶片被定位的工作台)， 从而当晶片检查系统检测到从晶片反射的光时，晶片检查系统的照明追踪晶片上的蜿蜒路径。第一图像和一个或更多个第二图像可以在晶片的相同扫描中被获取。在一个实施方案中，所述方法包括使用晶片检查系统获取第三种区域的第三图像。使用晶片检查系统获取第三种区域的第三图像可以如本文关于使用晶片检查系统获取第一种区域的第一图像所进一步描述地来执行。另外，第一图像和第三图像可以在晶片的相同扫描中被获取。所述方法还包括分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与至少一个第二图像相比，第一图像中的变化。分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个可以通过以下方式来执行，即比较在晶片上的一行中的第一种区域的第一图像与在晶片上的同一行中的第二种区域的第二图像。可替换地，分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个可以通过以下方式来执行，即分开地比较针对不同的第一种区域所获取的不同的第一图像与一个或更多个第二图像。在任何情况下，针对不同的第一种区域所获取的第一图像可以被分开地与至少一个第二图像比较， 从而被比较的第一图像中的每个中的变化可以被分开地确定。以这种方式，第一图像中的每个中的变化可以相对于以调制的参数的标称值被曝光的区域的图像被分开地确定。分开地比较图像还可以包括将第一图像对齐到至少一个第二图像并且以逐个位置为基础执行便利图像比较的任何其他功能。被比较的第一图像和至少一个第二图像的特征可以包括图像的任何可计量的特性，例如出现在图像中的特征的关键尺寸(CD)。这样的变化可以以任何适合的方式被确定为图像中位置的函数。如上所述，在一个实施方案中，第一种区域对应于晶片上不同的管芯，而至少一个第二种区域对应于晶片上的至少一个附加管芯。在一个这样的实施方案中，分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与至少一个第二图像包括比较不同管芯中的一个与至少一个附加管芯中的一个。以这种方式，分开地比较第一图像与至少一个第二图像可以包括执行一定数目的不同的管芯到管芯的比较(例如，针对被比较的不同的第一种区域的每个的一个比较)。这样，获取第一图像和一个或更多个第二图像以及分开地比较第一图像与至少一个第二图像可以以类似于管芯到管芯的检查是如何被执行的方式来执行。另外，与至少一个第二图像相比，大于第一图像中的其他变化的第一图像中的变化可以利用相对高的灵敏度来检测。例如，晶片检查系统的参数(例如，光学图像获取参数)和用来检测大于其他变化的变化的参数(例如，检测缺陷参数)可以被选择，从而更大的变化可以利用相对高的灵敏度被检测。这样，获取第一图像和一个或更多个第二图像以及分开地比较第一图像与至少一个第二图像可以在本质上包括执行相对高的灵敏度的晶片检查。以这种方式，可以尽可能多地检测到与至少一个第二图像相比大于第一图像中的其他变化的第一图像中的变化，并且所检测到的更大的变化的数目随后可以通过执行本文所描述的一个或更多个附加步骤(例如，重复体分析(repeater analysis)或其他过滤) 而被减少。如上所述，在一个实施方案中，第一种区域对应于晶片上的不同管芯，而至少一个第二种区域对应于晶片上的至少两个附加管芯。在一个这样的实施方案中，分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与至少一个第二图像包括比较不同管芯中的一个与附加管芯中的两个。以这种方式，分开地比较第一图像与至少一个第二图像可以包括执行一定数目的不同的管芯到管芯的比较(例如，针对被比较的不同的第一种区域的每个的两个分开的比较，两个比较中的每个可以利用不同的第二图像来执行)。这样，与至少一个第二图像相比，第一图像中的变化可以以双仲裁类型方案来确定，在所述双仲裁类型方案中测试图像与两个不同的参考图像比较，从而所比较的图像之间的不同可以以更大的确定性(与单仲裁方案相比，在单仲裁方案中一测试图像与一个参考图像比较)被确定为所述测试图像自身中的变化或者被确定为参考图像中的一个中的变化。因此，获取第一图像和一个或更多个第二图像以及分开地比较第一图像与至少一个第二图像可以以类似于双仲裁管芯到管芯检查是如何被执行的方式来执行。另外，在双仲裁类型方案中，与至少一个第二图像相比，大于第一图像中的其他变化的第一图像中的变化可以利用如上所述的相对高的灵敏度来检测。在一个实施方案中，所述方法包括分开地比较针对不同的第三种区域所获取的第三图像与一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与至少一个第二图像相比，第三图像中的变化。分开地比较针对不同的第三种区域所获取的第三图像与一个或更多个第二图像中的至少一个可以如本文所描述地来执行。另外，被比较的第三图像中的每个中的变化可以如本文进一步描述地被分开确定。此外，与至少一个第二图像相比，大于第三图像中的其他变化的第三图像中的变化可以利用如本文进一步描述的相对高的灵敏度来检测。在这样的实施方案中，即与至少一个第二图像相比第一图像中的变化通过第一图像与第二图像中的至少两个的两个分开的比较(例如，用于双仲裁)被确定，可以是有益的是，针对以参数的不同值被印刷在晶片上的第一种区域的每列，以所述参数的标称值将两列第二种区域印刷在晶片上。例如，图1所示的列18和22中的第二种区域的第二图像可以被获取并与列12中的第一种区域的第一图像比较。以这种方式，针对一行中的每个第一种区域的第一图像可以与针对在同一行中的邻近的第二种区域的第二图像比较，这可以是有益的，因为图像可以被顺序地获取并当其被获取时被比较。具体地，当晶片被扫描时图像可以被获取，并且在比较已经被执行之后，图像可以被丢弃或者图像的大量部分可以被丢弃， 从而减少图像数据的量，所述图像数据被储存以执行所述方法的附加步骤。