专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种半导体发光器件。
背景技术：
第III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而被广泛用作发光器件例如发 光二极管(LED)和激光二极管(LD)的核心材料。第III-V族氮化物半导体的一个实例为 具有组成式InxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1和0彡x+y彡1)的氮化物半导体。LED是一种用作光源或利用化合物半导体的特性将电转变成光或紫外(UV)线以 交换信号的半导体器件。基于氮化物半导体的LED或LD广泛用于发光器件，并且用作各种产品例如移动电 话的键盘发光单元、电子发光板和照明装置的光源。
发明内容
实施方案提供一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括具有与化合物半导 体的热膨胀系数类似的热膨胀系数的导电支撑构件。实施方案提供一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括具有与化合物半导 体的热膨胀系数类似的热膨胀系数的导电支撑构件。实施方案提供一种包括在化合物半导体层之下的导电支撑构件的半导体发光器 件，所述支撑构件相对于化合物半导体具有在临界范围内的热膨胀系数差。一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括多个化合物半导体层，其包括第 一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在化合物半导体层之下的电极层；和 在电极层之下的导电支撑构件，其中导电支撑构件相对于化合物半导体层具有在约50%之 内的热膨胀系数差。一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括多个化合物半导体层，其包括第 一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在化合物半导体层上的电极；在化合 物半导体层之下的电极层；和在电极层之下的导电支撑构件，其中导电支撑构件包括热膨 胀系数为约1 9X 10_6/K的合金材料。一个实施方案提供一种半导体发光器件，其包括多个化合物半导体层，其包括第 一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在化合物半导体层之上的电极；在化 合物半导体层之下的电极层；和在电极层之下的导电支撑构件，其中导电支撑构件包括相 对于化合物半导体层具有在约50%之内的热膨胀系数差的合金。一个或更多个实施方案的细节在附图和以下说明中提出。参考说明书和附图以及 权利要求书，其他特征将变得明显。
图1是根据实施方案1的半导体发光器件的侧视截面图。
图2至9示出根据第一实施方案的半导体发光器件的制造工艺的图。图10是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。图11是示出根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。图12是示出根据第四实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。图13是示出根据第五实施方案的半导体发光器件封装的侧视截面图。
具体实施例方式现在将详细参照本公开内容的实施方案，其实施例在附图中示出。在实施方案的说明中，应当理解，当称层(或膜)、区域、图案或结构在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案之“上/下”时，其可以直接位于所述另一衬底、层(或膜)、区 域、垫或图案之上，或者也可以存在中间层。此外，所述的在每层之“上”和“下”是基于附 图而言的。此外，为了清楚说明起见，每个元件的尺寸可以放大，并且每个元件尺寸可与每 个元件的实际尺寸不同。每个实施方案的技术特征不限于每个实施方案，而是可以选择性 地应用于其他实施方案。图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。参照图1，半导体发光器件100包括多个化合物半导体层140、沟道层151、欧姆层 153、电极层155、导电支撑构件160和电极170。化合物半导体层140包括第一导电型半导体层110、有源层120和第二导电型半导 体层130。有源层120设置在第一导电型半导体层110和第二导电型半导体层130之间。第一导电型半导体层110可包括至少一个掺杂有第一导电型掺杂剂的半导体层。 半导体层可由选自 GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN,AlInN,AlGaAs,GaP,GaAs,GaAsP, AlGaInP及其组合的第III-V族化合物半导体形成。如果第一导电型半导体层110是N型 半导体层，则第一导电型掺杂剂是N型掺杂剂，N型掺杂剂可包括Si、Ge、Sn、Se或Te。具有预定图案的电极170形成于第一导电型半导体层110的顶面上。粗糙结构可 形成于第一导电型半导体层110的部分或全部顶面之上。有源层120形成于第一导电型半导体层110之下。