一种液晶显示器阵列基板及其修补方法

专利名称：一种液晶显示器阵列基板及其修补方法
一种液晶显示器阵列基板及其修补方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器阵列基板，特别涉及一种能够修补线缺陷的液晶显示
器的阵列基板及其修补方法。背景技术：
目前，使用液晶显示器已成为一种潮流，液晶显示器具有高画质、较佳的空间利用 率、低消耗功率、无辐射等优越特性，随着液晶显示器的技术日益成熟，也使得液晶显示器 广泛的运用到各个领域中。 一般而言，液晶显示器主要由一阵列基板，一对向基板以及夹于 两基板之间的液晶层所构成。其中，阵列基板主要包括基板、以阵列方式排布于基板上的画 素结构、扫描线以及数据线。前述的画素结构主要由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor， TFT)、画素电极以及共通电极线所构成。通常通过在两基板之间产生一电场，以此来驱动设 置在两基板之间的液晶层，通过改变液晶分子的偏转角度，以此实现对显示基板亮与暗的 控制。 值得注意的是，在实际生产中，常因为制造工艺及其其他因素导致上述阵列基板 有可能会面临线缺陷的问题，并且此线缺陷常常是因为基板上扫描线或数据线断裂所引起 的；因此，需要修复线缺陷以提高液晶显示装置的成品率，降低生产成本。当基板上的扫描 线或数据线发生断线时，则会引起显示品质的下降，从而造成阵列基板的报废。因此需要提 出一种修复方法，来达到对断线部分进行修补，以此来提高显示品质，从而减少阵列基板的 报废，减少生产成本。以下将详述现行已知的对数据线或扫描线断线进行修复的方法。
图1是已知的一种通过镭射修补的方式来达成对数据线进行修复的结构示意图。 如图l所示，一扫描线11与一数据线12相互垂直交叉排列限定了画素区域，其中该数据线 12设置有复数个突出部21，在画素区域中设置了由氧化铟锡(IT0)所形成的画素电极13， 该画素电极13通过一薄膜晶体管14(Thin Film Transistor, TFT)分别与扫描线11和数 据线12相电性连接， 一遮蔽线20设置在画素电极13与数据线12之间，并该遮蔽线20与 数据线12相平行，且与数据线12的突出部21相重叠；当数据线12发生断线等缺陷时，通 过镭射修补的方式将突出部21与遮蔽线20相连接，则数据信号可以绕过数据线12断线的 部分，通过遮蔽线20继续传输，这样可以提高面板的良率；虽然该方式可以达到对断线部 分进行修补，但是该镭射修补的方式需要增加额外的结构设计(例如，突出部21的设计) 与之搭配，大大增加了画素结构的复杂度，并且相应的增加了制程的难度，更会衍生出另一 些缺陷(例如在生成突出部时，可能会污染到画素电极，从而降低面板的显示品质)。
图2是已知的另一种镭射修补的方式对数据线进行修复的结构示意图。如图2所 示，一扫描线11与一数据线12相互垂直交叉排列限定了画素区域，在画素区域中设置了 由氧化铟锡(ITO)所形成的画素电极13，该画素电极13通过一薄膜晶体管14(Thin Film Transistor,TFT)分别与扫描线11和数据线12相电性连接，在画素电极13的周边区域还 设置有一共通电极线15，该共通电极线15与扫描线11或数据线12相平行，其中与数据线 12平行的部分的共通电极线15具有一开口部51，该开口部51将共通电极线15分成两部CN 101776808 A
分，并该共通电极线15上设置有一延伸部16，且该延伸部16与数据线12部分重叠，当数据 线12发生断线时，通过镭射修补的方式将延伸部16与数据线12重叠的部分进行连接，则 数据信号可以绕过数据线12断线的部分，通过共通电极线15继续传输，这样可以提高显示 装置的良率；虽然该方法较为简单，但是该延伸部16的存在，会产生出寄生电容，从而影响 画面的品质； 图3A是已知的另一种镭射修补的方式来对扫描线进行修复的结构示意图。如图 3A所示，一扫描线11与一数据线12相互垂直交叉排列限定了画素区域，在画素区域中设置 了由氧化铟锡(IT0)所形成的画素电极13，该画素电极13通过一薄膜晶体管14(Thin Film Transistor, TFT)分别与扫描线11和数据线12相电性连接；同时当扫描线11的断线处A 发生在任两条数据线12之间时，修复该缺陷的方法包括先将断线处A上方的画素电极13 分割为以显示部分13a以及以被显示部分13a环绕的修补部分13b，以使显示部分13a与修 部分13b电性绝缘；接着再将修补部分13b与断线处A两侧缺陷扫描线11通过镭射修补的
方式将两者电性连接。此种方式虽然可以对扫描线的断线进行修复，但是会使显示区的开 口率下降，影响画面的品质，再者在接通画素电极与扫描线时，因画素电极与扫描线之间有
两层膜(半导体层与第二金属层)的存在，从而增加了接通的难度，降低了修复的成功率。
