专利名称:Cmos晶体管及其制作方法
技术领域:
本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及CMOS晶体管及其制作方法。
背景技术:
互补式金属氧化物半导体(CM0Q晶体管是现代逻辑电路中的基本单元,其中包 含PMOS与NM0S,而每一个PMOS (NMOS)晶体管都位于掺杂井上,且都由栅极(Gate)两侧基 底中ρ型(η型)极/漏极区以及源极区与漏极区间的通道(Channel)构成。现有形成CMOS的工艺如图1至图3,参考图1,首先提供半导体衬底100,所述半 导体衬底100内包括η型掺杂阱102、P型掺杂阱104与隔离结构106,其中位于η型掺杂 阱102上方与隔离结构106相邻的区域为PMOS有源区108,位于ρ型掺杂阱104上方与隔 离结构106相邻的区域为匪OS有源区110。接着于PMOS有源区108与匪OS有源区110上 形成栅介电层112,再于PMOS有源区108与NMOS有源区110的栅介电层112上的形成栅极 lHa、114b。参考图2,接着,向PMOS有源区108的半导体衬底100中注入ρ型离子,于栅极 114a两侧的η型掺杂井102中形成ρ型低掺杂漏极120。向NMOS有源区110的半导体衬 底100中注入η型离子,于栅极114b两侧的ρ型掺杂井104中形成η型低掺杂漏极124。 于栅极114a、114b的侧壁形成侧墙126,以形成栅极结构127a、127b ;然后,向PMOS有源区 108的半导体衬底100中注入ρ型离子,于栅极11 两侧的η型掺杂井102中形成ρ型源 极/漏极区128a。向NMOS有源区110的半导体衬底100中注入η型离子,于栅极114b两 侧的P型掺杂井104中形成η型源极/漏极区128b。如图3所示,用化学气相沉积法在半导体衬底100上形成高应力层130,且所述高 应力层覆盖NMOS晶体管和PMOS晶体管,高应力层130的材料通常为氮化硅。目前在制作金属氧化物半导体晶体管时,在半导体衬底上形成高应力层后,可通 过在高应力层下的掺杂杂质区域产生机械应力,来增加相关半导体元件的速度。这是利用 了应力来提高电荷载流子的迁移率,而电荷载流子迁移率的提高可使晶体管,有更高的运 转速度。但是如果在PMOS晶体管和NMOS晶体管区域沉积同一类型的高应力层,例如都沉积 拉应力层,则与PMOS晶体管所需要的压应力相反,拉应力传导至PMOS晶体管区的沟道中, 会降低该区域的电荷载流子迁移率,进而降低了 PMOS晶体管的运转速度;而如果都沉积压 应力层,则与NMOS晶体管所需要的拉应力相反,压应力传导至NMOS晶体管区的沟道中,会 降低该区域的电荷载流子迁移率,进而降低了 NMOS晶体管的运转速度。现有技术通过在PMOS晶体管区沉积压应力层,在NMOS晶体管区沉积拉应力层来 解决上述问题,但是采用这种方式需要增加多步沉积、光刻及刻蚀的步骤,使制造成本提 高;另外,由于高压力层比较致密,在刻蚀过程中会损伤相邻器件,从而导致相邻器件界面 损坏,产生漏电流现象。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种CMOS晶体管及其制作方法,防止晶体管区域的电 荷载流子迁移率降低,以及制造成本高等缺点。本发明提供一种CMOS晶体管的制作方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬 底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS 有源区相邻,其中,PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上分别形成有PMOS晶体管和 NMOS晶体管;在PMOS有源区或NMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖该区域MOS晶体管的 阻挡层;在半导体衬底及阻挡层上形成覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层。可选的,所述阻挡层的材料为低温氧化硅,厚度为100埃 500埃。形成所述阻挡 层为化学气相沉积法。可选的,所述应力层是压应力层,则在NMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖NMOS 晶体管的阻挡层。可选的,所述应力层是拉应力层,则在PMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖PMOS 晶体管的阻挡层。可选的,所述应力层的材料为氮化硅,厚度为500埃 1000埃。形成所述应力层 为化学气相沉积法。