专利名称：形成铜互连mim电容器结构的方法及所形成的结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种金属-绝缘体-金属(MIM，metal-insulator-metal)电容器结构及其制作工艺，尤其是一种涉及铜互连技术的MIM电容器结构及其制造工艺，属于半导体 制造技术领域。
背景技术：
随着超大规模集成电路的发展，为了按照摩尔定律的缩放比例创建单元面积增大的电容，与此同时确保各种应用所需的高水平性能(泄漏、击穿或电压线性)，MIM电容器就 是关键的元器件。MIM电容器通常是一种三明治结构，其上层金属电极和下层金属电极之间 被一层薄绝缘层隔离。在传统的铝互连技术中MIM电容器的金属电极曾采用AlCu合金材 料，如今铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术，因此，铜电极的MIM 电容器结构得到了广泛地应用。在铜互连技术中，采用铜镶嵌工艺，即双大马士革工艺(Dual Damascene)，如图1 所示，可包括如下步骤1)首先沉积一层薄的刻蚀停止层(Si3N4) ；2)接着在上面沉积一定 厚度的绝缘层(SiO2) ；3)然后光刻出微通孔(Via) ；4)对通孔进行部分刻蚀；5)之后再光 刻出沟槽(Trench) ；6)继续刻蚀出完整的通孔和沟槽；7)接着是溅射(PVD)扩散阻挡层 (TaN/Ta)和铜种籽层(Seed Layer) 0 Ta的作用是增强与Cu的黏附性，种籽层是作为电镀 时的导电层；8)之后就是铜互连线的电镀工艺；9)最后是退火和化学机械抛光(CMP)，对铜 镀层进行平坦化处理和清洗。在制作铜电极MIM电容器结构时需要其工艺与铜互连制程工 艺兼容，并且随着集成电路集成度的进一步提高，需要在有限的电极面积内，进一步增大电 容器容量。鉴于此，本发明公开一种形成MIM电容器结构的方法及所形成的结构，该方法与 铜互连制程工艺兼容的同时，可增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所 形成的结构。为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，包括以下步骤步骤一，在第一绝缘层中制造第一铜导电图形；步骤二，在所述第一绝缘层上形成第一刻蚀停止层，在所述第一刻蚀停止层上形 成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中制造至少一个第一铜通孔栓使之与所述第一铜导电图 形相连；步骤三，在所述第二绝缘层上形成第二刻蚀停止层，在所述第二刻蚀停止层上形 成第三绝缘层；步骤四，从所述第三绝缘层向下，刻蚀掉所述第一铜通孔栓周围的第二、三绝缘层及第一、二刻蚀停止层材料，使所述第一铜通孔栓的上表面、侧面及所述第一铜导电图形的 部分上表面露出，形成凹陷区域；步骤五，在步骤四所得结构表面形成介电层，之后在覆盖有所述介电层的凹陷区 域内填充保护材料；步骤六，从所述第三绝缘层上的介电层向下刻蚀，形成其他铜导电图形所需的沟 槽；步骤七，去除所述保护材料；步骤八，在覆盖有所述介电层的凹陷区域内镀铜形成MIM电容器的上电极，同时 在步骤六刻蚀出的沟槽中镀铜完成所述其他铜导电图形，得到铜互连MIM电容器结构。进一步地，步骤二还包括在所述第二绝缘层中，于所述第一铜通孔栓周围制造第 二铜通孔栓，使所述第二铜通孔栓与所述第一铜导电图形相连。其中，所述第二铜通孔栓的 侧面，靠近所述第一铜通孔栓的部分，经步骤四的刻蚀后露出。进一步地，步骤二还包括于所述第二绝缘层中制造第三铜通孔栓，使所述第三铜 通孔栓与所述第一铜导电图形相连。另外，本发明还提供三种采用前述方法制备的MIM电容器结构第一种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括所述第一铜通孔栓，所述第一 铜通孔栓及与之相连的所述第一铜导电图形作为下电极。第二种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括所述第一铜通孔栓、所述第二 铜通孔栓；所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓以及与它们相连的所述第一铜导电图形 作为下电极。第三种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括所述第一铜通孔栓、所述第二 铜通孔栓、所述第三铜通孔栓；所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓、所述第三铜通孔栓 以及与它们相连的所述第一铜导电图形作为下电极。本发明还提供一种采用上述方法制备的带有MIM电容器的铜互连结构。本发明公开的形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构的有益效果在 于该方法与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容 量，简化工艺步骤，节约生产成本。
