薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置的制作方法

专利名称：薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-LCD)具有轻、薄、小等特点，加上其具有功耗低、无辐射和制造成本相对较低的优点，目 前在平板显示领域占主导地位。TFT-LCD非常适合应用在台式计算机、掌上型计算机、个人 数字助理(PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化和视听设备中。液晶显示面板是液晶显示器的主要组件。随着大尺寸液晶显示器的不断出现，为 了解决广视角(Wide Viewing Angle)问题，即当使用者分别从屏幕的正前方与斜前方观看 图像时，其所看到的图像的亮度并不相同，通常从正前方所看到的图像亮度会大于从斜前 方所看到的图像亮度，一种多畴垂直配向(Multi-Domain Vertical Alignment, MVA)式液 晶显示面板应运而生，MVA式液晶显示面板采用介电异向性为负的负型液晶材料，即当液晶 显示面板未加电时，液晶分子是以垂直于液晶显示面板的方式排列。请参见图1及图2所示，图1是一种现有MVA式液晶显示面板的一像素结构示意 图，为了图示的清楚起见，省略了其中的彩色滤光片基板；图2是沿图1中A-A线的剖面图。 如图2所示，液晶显示面板包括位于下层的薄膜晶体管阵列基板(也称为TFT阵列基板)1、 位于上层的彩色滤光片基板(也称为CF基板)2以及夹在TFT阵列基板1和CF基板2之 间的液晶层3，液晶层3由多个液晶分子构成。如图1所示，TFT阵列基板1包括多条扫描 线10、多条数据线11以及由多条扫描线10与多条数据线11垂直交叉排列限定的多个像素 区域12，其中图1仅揭示其中一个像素区域12。像素区域12中形成有像素电极14，像素 电极又分为两个次像素电极141、142，两个次像素电极141、142之间形成有狭缝(slit) 18。 第一、第二薄膜晶体管15、16形成于扫描线10与数据线11的交叉位置附近，分别用于控制 两个次像素电极141、142。第一、第二薄膜晶体管15、16均包括栅极G、源极S及漏极D。第 一、第二薄膜晶体管15、16的栅极G分别与不同的扫描线10电性连接，其源极S与同一数 据线11电性连接，而其漏极D分别与两个次像素电极141、142电性连接。如图2所示，CF 基板2上依次形成有黑色矩阵(Black Matrix，BM) 22、彩色滤光层23以及覆盖在黑色矩阵 22和彩色滤光层23上的公共电极24。此外，CF基板2还包括在公共电极上对应于两个次 像素电极141、142的位置设置的凸起物(bump)28。由于该凸起物28的存在，使得液晶分子 在未施加电压时趋向垂直于凸起物28所在的表面倾倒，即液晶分子具有朝不同方向倾斜 的预倾角，从而，有效迅速地控制液晶显示面板加电后的液晶分子的倾斜方向，提高液晶分 子的响应速度，当液晶显示面板正常工作后，液晶层70即可分割为具有不同倾斜方向的多 个液晶微域，以有效改善液晶显示面板的广视角特性。然而，现有的这种液晶显示面板为了提高液晶分子的响应速度，需要使得液晶分 子在未加电时即具有预倾角，而为了形成该预倾角，需要在CF基板2上通过增加一道光罩制程来另外形成凸起物28，另外，为了不影响液晶显示面板的开口率，凸起物28通常由透 明材料形成，而凸起物28的存在一般会引起液晶显示面板暗态时的漏光，从而导致液晶显 示面板的对比度下降。

发明内容
本发明针对现有技术中存在的以上问题而提出了一种薄膜晶体管阵列基板及其 制作方法和应用其的液晶显示装置。本发明的一方面提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基板以及形成于透明 基板上的复数条扫描线、复数条数据线和多个像素区域，其中每个像素区域由相邻两条扫 描线与相邻两条数据线相互交叉形成，其包括像素电极以及用于控制所述像素电极的薄膜 晶体管，在所述像素电极上覆盖有绝缘层，并且所述绝缘层上设置有拉力配向开孔，所述每 个像素区域还包括第一推力配向电极和第二推力配向电极，其中，所述第一推力配向电极 与所述第二推力配向电极在所述透明基板上的投影分别位于像素电极的相对两侧，当薄膜 晶体管阵列基板工作时，在所述拉力配向开孔处形成斜向拉力电场，所述第一推力配向电 极与所述像素电极之间以及所述第二推力配向电极与所述像素电极之间分别形成横向推 力电场。本发明的另一方面提供了一种液晶显示装置，其包括液晶显示面板及连接液晶显 示面板的驱动电路，所述液晶显示面板包括上述的薄膜晶体管阵列基板、具有公共电极的 彩色滤光片基板以及夹在两个基板之间的液晶层。