以类似的方式， 图1所示的列30和34中的第二种区域的第二图像可以被获取并与列沈中的第三种区域的第三图像比较。以这种方式，比较可以针对被印刷在晶片上的不同行内的区域被分开地执行。然而，单仲裁(或双仲裁)可以使用针对被印刷在晶片上的任何地方的任何一个 (或两个)第二种区域所获取的任何一个(或两个)第二图像，针对第一种区域中的任一个被执行。换言之，尽管图1所示的印刷区域的布局可以是有益的，但该布局不是可以用于执行本文所描述的实施方案的印刷的区域的唯一布局。例如，尽管图1所示的布局可以有益地减少被储存以执行所述方法的图像数据的量，针对被印刷在晶片上的所有区域所获取的所有图像可以使用这样的系统和方法来储存，即，例如，那些被描述于Miaskar等人2007年 9月20日递交的、与本文具有共同拥有人的美国专利申请序列号No. 60/974，030中的系统和方法，该申请通过引用并入本文，就像是在此进行完整阐述一样。所储存的图像然后可以被用于本文所描述的实施方案中的一个或更多个步骤中。本文所描述的实施方案可以包括在该专利申请中所描述的任何一个或更多个方法的任何一个或更多个步骤。所述方法还包括基于在第一图像的第一部分中所述变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分以及对第一图像中的两个或更多共同的第一部分，检测掩模版上的缺陷。所述缺陷包括掩模版上的晶体生长缺陷。例如，掩模版上的晶体生长缺陷可以作为缺陷在晶片上印刷出。另外，与掩模版的无缺陷部分是如何将被调制的相比，在印刷出时掩模版上的晶体生长缺陷将以不同的方式被调制。换言之，由于晶体生长缺陷的原因，与至少一个第二图像相比第一图像中的变化可以大于第一图像中由调制自身导致的其他缺陷。因此， 这些缺陷位置可以使用上述的比较(例如，管芯到管芯的比较)结果来检测。尽管本文所描述的实施方案可以有益地检测掩模版上的晶体生长缺陷，所述实施方案不被限于仅仅检测晶体生长缺陷。例如，本文所描述的实施方案还可以被用于检测其他缺陷类型，例如掩模版上的粒子和/或铬损坏。此外，只要掩模版缺陷可以导致晶片上的软缺陷(仅断断续续地印刷出)，本文所描述的实施方案都可以检测该缺陷。由晶体生长缺陷导致的第一图像中的变化还可以针对光刻工艺的不同的调制的参数是不同的。例如，晶体生成缺陷的调制可以对剂量的不同的值是更为灵敏的，因为晶体生长缺陷尤其影响掩模版的光透射。以这种方式，图1所示的晶片布局可以包括针对剂量的变化的值的至少一列调制的快照。然而，聚焦的不同的值也可以导致晶体生长缺陷的足够的调制，从而缺陷可以如本文所描述地来检测。这样，图1所示的晶片布局还可以包括针对聚焦的变化的值一列调制的快照。调制光刻工艺的多于一个的值还可以提供可以以更大的确定性被用来检测晶体生长缺陷的更多的实验数据。在一个实施方案中，所述变化包括与至少一个第二图像中的特征的⑶相比第一图像中的特征的CD中的变化。例如，晶体生长缺陷可以导致邻近晶体生长缺陷的特征的CD 中的变化。因此，印刷在晶片上的掩模版的特征的CD中的变化可以被用于检测掩模版上的晶体生长缺陷。另外，通过光刻工艺参数的调制，位于邻近晶体生长缺陷的特征可以呈现比不位于邻近晶体生长缺陷的特征更多的⑶变化。以这种方式，以光刻工艺参数的任何给定的调制值，不位于邻近晶体生长缺陷的特征可以呈现由于调制自身所导致的图形噪声造成的某些CD变化。然而，以相同的调制值，位于邻近晶体生长缺陷的特征可以呈现由调制自身导致的图形噪声造成的某些CD变化，但还可以呈现由晶体生长缺陷造成的某些更大的 CD变化。因此，CD变化可以被用来将由于晶体生长缺陷造成的被印刷在晶片上的图形中的变化与由于光刻工艺参数的调制导致的图形噪声造成的被印刷在所述晶片上的图形中的其他变化分开。CD中的变化可以使用任何适合的方法和/或算法以任何适合的方式被确定。掩模版上的晶体生长缺陷如何可以导致被印刷在晶片上的特征的CD中的变化的实施例在图2-4中被示出。例如，图2图示说明使用光刻工艺参数的标称值被印刷在晶片上的不同特征的实施例。被印刷在晶片上的不同特征中的一个对应于在掩模版上位于靠近晶体生长缺陷的特征，而被印刷在晶片上的不同特征中的其他对应于在掩模版上不位于靠近晶体生长缺陷的特征。具体地，晶体生长缺陷可以位于在掩模版上的主线状图形与辅助条之间的掩模版上的留空空间(open space)中。当所述主线状图形以光刻工艺参数的标称值(例如剂量和聚焦的标称值)被印刷在晶片上时，晶体生长缺陷可以在被印刷在晶片上(图2未示)的线状图形38上导致相对小的突起36。另外，晶体生长缺陷不呈现于在掩模版上的另一主线状图形和辅助条之间的掩模版上。当该主线状图形以光刻工艺参数的标称值(例如以剂量和聚焦的标称值)被印刷在晶片上时，线状图形40可以被印刷在晶片上。如图2所示，线状图形40不包括任何突起。图3图示说明以光刻工艺参数的不同的值被印刷在晶片上的图2的不同特征覆盖有以光刻工艺参数的标称值被印刷在晶片上的图2的相应的特征。例如，线状图形42可以以光刻工艺参数的不同的值(例如，以低于标称的剂量，从而在晶片上产生曝光不足的特征)被印刷在晶片上(图3未示)。如图3所示，相对小的突起44以与图2所示的线状图形38上的相对小的突起基本上相同的位置出现在线状图形42上。另外，线状图形46可以以与线状图形42光刻工艺参数的同一不同的值被印刷在晶片上。如图3所示，与以聚焦和剂量的标称值被印刷的相应的线状图形相比，两个曝光不足的线状图形以不同的方式出现在晶片上。图4图示说明图3所示的不同的特征以及与图2所示的对应的不同特征的CD相比所述不同的特征的CD中的变化。具体地，如图4所示，在对应于曝光不足的剂量的不同值，特征46示出与以剂量和聚焦的标称值被印刷的特征40相比的CD变化48。CD变化48 可以被归因于由剂量值的调制导致的图形噪声。相反，在对应于曝光不足的剂量的不同值， 特征42示出对应于不邻近晶体生长缺陷的掩模版上的特征的部分的特征42的部分上的CD 变化50，以及对应于邻近晶体生长缺陷的掩模版上的特征的部分的特征42的部分上的CD 变化52。