图1为背景技术中铜镶嵌工艺的示意图；图2-7为本发明形成铜互连MIM电容器结构的方法示意图图2为经步骤一、步骤二和步骤三之后所得结构的剖面示意图；图3为经步骤四之后得到结构的剖面示意图；图4为在步骤四所得结构表面形成介电层之后所得结构剖面示意图；图5为经步骤五之后得到结构的剖面示意图；图6为经步骤六、七之后得到结构的剖面示意图；图7为最终得到的带有MIM电容器的铜互连结构的剖面示意图；图8为实施例一中第一铜通孔栓为棱柱形的MIM电容器结构的立体图；图9为实施例一中第一铜通孔栓为圆柱形的MIM电容器结构的立体图。
具体实施例方式下面结合附图进一步说明本发明，为了示出的方便附图并未按照比例绘制。实施例一请参看图2-7，一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，包括以下步骤步骤一，在第一绝缘层101中采用铜镶嵌工艺，即双大马士革工艺制造第一铜导 电图形400，在所述第一铜导电图形400与所述第一绝缘层101之间制备有扩散阻挡层300 将其隔离。步骤二，在所述第一绝缘层101上形成第一刻蚀停止层201，在所述第一刻蚀停止 层201上形成第二绝缘层102，在所述第二绝缘层102中采用铜镶嵌工艺制造至少一个第一 铜通孔栓401使之与所述第一铜导电图形400相连；所述第一铜通孔栓401的侧面及底面 制备有扩散阻挡层300。步骤三，在所述第二绝缘层102上形成第二刻蚀停止层202，在所述第二刻蚀停止 层202上形成第三绝缘层103。经这三步后形成如图2所示的结构。所述的第一、第二、第三绝缘层101，102，103 均采用低k (介电常数)的介质材料，所述第一、第二刻蚀停止层201，202均采用氮化硅材 料。实施例中涉及的扩散阻挡层300采用Ta、TaN、TaSiN等材料。步骤四，如图3所示，采用选择性干法刻蚀的方法，从所述第三绝缘层103向下，刻 蚀掉所述第一铜通孔栓401周围的绝缘层102，103及刻蚀停止层201，202，使所述第一铜通 孔栓401的上表面、侧面及所述第一铜导电图形400的部分上表面露出，形成凹陷区域；此 时露出的所述第一铜通孔栓401的侧面覆盖有扩散阻挡层300。步骤五，如图4所示，在步骤四所得结构表面形成介电层500，所述介电层500的材 料选自氮化硅、氧化坦、氧化钛、氧化铝等，本实施例优选为氮化硅，厚度优选为15-150nm。 之后，如图5所示，在覆盖有所述介电层500的凹陷区域内填充保护材料，所述保护材料为 底抗反射涂层(BARC，BottomAnti-reflection Coating)材料，可保护被其覆盖的介电层 500免受其他刻蚀等工艺的污染。这里的BARC材料是本领域技术人员常用的材料，可以在 市面上购买获得。BARC材料既可以当作光刻胶使用，即可以通过光刻刻出图案，同时还可以 利用光刻刻出的图案作为腐蚀掩膜。步骤六，如图6所示，采用选择性干法刻蚀的方法，从所述第三绝缘层103上的介 电层500向下刻蚀，刻蚀出其他铜导电图形700所需的沟槽(或通孔和沟槽)。步骤七，如图6所示，采用等离子去胶方法去除所述BARC保护材料。该去胶方法 是本领域技术人员常用的技术手段，在此不再赘述。步骤八，如图7所示，除去所述保护材料后，在覆盖有所述介电层500的凹陷区 域内电镀铜，从而形成MIM电容器的上电极600 ；同时在步骤六刻蚀出的沟槽(或通孔和 沟槽)中电镀铜，完成所述其他铜导电图形700。制作所述MIM电容器的上电极600时， 利用铜镶嵌工艺，首先形成扩散阻挡层300，然后形成铜种籽层并采用电化学电镀(ECP， electrochemical plating)的方法镀铜，其中在所述MIM电容器的上电极600与所述介电 层500之间制备的扩散阻挡层300用于将它们隔离。制作所述其他铜导电图形700也采用 了铜镶嵌工艺，所述其他铜导电图形700的侧面及底面制备有扩散阻挡层300将其隔离。最后，对所得结构表面进行化学机械抛光(CMP)，对铜镀层进行平坦化处理和清洗，得到带有 MIM电容器的铜互连结构。