图3B是已知的再一种镭射修补的方式来对扫描线进行修复的结构示意图。如图 3B所示，一扫描线11与一数据线12相互垂直交叉排列限定了画素区域，在画素区域中设 置了由氧化铟锡(IT0)所形成的画素电极13，该画素电极13通过一薄膜晶体管14(Thin Film Transistor, TFT)分别与扫描线11和数据线12相电性连接；同时当扫描线11的断 线处A位于数据线12的下方时，修复该缺陷的方法包括先将与断线处A相邻的两画素电 极13分割为一显示部分13a以及一修补部分13b，以使显示部分13a与修补部分13b电性 绝缘；接着，在两画素电极13的修补部分13b之间沉积一层金属膜41，以使缺陷的扫描线 11通过该层金属膜41相电性连接。此方法虽然可以达到对断线的修补，但是修补程序较为 繁琐，而且在沉积金属膜41时，沉积时间可能较长，且成膜效果不能保证，再者沉积过程中 可能会污染到画素电极，从而影响画面的品质。 综上所述，现有技术中对数据线缺陷进行修补的方式并不能较好达到修复的效 果，若使用现有技术的方式进行修复，既增加画素结构的复杂度，而且也会相应的增加制程 难度，更可能会污染画素电极；因此，需要提出一种更为简单，而且在修补过程中不会衍生 出另一些缺陷的修复方法，则本发明将提出一种较为简单，且修补效果较好的镭射修补方 式。

发明内容
因此，本发明的目的就是在提供一种液晶显示面板阵列基板修补方法及阵列基 板，是可针对信号传输线的线缺陷进行修补，以避免造成液晶显示面板阵列基板的报废。
本发明的另一目的是提供一种简洁的修补液晶显示面板阵列基板信号传输线线 缺陷的方法，能方便和有效的修补信号传输线的线缺陷，而且能够在修补的同时不容易产 生其它的缺陷，并且还具有高的开口率。另外，本发明的设计没有增加相关的制程，因此不 仅能对信号传输线的线缺陷进行修补，还能提高生产效率。 基于上述目的，本发明提出一种液晶显示器阵列基板信号传输线的修补方法，其
4包括以下步骤步骤一 提供一阵列基板；步骤二 检测信号传输线缺陷具体位置；步骤三 去除覆盖在信号传输线和共通电极线上该缺陷端部附近的阻隔层，并裸露出该些金属导 线缺陷附近端部；步骤四采用镭射化学气相沉积方式沉积金属层于该裸露金属导线端部 上，该金属层电性连接该信号传输线和该共同电极线；步骤五切断该共通电极线缺陷外 端的电性连接，使得该信号传输线可通过该共通电极线段形成电性回路。 本发明提出一种应用上述修补方法修复后的阵列基板，其包含一基板；复数条 信号传输线，该些信号传输线纵横交错构成复数画素单元，该信号传输线中包含至少一个 电性缺陷；复数个薄膜电晶体，位于画素单元内，且由该些信号传输线驱动；复数条共通电 极线段，该些共同电极线段平行该些数据传输线，且该些共通电极线段仅与该数据线电性 连接；一金属连接结构，其位于该缺陷两端部且电性连接该信号传输线和该共通电极线段； 复数画素电极，每一该画素电极位于该画素单元之内，并与该薄膜电晶体电性连接，且每一 该画素电极部分和该共通电极线重叠，以构成一储存电容。 在本发明的一实施例中，信号传输线包含阵列基板上的扫描线和数据线，并且扫 描线与数据线交叉形成画素单元。 在本发明的一实施例中，当数据线出现缺陷时，首先检测数据线缺陷具体位置；再 利用镭射光束去除覆盖在数据线和共通电极线上缺陷端部附近的阻隔层，并裸露出这些金 属导线缺陷附近端部；然后采用镭射化学气相沉积方式沉积金属层于裸露金属导线端部 上，金属层电性连接数据线和共同电极线；最后透过镭射光束切断共通电极线缺陷外端的 电性连接，使得数据线可通过共通电极线段形成电性回路。 在本发明的一实施例中，当扫描线出现缺陷时，首先检测扫描线缺陷具体位置；再 利用镭射光束去除覆盖在扫描线和共通电极线上缺陷端部附近的阻隔层，并裸露出这些金 属导线缺陷附近端部；然后采用镭射化学气相沉积方式沉积金属层于裸露金属导线端部 上，金属层电性连接扫描线和共同电极线；最后透过镭射光束切断共通电极线缺陷外端的 电性连接，使得扫描线可通过共通电极线段形成电性回路。 在本发明的一实施例中，当数据线和扫描线同时出现缺陷时，首先检测数据线和 扫描线缺陷具体位置；再利用镭射光束去除覆盖在数据线、扫描线和共通电极线上缺陷端 部附近的阻隔层，并裸露出这些金属导线缺陷附近端部；然后采用镭射化学气相沉积方式 沉积金属层于裸露金属导线端部上，金属层电性连接扫描线和共同电极线；最后透过镭射 光束切断共通电极线缺陷外端的电性连接，使得数据线和扫描线可通过共通电极线段形成 电性回路。 在本发明的一实施例中，阻隔层为金属绝缘层，并且在同一道制程中去除金属绝 缘层和钝化层；在本发明的一实施例中，阻隔层为金属绝缘层、钝化层和画素电极层。
在本发明的一实施例中，去除之制程手段可以为远红外光、远紫外光、绿光和镭射 光束其中之一。 在本发明的一实施例中，共通电极线形成在阵列基板上的形状为"n"字型、"H"字 型或"口"，并且共同电极线段为通过切断共通电极线而形成。 在本发明的一实施例中，共通电极线和扫描线是在阵列基板上的同一金属层。
在本发明的一实施例中，化学气相沉积金属层为钨金属层。
在本发明的一实施例中，化学气相沉积靶材为钨碳化合物。
在本发明的一实施例中，化学气相沉积金属连接结构之厚度为2000埃到4000埃 之间。 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下，其中相同标号指示同样或相似的步骤。