有源层120形成为具有单量子 阱(SQW)结构或多量子阱(MQW)结构。有源层120由第III-V族化合物半导体材料形成以 具有阱层和势垒层的周期结构，例如，InGaN阱层/GaN势垒层的周期结构或AlGaN阱层/ GaN势垒层的周期结构，本发明构思不限于此。有源层120可包括具有根据所发射的光的波长的带隙能的材料，例如，发射彩色 光如蓝色波长的光、红色波长的光和绿色波长的光的材料。导电覆层可形成于有源层之上和/或之下。导电覆层可包括GaN基半导体层。第二导电型半导体层130可形成于有源层120之下。第二导电型半导体层130可 包括至少一个掺杂有第二导电型掺杂剂的半导体层。在此，半导体层可由选自GaN、Α1Ν、 AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP 及其组合的第 III-V 族化合物半导体形成。如果第二导电型半导体层130是P型半导体层，则第二导电型掺杂 剂是P型掺杂剂，P型掺杂剂可包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。第三导电型半导体层(未示出)可形成于第二导电型半导体层130之下。第三导 电型半导体层可由相对于第二导电型半导体层130具有相反极性的半导体形成。此外，如果第一导电型半导体层110是P型半导体层，则第二导电型半导体层130可以是N型半导体 层。化合物半导体层140可以形成为具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P 结结构中的一种。在下文，为了便于描述，假定化合物半导体层140的最下层是第二导电型 半导体层。欧姆层153、沟道层151和电极层155形成于第二导电型半导体层130之下。欧姆层153设置于第二导电型半导体层130的内部底侧上。欧姆层153可以形成为具有预定形状的相互隔开的图案。欧姆层153可以形成为具有矩阵形状、十字形形状、多 边形形状或圆形形状的阵列图案。欧姆层153可由选自ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、 IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、ΑΖ0 (氧 化铝锌)、ATO (氧化锑锡)、ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Ni/Au、金属氧化物及其组合的材料形成。欧姆层153可增加第二导电型半导体层130和电极层155之间的粘附力。此外， 欧姆层153可改善电流的集中，因为其设置为图案化形状以形成部分肖特基。沟道层151设置在化合物半导体层140的底表面周围。沟道层151的内侧沿第二 导电型半导体层130的顶表面形成，且沟道层151的外侧形成于第二导电型半导体层130 的外部。沟道层151可以形成为具有框形、图案形、环形或圈形。沟道层151可以形成为具 有连续或不连续的形状。沟道层151沿第二导电型半导体层130和电极层155之间设置。沟道层151可由氧化物基透明材料或氮化物基透明材料如Si02、SiOx, SiOxNy、 Si3N4、A1203、ITO、IZO、IZTO、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、AZO 和 ATO 形成。因为沟道层 151 不透过在 隔离蚀刻工艺中辐照的激光束，所以它对化合物半导体层140的外侧区域Al没有电性影 响。如果沟道层151由导电材料形成，则其可提高电特性，由此提高发光效率。沟道层151 可提供电极层155和化合物半导体层140的每层之间的间隔。沟道层151可包括上述氧化物基或氮化物基材料，并且可以形成为具有单层结构 或多层结构。电极层155可设置在第二导电型半导体层130之下。电极层155可设置在沟道层 151的部分或全部底面之下。电极层155 可由选自 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及其组合的材
料形成。电极层155可形成为包括至少一层。导电支撑构件160形成于电极层155之下。导电支撑构件160可由基于Ni、Cu、 Cr、Fe、Si、Mo和Co中至少两种的合金形成，其具有类似于半导体的热膨胀系数、高导热性 和良好的导电特性。导电支撑构件160可由包含50%或更多Ni的合金形成。例如，导电支 撑构件160可由选自Ni-Cu基合金、Ni-Fe基合金、Ni-Mo基合金、Ni-Mo-Cr基合金、Ni-Cr 基合金、Ni-Fe-Cu基合金、Ni-Co-Mn基合金、Ni-Cr-Fe基合金、Ni-Cr-Mo-Cu基合金和Ni-Si 基合金中的至少一种形成。例如，导电支撑构件160可由具有与化合物半导体(例如GaN) 相同或相似的热膨胀系数的材料(例如，Ni-Co基合金)形成。GaN基半导体层可具有约a = 5. 25 7. 75 X 10_6/K，c = 4. 52 X 10_6/K的热膨胀 系数。例如，导电支撑构件160相对于GaN基半导体层可具有在约50%的临界范围内的热 膨胀系数差。导电支撑构件160可具有约1 9Χ 10_6/Κ的热膨胀系数且可具有约30 300 μ m的厚度。导电支撑构件160可由具有约5. 2 8. 91X 10_6/K的热膨胀系数的Ni基合金形成。热膨胀系数的单位可以为/K、/度或ym/mK，本发明构思不限于此。