本发明的又一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管 的栅极、扫描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推 力配向电极和第二推力配向电极；形成栅极绝缘层，并对栅极绝缘层进行图案化以在非显示区域中形成过孔；依次形成非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化， 以形成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极 以及数据线；形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极，像素电 极与薄膜晶体管的漏极直接电性连接；沉积钝化层，并对钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的钝化层上形成拉力配向 开孔，从而将像素电极的一部分暴露出。本发明的次一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化，形成薄膜晶体管的栅 极、扫描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推力配 向电极和第二推力配向电极；形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极；形成栅极绝缘层，并对栅极绝缘层进行图案化以在覆盖像素电极的栅极绝缘层上 形成拉力配向开孔的第一部分，从而将像素电极的一部分暴露出，并且形成像素区域中的通孔以及非显示区域中的过孔；依次形成非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化， 以形成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极 以及数据线，薄膜晶体管的漏极通过上述通孔与像素电极电性连接；沉积钝化层，并对钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的钝化层上并对应于拉力 配向开孔的第一部分的位置处形成拉力配向开孔的第二部分，从而将像素电极的一部分暴 露在外。本发明的再一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管 的栅极、扫描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推 力配向电极和第二推力配向电极；依次形成栅极绝缘层、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层 进行图案化，以形成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极 以及数据线；沉积第一层钝化层，并对第一层钝化层进行图案化以形成通孔；形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极，像素电 极通过上述通孔与薄膜晶体管的漏极电性连接；沉积第二层钝化层，并对第二层钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的第二层钝 化层上形成拉力配向开孔，从而将像素电极的一部分暴露出。采用本发明的薄膜晶体管阵列基板以及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示 装置，因其在像素结构中具有拉力配向开孔和第一、第二推力配向电极，从而在薄膜晶体管 阵列基板工作时，可以在拉力配向开孔处形成斜向拉力电场，在第一推力配向电极与像素 电极之间以及第二推力配向电极与像素电极之间分别形成横向推力电场，该斜向拉力电场 和横向推力电场可以使得液晶分子迅速朝着预定的方向倾倒，提高液晶分子的响应时间， 并且，液晶显示装置具有较高的对比度。


图1是一种现有多畴垂直取向式液晶显示面板的一像素结构示意图。图2是沿图1中A-A线的剖面图。图3是本发明第一实施例的部分液晶显示面板的平面结构图。图4是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，其清晰示出了第一实施例之一 的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。图5是图4所示的第一实施例之一的薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图。图6 (a)至6 (f)是图4所示的第一实施例之一的薄膜晶体管阵列基板的制作过程 中的局部剖面图，其分别揭示了图4中A-A'线和B-B'线处的局部剖面结构。图7是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了第一实施例之 二的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。