图1是已知的断线修补结构示意2是已知的另一断线修补结构示意3a是已知的又一断线修补结构示意3b是已知的再一断线修补结构示意4是本发明的断线修补流程示意图。图5是本发明n形共通电极线缺陷结构示意图。图6是图5中沿I-I方向的剖视图。图7是图5的局部放大图。图8是图5的又一局部放大图。图9是本发明H形共通电极线线缺陷结构示意图。图10是图9的局部放大图。图ll本发明口形共通电极线线缺陷结构示意图。图12本发明井形共通电极线线缺陷结构示意图。图13是图12的局部放大图。图14是图12的又一局部放大图。
具体实施方式
在以下实施例所述方法和结构中，既修复数据线或扫描线的线缺陷，又可以不占 用画素开口率来设计修补线。 图4是本发明的断线修补流程示意图。参照图4所示，首先放入一液晶显示器阵 列基板(S01)再进行检测线缺线处及确定该线缺陷位置(S02)，检测系由A0I机台或其它可 检测方法/机台如TESTER机台检测出信号传输线之线缺陷，上述信号传输线包括数据线和 扫描线，接着确定该数据线或扫描线上线缺陷的位置，并除去该线缺陷位置两端延伸至共 通电极线的阻隔层(S03)，此处阻隔层位置位于线缺陷相邻之两端，且由此两端点平行延伸 至共通电极线之空间(线段)，其系利用镭射光束能量以去除该线缺陷相邻之两端延伸至 共通电极线间的阻隔层。 当上述阻隔层仅为金属绝缘层时(其系为TFT-LCD五道制程中第三道制程中未镀 上透明电极层之制程，并由检测测出线缺陷进行修复)，在此该金屬绝缘层位於第一金属层 上方，上述之第一金属层包含扫描线以及共通电极线，此时可利用IR(远红外)、UV (远紫外 光)、Green(绿光)、镭射光束清除上述阻隔层，通常IR的波长为1000 1500nm，Green的 波长为450 600nm，通过调整其能量光束达到清除上述阻隔层的目的。当上述阻隔层为绝 缘层和透明电极层时，如ITO(透明氧化铟锡)等材质，该透明导电层用来形成画素电极，亦 与画素电极下方的共通电极线形成储存电容。亦可利用IR的波长为1000 1500nm，Green的波长为450 600nm，通过调整该镭射光的能量以达到清除上述阻隔层的目的。
然后再将连接金属层沉积于除去阻隔层位置上(S04)，此处系使用L-CVD (激光化 学沉积修补设备)以钨碳化合物为靶材在数据线以及共通电极线的暴露范围内进行金属 沉积形成连接金属层以达修复数据线的线缺陷，亦可在扫描线以及共通电极线的暴露范围 内进行金属沉积形成连接金属层以修复扫描线的线缺陷，通常该金属连接结构为2000 4000A，其中扫描线或数据线与共通电极线暴露范围即为上述除去阻隔层位置。此时，当述 阻隔层仅为金属绝缘层时，其连接金属层略大于数据线以及共通电极线的暴露范围，使其 电性连接更成功。当上述阻隔层为绝缘层和透明电极层时，有两种作业方式，方式一为使连 接金属层略小于数据线以及共通电极线的暴露范围，从而使透明电极层与该连接金属层不 电性连接。方式二为使连接金属层的电性连接更成功，而使连接金属层略大于数据线以及 共通电极线的暴露范围，而切断其与透明电极层的连接会在完成所有修补动作后，上述方 式二在下面有详细解述。 再切断该共通电极线上阻隔层外端的电性连接(S05)，其系利用镭射光束切断共 通电极线位于金属连接结构外端处，其位置即为该共通电极线上阻隔层相邻之外端电性连 接处，使共通电极线可以顺利导通的同时，亦不受该数据线信号或扫描线信号影响，且该数 据线信号或扫描线信号亦可通过连接金属层间的共通电极线段完成信号的传输。上述当阻 隔层为绝缘层和透明电极层，所述方式二是指当切断该共通电极线上阻隔层外端的电性连 接后在连接金属层间的共通电极线周围的画素电极上挖细缝，使画素电极与连接金属层间 的共通电极线不发生电性连接。通常该细缝的宽度为2 6um。 请参照图5，图5为本发明n形共通电极线缺陷结构示意图。第一数据线101与 第一扫描线201互相垂直，且第一数据线101与第二数据线102互相平行，然第一扫描线 201与第二扫描线202互相平行，且第二扫描线202与第一数据线101互相垂直，且第二扫 描线202与第二数据线102互相垂直，且第二数据线102亦与第一扫描线201相垂直，由此 数据线与扫描线交叉设置限定多个画素单元，其上设置有共通电极线40作为储存电容的 下电极，并与画素单元中的画素电极324共同构成储存电容，而共通电极线40在画素单元 的形状直接决定储存电容的大小，在本实施例中共通电极线40作为储存电容的下电极呈 n字型，其中该n字型共通电极线段401为共通电极线40切断后与原共通电极线40未电 性连接线段，即为共通电极线段401位于连接金属层111上方处切断，前述切断处即为断口 处60，而n字型共通电极线段401上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层111和 112，然连接金属层lll和112亦部份连接具有线缺陷G之第一数据线IOI，其中连接金属层 111和112相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具 有线缺陷G的第一数据线101可通过该共通电极线段401完成信号的传输。