导电支撑构件160可形成为选择性包括磁性材料。在此，如果导电支撑构件160 由具有比氮化物半导体高的热膨胀系数的材料(例如，铜材料)形成，则铜支撑构件具有比 氮化物半导体高的热膨胀系数。铜支撑构件是热/电不稳定的，因此使器件的可靠性劣化。实施方案的导电支撑构件160可由具有与化合物半导体相同或相似热膨胀系数 的材料形成。导电支撑构件160可使得由于温度变化引起的导电支撑构件160的热膨胀 问题最小化。导电支撑构件160具有的材料相对于化合物半导体层的热膨胀系数差在约 5 Χ10_6/κ 内。图2至9是示出图1的半导体发光器件的制造工艺的视图。参照图2，第一导电型半导体层110形成于衬底101上。有源层120形成于第一导 电型半导体层110上。第二导电型半导体层130形成于有源层120上。衬底101 可由蓝宝石(Al203)、SiC、Si、GaAs、GaN、Zn0、GaP、InP 和 Ge 中的至少一 种形成。衬底101可包括导电衬底或电介质衬底。粗糙图案可形成于衬底110之上和/或 之下。粗糙图案的形状可包括条图案、透镜图案、柱图案和角状图案中的一种。可在衬底101上生长第II至VI族化合物半导体。生长设备可以是电子束蒸发器、 PVD (物理气相沉积)装置、化学气相沉积(化学气相沉积)装置、PLD (等离子体激光沉积) 装置、双型热蒸发器、溅射装置或MOCVD(金属有机化学气相沉积)装置，本发明构思不限于 此。缓冲层可形成于衬底101之上。缓冲层可由第III-V族化合物半导体，例如GaN、 InN、A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN和AlInN中的至少一种形成。此外，缓冲层可由第II至 VI族化合物半导体，例如氧化物材料例如ZnO的层或多个图案形成。未掺杂的半导体层可形成于缓冲层或衬底101之上。未掺杂的半导体层可由未掺 杂的GaN基半导体形成。缓冲层和/或未掺杂的半导体层可以不形成，或可以不在最终的 器件中存在。多个化合物半导体层可形成于衬底101上。化合物半导体层可包括第一导电型半 导体层110、有源层120和第二导电型半导体层130(由第III-V族化合物半导体形成)的
堆叠结构。第一导电型半导体层110可由掺杂有第一导电型掺杂剂的如选自GaN、A1N、 AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中至少一种的第 III-V族化合物半导体形成。如果第一导电类型是N型，则第一导电型掺杂剂可包括N型掺 杂剂例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电型半导体层110可形成为单层结构或多层结构，本 发明构思不限于此。有源层120可形成于第一导电型半导体层110之上。有源层120可形成为单量子 阱(SQW)结构或多量子阱(MQW)结构。有源层120可由第III-V族化合物半导体材料形成 以具有阱层和势垒层的周期结构，例如InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒 层的周期结构，本发明构思不限于此。导电覆层可形成于有源层120之上和/或之下。导 电覆层可由GaN基半导体形成。第二导电型半导体层130可形成于有源层120之上。第二导电型半导体层130 可由掺杂有第二导电型掺杂剂的例如选自GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种的第III-V族化合物半导体形成。如果第二导电型是P型，第二导电型掺杂剂可包括P型掺杂剂例如Mg、Ze、Ca、Sr和Ba。第二导 电型半导体层130可形成为单层结构或多层结构，本发明构思不限于此。第三导电型半导体层(未示出)可形成于第二导电型半导体层130之上。第三导 电型半导体层可由具有与第二导电型半导体层130的极性相反的极性的半导体形成。因 此，化合物半导体层可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结中的至少一 种。在下文，为了便于描述，假定化合物半导体层的最上层是第二导电型半导体层。参照图3，沟道层151形成于第二导电型半导体层130的外侧顶部上。如图5所 示，当沿每个芯片100A的边界区域Ll和L2隔开预定宽度T时，沟道层151形成于第二导 电型半导体层130的边缘区域上。沟道层151可由透明氧化物材料或透明氮化物材料例如选自ΙΤ0、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、 ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、AZ0、AT0、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4 和 Al2O3 的至少一种形成。沟道层 151 的部分材料防止对化合物半导体层110、120和130的外侧区域产生电性影响。沟道层151 可在电极层和第二导电型半导体层130之间提供间隔。参照图4，欧姆层153形成于第二导电型半导体层130内侧顶部上。如图5所示， 欧姆层153可形成为矩阵图案或锯齿形图案，其形状可以为多边形形状、十字形形状或圆 形形状。欧姆层153可由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、 IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、ΑΖ0 (氧化铝锌)、ΑΤ0 (氧化 锑锡)、ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Ni/Au和金属氧化物中的至少一种形成。沟道层151和欧姆层153可利用预定的掩模图案来形成，并且所述两层的形成顺 序可根据实施方案变化。参照图6和7，电极层155形成于第二导电型半导体层130、沟道层151和欧姆层 153上。导电支撑构件160形成于电极层155上。电极层155 可形成为包括由选自 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及