CD变化50可以归因于由剂量值的调制造成的图形噪声，而CD变化52可以归因于晶体生长缺陷自身。如图4所示，当以剂量的调制值被印刷时，晶体生长缺陷导致与由于图形噪声造成的CD中的变化相比在CD中更高的变化。以这种方式，当被调制时，晶体生长缺陷示出更高的变化。这样，缺陷(来自图形的突起)可以被检测，因为由曝光条件中的调制造成的图形变化信号更强。尽管晶体生长缺陷可以基于CD变化中的不同，跨印刷在晶片上的单个特征如上所述地来检测，第一图像中的变化中的不同可以基于印刷在晶片上的多个特征来确定。例如，针对以光刻工艺参数的给定的调制值印刷在晶片上的类似特征的CD中的平均变化可以被确定，并且针对所述特征的个别部分或个别特征的CD中的变化可以与所述平均变化比较，以确定呈现针对调制的异常或偏出的(outlying) CD变化的那些部分或特征。在另一实施例中，针对以光刻工艺参数的给定的调制值被印刷在晶片上的相似特征的CD中的期望变化可以被确定(例如，实验地或经验地或基于使用其他掩模版所获取的历史数据)。针对特征的个别部分或个别特征的CD中的变化然后可以与期望的变化相比，并且存在在期望的变化之外的变化的特征的任何个别部分或个别特征可以被确定，以对应于位于接近晶体生长缺陷的掩模版上的特征的一部分或个别特征。此外，因为晶体生长缺陷容易以不同的方式被调制于多于一个的第一图像(如果不是所有的第一图像)中，将第一部分中变化更大且对第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分与第一部分中的变化更大但对第一图像中的两个或更多个不是共同的所述第一部分分开，可以有效地将由于晶体生长缺陷造成的第一图像中的变化与不是由于晶体生长缺陷造成的第一图像中的变化分开。以这种方式，本文所描述的实施方案可以使用印刷在晶片上的掩模版的PWQ类型布局，以调制在单管芯掩模版上的晶体生长缺陷，来利用晶片检查系统(例如使用管芯到管芯的比较)帮助检测印刷出的晶片上的晶体生长缺陷。另外，本文所描述的实施方案可以被用来使用PWQ类型检查途径，通过在印刷出的晶片上执行检查，检测单管芯掩模版上的晶体生长掩模版缺陷或掩模版“薄雾”缺陷。因此，本文所描述的实施方案可以被用来检测掩模版上的缺陷类型，所述缺陷类型可以在掩模版认证时期可以不呈现在掩模版上，但是在所述掩模版被释放以用于在制作中使用并且已经被用于一些次数的曝光之后出现。以这种方式，在一个实施方案中，所述方法在释放掩模版以进行制作和在制作中使用掩模版之后被执行。所述方法可以在从释放掩模版以进行制作开始的一预先确定的时段已经过去之后被执行。此外，或者可替换地，所述方法可以在掩模版已经被用于一预先确定次数的曝光之后被执行。在一个实施方案中，检测所述缺陷包括比较第一图像内的第一部分的位置，以识别对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分。例如，第一图像内的第一部分的位置可以通过重复体分析来比较。以这种方式，来自调制的列的检查数据可以通过重复体分析被过滤。这样，重复体分析可以在检查之后被使用，以从由曝光调制导致的其他图形变化缺陷挑选出掩模版缺陷位置。重复体分析可以在检查之后来使用，以将掩模版缺陷位置与由调制导致的其他图形变化缺陷分开，因为由于调制自身的原因，PWQ类型曝光将导致大量的图形噪声。尽管图形噪声在各调制的快照之间可能不是重复的，晶体生长缺陷易于在每个调制的快照中重复。因此，重复体分析可以被用来显著地减少在晶片上所检测出的潜在的掩模版缺陷的数目。在另一实施方案中，检测所述缺陷包括基于第一部分和对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分，检测掩模版上的潜在缺陷，以及审查对应于对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分的晶片上的位置，以确定所述潜在缺陷是否为真实缺陷。例如，潜在缺陷可以被识别为在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分。另外，识别潜在缺陷可以包括过滤(例如使用重复体分析)在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分，以将对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分识别为潜在缺陷。因此，潜在缺陷可以被识别为第一图像中的重复体。所述重复体然后可以被光学地审查，以当不是与掩模版相关的真实缺陷时，消除某些潜在的掩模版缺陷。重复体的光学审查可以使用任何适合的光学晶片缺陷审查系统，以任何适合的方式被执行。通过光学审查识别的潜在掩模版缺陷然后可以使用扫描电子显微镜(SEM)被审查， 以确定所述潜在缺陷是否为与掩模版相关的真实缺陷。潜在掩模版缺陷的SEM审查可以使用任何适合的SEM晶片检测审查系统，以任何适合的方式被执行。重复体的光学审查可以在SEM审查之前被执行，以减少由SEM审查的潜在掩模版缺陷的数目。然而，如果第一图像中重复体的数目是相对低的，光学审查可以不在对应于第一图像中的重复体的晶片上的位置的SEM审查之前被执行。因此，如上所述，可以对在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分执行重复体分析，以识别对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分。 对第一图像中的两个或更多个共同的那些第一部分然后可以通过缺陷审查来分析，以识别潜在和/或真实掩模版缺陷。以这种方式，如果在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分在数目上是相对大的，重复体分析可以被用于减少对应于被审查的第一部分的晶片上的位置的数目，以识别所述潜在和/或真实掩模版缺陷。