图6A系为图5中I-I'线段剖视图，其续参照图5，其系当其阻隔层仅为金属绝缘 层时(其系为TFT五道制程中第三道制程中未镀上透明电极层之制程，并由检测测出缺陷 修复)，其中玻璃基板321上有共通电极线段401、金属绝缘层322及连接金属层111和112， 然前述金属绝缘层322有部份位于部份共通电极线段401上方，而另一部份金属绝缘层322 上方则设置有第一数据线段401。在TFT五道制程中第三道制程中未进行钝化层323的制 程时，检测时发现了该缺陷并立即进行修复动作，此时可利用波长为1000 1500nm的IR 以及波长为450 600nm的Green镭射光束将该金属绝缘层332清除后，此清除处即为图中所示连接孔501和502位置(其清除处亦係为上流程所述阻隔层位置位于线缺陷相邻之 两端，且由此两端点平行延伸至共通电极线段之空间(线段))，且连接孔501和502位置係 由连接金属层111和112金属沉积覆盖，因此接上述使用L-CVD(激光化学沉积修补设备) 以钨碳化合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段401的暴露处，即连接孔501和 502处进行金属沉积形成连接金属层111和112以达修复第一数据线101的线缺陷G，。然 通常连接金属层111和112会略大于第一数据线101以及共通电极线段401的暴露处即连 接孔501和502，故其连接金属层111和112会覆盖部份第一数据线101以及部份共通电极 线段401。再利用镭射光束切断共通电极线段401位于连接金属层111上方处，使共通电极 线40可以顺利导通的同时，亦不受有线缺陷G的该第一数据线信号影响，且该第一数据线 101信号亦可通过连接金属层111间的共通电极线段401完成信号的传输。然后再进行后 续阵列基板的制程，即形成钝化层323以及透明导电层(图中未显示)。
图6-B是当其阻隔层为绝缘层和透明电极层时(其系为已完成TFT五道制程中 后，并由检测测出缺陷修复)，其中玻璃基板321上有共通电极线段401、金属绝缘层322 及连接金属层111和112，其上再覆盖上钝化层323，然前述金属绝缘层322有部份位于部 份共通电极线段401上方，钝化层323再覆盖于金属绝缘层322上方，而另一部份金属绝 缘层322上方则设置有第一数据线段401，钝化层323再部份覆盖于第一数据线段401上 方。在完成TFT五道制程后，检测时发现了该缺陷并立即进行修复动作，此时可利用波长为 1000 1500nm的IR以及波长为450 600nm的Green镭射光束将该金属绝缘层332及 钝化层323清除后，此清除处即为图中所示连接孔501和502位置(其清除处亦係为上流 程所述阻隔层位置位于线缺陷相邻之两端，且由此两端点平行延伸至共通电极线段之空间 (线段))，且连接孔501和502位置係由连接金属层111和112金属沉积覆盖，因此接上述 使用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以钨碳化合物为靶材在第一数据线101以及共通电 极线段401的暴露处，即连接孔501和502处进行金属沉积形成连接金属层lll和112以达 修复第一数据线101的线缺陷G。然通常连接金属层111和112会略大于第一数据线101 以及共通电极线段401的暴露处即连接孔501和502，故其连接金属层111和112会覆盖部 份第一数据线101以及部份共通电极线段401。再利用镭射光束切断共通电极线段401位 于连接金属层111上方处，使共通电极线40可以顺利导通的同时，亦不受有线缺陷G的该 第一数据线信号影响，且该第一数据线101信号亦可通过连接金属层111间的共通电极线 段401完成信号的传输。图7为图5的局部放大图。请同时参照图5，在本实施例中共通电 极线40作为储存电容的下电极呈n字型，其中该n字型共通电极线段401为共通电极线40 切断后与原共通电极线40未电性连接线段，即为共通电极线段401位于连接金属层111上 方处切断，前述切断处即为断口处60，而n字型共通电极线段401上部份耦合画素电极324 及部份接触连接金属层111和112，此处画素电极324位于共通电极线段401上且与连接金 属层111和112重合部份去除，其去除部份比连接金属层111和112范围稍大，此为防止第 一数据线101与画素电极324电性连接，然连接金属层111和112亦部份连接具有线缺陷G 之第一数据线IOI，其中连接金属层111和112相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相 重合，因其上述完成之修补电路使具有线缺陷G的第一数据线101可通过该共通电极线段 401完成信号的传输。然该阻隔层为绝缘层和透明导电层时，采用方式一的处理方法，当利 用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，再用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以钨碳化
8合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段401的暴露处，即连接孔501和502处进 行金属沉积形成连接金属层111和112以达修复第一数据线101的线缺陷G，在此该连接金 属层111以及112分别小于数据线以及共通电极线段401的暴露范围即连接孔501和502 的范围。再利用镭射切断连接金属层111上方的共通电极线段401，形成断口处60，此时该 第一数据线101信号通过连接金属层111间的共通电极线段401完成信号的传输。
