专利名称：抗高温整流芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元器件技术领域，具体地说是一种抗高温整流芯片。
背景技术：
随着科学技术的不断进步，电子产品越来越向小型化、超薄式方向发展，并且其所 应用的领域也越来越广。对此，不仅需要电子元器件的体积在能够保证使用功率和使用寿 命的前提下越小越好，而且需要电子元器件能够适应在不同环境温度下的正常工作，以充 分满足电子产品长期工作的可靠性、稳定性和耐高温性。 目前，广泛应用在电子产品当中的整流器件由于其结构所致，它在工作时存在以 下缺陷 —、因整流芯片周围仅靠附着的玻璃钝化层来对其进行绝缘保护，所以整流芯片
在工作时，其PN结处所产生的反向电荷会聚集在PN结附近，使得PN结处的电场密度和反
向漏电流逐渐增大，其后果容易引起整流芯片的工作温度越来越高，由此，它不仅无法适应
在高温环境下工作、无法增大使用功率，而且容易导致被反向电流击穿损毁； 二、因玻璃钝化层下端与整流基材下部的平台周边之间无间距，所以在对整流芯
片进行后期处理时，切割刀具需要对平台的周边部位进行切割，其容易造成对玻璃钝化层
的损伤或损毁，由此破坏了绝缘保护而容易导致整流芯片的损毁。 三、因玻璃钝化层上无完整的保护层，在对上金属层上进行焊接引线时，处于高温
的焊锡则与玻璃钝化层相直接接触，由此容易造成对玻璃钝化层的损伤或损毁。 综上所述，如何能够减少整流芯片在工作时的自身发热量，有效提高整流芯片的
抗高温能力，以增大整流器的使用功率和使用寿命，并能够确保对整流芯片起到绝缘保护
的玻璃钝化层不会被损伤或损毁，是目前在电子元器件研究方面有待解决的一大难题。
发明内容
本发明的目的是提供一种抗高温整流芯片，它能够解决现有技术存在的无法适应
在高温环境下工作、无法增大使用功率，以及容易损伤或损毁绝缘保护的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的抗高温整流芯片，它包括整流基材，整
流基材的顶端面上附着上金属层，整流基材的底端面上附着下金属层，整流基材上附着有
半绝缘多晶硅膜，玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，绝缘膜分别附着在玻璃钝化层及
半绝缘多晶硅膜上。 为进一步实现本发明的目的，还可通过以下技术方案来完成整流基材由上部呈 矩形的凸块和下部呈矩形板状的平台组成，凸块设置在平台的居中位置上，凸块的四周表 面由上到下呈弧形状，上金属层的周边与凸块顶端面的周边之间有第一间距，凸块的底部 周边与平台的顶端面周边之间有第二间距； 半绝缘多晶硅膜的上下部分别有内折弯部分和外折弯部分，半绝缘多晶硅膜附着 在凸块的四周表面上，内折弯部分附着在凸块顶端面的第一间距上，并与上金属层相对应
3粘接，外折弯部分附着在平台顶端面的第二间距上； 玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，玻璃钝化层的上端附着在内折弯部分上， 玻璃钝化层的上端与内折弯部分的内周边之间有第三间距；玻璃钝化层的下端附着在外折 弯部分上，玻璃钝化层的下端与外折弯部分的外周边之间有第四间距； 绝缘膜附着在玻璃钝化层上，绝缘膜的首端附着在内折弯部分的第三间距上，绝 缘膜的末端附着在外折弯部分的第四间距上。 本发明能够产生的有益效果因凸块及平台上分别附着有半绝缘多晶硅膜，所以 半绝缘多晶硅膜能够将聚集在PN结附近的反向电荷均匀分散到凸块周围及平台上，以此 有效抑制了PN结处电场密度和反向漏电流的增大，故从根本上降低了整流芯片的自身发 热量，它不仅能够提高整流芯片的抗高温能力，而且能够有效增大整流芯片的使用功率和 使用寿命； 因玻璃钝化层的下端与平台周边之间有间距，并且玻璃钝化层的下端被半绝缘多 晶硅膜和绝缘膜所完整包容，所以在对整流芯片进行后期处理时，切割刀具切割的平台周 边部位与玻璃钝化层有着一定的间距，故从根本上避免了切割刀具对玻璃钝化层的损伤或 损毁； 因玻璃钝化层的上端同样被半绝缘多晶硅膜和绝缘膜所完整包容，所以在对上金 属层进行焊接引线时，能够有效避免处于高温的焊锡对玻璃钝化层的损伤或损毁。
本发明广泛应用在电子元器件行业，能够产生明显的社会、经济效益。
图1为本发明的结构示意图。
具体实施例方式
本发明的抗高温整流芯片，它包括整流基材，整流基材的顶端面上附着上金属层 2，整流基材的底端面上附着下金属层3，整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜4，玻璃钝化层 5附着在半绝缘多晶硅膜4上，绝缘膜6分别附着在玻璃钝化层5及半绝缘多晶硅膜4上。 整流基材由上部呈矩形的凸块la和下部呈矩形板状的平台lb组成，凸块la设置在平台lb 的居中位置上，凸块la的四周表面由上到下呈弧形状，上金属层2的周边与凸块la顶端面 的周边之间有第一间距laa，凸块la的底部周边与平台lb的顶端面周边之间有第二间距 lbb ; 半绝缘多晶硅膜4的上下部分别有内折弯部分4a和外折弯部分4b，半绝缘多晶 硅膜4附着在凸块la的四周表面上，内折弯部分4a附着在凸块la顶端面的第一间距laa 上，并与上金属层2相对应粘接，外折弯部分4b附着在平台lb顶端面的第二间距lbb上；
