专利名称：高阻值电阻实现方法及高阻值电阻的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高阻值电阻实现方法及高阻值电阻。
背景技术：
现有技术中，实现高电阻方法以栅极多晶硅层为电阻材料，通过对栅极多晶硅层 光刻，定义出要形成高电阻的场氧之上的栅极多晶硅层区域，在该栅极多晶硅区域形成额 外注入层以调整多晶硅掺杂浓度，然后进行金属化阻挡层光刻及金属化合物生长，在该栅 极多晶硅层区域未覆盖金属化阻挡层(silicide block)的两端形成金属化合物，通过栅极 多晶硅两端的金属化合物引出金属线作为高阻值电阻的两端，实现大于1000欧姆每方块 的高电阻。这种技术需要增加额外注入层和金属化阻挡层两层的光刻步骤，大大增加了制 造成本。而在目前的锗硅工艺如图1所示，是先生成栅极多晶硅层，然后进行栅极多晶硅光 刻，再依次生成基极锗硅层、发射极多晶硅层，然后进行发射极多晶硅光刻，最后进行基极 锗硅光刻，基极锗硅的光刻步骤在发射极多晶硅层、栅极多晶硅层形成之后，这样造成生成 发射极多晶硅层、栅极多晶硅层时都不能将基极锗硅层覆盖，如果发射极多晶硅层、栅极多 晶硅层覆盖基极锗硅层，下面的锗硅将被覆盖着的多晶硅保护而无法刻蚀出需要的图形。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种高阻值电阻实现方法及高阻值电阻，利用锗 硅工艺实现，工艺简单。为解决上述技术问题，本发明的高阻值电阻实现方法，包括以下步骤一 .在硅基板上做出场氧区；二 .在做好场氧区的硅基板上淀积第一层介质层；三.在第一层介质层之上淀积本征锗硅；四.在本征锗硅之上淀积第二层介质层；五.使用基区锗硅光刻版，刻蚀第二层介质层，然后刻蚀本征锗硅到第一层介质 层，形成需要的场氧区之上的本征锗硅；六.在第二层介质层之上淀积第二层多晶硅，然后全面注N型杂质，对第二层多晶 硅进行重掺杂，形成发射极多晶硅层；七.使用发射极多晶硅光刻版刻蚀，在需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅之 上的发射极多晶硅层留下光刻胶图形进行刻蚀，刻蚀掉光刻胶图形之外的发射极多晶硅层 及第二层介质层，留下光刻胶图形下的发射极多晶硅层，形成本征锗硅上覆盖多晶硅的结 构；八.保留发射极多晶硅层刻蚀后的光刻胶，带胶注入重掺杂P型杂质，未被发射极 多晶硅层及第二层介质层覆盖住的锗硅区域将被重掺杂；九.淀积氧化膜，然后刻蚀，在锗硅及多晶硅侧面形成侧墙保护；十.在未被第二层介质层及侧墙覆盖住的已经被重掺杂的锗硅上面形成金属硅化物；十一.从需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅两端的被重掺杂的锗硅上面的 金属硅化物上引出金属线作为高阻值电阻的两端。为解决上述技术问题，本发明的高阻值电阻，在硅基板上形成场氧区，场氧区之上 为第一层介质层，第一层介质层之上为锗硅，所述锗硅中间部分为本征锗硅，两端部分为P 型重掺杂锗硅，所述本征锗硅之上为第二层介质层，第二层介质层之上为N型重掺杂多晶 硅，所述N型重掺杂多晶硅及锗硅周边有侧墙，所述本征锗硅作为电阻体，所述锗硅两端部 分的P型重掺杂锗硅未被侧墙覆盖的部分之上生成有金属硅化物，并从所述金属硅化物上 引出金属线作为高阻值电阻的两端。本发明的高阻值电阻实现方法，采用区别于现有锗硅工艺的锗硅工艺，不是先淀 积发射极多晶硅层再刻蚀的工艺步骤，而是在淀积完本征锗硅及介质层后，先使用基区锗 硅(base Poly)光刻版，刻蚀介质层，然后刻蚀锗硅，形成需要的图形，之后再淀积发射极 多晶硅层。本发明的高阻值电阻实现方法，利用本征杂质浓度的锗硅，上面生长介质层，然 后再在上面覆盖多晶硅，无需现有技术实现高电阻方法中的使用金属化阻挡层(silicide block)光刻步骤以达到本征锗硅上不生长金属硅化物，无需使用额外注入层光刻步骤以达 到高阻值电阻，工艺简单。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步的详细说明。图1是目前的锗硅工艺示意图；图2是本发明的高阻值电阻实现方法一实施方式示意图；图3是本发明的高阻值电阻一实施方式剖面图；图4是本发明的高阻值电阻一实施方式版图。