图8为图5的又一局部放大图。请同时参照图5，当该阻隔层为金属绝缘层、钝化 层和画素电极时，采用方式二的处理方法，先将金属绝缘层、钝化层和画素电极进行如上所 述的清除处理后形成连接孔501和502，然后用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以钨碳化 合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段401的暴露处，即连接孔501和502处进 行金属沉积形成连接金属层111和112以达修复第一数据线101的线缺陷G。然通常连接 金属层111和112会略大于第一数据线101以及共通电极线段401的暴露处即连接孔501 和502，故其连接金属层111和112会覆盖部份第一数据线101以及部份共通电极线段401。 再利用镭射光束切断共通电极线段401位于连接金属层111上方处，形成断点60，最后用镭 射在连接金属层111间的共通电极线段401周围的透明电极层324上挖细缝701 ，使连接金 属层lll间的共通电极线段401不与画素电极324有电性连接。此时该第一数据线101信 号通过连接金属层111间的共通电极线段401完成信号的传输。 上述实施例亦可利用于双扫描线架构液晶显示器阵列基板，且该阵列基板的共通 电极线作为储存电容的下电极亦呈n字型。 图9为本发明H形共通电极线线缺陷结构示意图。在本实施例中该共通电极作为 储存电容的下电极呈H形。第一数据线101与第一扫描线201互相垂直，然第一扫描线201 与第二扫描线202互相平行，且第二扫描线202与第一数据线101互相垂直，由此数据线与 扫描线交叉设置限定多个画素单元，其上设置有共通电极线41作为储存电容的下电极，并 与画素单元中的画素电极324共同构成储存电容，而共通电极线41在画素单元的形状直接 决定储存电容的大小，在本实施例中共通电极线41作为储存电容的下电极呈H字型，其中 该H字型共通电极线段411为共通电极线41切断后与原共通电极线41未电性连接线段， 即为共通电极线段411位于连接金属层121上方处切断，前述切断处即为断口处61，而H字 型共通电极线段411上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层121和122，然连接 金属层121和122亦部份连接具有线缺陷G之第一数据线101，其中连接金属层121和122 相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具有线缺陷G 的第一数据线101可通过该共通电极线段411完成信号的传输。 接上述，其系利用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，此时之该阻隔层为金 属绝缘层或为金属绝缘层钝化层和画素电极组合，再用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以 钨碳化合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段411的暴露处，即连接孔511和512 处进行金属沉积形成连接金属层121和122以达修复第一数据线101的线缺陷G，通常该金 属连接结构为2000 4000A，在此该连接金属层121以及122分别略大于数据线以及共通 电极线段411的暴露范围即连接孔511和512的范围。再利用镭射切断连接金属层121上 方的共通电极线段411，形成断口处61，此时该第一数据线IOI信号通过连接金属层121间 的共通电极线段411完成信号的传输。上述镭射光束可为IR(远红外)、Green(绿光)、镭 射光束清除上述阻隔层，通常IR的波长为1000 1500nm， Green的波长为450 600nm，通过调整其能量光束达到清除上述阻隔层的目的。 在此再接续上述，当述阻隔层仅为金属绝缘层时，其连接金属层略大于数据线以 及共通电极线的暴露范围，使其电性连接更成功。当上述阻隔层为绝缘层和透明电极层时， 有两种作业方式，方式一为使连接金属层略小于数据线以及共通电极线的暴露范围，从而 使透明电极层与该连接金属层不电性连接，其如图10所示，在本实施例中共通电极线41作 为储存电容的下电极呈H字型，其中该H字型共通电极线段411为共通电极线41切断后 与原共通电极线41未电性连接线段，即为共通电极线段411位于连接金属层121上方处切 断，前述切断处即为断口处61，而H字型共通电极线段411上部份耦合画素电极324及部 份接触连接金属层121和122，此处画素电极324位于共通电极线段411上且与连接金属层 121和122重合部份去除，其去除部份比连接金属层121和122范围稍大，此为防止第一数 据线101与画素电极324电性连接，然连接金属层121和122亦部份连接具有线缺陷G之 第一数据线IOI，其中连接金属层121和122相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重 合，因其上述完成之修补电路使具有线缺陷G的第一数据线101可通过该共通电极线段411 完成信号的传输。