然而，如果在图像中的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分在数目上是相对小的，审查可以针对对应于所述第一部分的晶片上的所有位置被执行，以识别所述潜在和/ 或真实掩模版缺陷。在附加实施方案中，检测所述缺陷包括比较第一图像中的第一部分的位置与对应于掩模版上的图形化特征的第一图像中的图像化特征的位置，以将对应于晶体生长缺陷的第一部分与对应于掩模版上其他缺陷的第一部分分开。例如，当晶体生长缺陷位于掩模版的透光部分中时，所述晶体生长缺陷易于导致晶片上的缺陷。另外，因为无论相对于晶体生长缺陷的部分的是掩模版上的特征的哪部分，所述晶体生长缺陷都可以导致通过掩模版的光透射中的变化，所以所述晶体生长缺陷可以导致晶片上与被印刷在晶片上的其他特征隔开的缺陷。例如，在掩模版上的留空空间中且与所述掩模版上的不透明特征隔开的晶体生长缺陷可以导致晶片上与被印刷在所述晶片上的其他特征隔开的缺陷。因此，如果第一图像的第一部分的位置与第一图像中的图形化特征隔开，该位置可以被识别为潜在晶体生长缺陷的位置。潜在晶体生长缺陷可以被确认为(例如，通过光学和/或SEM审查)是如本文所描述的实际晶体生长缺陷。在进一步的实施方案中，检测所述缺陷包括执行第一部分的基于设计的入容器 (DBB)，以将晶体生长缺陷与掩模版上的其他缺陷分开。例如，DBB可以被执行来将图形变化与掩模版缺陷位置分开。具体地，DBB —般地包括比较位于接近潜在缺陷位置处的图形， 以识别在印刷在晶片上的图形的相同部分中或者图形内基本上相同的位置处出现的缺陷。 以这种方式，DBB可以被用来识别出现在图形的相同部分中或者图形内基本上相同的位置处的第一图像的第一部分，从而识别跨调制重复并且因此是潜在的掩模版晶体生长缺陷的表征(indicative)的第一部分。DBB可以如在以下内容中所描述地来执行，即与本文具有共同拥有人的，Zafar等人2006年11月20日递交的美国专利申请序列号No. 11/561,659, 该专利申请于2007年12月13日被公开为美国专利申请公开No. 2007/(^88219，以及由 Kulkarni等人于2006年11月20递交的美国专利申请11/561，735，该专利申请于2007年 7月5日被公开为美国专利申请公开No. 2007/0156379，通过引用将上述专利申请并入本文，就像是在此进行完整阐述一样。本文所描述的实施方案可以包括在这些专利申请中所描述的任何一个或更多个方法的任何一个或更多个步骤。以这种方式，DBB可以被用作重复体分析的一种形式。通过DBB被确定重复的那些第一部分因此为掩模版上潜在晶体生长缺陷的位置的表示，所述潜在晶体生长缺陷可以被确认为(例如，通过光学和/或SEM审查) 是如本文所描述的实际晶体生长缺陷。在一个实施方案中，所述方法包括基于在第三图像的第一部分中变化大于第三图像的第二部分的所述第一部分以及对第三图像中的两个或更多个共同的第三图像的第一部分检测掩模版上的缺陷。基于在第三图像的第一部分中变化大于第三图像的第二部分的所述第一部分以及对第三图像中的两个或更多个共同的第三图像的第一部分检测掩模版上的缺陷可以如本文所描述地被执行。另外，上述步骤可以使用第一图像的第一部分和第三图像的第一部分的组合被执行。例如，重复体分析可以共同地被执行在第一和第三图像的第一部分上。被确定来重复的那些第一和第三图像的第一部分可以被识别为对应于掩模版上的潜在晶体生长缺陷的位置。潜在晶体生长缺陷可以被识别为(例如，通过光学和/ 或SEM审查)如本文所描述的实际晶体生长缺陷。在另一实施方案中，缺陷不包括掩模版上的图形化特征中的缺陷。例如，尽管基于第一图像中的变化，例如图像中的特征的CD中的变化，第一图像的第一部分被确定，第一图像中的变化可以由晶体生长缺陷而不是形成在掩模版上的图像化特征自身中的缺陷导致。另外，图形化特征自身中的缺陷可以以与晶体生长缺陷不同的方式被调制。因此，晶体生长缺陷可以由本文所描述的方法、基于第一图像的第一部分中的变化被检测，而没有同样检测形成在掩模版上的图像化特征中的缺陷。另外，如果在掩模版的认证之前(例如，因为所述缺陷将不会影响使用掩模版制造的器件的生产)，形成在掩模版上的图像化特征中的某些缺陷已经被确定为“可接受”的，关于那些可接受的缺陷的信息可以被用来将图形化特征中的缺陷与通过实施方案检测到的其他缺陷分开。关于可接受的缺陷的信息如何可以被用来将可接受的缺陷与在掩模版的认证之后的检查期间所检测到的其他缺陷分开的实施例被描述于以下内容，即与本文具有共同拥有人的、由Volk等人于2005年5月27日递交的美国专利申请序列号No. 11/139，151，通过引用将其并入本文，就像是在此进行完整阐述一样。本文所描述的实施方案可以包括在该专利申请中所描述的任何一个或更多个方法的任何一个或更多个步骤。尽管许多掩模版检查方法被设计用于在图形化特征被形成在掩模版上时检测图形化特征中的缺陷，因为本文所描述的实施方案可以被用于检测掩模版上的晶体生长缺陷，所述实施方案将一般地在掩模版已经被认证并且被释放以进行制作之后被使用。以这种方式，当本文所描述的实施方案被用于检测掩模版上的缺陷时，掩模版将一般地在形成于掩模版上的图形化特征中不包括感兴趣的缺陷。例如，在掩模版的认证之前，形成于掩模版上的图形化特征中的任何缺陷可以被修复或被确定为是可接受的缺陷。因此，在掩模版的认证之后，掩模版上的图形化特征自身中的缺陷一般地对使用者而言是不感兴趣的。相反，在认证之后的检查期间，掩模版中的缺陷(例如可以在认证之后出现在掩模版上的晶体生长缺陷)对使用者而言是感兴趣的，因为那些缺陷没有被先前地检测和/或被确定为是可接受的并且可以不利地影响使用掩模版制造的器件的生产。以这种方式，具体地，本文所描述的实施方案针对认证的掩模版的检查可以是有益地，因为所述实施方案可以检测在认证之后出现的缺陷，而不检测可以在认证之前已经呈现的且由于其已经被认为是可接受的缺陷而仍在掩模版上的缺陷。