本发明还提供一种CMOS晶体管,包括半导体衬底,所述半导体衬底包括隔离结 构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS有源区相邻;分 别位于PMOS有源区与NMOS有源区半导体衬底上的PMOS晶体管和NMOS晶体管;位于半导 体衬底上且覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层;位于PMOS有源区或NMOS有源区的 半导体衬底与应力层之间的阻挡层。与现有技术相比,本发明具有以下优点在所需应力类型与应力层相反的MOS有 源区形成阻挡层进行保护,避免了不需要的机械应力传导至沟道中,提高该区域电荷载流 子的迁移率,进而提高该区域晶体管的运转速度。另外,在其中一个MOS有源区形成阻挡层,只需增加一步沉积、光刻和刻蚀步骤,相 对于现有在PMOS晶体管区沉积压应力层,在NMOS晶体管区沉积拉应力层,节省了制造成本。进一步,阻挡层采用低温氧化硅作为材料,由于低温氧化硅材质比较疏松,比较容 易刻蚀去除,在刻蚀过程中不会产生损伤相邻器件的情况,避免了相邻器件界面损坏,有效 防止漏电流现象。
图1至图3是现有工艺形成COMS晶体管的示意图;图4是本发明形成COMS晶体管的具体实施方式
流程图;图5、图6、图7a、图7b、图8a、图8b是本发明形成COMS晶体管的实施例示意图。
具体实施例方式本发明形成COMS晶体管的具体实施方式
流程如图4所示,执行步骤Si,提供半导 体衬底,所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区, PMOS有源区与NMOS有源区相邻,其中,PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管;执行步骤S2,在PMOS有源区或NMOS有源区的半导体衬 底上形成覆盖该区域MOS晶体管的阻挡层;执行步骤S3,在半导体衬底及阻挡层上形成覆 盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层。基于上述方法形成的CMOS晶体管,包括半导体衬底,所述半导体衬底包括隔离 结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS有源区相邻; 分别位于PMOS有源区与NMOS有源区半导体衬底上的PMOS晶体管和NMOS晶体管;位于半 导体衬底上且覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层;位于PMOS有源区或NMOS有源区 的半导体衬底与应力层之间的阻挡层。本发明在所需应力类型与应力层相反的MOS有源区形成阻挡层进行保护,避免了 不需要的机械应力传导至沟道中,提高该区域电荷载流子的迁移率,进而提高该区域晶体 管的运转速度。下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。图5、图6、图7a、图7b、图8a、图8b是本发明形成COMS晶体管的实施例示意图。 如图5所示,首先提供半导体衬底200,所述半导体衬底200内包括η型掺杂阱202、ρ型掺 杂阱204、位于η型掺杂阱202和ρ型掺杂阱204之间的隔离结构206,其中位于η型掺杂 阱202上方与隔离结构206相邻的区域为PMOS有源区208,位于ρ型掺杂阱204上方与隔 离结构206相邻的区域为NMOS有源区210 ;接着于PMOS有源区208与NMOS有源区210的 半导体衬底200上形成栅介电层212,栅介电层212的材料可以是氧化硅等,所述形成栅介 电层212的方法为热氧化法或化学气相沉积法或物理气相沉积法等;再于PMOS有源区208 与NMOS有源区210的栅介电层212上的形成栅极2Ha、214b,其中,形成栅极214a、214b的 工艺为用化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积法在栅介电层212上形成多晶硅层, 再于多晶硅层上旋涂图案化第一光刻胶层,定义栅极图形,以图案化第一光刻胶层为掩膜, 刻蚀多晶硅层和栅介电层212至露出半导体衬底200,形成栅极2Ha、214b。参考图6,于NMOS有源区210上形成第二光刻胶层(未示出),以第二光刻胶层为 掩膜,向PMOS有源区208的半导体衬底200中注入ρ型离子,于栅极21 两侧的η型掺杂 井202中形成ρ型低掺杂漏极220。本实施例中,所述ρ型离子可以是硼离子,但不局限于此。继续参考图6,用灰化法去除NMOS有源区上的第二光刻胶层;于PMOS有源区208 上形成第三光刻胶层(未示出),再以栅极214b与第三光刻胶层为掩膜向NMOS有源区210 的半导体衬底200内注入η型离子,于栅极214b两侧的ρ型掺杂阱204中形成η型低掺杂 漏极2Μ。本实施例中,所述η型离子可以是砷离子,但不局限于此。