专利名称：芯片标记的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制集成电路工艺方法，尤其是涉及一种芯片标记的制造方法。
背景技术：
图IA-图ID所示为现有的芯片标记的制造方法的各步骤中的标记区域的剖面图。 现有的芯片标记的制造方法是顶层铝淀积后并在该顶层铝上淀积了氮化钛的芯片上的特 定区域制作标记，包括步骤步骤一、如图IA所示，用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连 线，并刻蚀所述标记图形和顶层金属铝连线外的顶层铝形成所述标记图形和顶层金属铝连 线.
一入 ，步骤二、淀积一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃；该层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃的厚 度为大于100 A ；步骤三、去除所述标记区域表面的所述未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛；步骤四、淀积高密度等离子体二氧化硅。如图2所述，为利用现有的芯片标记的制造方法制作的芯片标记的外观图，可以 看出十字形的标记上布满了很多气泡，这使得标记图形不清晰，加大了后道封装的对准难 度。气泡产生的原因是所述高密度等离子体二氧化硅直接和顶层铝直接接触，二者之间产 生的应力不匹配较严重，容易导致芯片标记表面产生气泡。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种芯片标记的制造方法，能消除芯片标记表 面产生的气泡，提高芯片标记的质量，提高后道封装的对准能力。为解决上述技术问题，本发明提供的芯片标记的制造方法，是顶层铝淀积后并在 该顶层铝上淀积了氮化钛的芯片上的特定区域制作标记，包括步骤步骤一、用光刻工艺在 顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连线，并刻蚀所述标记图形和顶层金属铝连线外的 顶层铝形成所述标记图形和和顶层金属铝连线。步骤二、淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅 玻璃。步骤三、去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛。步 骤四、淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。步骤五、淀积高密度等离子体二氧化硅。更进一步的改进是所述第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃的厚度为大于100 k。本发明的芯片标记的制造方法通过所述第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃的淀积， 能有效缓冲所述高密度等离子体二氧化硅和顶层铝之间的应力，从而使芯片标记表面不会 产生气泡，提高了芯片标记的质量，也提高了后道封装的对准能力。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图IA-图ID是现有芯片标记的制造方法的各步骤中的标记区域的剖面图；图2是现有芯片标记的外观图；图3本发明芯片标记的制造方法的流程图；图4A-图4E是本发明实施例的各步骤中的标记区域的剖面图；图5本发明实施例芯片标记的外观图。
具体实施例方式如图3所示，为本发明芯片标记的制造方法的流程图，图4A-图4E是本发明实施 例的各步骤中的标记区域的剖面图。本发明芯片标记的制造方法，是顶层铝淀积后并在该 顶层铝上淀积了氮化钛的芯片上的特定区域制作标记，包括步骤步骤一、如图4A所示，用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形，并刻蚀所述标记 图形外的顶层铝形成所述标记图形。芯片其它区域的顶层铝布线工艺也是在本步骤中一起 完成。步骤二、如图4B所示，淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。该第一层未掺杂正 硅酸乙酯硅玻璃的厚度为500 A。所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃的作用是防止光刻 显像液对铝造成腐蚀。步骤三、如图4C所示，去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅 玻璃和氮化钛。其中氮化钛去除后使得所述芯片标记表面在光照条件下反射程度比较高， 便于后道封装对准。步骤四、如图4D所示，淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃，该层的厚度大于 100 A，本实施例的厚度为500 A。用以缓冲下面将要淀积的高密度等离子体二氧化硅和顶 层铝之间的应力，使得芯片标记表面不会产生气泡。步骤五、如图4E所示，淀积高密度等离子体二氧化硅。如图5所示，为本发明实施例芯片标记的外观图，可以看出本发明的芯片标记没 有气泡，标记清晰可见，能够提高后道封装的对准能力。以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限 制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应 视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种芯片标记的制造方法，是顶层铝淀积后并在该顶层铝上淀积了氮化钛的芯片上 的特定区域制作标记，包括步骤步骤一、用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连线，并刻蚀所述标记 图形和顶层金属铝连线外的顶层铝形成所述标记图形和顶层金属铝连线； 步骤二、淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃；步骤三、去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛； 步骤四、淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃； 步骤五、淀积高密度等离子体二氧化硅。
2.如权利要求1所述的芯片标记的制造方法，，其特征在于所述第二层未掺杂正硅酸 乙酯硅玻璃的厚度大于ιοοΑ。
全文摘要
本发明公开了一种芯片标记的制造方法，包括步骤，步骤一、用光刻工艺在顶层铝上定义出标记图形和顶层金属铝连线，并刻蚀形成标记图形和顶层金属铝连线。步骤二、淀积第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。步骤三、去除所述标记区域表面的所述第一层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃和氮化钛。步骤四、淀积第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃。步骤五、淀积高密度等离子体二氧化硅。本发明利用第二层未掺杂正硅酸乙酯硅玻璃来缓冲高密度等离子体二氧化硅和顶层铝之间的应力，从而消除芯片标记表面产生的气泡，提高芯片标记的质量，提高后道封装的对准能力。
文档编号H01L23/544GK102129961SQ201010027310
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者俞沁聪, 张雷, 徐俊杰 申请人:上海华虹Nec电子有限公司