本方案在铜互连层中制作立体MIM电容器的同时，在BARC材料的保护下，可完成 其他铜互连导电图形，有利于简化集成电路的制造工艺，节约生产成本。采用这种方法制备 的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401及与之相连的所述第一铜导电图形400作为 下电极，其立体图如图8、图9所示，其中，第一铜通孔栓可为棱柱或圆柱形。实施例二作为本发明的优选方案之一，进行所述步骤二时，还包括在所述第二绝缘层102 中，于所述第一铜通孔栓401周围制造第二铜通孔栓402，使所述第二铜通孔栓402与所述 第一铜导电图形400相连，如图2所示。其中，采用铜镶嵌工艺制造所述第二铜通孔栓402，所述第二铜通孔栓402的侧面 及底面制备有扩散阻挡层300将其隔离。所述第二铜通孔栓402的侧面(包括扩散阻挡 层)，靠近所述第一铜通孔栓401的部分，经步骤四的刻蚀后露出。之后，按照实施例一中的 方法得到带有MIM电容器的铜互连结构。本实施例中的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401、所述第二铜通孔栓402 以及与它们相连的所述第一铜导电图形400作为下电极。此时，所述第二铜通孔栓402的 部分侧面与介电层500接触，增加了电容面积，增大了 MIM电容器的电容量。实施例三作为本发明的另一优选方案，进行所述步骤二时，除了如实施例二所述的制造第 二铜通孔栓402之外，还包括在所述第二绝缘层102中采用铜镶嵌工艺制造第三铜通孔栓 403，使所述第三铜通孔栓403与所述第一铜导电图形400相连，所述第三铜通孔栓403与 所述第二绝缘层102之间制备有扩散阻挡层300将其隔离，如图2所示。之后，按照实施例 二中的方法得到带有MIM电容器的铜互连结构。本实施例中的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401、所述第二铜通孔栓402、 所述第三铜通孔栓403以及与它们相连的所述第一铜导电图形400作为下电极。所述第三 铜通孔栓403可以作为MIM电容器下电极的引出电极。本发明中涉及的其他技术属于本领域技术人员熟悉的范畴，在此不再赘述。上述 实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。任何不脱离本发明精神和范围的技术方案 均应涵盖在本发明的专利申请范围当中。
权利要求
一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于，包括以下步骤步骤一，在第一绝缘层(101)中制造第一铜导电图形(400)；步骤二，在所述第一绝缘层(101)上形成第一刻蚀停止层(201)，在所述第一刻蚀停止层(201)上形成第二绝缘层(102)，在所述第二绝缘层(102)中制造至少一个第一铜通孔栓(401)使之与所述第一铜导电图形(400)相连；步骤三，在所述第二绝缘层(102)上形成第二刻蚀停止层(202)，在所述第二刻蚀停止层(202)上形成第三绝缘层(103)；步骤四，从所述第三绝缘层(103)向下，刻蚀掉所述第一铜通孔栓(401)周围的第二、三绝缘层(102，103)及第一、二刻蚀停止层(201，202)，使所述第一铜通孔栓(401)的上表面、侧面及所述第一铜导电图形(400)的部分上表面露出，形成凹陷区域；步骤五，在步骤四所得结构表面形成介电层(500)，之后在覆盖有所述介电层(500)的凹陷区域内填充保护材料；步骤六，从所述第三绝缘层(103)上的介电层(500)向下刻蚀，形成其他铜导电图形(700)所需的沟槽；步骤七，去除所述保护材料；步骤八，在覆盖有所述介电层(500)的凹陷区域内镀铜形成MIM电容器的上电极(600)，同时在步骤六刻蚀出的沟槽中镀铜完成所述其他铜导电图形(700)，得到铜互连MIM电容器结构。
2.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤八之后 对所得结构表面进行化学机械抛光。
3.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤一中采 用铜镶嵌工艺制造所述第一铜导电图形(400)，所述第一铜导电图形(400)与所述第一绝 缘层(101)之间制备有扩散阻挡层(300)将其隔离。
4.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤二中采 用铜镶嵌工艺制造所述第一铜通孔栓(401)，所述第一铜通孔栓(401)的侧面及底面制备 有扩散阻挡层(300)。