再参照图6,去除第三光刻胶层后,用化学气相沉积法于半导体衬底200及栅极 2Ha、214b上形成掩膜层(未图示),用于形成后续的侧墙,所述掩膜层的材料可以是氧化 硅、氧化硅-氮化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅等;用干法刻蚀法的回蚀工艺刻蚀掩膜层, 在栅极214a、214b侧壁形成侧墙226,用以保护栅极2Ha、214b,所述栅极21 和侧墙2 构成栅极结构227a,栅极214b与侧墙2 构成栅极结构227b。接着,于NMOS有源区210上 形成第四光刻胶层(未图示),再以栅极结构227a与第四光刻胶层为掩膜注入ρ型离子,于 PMOS有源区208的栅极结构227a两侧的η型掺杂井202中形成ρ型源极/漏极区228a ;去除第四光刻胶层后,于PMOS有源区208上形成第五光刻胶层(未图示),再以栅极结构 227b与第五光刻胶层为掩膜注入η型离子,于栅极结构227b两侧的ρ型掺杂阱204中形成 η型源极/漏极区228b。如图7a和7b所示,作为一个实例参考图7a,在PMOS有源区208的半导体衬底200 上形成厚度为100埃 500埃的阻挡层230,所述阻挡层230覆盖PMOS晶体管,其中阻挡 层230的材料为低温氧化硅。具体形成工艺如下用化学气相沉积法在半导体衬底200上 形成阻挡层230,所述阻挡层230覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管;由于后续形成的应力层 的性质是与PMOS晶体管所需机械应力相反的拉应力膜,因此在PMOS有源区形成第六光刻 胶层;以第六光刻胶层为掩膜,用干法刻蚀法去除NMOS有源区的阻挡层230 ;去除第六光刻 胶层。作为另一个实例参考图7b,在NMOS有源区208的半导体衬底200上形成厚度为 100埃 500埃的阻挡层230,所述阻挡层230覆盖NMOS晶体管,其中阻挡层230的材料为 低温氧化硅。具体形成工艺如下用化学气相沉积法在半导体衬底200上形成阻挡层230, 所述阻挡层230覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管;由于后续形成的应力层的性质是与NMOS 晶体管所需机械应力相反的压应力膜,因此在NMOS有源区形成第七光刻胶层;以第七光刻 胶层为掩膜,用干法刻蚀法去除PMOS有源区的阻挡层230 ;去除第七光刻胶层。本实施例中,在所需应力类型与应力层相反的MOS有源区形成阻挡层230进行保 护,避免了不需要的机械应力传导至沟道中,提高该区域电荷载流子的迁移率,进而提高该 区域晶体管的运转速度。另外,阻挡层230采用低温氧化硅作为材料,由于低温氧化硅材质比较疏松,比较 容易刻蚀去除,在刻蚀过程中不会产生损伤相邻器件的情况,避免了相邻器件界面损坏,有 效防止漏电流现象。如图和8b所示,作为与图7a所示相同实例的后续工艺参考图8a,用化学气相 沉积法在半导体衬底200、阻挡层230上形成厚度为500埃 1000埃的应力层232,且应力 层232覆盖NMOS晶体管,所述应力层232为拉应力膜,其中所述应力层232的材料通常为
氮化硅。作为与图7b所示相同的实例的后续工艺参考图8b,用化学气相沉积法在半导体 衬底200、阻挡层230上形成厚度为500埃 1000埃的应力层232,且应力层232覆盖NMOS 晶体管,所述应力层232为压应力膜,其中所述应力层232的材料通常为氮化硅。基于上述实施例形成的CMOS晶体管,包括半导体衬底200,所述半导体衬底200 内包括η型掺杂阱202、ρ型掺杂阱204与隔离结构206,其中位于η型掺杂阱202上方与 隔离结构206相邻的区域为PMOS有源区208,位于ρ型掺杂阱204上方与隔离结构206相 邻的区域为NMOS有源区210 ;栅介电层212,位于半导体衬底200上;栅极214a,位于PMOS 有源区208的栅介电层212上,栅极214b,位于NMOS有源区210的栅介电层212上;侧墙 226,位于PMOS有源区208的栅极21 两侧,以及位于NMOS有源区210栅极214b两侧;在 NMOS有源区210栅极214b两侧的半导体衬底200内形成有η型低掺杂漏极2Μ和η型源 /漏极228b ;PMOS有源区208栅极21 两侧的半导体衬底200内形成有ρ型低掺杂漏极 220和ρ型源/漏极228a。还包括阻挡层230,位于PMOS有源区208或NMOS有源区210的半导体衬底200上;如果后续形成的应力层的性质是与PMOS晶体管所需机械应力相反的拉应力膜,则阻挡 层230形成于PMOS有源区208的半导体衬底上200且覆盖PMOS晶体管;如果后续形成的 应力层的性质是与NMOS晶体管所需机械应力相反的压应力膜,则阻挡层230形成于NMOS 有源区210的半导体衬底上200且覆盖NMOS晶体管。应力层232,位于半导体衬底200和阻挡层232上。