在附加实施方案中，晶体生长缺陷包括以参数的标称值印刷在晶片上的晶体生长缺陷。在另一实施方案中，缺陷出现在第一图像和一个或更多个第二图像中。例如，即使掩模版缺陷可以被印刷在被比较的所有管芯中，本文所描述的实施方案也可以被用来使用管芯到管芯类型的比较检测掩模版缺陷。具体地，如上所述，晶体生长缺陷将以光刻工艺参数的调制值，以与晶体生长缺陷将如何以所述参数的标称值印刷相比不同的方式印刷。具体地，光刻工艺参数的调制将导致晶体生长缺陷在被印刷在对应于晶体生长缺陷的位置的晶片上的区域中，产生比以所述参数的标称值更多的变化。因此，与在晶片中掩模版以所述参数的标称值被印刷的所述晶片上的区域的图像相比，晶体生长缺陷将于在晶片中掩模版以调制的值被印刷的所述晶片上的区域的图像之间产生不同。如本文进一步描述的，基于所述不同自身之间的比较并且基于所述不同是否针对两个或更多个调制的值重复，由晶体生长缺陷导致的图像中的不同可以与由调制造成的图形变化导致的图像之间的其他不同分开。在进一步的实施方案中，晶体生长缺陷包括将以所述参数的标称值利用掩模版在被印刷在晶片上的管芯的几乎100%中印刷的晶体生长缺陷。以这种方式，本文所描述的实施方案可以被用于通过检查PWQ类型印刷出的晶片和执行PWQ类型分析，检测单管芯掩模版上的“硬”晶体生长缺陷。具体地，“硬”晶体生长缺陷可以一般地被定义为基本上一直地导致失败的晶体生长缺陷。换言之，“硬”晶体生长缺陷是一直以标称曝光条件印刷出的缺陷。以这种方式，单管芯掩模版上的硬晶体生长缺陷将影响晶片上管芯的将近百分之百，并且从而可以导致零产出。相反，“软”晶体生长缺陷可以一般地被定义为不是一直有的晶体生长缺陷，即可以不总是印在晶片上。尽管本文所描述的实施方案可以有益地检测硬晶体生长缺陷，本文所描述的实施方案还可以检测至少在晶片上的区域的至少两个图像中出现的软晶体生长缺陷，在所述晶片中掩模版利用光刻工艺参数的调制的值被印刷。与本文所描述的实施方案相对照，某些当前所使用的用于检测单管芯掩模版上的缺陷的方法包括使用掩模版检查工具(例如，在商业上可从加利福尼亚州圣何塞市的 KLA-Tencor购买的那些)来直接检查所述掩模版。例如，掩模版检查工具可以检测由掩模版透射和反射的光，以检测掩模版上的污染缺陷。这样的掩模版检查系统在以下方面是有益的，即掩模版检查系统可以在没有关于掩模版上的图形的任何信息的情况下检查掩模版，可以检查单管芯掩模版和多管芯掩模版，以及可以检查掩模版上的所有区域(包括边界区域和划线区域)。然而，这样的方法的缺点在于，相对高的购置成本和相对慢的掩模版检查工具的吞吐率。因此，将会是有益的是，使用其他检查工具检测单管芯掩模版上的缺陷。例如，掩模版可以印刷在晶片上并且然后所述晶片可以使用管芯到管芯的比较来检查， 以确定晶片上是否有任何缺陷对应于掩模版上的缺陷。在这样的检查中，如果管芯之间的比较在“缺陷位置对比背景图形差别”上示出较大的不同，缺陷被检测到。然而，由于单管芯掩模版的自然属性，掩模版缺陷将被印刷在晶片上的每个管芯(所述每个管芯是一个完整的掩模版域)上。因此，如果晶片的检查使用管芯到管芯的比较来识别缺陷位置，晶片检查系统将不能够检测单管芯掩模版上的缺陷，因为所述缺陷在晶片的每个管芯上看起来都是一样的。然而，如本文进一步描述的，因为与光刻工艺参数的标称值相比，掩模版晶体生长缺陷将以所述参数的调制的值以不同的方式被调制，掩模版晶体生长缺陷可以通过本文所描述的实施方案检测，而不使用掩模版检查系统。具体地，本文所描述的步骤全都不是使用掩模版检查系统执行的。以这种方式，本文所描述的实施方案可以在没有掩模版检查系统的情况下被执行。因此，本文所描述的实施方案与在掩模版检查系统上执行掩模版的检查相比显著节省成本。例如，一个掩模版检查系统的成本可以在1千万美元的数量级。另外，单管芯掩模版相对地常用于工程装置和微处理器。然而，许多晶片制造设施不具有任何 (或充足的)掩模版检查系统，所述掩模版检查系统已经成为能够为单管芯掩模版检查晶体生长缺陷的唯一系统。这样，针对不具有任何掩模版检查系统或具有有限的掩模版检查系统生产能力的晶片制造设施，本文所描述的实施方案可以被用来使用晶片检查系统识别掩模版缺陷。因此，本文所描述的实施方案对单管芯掩模版的使用者来说可以是极具价值的。本文所描述的实施方案还可以包括将本文所描述的一个或更多个方法的一个或更多个步骤的结果储存在储存介质中。所述结果可以包括任何本文所描述的结果。所述结果可以以本领域已知的任何方式被储存。储存介质可以包括本领域已知的任何适合的储存介质。在结果已经被储存之后，在储存介质中所述结果可以被存取并且由本文所描述的任何方法或系统的实施方案、任何其他方法或任何其他系统使用。此外，结果可以被“永久地”、“半永久地”、临时地储存，或者被储存一定的时间段。例如，储存介质可以为随机存取存储器(RAM)，而结果可以不一定以不确定的方式被保存在储存介质中。另一实施方案涉及用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法。计算机实现的方法包括获取晶片上的第一种区域的第一图像。第一图像由晶片检查系统生成。获取第一图像可以使用晶片检查系统来执行。例如，获取第一图像可以包括使用晶片检查系统来在晶片上扫描光，并且在扫描期间生成响应于从由晶片检查系统检测的晶片反射的光的输出。以这种方式，获取第一图像可以包括扫描所述晶片。然而，获取第一图像不是必定包括扫描所述晶片。例如，获取第一图像可以包括获取(例如，通过晶片检查系统)来自在储存介质中第一图像已经被储存的所述储存介质的所述第一图像。获取来自储存介质的第一图像可以以任何适合的方式被执行，并且从储存介质所述第一图像被获取的所述储存介质可以包括本文所描述的任何储存介质。第一图像可以包括本文所描述的任何第一图像。晶片检查系统可以包括本文所描述的任何晶片检查系统。另外，晶片检查系统可以以任何适合的方式生成第一图像。掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中。