其组合中的一种所形成的至少一层。导电支撑构件160可通过电镀工艺形成。导电支撑构 件160可由基于Ni、Cu、Cr、Fe、Si、Mo和Co中至少两种的合金形成，其具有低热膨胀系数、 高导热性和良好的导电特性。例如，导电支撑构件160可由选自Ni-Cu基合金、Ni-Fe基合金、Ni-Mo基合金、 Ni-Mo-Cr基合金、Ni-Cr基合金、Ni-Fe-Cu基合金、Ni-Co-Mn基合金、Ni-Cr-Fe基合金、 Ni-Cr-Mo-Cu基合金和Ni-Si基合金中的至少一种形成。此外，导电支撑构件160可形成为 选择性地包括磁性材料。例如，导电支撑构件160可由具有与GaN基化合物半导体相同或 相似的热膨胀系数的材料(例如，Ni-Co基合金)形成。如果GaN基半导体具有约3 7 μ m/KA的热膨胀系数，则导电支撑构件160可由 相对于GaN基半导体的热膨胀系数差在小于约5的临界范围内的材料(即，3 9 μ m/KA的 合金材料)形成。参照图7和8，形成于第一导电型半导体层110之下的衬底101可通过激光剥离 (LLO)工艺移除。在将具有预定波长的激光束辐照到衬底101上时，热能集中在衬底101和 半导体层之间的界面上以分离衬底101。如果在衬底101和第一导电型半导体层110之间 存在其他半导体层(例如，缓冲层)，则可以通过湿蚀刻工艺移除衬底101。
接着，可以在没有衬底101的第一导电型半导体层110的表面上执行ICP/RIE(电 感耦合等离子体/反应性离子蚀刻)工艺。欧姆层153增加第二导电型半导体层130和电极层155之间的粘附力，由此保护 其免受在第二导电型半导体层130和电极层155之间传递的冲击。因此，半导体发光器件 的可靠性可以提高。在移除衬底101之后，执行隔离蚀刻工艺以暴露作为芯片边界区域的沟道层151的部分表面。在此，蚀刻工艺可以为湿或干蚀刻工艺。如果沟道层151由导电材料形成，则隔离层蚀刻工艺防止半导体材料向下流到其 他层，由此防止短路。也就是说，可以提高工艺稳定性。此外，可以通过沟道层151的欧姆 特性提高发光效率。如果沟道层151由介电材料形成，则其可提供电极层155和第二导电型半导体层 130之间的空间间隔。参照图8和9，具有预定图案的电极170可形成于第一导电型半导体层110之上。 粗糙结构可形成于第一导电型半导体层110的顶表面上。半导体发光器件100包括设置于化合物半导体层140 (110、120和130)之下且相 对于GaN基半导体具有小的热膨胀系数差的导电支撑构件160。因为导电支撑构件160相 对于半导体材料具有小的热膨胀系数差，所以其可提高半导体发光器件100的热可靠性和 稳定性。图10是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。在描述第二实施方 案时，为了简明起见，将省略与第一实施方案重复的描述。 参照图10，半导体发光器件100A配置为包括设置在第二导电型半导体层130和电 极层155之间的欧姆层153。沟道层151的内侧和外侧可具有不同的厚度。沟道层151的内侧接触第二导电型 半导体层130的底部边缘，沟道层151的外侧暴露于第二导电型半导体层110的外侧。沟 道层151的内侧和外侧可以形成为具有阶梯差异。欧姆层153可形成于与电极170对应的位置处，本发明构思不限于此。图11是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。在描述第三实施方 案时。为了简明起见，将省略与第一实施方案重复的描述。参照图11，半导体发光器件100B配置为包括设置在电极层155和第二导电型半导 体层130外边缘之间的沟道层151。沟道层151可由介电材料形成。电极层155可由第二导电型半导体层130之下的籽金属材料形成以具有反射特性 和欧姆接触特性。电极层155可由Ag、Ag合金、Ni、Al、Al合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、 Au、Hf及其合金中的至少一种形成。电极层155可以形成为具有单层结构或多层结构。图12是根据第四实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。在描述第四实施方 案时，为了简明起见，将省略与第一实施方案重复的描述。参照图12，半导体发光器件100C配置为包括在第二导电型半导体层130之下形成 的电极层155而不形成其他材料层。