然该阻隔层为绝缘层和透明导电层时，采用方式一的处理方法，当利用较 大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，再用L-CVD (激光化学沉积修补设备)以钨碳化合物 为靶材在第一数据线101以及共通电极线段411的暴露处，即连接孔511和512处进行金 属沉积形成连接金属层121和122以达修复第一数据线101的线缺陷G，在此该连接金属层 121以及122分别小于数据线以及共通电极线段411的暴露范围即连接孔511和512的范 围。再利用镭射切断连接金属层121上方的共通电极线段411，形成断口处61，此时该第一 数据线101信号通过连接金属层121间的共通电极线段411完成信号的传输。
方式二为使连接金属层的电性连接更成功，而使连接金属层略大于数据线以及共 通电极线的暴露范围，而切断其与透明电极层的连接会在完成所有修补动作后，再当切断 该共通电极线上阻隔层外端的电性连接后在金属连接结构间的共通电极线周围的画素电 极上挖细缝，使画素电极与金属连接结构间的共通电极线不发生电性连接。
上述实施例亦可利用于双扫描线架构液晶显示器阵列基板，且该阵列基板的共通 电极线作为储存电容的下电极亦呈H字型。 图11本发明井形共通电极线线缺陷结构示意图。在本实施例中该共通电极作为 储存电容的下电极呈井形。第一数据线101与第一扫描线201互相垂直，然第一扫描线201 与第二扫描线202互相平行，且第二扫描线202与第一数据线101互相垂直，由此数据线 与扫描线交叉设置限定多个画素单元，其上设置有共通电极线42作为储存电容的下电极， 并与画素单元中的画素电极324共同构成储存电容，而共通电极线42在画素单元的形状 直接决定储存电容的大小，在本实施例中共通电极线42作为储存电容的下电极呈井字型， 其中该井字型共通电极线段421为共通电极线42切断后与原共通电极线42未电性连接 线段，即为共通电极线段421位于连接金属层131、 132上方处切断，前述切断处即为断口处 62、63，而井字型共通电极线段421上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层131和 132，然连接金属层131和132亦部份连接具有线缺陷G之第一数据线101，其中连接金属层 131和132相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具 有线缺陷G的第一数据线101可通过该共通电极线段421完成信号的传输。
接上述，其系利用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，此时之该阻隔层为金
10属绝缘层或为金属绝缘层钝化层和画素电极组合，再用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以 钨碳化合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段421的暴露处，即连接孔521和522 处进行金属沉积形成连接金属层131和132以达修复第一数据线101的线缺陷G，通常该金 属连接结构为2000 4000A，在此该连接金属层131以及132分别略大于数据线以及共通 电极线段421的暴露范围即连接孔521和522的范围。再利用镭射切断连接金属层131、132 上方的共通电极线段421，形成断口处62、63，此时该第一数据线101信号通过连接金属层 131间的共通电极线段421完成信号的传输。上述镭射光束可为IR(远红外)、Green(绿 光)、镭射光束清除上述阻隔层，通常IR的波长为1000 1500nm， Green的波长为450 600nm，通过调整其能量光束达到清除上述阻隔层的目的。 在此再接续上述，当述阻隔层仅为金属绝缘层时，其金属连接结构略大于数据线 以及共通电极线的暴露范围，使其电性连接更成功。当上述阻隔层为绝缘层和透明电极层 时，有两种作业方式，方式一为使金属连接结构略小于数据线以及共通电极线的暴露范围， 从而使透明电极层与该金属连接结构不电性连接。方式二为使金属连接结构的电性连接更 成功，而使金属连接结构略大于数据线以及共通电极线的暴露范围，而切断其与透明电极 层的连接会在完成所有修补动作后，再当切断该共通电极线上阻隔层外端的电性连接后在 金属连接结构间的共通电极线周围的画素电极上挖细缝，使画素电极与金属连接结构间的 共通电极线不发生电性连接。 上述实施例亦可利用于双扫描线架构液晶显示器阵列基板，且该阵列基板的共通 电极线作为储存电容的下电极亦呈井字型。 图12本发明口形共通电极线线缺陷结构示意图。在本实施例中该共通电极作为 储存电容的下电极呈口形。