掩模版可以如本文进一步描述地被印刷在不同的第一种区域中。根据本文所描述的任一实施方案，所述第一种区域可以被设置在晶片上。光刻工艺参数可以为本文所描述的任一光刻工艺参数。参数的不同的值可以包括本文所描述的任一不同的值。掩模版为单管芯掩模版。所述单管芯掩模版可以如本文所描述地被配置。计算机实现的方法还包括获取晶片的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。所述一个或更多个第二图像由晶片检查系统生成。获取晶片的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像可以如本文所描述地被执行。所述一个或更多个第二图像可以包括本文所描述的任何一个或更多个第二图像。晶片检查系统可以被配置来如本文所描述地或以任何其他适合的方式，生成所述一个或更多个第二图像。掩模版使用参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中。掩模版可以如本文进一步描述地被印刷在至少一个第二种区域中。所述至少一个第二种区域可以如本文所描述地被设置在晶片上。参数的标称值可以包括本文所描述的参数的标称值中的任一个。此外，计算机实现的方法包括分开地比较针对不同的第一图像所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与至少一个第二图像相比，第一图像中的变化。分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个可以如本文进一步描述地被执行。通过分开地比较步骤确定的与至少一个第二图像相比第一图像中的变化可以包括本文所描述的任一变化。基于计算机实现的方法还包括基于在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分以及对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分，检测掩模版上的缺陷。检测所述缺陷可以如本文进一步描述地被执行。所述缺陷包括掩模版上的晶体生长缺陷。晶体生长缺陷可以包括本文所描述任何晶体生长缺陷。计算机实现的方法可以包括本文所描述的任何一个或更多个其他方法中的任何一个或更多个其他步骤。附加实施方案涉及计算机可读介质，所述计算机可读介质包括在计算机系统上可执行以实现用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法的程序指令。一个这样的实施方案在图5中被示出。例如，如图5所示，计算机可读介质M包括在计算机系统58上可执行以实现用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法的程序指令56。计算机实现的方法可以包括本文所描述的任何一个或更多个计算机实现的方法。程序指令56实现的例如本文所描述的那些方法可以在计算机可读介质M上传输或者储存在计算机可读介质M上。计算机可读介质可以为储存介质，例如只读存储器、 RAM、磁盘或光盘、磁带或者本领域已知的任何其他适合的计算机可读介质。程序指令可以以各种方式中的任一个来实现，包括基于过程的技术、基于构件的技术和/或面向对象的技术等等。例如，程序指令可以根据期望使用Matlab、Visual Basic、ActiveX控件、C、C++对象、C#、JavaBeans、微软基础类(“MFC” )，或者其他技术或方法来实现。计算机系统58可以采用各种形式，包括个人计算机系统、主机计算机系统、工作站、系统计算机、图像计算机、可编程图像计算机、并行处理器或者本领域已知的任何其他装置。一般来说，术语“计算机系统”可以被广泛地定义为包含具有一个或更多个处理器的任何装置，所述装置执行来自存储介质的指令。进一步的实施方案涉及被配置来检测掩模版上的缺陷的晶片检查系统。图6图示说明被配置来检测掩模版上的缺陷的晶片检查系统的一个实施方案。晶片检查系统包括被配置来获取晶片62上的第一种区域(图6未示)的第一图像以及晶片62上的至少一个第二种区域(图6未示)的一个或更多个第二图像的检查子系统60。检查子系统包括被配置来生成光的光源64。光源64可以包括被配置来生成任何适合的光的任何适合的光源。检查子系统还包括被配置来以基本上垂直的入射角将由所述光源生成的光引导到晶片62的分光器66。分光器66可以为本领域已知的任何适合的分光器。以这种方式，光可以以基本上垂直的入射角被引导到所述晶片。然而，检查子系统可以被配置来以任何其他适合的入射角将所述光引导到所述晶片。检查子系统还包括检测器68。由所述晶片反射的光通过分光器66并且由检测器 68检测。检测器68可以包括任何适合的成像检测器。以这种方式，所述检测器可以生成并获取第一图像和一个或更多个第二图像。第一图像可以包括本文所描述的任何第一图像。 一个或更多个第二图像可以包括本文所描述的任何一个或更多个第二图像。检查子系统还可以包括被配置来支撑晶片62的工作台70。工作台70还可以被配置来相对于检查子系统的光学元件移动晶片62，从而所述检查子系统可以在获取第一图像和一个或更多个第二图像时扫描所述晶片。检查子系统可以如本文进一步描述地扫描晶片。工作台可以包括任何适合的机械组件或机器人组件，并且可以被配置来以任何适合的方式移动晶片。检查子系统还可以包括本领域已知的任何其他适合的光学元件。掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在晶片上的不同的第一种区域中。掩模版可以如本文进一步描述地被印刷在不同的第一种区域中。第一种区域可以如本文进一步描述地被设置在晶片上。光刻工艺参数可以为本文所描述的任何光刻工艺参数。参数的不同的值可以包括本文所描述的任何不同的值。掩模版使用参数的标称值被印刷在晶片上的至少一个第二种区域中。掩模版可以如本文进一步描述地被印刷在至少一个第二种区域中。至少一个第二种区域可以如本文所描述地被设置在晶片上。