电极层155 可包括 Ag、Ag 合金、Ni、Al、Al 合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、 ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、ATO (氧化锑锡)、GZO (氧化镓锌)、IrOx, Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au和Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少一种。电极层155可由反射材料形 成或可包括透明材料和反射材料的堆叠结构。图13是根据第五实施方案的半导体发光封装体的侧视截面图。参照图13，半导体发光封装体200包括主体部250 ；设置在主体部250中的第一 和第二引线电极211和213 ；设置在主体部250中以电连接至第一和第二引线电极211和 213的发光器件100 ；和包围发光器件100的模制件220。主体部250可由硅材料、合成树脂材料和金属材料中的至少一种形成。主体部250 可形成为在发光器件100周围处具有倾斜表面的腔205。第一引线电极211和第二引线电极213相互电断开，并且向发光器件100供电。此 夕卜，第一引线电极211和第二引线电极213反射从发光器件100发射的光，由此提高发光效 率。而且，第一引线电极211和第二引线电极213可用于排放从发光器件100产生的热。发光器件100可设置在主体部250之上或可形成于第一引线电极211或第二引线 电极213之上。发光器件100可通过导线202电连接至第二引线电极213，并且可以芯片键合结构 连接至第一引线电极211。模制件220可包围发光器件100以保护发光器件100。此外，模制件220可包括荧 光材料以改变由发光器件100发射的光的波长。发光器件100可通过在主体部250内形成的通孔电连接。根据实施方案的发光器件可连接至第一和第二引线电极211和213，封装并用作 指示装置、照明装置或显示装置的光源。此外，每个实施方案不限于该实施方案，而是可以 选择性适用于其他实施方案。实施方案降低氮化物半导体和支撑构件之间的热膨胀系数差，由此提高半导体发 光器件的可靠性。实施方案使用与氮化物半导体的热膨胀系数差在临界范围内的支撑构 件，由此提高半导体发光器件的热稳定性。根据一个实施方案的半导体发光器件包括发光结构，其包括多个第III-V族化 合物半导体层；所述发光结构之下的第二电极层；和设置于第二电极层之下且相对于化合 物半导体具有小于约5的热膨胀系数差的导电支撑构件。一种用于制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法包括在衬底上形成多 个化合物半导体层；在所述化合物半导体层上形成电极层；在所述电极层之下形成导电支 撑构件以具有在临界范围内的热膨胀系数差；移除所述衬底；和在所述化合物半导体层之 下形成电极。另一实施方案提供一种包括上述发光器件的照明系统。所述照明系统可包括灯、 街灯、光单元，但是不限于此。该说明书中提及的“ 一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案，，等是指关于 实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中 各处使用的这类短语不一定都是指相同的实施方案。此外，当关于任意实施方案描述具体 特征、结构或特征时，关于实施方案的其它特征、结构或特性来实现该特征、结构或特性也 在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范 围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和 /或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使 用对本领域的技术人员而言也是明显的。
权利要求
一种半导体发光器件，包括多个化合物半导体层，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在所述化合物半导体层之下的电极层；和在所述电极层之下的导电支撑构件，其中所述导电支撑构件相对于所述化合物半导体层具有在约50％之内的热膨胀系数差。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述化合物半导体层包括具有电极 的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层之下的有源层；和在所述有源层之下 的第二导电型半导体层。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述化合物半导体层包括第III-V族 化合物半导体材料。
4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，包括设置在所述第二导电型半导体层和所 述电极层之间并具有与所述第二导电型半导体层相反的极性的第三导电型半导体层。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构件包括含M的合金。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构件包含M、CU、Cr、Fe、 Si、Mo和Co中的至少两种。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述化合物半导体层 的外周之间的沟道层。