再此先叙述下画素，第一数据线101与第一扫描线201互相垂 直，然第一扫描线201与第二扫描线202互相平行，且第二扫描线202与第一数据线101互 相垂直，由此数据线与扫描线交叉设置限定多个画素单元，其上设置有共通电极线43作为 储存电容的下电极，并与画素单元中的画素电极324共同构成储存电容，而共通电极线43 在画素单元的形状直接决定储存电容的大小，在本实施例中共通电极线43作为储存电容 的下电极呈口字型，其中该口字型共通电极线段431为共通电极线43切断后与原共通电极 线43未电性连接线段，即为共通电极线段431位于连接金属层141U42上方处切断，前述 切断处即为断口处64、65，而口字型共通电极线段431上部份耦合画素电极324及部份接触 连接金属层141和142，然连接金属层141和142亦部份连接具有线缺陷G之第一数据线 101，其中连接金属层141和142相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述 完成之修补电路使具有线缺陷G的第一数据线101可通过该共通电极线段431完成信号的 传输。 再叙述上画素，共通电极线43作为储存电容的下电极呈口字型，其中该口字型共 通电极线段441为共通电极线43切断后与原共通电极线43未电性连接线段，即为共通电 极线段441位于连接金属层151、 152上方处切断，前述切断处即为断口处66、67，而口字型 共通电极线段441上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层151和152，然连接金属 层151和152亦部份连接具有线缺陷G之第二扫瞄线202，其中连接金属层151和152相邻 于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具有线缺陷G的第 二扫瞄线202可通过该共通电极线段441完成信号的传输。
11
接续上述，其系利用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，此时之该阻隔层为 金属绝缘层或为金属绝缘层钝化层和画素电极组合，再用L-CVD(激光化学沉积修补设备) 以钨碳化合物为靶材在第一数据线或第二扫瞄线，以及共通电极线段的暴露处，即连接孔 处进行金属沉积形成连接金属层以达修复第一数据线或第二扫瞄线的线缺陷，通常该金属 连接结构为2000 4000A，在此该连接金属层分别略大于数据线以及共通电极线段的暴露 范围即连接孔的范围。再利用镭射切断连接金属层上的共通电极线段形成断口处，此时该 第一数据线或第二扫瞄线信号通过连接金属层间的共通电极线段完成信号的传输。上述 镭射光束可为IR(远红外)、Green(绿光)、镭射光束清除上述阻隔层，通常IR的波长为 1000 1500nm， Green的波长为450 600nm，通过调整其能量光束达到清除上述阻隔层的 目的。 当上述阻隔层为金属绝缘层、钝化层和透明电极层时，使连接金属层等于数据线 以及共通电极线的暴露范围，但去除部份画素电极，从而使透明电极层与该连接金属层不 电性连接，其如图13所示，在本实施例中共通电极线43作为储存电容的下电极呈口字型， 其中该口字型共通电极线段431为共通电极线43切断后与原共通电极线43未电性连接线 段，即为共通电极线段431位于连接金属层142上处切断，前述切断处即为断口处66、67， 而口字型共通电极线段431上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层151、152，此 处画素电极324位于共通电极线段431上且与连接金属层151U52重合部份去除，其去除 部份比连接金属层151U52范围稍大，此为防止第二扫描线202与画素电极324电性连接， 然连接金属层151、152亦部份连接具有线缺陷G之第二扫描线202，其中连接金属层151、 152相邻于线缺陷G之两端，但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具有线缺 陷G的第二扫描线202可通过该共通电极线段431完成信号的传输。然该阻隔层为绝缘层 和透明导电层时，采用上述的处理方法，当利用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，再 用L-CVD(激光化学沉积修补设备)以钨碳化合物为靶材在第二扫描线202以及共通电极 线段431的暴露处，即连接孔541、542处进行金属沉积形成连接金属层151U52以达修复 第二扫描线202的线缺陷G，在此该连接金属层151 、 152等于数据线以及共通电极线段431 的暴露范围即连接孔522的范围。再利用镭射切断连接金属层151、152上的共通电极线段 431，形成断口处66、67，此时该第二扫描线202信号通过连接金属层151、152间的共通电极 线段431完成信号的传输。 当上述阻隔层为金属绝缘层、钝化层和透明电极层时，使连接金属层等于数据线 以及共通电极线的暴露范围，但去除部份画素电极，从而使透明电极层与该连接金属层不 电性连接，其如图14所示，在本实施例中共通电极线43作为储存电容的下电极呈口字型， 其中该口字型共通电极线段431为共通电极线43切断后与原共通电极线43未电性连接线 段，即为共通电极线段431位于连接金属层142上处切断，前述切断处即为断口处65，而口 字型共通电极线段431上部份耦合画素电极324及部份接触连接金属层142，此处画素电 极324位于共通电极线段431上且与连接金属层142重合部份去除，其去除部份比连接金 属层142范围稍大，此为防止第一数据线101与画素电极324电性连接，然连接金属层142 亦部份连接具有线缺陷G之第一数据线IOI，其中连接金属层142相邻于线缺陷G之一端， 但不与线缺陷G相重合，因其上述完成之修补电路使具有线缺陷G的第一数据线101可通 过该共通电极线段431完成信号的传输。