具体实施例方式本发明的高阻值电阻实现方法一实施方式如图2所示，包括以下步骤一 .在硅基板上做出场氧区(LOCOS 硅局部氧化，或STI 浅槽隔离)；二 .在做好场氧区的硅基板上淀积第一层介质层，在有源区形成保护膜；三.在第一层介质层之上淀积本征锗硅，在场氧区形成本征锗硅层；四.在本征锗硅之上淀积第二层介质层；五.使用基区锗硅(base Poly)光刻版，刻蚀第二层介质层，然后刻蚀本征锗硅到 第一层介质层，形成需要的场氧区之上的本征锗硅；六.在第二层介质层之上淀积第二层多晶硅，然后全面注N型杂质，对第二层多晶 硅进行重掺杂，形成发射极多晶硅层；七.使用发射极多晶硅(emitter poly)光刻版刻蚀，在需要形成电阻体部分的场 氧区本征锗硅之上的发射极多晶硅层留下光刻胶图形进行刻蚀，刻蚀掉光刻胶图形之外的 发射极多晶硅层及第二层介质层，留下光刻胶图形下的发射极多晶硅层，形成本征锗硅上 覆盖多晶硅的结构；八.保留发射极多晶硅层刻蚀后的光刻胶，带胶注入重掺杂P型杂质，未被发射极多晶硅层及第二层介质层覆盖住的锗硅区域将被重掺杂；九.淀积氧化膜，然后无光刻版全面刻蚀，在锗硅及多晶硅侧面形成侧墙保护；十.淀积金属化合物，在未被第二层介质层及侧墙覆盖住的已经被重掺杂的锗硅 上面形成金属硅化物；十一.从需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅两端的被重掺杂的锗硅上面的 金属硅化物上引出金属线作为高阻值电阻的两端。本发明的高阻值电阻实现方法实现的高阻值电阻一实施方式剖面图如图3所示， 其版图如图4所示。在硅基板上形成场氧区3，场氧区3之上为第一层介质层4，第一层介 质层4之上为锗硅，所述锗硅中间部分为本征锗硅10，两端部分为P型重掺杂锗硅5，所述 本征锗硅10之上为第二层介质层6，第二层介质层6之上为N型重掺杂多晶硅7，所述N型 重掺杂多晶硅7及锗硅周边有侧墙8，所述本征锗硅10作为电阻体，所述锗硅两端部分的P 型重掺杂锗硅5未被侧墙8覆盖的部分之上生成有金属硅化物9，并从所述金属硅化物9上 引出金属线作为高阻值电阻的两端。如图4所示，本发明的高阻值电阻实现方法实现的高 阻值电阻，版图上发射极多晶硅层2叠放在基极锗硅层1之上。本发明的高阻值电阻实现方法，采用区别于现有锗硅工艺的锗硅工艺，不是先淀 积发射极多晶硅层再刻蚀的工艺步骤，而是在淀积完本征锗硅及介质层后，先使用基区锗 硅(base Poly)光刻版，刻蚀介质层，然后刻蚀锗硅，形成需要的图形，之后再淀积发射极 多晶硅层。本发明的高阻值电阻实现方法，利用本征杂质浓度的锗硅，上面生长介质层，然 后再在上面覆盖多晶硅，无需现有技术实现高电阻方法中的使用金属化阻挡层(silicide block)光刻步骤以达到本征锗硅上不生长金属硅化物，无需使用额外注入层光刻步骤以达 到高阻值电阻，工艺简单。
权利要求
1.一种高阻值电阻实现方法，其特征在于，包括以下步骤一.在硅基板上做出场氧区；二.在做好场氧区的硅基板上淀积第一层介质层；三.在第一层介质层之上淀积本征锗硅；四.在本征锗硅之上淀积第二层介质层；五.使用基区锗硅光刻版，刻蚀第二层介质层，然后刻蚀本征锗硅到第一层介质层，形 成需要的场氧区之上的本征锗硅；六.在第二层介质层之上淀积第二层多晶硅，然后全面注N型杂质，对第二层多晶硅进 行重掺杂，形成发射极多晶硅层；七.使用发射极多晶硅光刻版刻蚀，在需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅之上的 发射极多晶硅层留下光刻胶图形进行刻蚀，刻蚀掉光刻胶图形之外的发射极多晶硅层及第 二层介质层，留下光刻胶图形下的发射极多晶硅层，形成本征锗硅上覆盖多晶硅的结构；八.保留发射极多晶硅层刻蚀后的光刻胶，带胶注入重掺杂P型杂质，未被发射极多晶 硅层及第二层介质层覆盖住的锗硅区域将被重掺杂；九.淀积氧化膜，然后刻蚀，在锗硅及多晶硅侧面形成侧墙保护；十.在未被第二层介质层及侧墙覆盖住的已经被重掺杂的锗硅上面形成金属硅化物；十一.从需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅两端的被重掺杂的锗硅上面的金属 硅化物上引出金属线作为高阻值电阻的两端。
2.一种高阻值电阻，其特征在于，在硅基板上形成场氧区，场氧区之上为第一层介质 层，第一层介质层之上为锗硅，所述锗硅中间部分为本征锗硅，两端部分为P型重掺杂锗 硅，所述本征锗硅之上为第二层介质层，第二层介质层之上为N型重掺杂多晶硅，所述N型 重掺杂多晶硅及锗硅周边有侧墙，所述本征锗硅作为电阻体，所述锗硅两端部分的P型重 掺杂锗硅未被侧墙覆盖的部分之上生成有金属硅化物，并从所述金属硅化物上引出金属线 作为高阻值电阻的两端。
全文摘要
本发明公开了一种高阻值电阻实现方法，是在淀积完本征锗硅及介质层后，先使用基区锗硅光刻版，刻蚀介质层，然后刻蚀锗硅，形成需要的图形，之后再淀积发射极多晶硅层。本发明的高阻值电阻实现方法，利用本征杂质浓度的锗硅，上面生长介质层，然后再在上面覆盖多晶硅，无需使用金属化阻挡层光刻步骤以达到本征锗硅上不生长金属硅化物，无需使用额外注入层光刻步骤以达到高阻值电阻，工艺简单。本发明公开了一种高阻值电阻。
文档编号H01L21/768GK102129977SQ20101002730
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者金锋 申请人:上海华虹Nec电子有限公司