玻璃钝化层5附着在半绝缘多晶硅膜4上，玻璃钝化层5的上端附着在内折弯部 分4a上，玻璃钝化层5的上端与内折弯部分4a的内周边之间有第三间距4aa ;玻璃钝化层 5的下端附着在外折弯部分4b上，玻璃钝化层5的下端与外折弯部分4b的外周边之间有第 四间距4bb ; 绝缘膜6附着在玻璃钝化层5上，绝缘膜6的首端6a附着在内折弯部分4a的第 三间距4aa上，绝缘膜6的末端6b附着在外折弯部分4b的第四间距4bb上。
制作时，按上述要求加工好整流基材，并通过处理工艺使整流基材上附着半绝缘 多晶硅膜4，并将玻璃钝化层5附着在半绝缘多晶硅膜4上，以及将绝缘膜6分别附着在玻 璃钝化层5及半绝缘多晶硅膜4上，再分别在上金属层2和下金属层3上焊接引线即可。
工作时，半绝缘多晶硅膜4能够将聚集在PN结附近的反向电荷均匀分散到凸块la 周围及平台lb上，它能够抑制PN结处电场密度和反向漏电流的增大，故从根本上降低了整 流芯片的自身发热量。 在对整流芯片进行后期处理时，因整流芯片具有制作工艺的特殊性，其由若干个 整流基材相互排列连接组成，后期需要通过切割刀具在平台lb的周边部位上进行分割，以 形成单体的整流基材，由于平台lb周边部位与玻璃钝化层5之间有第四间距4bb，第四间距 4bb则可作为分割单体整流基材的切割面，切割刀具则在该切割面上进行切割，以此避免了 切割刀具对玻璃钝化层5下端的损伤或损毁。 在对上金属层2焊接引线时，由于玻璃钝化层5上端被半绝缘多晶硅膜4和绝缘 膜6所完整包容，所以处于高温的焊锡则被绝缘膜6所隔阻，以此玻璃钝化层5在绝缘膜6 的保护下其上端不会造成损伤或损毁。 本发明所述技术方案不仅限于本实施例记载的实施方式，还可以有其它实施方式 完成本发明的技术方案。 本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。
权利要求
抗高温整流芯片，它包括整流基材，整流基材的顶端面上附着上金属层(2)，整流基材的底端面上附着下金属层(3)，其特征在于整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜(4)，玻璃钝化层(5)附着在半绝缘多晶硅膜(4)上，绝缘膜(6)分别附着在玻璃钝化层(5)及半绝缘多晶硅膜(4)上。
2. 根据权利要求1所述的抗高温整流芯片，其特征在于整流基材由上部呈矩形的凸 块(la)和下部呈矩形板状的平台(lb)组成，凸块(la)设置在平台(lb)的居中位置上， 凸块(la)的四周表面由上到下呈弧形状，上金属层(2)的周边与凸块(la)顶端面的周边 之间有第一间距(laa)，凸块(la)的底部周边与平台(lb)的顶端面周边之间有第二间距 (lbb);半绝缘多晶硅膜(4)的上下部分别有内折弯部分(4a)和外折弯部分(4b)，半绝缘多晶 硅膜(4)附着在凸块(la)的四周表面上，内折弯部分(4a)附着在凸块(la)顶端面的第一 间距(laa)上，并与上金属层(2)相对应粘接，外折弯部分(4b)附着在平台(lb)顶端面的 第二间距(lbb)上;玻璃钝化层(5)附着在半绝缘多晶硅膜(4)上，玻璃钝化层(5)的上端附着在内折弯 部分(4a)上，玻璃钝化层(5)的上端与内折弯部分(4a)的内周边之间有第三间距(4aa); 玻璃钝化层(5)的下端附着在外折弯部分(4b)上，玻璃钝化层(5)的下端与外折弯部分 (4b)的外周边之间有第四间距(4bb);绝缘膜(6)附着在玻璃钝化层(5)上，绝缘膜(6)的首端(6a)附着在内折弯部分(4a) 的第三间距(4aa)上，绝缘膜(6)的末端(6b)附着在外折弯部分(4b)的第四间距(4bb) 上。
全文摘要
本发明公开了一种抗高温整流芯片，它包括整流基材，整流基材的顶端面上附着上金属层，整流基材的底端面上附着下金属层，整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜，玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，绝缘膜分别附着在玻璃钝化层及半绝缘多晶硅膜上。本发明能够解决现有技术存在的无法适应在高温环境下工作、无法增大使用功率，以及容易损伤或损毁绝缘保护的问题。
文档编号H01L23/29GK101794740SQ201010114160
公开日2010年8月4日 申请日期2010年2月25日 优先权日2010年2月25日
发明者林照煌, 石尚同, 董志强 申请人:海湾电子(山东)有限公司