8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括ITO(氧化铟锡)、 IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧 化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、ATO (氧化锑锡)、SiO2, SiOx、SiOxNy> Si3N4和Al2O3中的至少 一种。
9.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述沟道层在所述电极层和所述第二 导电型半导体层的外周形成为具有连续或不连续的形状。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述化合物半导体 层之间的单独的欧姆层。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述欧姆层包括ITO(氧化铟锡)、 IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧 化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、ATO (氧化锑锡)、ZnO, IrOx、RuOx、NiO和Ni/Au中的至少一 种。
12.—种半导体发光器件，包括多个化合物半导体层，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在所述化合物半导体层之上的电极；在所述化合物半导体层之下的电极层；和在所述电极层之下的导电支撑构件，其中所述导电支撑构件包含热膨胀系数为约1 9Χ1(Γ6/Κ的合金材料。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述化合物半导体层包括热膨胀系 数为约5. 25 7. 75X IO-6A的第III-V族化合物半导体层。
14.根据权利要求12所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述化合物半导体层的外周之间的氧化物或氮化物基沟道层。
15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的内侧设置在所述化合 物半导体层之下，并且所述沟道层的外侧具有与所述沟道层的内侧不同的厚度且暴露于所 述化合物半导体层的外侧。
16.根据权利要求12所述的半导体发光器件，包括用于在所述电极层和所述第二导电 型半导体层之间形成欧姆接触的欧姆层。
17.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括Ag、Ag合金、Ni、Al、 Al 合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化 铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、ΑΖ0 (氧化铝锌)、 ATO (氧化锑锡)、GZO (氧化镓锌)、IrOx、RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0 中 的至少一种。
18.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构件包括M-Cu基 合金、Ni-Fe基合金、Ni-Mo基合金、Ni-Mo-Cr基合金、Ni-Cr基合金、Ni-Fe-Cu基合金、 Ni-Co-Mn基合金、Ni-Cr-Fe基合金、Ni-Cr-Mo-Cu基合金和Ni-Si基合金中的至少一种。
19.一种半导体发光器件，包括多个化合物半导体层，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；在所述化合物半导体层之上的电极；在所述化合物半导体层之下的电极层；和在所述电极层之下的导电支撑构件，其中所述导电支撑构件包括相对于所述化合物半导体层具有在约50%之内的热膨胀 系数差的合金。
20.根据权利要求19所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构件包括相对于所述 化合物半导体层具有在约5 X 10_6/K之内的热膨胀系数差的材料，并且所述合金包括M-Cu 基合金、Ni-Fe基合金、Ni-Mo基合金、Ni-Mo-Cr基合金、Ni-Cr基合金、Ni-Fe-Cu基合金、 Ni-Co-Mn基合金、Ni-Cr-Fe基合金、Ni-Cr-Mo-Cu基合金和Ni-Si基合金中的至少一种。
全文摘要
提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层和导电支撑构件。所述化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述电极层设置在所述化合物半导体层之下。所述导电支撑构件设置在所述电极层之下。其中所述导电支撑构件具有相对于所述化合物半导体层为约50％之内的热膨胀系数。
文档编号H01L33/48GK101814567SQ201010114210
公开日2010年8月25日 申请日期2010年2月22日 优先权日2009年2月23日
发明者赵基铉 申请人:Lg伊诺特有限公司