图8是图7所示的第一实施例之二的薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图。图9 (a)至9 (f)是图7所示的第一实施例之二的薄膜晶体管阵列基板的制作过程 中的局部剖面图，其分别揭示了图7中A-A'线和B-B'线处的局部剖面结构。图10是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了第一实施例 之三的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。图11是图10所示的第一实施例之三的薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图。图12是本发明第一实施例的部分薄膜晶体管阵列基板的像素结构连接方式示意 图。图13是本发明第二实施例的部分液晶显示面板的平面结构图。图14是沿图13中A-A’线的液晶显示面板的剖面图，其清晰示出了第二实施例之 一的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。图15是沿图13中A-A’线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了本发明第二 实施例之二的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。图16是本发明优选实施方式的彩色滤光片基板的剖面图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下参照附图并结合具体实施方 式，对本发明作进一步的详细阐述。本发明实施方式的液晶显示装置包括液晶显示面板及连接液晶显示面板的驱动 电路(未图示)。第一实施例图3是本发明第一实施例的部分液晶显示面板的平面结构图，为了图示的清楚起 见，仅示出液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列基板，而省略了其中的彩色滤光片基板。如图 3所示，在第一实施例中，薄膜晶体管阵列基板的公共电极线L。。m包括平行于扫描线100的 主体部分以及从主体部分沿大体平行于像素电极300的边缘方向延伸出的多个延伸部分， 并且公共电极线L。。m的延伸部分分别位于每一个像素区域201的像素电极300的相对两侧。 每个像素区域中的公共电极线L。。m的两个延伸部分分别形成第一推力配向电极500与第二 推力配向电极600。图3所示的本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板可因像素电极的形成位置 不同而具有三种不同的结构及其对应的制作方法，以下将结合附图对这三种情况分别进行 详细说明。第一实施例之一图4是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，其清晰示出了第一实施例之一 的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。如图4并结合图3所示，液晶显示面板包括薄膜晶体 管阵列基板900、彩色滤光片基板800以及夹在两个基板900、800之间的液晶层70，彩色滤 光片基板800上具有公共电极82。薄膜晶体管阵列基板900包括透明基板101以及形成于透明基板101上的复数条 扫描线100、与复数条扫描线100绝缘相交的复数条数据线200、以及由复数条扫描线100 与复数条数据线200围成的多个像素区域201。
每个像素区域201由相邻两条扫描线100与相邻两条数据线200相互交叉形成， 并包括像素电极300、控制像素电极300的薄膜晶体管700、以及由公共电极线Lcom的两个 延伸部分形成的第一推力配向电极500和第二推力配向电极600。薄膜晶体管700的栅极 与扫描线100电性连接，其源极与数据线200电性连接，其漏极通过通孔C1与像素电极300 电性连接。第一推力配向电极500与第二推力配向电极600在透明基板101上的投影分别 位于像素电极300的相对两侧，第一推力配向电极500与第二推力配向电极600均沿像素 电极300的边缘方向延伸。在像素电极300上覆盖有绝缘层，本实施例中，绝缘层为钝化层 103，在像素电极300所在层的下层具有栅极绝缘层102。在钝化层103上设置有拉力配向 开孔400，从而将像素电极300的一部分暴露在外。优选地，在钝化层103上设置有多个拉 力配向开孔400，多个拉力配向开孔400呈条形排布且其在透明基板101上的投影位于像素 电极300的中部位置，从而将像素电极300的中部位置暴露在外。而且，多个拉力配向开孔 400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500和第二推力配向电极600。本实施例中，薄膜晶体管阵列基板900的制作方法可以采用六道光罩制程。如图 5所示并配合参照图6 (a)至6 (f)，以下将对该实施例的薄膜晶体管阵列基板900的制作方 法进行详细描述。在步骤SI 1中(如图6 (a)所示)，在透明基板101上形成第一金属层，并对第一金 属层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的栅极G、扫描线100、公共电极线L。。m的主体部分 以及由公共电极线L。。m的两个延伸部分构成的第一推力配向电极500和第二推力配向电极 600。