然该阻隔层为绝缘层和透明导电层时，采用上述的处理方法，当利用较大镭射光束能量完成阻隔层的清除后，再用L-CVD(激光化学沉积修 补设备)以钨碳化合物为靶材在第一数据线101以及共通电极线段431的暴露处，即连接 孔532处进行金属沉积形成连接金属层142以达修复第一数据线101的线缺陷G，在此该连 接金属层142等于数据线以及共通电极线段431的暴露范围即连接孔522的范围。再利用 镭射切断连接金属层142上的共通电极线段431，形成断口处65，此时该第一数据线101信 号通过连接金属层142间的共通电极线段431完成信号的传输。 最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替 换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。
权利要求
一种液晶显示器阵列基板的修补方法，其包括如下步骤提供一液晶显示器阵列基板；再经检测测出线缺线处及确定该线缺陷位置；除去该线缺陷相邻之两端延伸至共通电极线间的阻隔层；再沉积连接金属层于除去阻隔层位置上；切断该共通电极线上阻隔层相邻之外端与电性连接处，使得该信号传输线可通过该共通电极线段形成电性回路。
2. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其包含 一液晶显示器阵列基板；复数条信号传输线，该些信号传输线纵横交错构成复数画素单元，该信号传输线中包 含至少一个线缺陷；复数个薄膜电晶体，位于画素单元内，且由该些信号传输线驱动；复数条共通电极线段，该些共同电极线段平行该些信号传输线，且该些共通电极线段仅与该信号传输线电性连接；一连接金属层，其位于该缺陷两端部且电性连接该信号传输线和该共通电极线段； 复数画素电极，每一该画素电极位于该画素单元之内，并与该薄膜电晶体电性连接，且每一该画素电极部分和该共通电极线耦合，以构成一储存电容。
3. 如权利要求2所述之一液晶显示器阵列基板，该些画素电极具有一与该缺陷处对应 的开口 ，且修补线路位于该开口中，以与该些画素电极其中之一 电性绝缘。
4. 如权利要求2所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，其液晶显示器阵列基板上 之该信号传输线包含扫描线和数据线。
5. 如权利要求2所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，其液晶显示器阵列基板上 之该共通电极线段为共通电极线切断后与原共通电极线未电性连接线段。
6. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该阻隔层为金属绝缘层。
7. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该阻隔层为金属绝缘层、 画素电极层和钝化层。
8. 如权利要求7所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该金属绝缘层和钝化层以 及画素电极层的去除为同一制程。
9. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，其中去除制程去除制程手 段可以为远红外光、远紫外光、绿光和镭射光束其中之一。
10. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该共通电极线和扫描线 为同一层。
11. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该沉积连接金属层为钨 金属层。
12. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该沉积靶材为钨碳化合物。
13. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该沉积形成的连接金属 层厚度为2000埃到4000埃之间。
14. 如权利要求1所述之一液晶显示器阵列基板的修补方法，该口形共通电极线可同 时修复数据线与扫描线。
全文摘要
一种液晶显示器阵列基板修补方法，其修补流程系先提供一液晶显示器阵列基板，再经检测测出线缺陷的地方及同时确定该线缺陷位置，然后利用镭射光束除去该线缺陷相邻之两端延伸至共通电极线间的阻隔层，再使用激光化学沉积方法沉积连接金属层于除去阻隔层位置上，最后透过镭射光束切断该共通电极线上阻隔层相邻之外端电性连接处，然后使该线缺陷的信号传输线可通过该共通电极线段完成信号的传输，令修复方法可在原有设计上做有效地修复信号传输线的缺陷，避免变更设计产生其他的不良缺陷。
文档编号H01L21/768GK101776808SQ20101011918
公开日2010年7月14日 申请日期2010年2月10日 优先权日2010年2月10日
发明者边德, 陈逸明 申请人:深超光电(深圳)有限公司