5.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于所述介电层 (500)的材料选自氮化硅、氧化坦、氧化钛、氧化铝中的一种。
6.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于所述保护材 料为BARC材料。
7.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤八中，制 作所述MIM电容器的上电极(600)时，首先形成扩散阻挡层(300)，然后形成铜种籽层并采 用电化学电镀的方法镀铜形成所述MIM电容器的上电极(600)。
8.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于采用铜镶嵌 工艺制作所述其他铜导电图形(700)，所述其他铜导电图形(700)的侧面及底面制备有扩 散阻挡层(300)。
9.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤二还 包括在所述第二绝缘层(102)中，于所述第一铜通孔栓(401)周围制造第二铜通孔栓(402)，使所述第二铜通孔栓(402)与所述第一铜导电图形(400)相连。
10.根据权利要求9所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于所述第二铜 通孔栓(402)的侧面，靠近所述第一铜通孔栓(401)的部分，经步骤四的刻蚀后露出。
11.根据权利要求9所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤二中采 用铜镶嵌工艺制造所述第二铜通孔栓(402)，所述第二铜通孔栓(402)的侧面及底面制备 有扩散阻挡层(300)。
12.根据权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤二还包 括于所述第二绝缘层(102)中制造第三铜通孔栓(403)，使所述第三铜通孔栓(403)与所述 第一铜导电图形(400)相连。
13.根据权利要求12所述形成铜互连MIM电容器结构的方法，其特征在于步骤二中 采用铜镶嵌工艺制造所述第三铜通孔栓(403)，所述第三铜通孔栓(403)的侧面及底面制 备有扩散阻挡层(300)。
14.一种采用权利要求1所述形成铜互连MIM电容器结构的方法制备的MIM电容器结 构，其特征在于包括所述第一铜通孔栓(401)，所述第一铜通孔栓(401)及与之相连的所 述第一铜导电图形(400)作为下电极。
15.一种采用权利要求9所述形成铜互连MIM电容器结构的方法制备的MIM电容器结 构，其特征在于，包括所述第一铜通孔栓(401)、所述第二铜通孔栓(402)；所述第一铜通 孔栓(401)、所述第二铜通孔栓(402)以及与它们相连的所述第一铜导电图形(400)作为下 电极。
16.一种采用权利要求12所述形成铜互连MIM电容器结构的方法制备的MIM电容器结 构，其特征在于，包括所述第一铜通孔栓(401)、所述第二铜通孔栓(402)、所述第三铜通 孔栓(403)；所述第一铜通孔栓(401)、所述第二铜通孔栓(402)、所述第三铜通孔栓(403) 以及与它们相连的所述第一铜导电图形(400)作为下电极。
17.一种采用权利要求1、9、12任一项所述形成铜互连MIM电容器结构的方法制备的带 有MIM电容器的铜互连结构。
全文摘要
本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓；刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层，使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图形的部分上表面露出；在所得结构表面形成介电层，之后在所得结构的凹陷区域填充保护材料；刻蚀其他铜导电图形所需的通孔和沟槽；然后去除所述保护材料；在除去所述保护材料后的凹陷区域以及刻蚀出的通孔和沟槽中镀铜，得到铜互连MIM电容器结构。本发明与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。
文档编号H01L21/768GK101807517SQ201010114118
公开日2010年8月18日 申请日期2010年2月25日 优先权日2010年2月25日
发明者肖德元 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所