专利名称：一种实现太阳能电池选择性发射极的方法
技术领域：
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。
背景技术：
选择性发射极结构是晶体硅太阳能电池生产工艺中实现高效率的方法之一，选择 性发射极结构有两个特征1)在电池栅线区域形成高掺杂深扩散区；2)在电池非栅线区域 形成低掺杂浅扩散区，这两个特征既解决了死层问题，又减少了硅片表面和金属电极之间 的接触电阻，从而提高了开路电压、短路电流和填充因子，提高了太阳能电池光电转换的效率。 目前常规实现太阳能选择性发射极的方法为二次扩散的方法，例如先在硅片表 面生长一层二氧化硅薄膜，再腐蚀出栅线形状，再进行磷扩散，这样栅线区域得到深扩散 区，后将氧化膜洗掉，再进行浅扩散，非栅线区域形成浅扩散区，这样形成具有高掺杂深扩 散区和低掺杂浅扩散区的选择性发射极结构。但这种方法工艺复杂，生产成本较高。有些采 用一次扩散法实现选择性发射极的工艺需要在电池表面生成氧化膜后再去掉，工艺复杂， 生产成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种实现太阳能电池选 择性发射极的方法，采用这种方法可以使太阳能电池具有选择性发射极，而且其工艺流程 简单，生产成本较低。 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种实现太阳能电池选择性发射极 的方法，用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有太阳能电池片， 太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域，所述的实现太阳能电池选择性发 射极的方法具有如下步骤 a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散 区； b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀 浆料层的主要成分为KOH; c、将太阳能电池片放入温度为200 30(TC的反应炉反应10 60秒，电池非栅线 区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能 电池片形成选择性发射极。 进一步地，所述腐蚀浆料层包括KOH和其他有机成分，KOH在腐蚀浆料层中所占的 比例为5% 20%，其他有机成分如丙酸碳酸酯。 本发明的有益效果是本发明只需一次扩散即所述的重扩散，然后采用丝网印刷 的方式印刷腐蚀浆料层来形成低掺杂浅扩散区，电池非栅线区域的方块电阻达到70 100 欧姆，而电池栅线区域还是保留不变，采用本发明的方法不需要生成氧化膜，而是直接将腐蚀浆料层印刷在电池非栅线区域进行反应，操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能 够形成选择性发射极，提高了太阳能电池的光电转换效率。
具体实施例方式
—种实现太阳能电池选择性发射极的方法，太阳能电池具有太阳能电池片，太阳
能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域。 具有如下步骤 a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散 区； b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀 浆料层包括KOH和其他有机成分，KOH在腐蚀浆料层中所占的比例为5% 20%，其他有机 成分如丙酸碳酸酯； c、将太阳能电池片放入温度为200 30(TC的反应炉反应10 60秒，电池非栅线 区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能 电池片形成选择性发射极。 本发明操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高 了太阳能电池的光电转换效率。
权利要求
一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有太阳能电池片，太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域，其特征在于具有如下步骤a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散区；b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。
2. 根据权利要求1所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于所 述的K0H在腐蚀浆料层中所占的比例为5 % 20 % 。
全文摘要
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，具有如下步骤a、在太阳能电池片上采用重扩散；b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。本发明操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。
文档编号H01L31/18GK101794844SQ20101012950
公开日2010年8月4日 申请日期2010年3月15日 优先权日2010年3月15日
发明者张军 申请人:常州天合光能有限公司