虽然本发明已以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应 当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和 NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS有源区相邻,其中,PMOS有源区与NMOS有源区的半导体 衬底上分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管;在PMOS有源区或NMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖该区域MOS晶体管的阻挡层;在半导体衬底及阻挡层上形成覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层。
2.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,所述阻挡层的材料为低 温氧化硅,厚度为100埃 500埃。
3.根据权利要求2所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,形成所述阻挡层为化学 气相沉积法。
4.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,所述应力层是压应力层, 则在NMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖NMOS晶体管的阻挡层。
5.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,所述应力层是拉应力层, 则在PMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖PMOS晶体管的阻挡层。
6.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,所述应力层的材料为氮 化硅,厚度为500埃 1000埃。
7.根据权利要求6所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,形成所述应力层为化学 气相沉积法。
8.—种CMOS晶体管,包括半导体衬底,所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构 之间的PMOS有源区和NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS有源区相邻;分别位于PMOS有源 区与NMOS有源区半导体衬底上的PMOS晶体管和NMOS晶体管;位于半导体衬底上且覆盖 PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层;其特征在于,还包括位于PMOS有源区或NMOS有源 区的半导体衬底与应力层之间的阻挡层。
9.根据权利要求8所述CMOS晶体管,其特征在于,所述阻挡层的材料为低温氧化硅,厚 度为100埃 500埃。
10.根据权利要求8所述CMOS晶体管,其特征在于,所述应力层是压应力层,则在NMOS 有源区的半导体衬底和应力层之间形成有阻挡层。
11.根据权利要求8所述CMOS晶体管,其特征在于,所述应力层是拉应力层,则在PMOS 有源区的半导体衬底和应力层之间形成有阻挡层。
12.根据权利要求1所述CMOS晶体管的制作方法,其特征在于,所述应力层的材料为氮 化硅,厚度为500埃 1000埃。
全文摘要
本发明提出一种CMOS晶体管及其制作方法。其中CMOS晶体管的制作方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区,PMOS有源区与NMOS有源区相邻,其中,PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管;在PMOS有源区或NMOS有源区的半导体衬底上形成覆盖该区域MOS晶体管的阻挡层;在半导体衬底及阻挡层上形成覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管的应力层。本发明提高了器件电荷载流子的迁移率,进而提高该区域晶体管的运转速度。
文档编号H01L21/316GK102130058SQ20101002298
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月19日 优先权日2010年1月19日
发明者赵猛 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司