参数的标称值可以包括本文所描述的任何标称值。掩模版为单管芯掩模版。所述单管芯掩模版可以如本文所描述地被配置。晶片检查系统还包括计算机子系统72，计算机子系统72被配置来分开地比较针对第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与至少一个第二图像相比，第一图像中的变化。例如，计算机子系统72可以被耦合到检测器68 (例如通过由图6中的虚线示出的传输媒介，所述传输媒介可以包括本领域已知的任何适合的传输媒介)，从而计算机子系统可以从检测器获取第一图像和一个或更多个第二图像。计算机子系统可以如本文进一步描述地被配置来，分开地比较针对不同的第一种区域所获取的第一图像与一个或更多个第二图像中的至少一个。由计算机子系统确定的与至少一个第二图像相比第一图像中的变化可以包括本文所描述的任何变化。计算机子系统还被配置来基于在第一图像的第一部分中变化大于第一图像的第二部分的所述第一部分以及对第一图像中的两个或更多个共同的第一部分，检测掩模版上的缺陷。计算机子系统可以如本文进一步描述地被配置来检测缺陷。所述缺陷包括掩模版上的晶体生长缺陷。晶体生长缺陷可以包括本文所描述的任何晶体生长缺陷。计算机子系统可以被配置来执行本文所描述的任何一个或更多个方法实施方案的任何一个或更多个其他步骤。计算机子系统可以如本文所描述地被进一步配置。例如， 计算机子系统可以包括本文所描述的任何计算机系统。检查子系统也可以如本文所描述地被进一步配置。此外，所述系统可以如本文所描述地被进一步配置。注意到，图6在此被提供来总地图示说明可以被包括在本文所描述的晶片检查系统实施方案中的检查子系统的一种配置。显然，当设计商业晶片检查系统时，本文所描述的检查子系统配置可以被改变来使检查子系统在被正常执行时的性能最优。另外，本文所描述的晶片检查系统可以使用现有的晶片检查系统(例如，通过将本文所描述的功能添加到现有的晶片检查系统中)来实现，例如在商业上可以从KLA-Tencor获得的^xx系列的工具。针对某些这样的系统，本文所描述的方法可以被提供为晶片检查系统的可选功能(例如，除晶片检查系统的其他功能之外的)。可替换地，本文所描述的系统可以被“从头开始 (from scratch) ”设计以提供全新的晶片检查系统。在查看了该描述后，本领域技术人员将清楚本发明各个方面的进一步的修改及替代性实施方案。例如，提供了用于确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法。因此，此描述应被视为仅为图示说明性的，而且是用于教导本领域技术人员实行本发明的一般方式的目的。应了解本文中所示并描述的本发明的形式是视为当前较佳的实施方案。部件及材料可代替本文中图示并描述的部件及材料，可倒转零件及过程，而且可独立地利用本发明的某些特征，本领域技术人员在得益于本发明的此描述后将明白所有这些内容。可在本文中描述的部件中进行改变，而不偏离如所附权利要求书中描述的本发明的精神及范畴。
权利要求
1.一种用于检测掩模版上的缺陷的方法，所述方法包括在晶片上的第一种区域和所述晶片上的至少一个第二种区域中印刷掩模版，其中所述掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中，其中所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中，并且其中所述掩模版是单管芯掩模版；使用晶片检查系统获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像；分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，在所述第一图像中的变化；以及基于在所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷，其中所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述参数包括剂量。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述参数包括聚焦。
4.如权利要求1所述的方法，还包括在所述晶片的第三种区域中印刷所述掩模版，其中所述掩模版使用所述光刻工艺的附加参数的不同的值被印刷在不同的第三种区域中，并且其中所述方法还包括使用所述晶片检查系统获取所述第三种区域的第三图像，分开地比较针对不同的第三种区域所获取的所述第三图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，在所述第三图像中的变化，以及基于在所述第三图像的第一部分中变化大于所述第三图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第三图像中的两个或更多个共同的所述第三图像的所述第一部分，检测所述掩模版上的所述缺陷。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述参数包括剂量，并且其中所述附加参数包括聚焦ο
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一种区域被设置在所述晶片上的一列中，并且其中所述至少一个第二种区域被设置在所述晶片上的一个或更多个附加列中。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一种区域对应于所述晶片上的不同管芯，其中所述至少一个第二种区域对应于所述晶片上的至少一个附加管芯，并且其中分开地比较针对所述不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述至少一个第二图像的操作包括比较所述不同管芯中的一个与所述至少一个附加管芯中的一个。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一种区域对应于所述晶片上的不同管芯，其中所述至少一个第二种区域对应于所述晶片上的至少两个附加管芯，并且其中分开地比较针对所述不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述至少一个第二图像的操作包括比较所述不同管芯中的一个与所述附加管芯中的两个。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述变化包括与所述至少一个第二图像中特征的关键尺寸相比，所述第一图像中的特征的关键尺寸的变化。
10.如权利要求1所述的方法，其中检测所述缺陷的操作包括比较所述第一图像内所述第一部分的位置，以识别对所述第一图像中的所述两个或更多个共同的所述第一部分。
11.如权利要求1所述的方法，其中检测所述缺陷的操作包括基于所述第一部分和对所述第一图像中的所述两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的潜在缺陷，以及审查对应于对所述第一图像中的所述两个或更多个共同的所述第一部分的所述晶片上的位置，以确定所述潜在缺陷是否为真实缺陷。
12.如权利要求1所述的方法，其中检测所述缺陷的操作包括比较所述第一图像中所述第一部分的位置与对应于所述掩模版上的图形化特征的所述第一图像中的图形化特征的位置，以将对应于所述晶体生长缺陷的所述第一部分与对应于所述掩模版上其他缺陷的所述第一部分分开。
13.如权利要求1所述的方法，其中检测所述缺陷的操作包括执行基于设计的所述第一部分的入容器，以将所述晶体生长缺陷与所述掩模版上的其他缺陷分开。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述方法在释放所述掩模版以进行制作和在制作中使用所述掩模版之后被执行。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述缺陷不包括在所述掩模版上的图形化特征中的缺陷。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体生长缺陷包括以所述参数的所述标称值印刷在所述晶体上的晶体生长缺陷。
17.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体生长缺陷包括将在以所述参数的所述标称值利用所述掩模版被印刷在晶片上的管芯的几乎100%中印刷的晶体生长缺陷。
18.如权利要求1所述的方法，其中所述缺陷出现在所述第一图像和所述一个或更多个第二图像中。
19.一种用于检测掩模版上的缺陷的计算机实现的方法，所述方法包括获取晶片上的第一种区域的第一图像，其中所述第一图像由晶片检查系统生成，其中掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中，并且其中所述掩模版为单管芯掩模版；获取所述晶片上的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像，其中所述一个或更多个第二图像由所述晶片检查系统生成，并且其中所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中；分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第一图像中的变化；以及基于在所述第一图像的第一部分中所述变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷，其中所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。
20.一种被配置来检测掩模版上的缺陷的晶片检查系统，所述系统包括检查子系统，所述检查子系统被配置来获取晶片上的第一种区域的第一图像和所述晶片上的至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像，其中掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中，其中所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中，并且其中所述掩模版为单管芯掩模版；以及计算机子系统，所述计算机子系统被配置来分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，所述第一图像中的变化，并且基于所述第一图像的第一部分中所述变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷，其中所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。
全文摘要
提供用于检测掩模版上的缺陷的系统和方法。一种方法包括使用光刻工艺参数的不同的值，在晶片的第一种区域中印刷单管芯掩模版，并且使用所述参数的标称值，在至少一个第二种区域中印刷单管芯掩模版。所述方法还包括获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。此外，所述方法包括分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个。所述方法还包括基于所述第一图像的第一部分中变化在与所述至少一个第二图像相比的所述第一图像中大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。
文档编号H01L21/027GK102210018SQ200980144501
公开日2011年10月5日 申请日期2009年12月2日 优先权日2008年12月5日
发明者A·G·秦, B·达菲, I·马利克, P·T-S·帕克, W-T·齐亚 申请人:恪纳腾公司