在步骤S12中(如图6 (b)所示)，在图案化后的第一金属层以及部分透明基板101 上形成栅极绝缘层102，并对栅极绝缘层102进行图案化以在非显示区域中形成过孔(未图 示)，通过该过孔可以使得薄膜晶体管阵列基板900后续在非显示区域形成的检测线路能 与第一金属层电性连接。在步骤S13中(如图6(c)所示)，在栅极绝缘层102上依次形成非晶硅层和掺杂 非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的半导体层 105。在步骤S14中(如图6(d)所示)，在栅极绝缘层102以及薄膜晶体管700的半导 体层105上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的源极S 和漏极D以及数据线200。在步骤S15中(如图6(e)所示)，在图案化后的第二金属层上形成透明导电材料 层(通常为IT0层)，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极300，并且，像素电极 300与薄膜晶体管700的漏极D直接电性连接。在步骤S16中(如图6(f)所示)，在部分栅极绝缘层102、图案化后的部分第二金 属层以及像素电极300上沉积钝化层103，并对钝化层103进行图案化以在覆盖像素电极 300的钝化层103上形成拉力配向开孔400，从而将像素电极300的一部分暴露出。经过以上步骤S11-S16，形成第一实施例之一的薄膜晶体管阵列基板900。第一实施例之二第一实施例之二与第一实施例之一的相同之处在此不再赘述，第一实施例之二相 对于第一实施例之一的最主要区别在于像素电极300的形成位置不同，从而导致薄膜晶体管阵列基板900的制作方法及结构与第一实施例之一略有不同，以下仅针对不同之处进 行详细描述。图7是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了第一实施例 之二的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。在像素电极300上覆盖有绝缘层，如图7所示，本 实施例中，绝缘层为栅极绝缘层102和钝化层103，在栅极绝缘层102和钝化层103上一起 设置有拉力配向开孔400，从而将像素电极300的一部分暴露在外。优选地，在栅极绝缘层 102和钝化层103上一起设置有多个拉力配向开孔400，多个拉力配向开孔400呈条形排布 且其在透明基板101上的投影位于像素电极300的中部位置，从而将像素电极300的中部 位置暴露在外。而且，多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500 和第二推力配向电极600。本实施例中，薄膜晶体管阵列基板900的制作方法仍然可以采用六道光罩制程。 如图8所示并配合参照图9 (a)至9 (f)，以下将对该实施例的薄膜晶体管阵列基板900的制 作方法进行详细描述。在步骤S21中(如图9 (a)所示)，在透明基板101上形成第一金属层，并对第一金 属层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的栅极G、扫描线100、公共电极线L。。m的主体部分 以及由公共电极线L。。m的两个延伸部分构成的第一推力配向电极500和第二推力配向电极 600。在步骤S22中(如图9 (b)所示)，在图案化后的第一金属层以及部分透明基板101 上形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极300。在步骤S23中(如图9(c)所示)，在部分透明基板101、图案化后的部分第一金属 层以及像素电极300上形成栅极绝缘层102，并对栅极绝缘层102进行图案化以在覆盖像 素电极300的栅极绝缘层102上形成拉力配向开孔400的第一部分400a，从而将像素电极 300的一部分暴露出，并且形成像素区域201中的通孔Cl以及非显示区域中的过孔(未图 示)，通过这些过孔可以使得薄膜晶体管阵列基板900上的第一金属层与第二金属层电性 连接或者第一金属层与透明导电材料层电性连接。在步骤S24中(如图9(d)所示)，依次形成非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非 晶硅层和非晶硅层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的半导体层105。在步骤S25中(如图9(e)所示)，在像素电极300、部分栅极绝缘层102以及半导 体层105上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的源极S 和漏极D以及数据线200，其中薄膜晶体管700的漏极D通过在步骤S23中形成的通孔Cl 与像素电极300电性连接。在步骤S26中(如图9(f)所示)，在部分栅极绝缘层102、图案化后的第二金属层 以及半导体层105上沉积钝化层103，并对钝化层103进行图案化以在覆盖像素电极300的 钝化层103上并对应于拉力配向开孔400的第一部分的位置处形成拉力配向开孔400的第 二部分400b，通过第一部分400a和第二部分400b形成的拉力配向开孔400，从而最终将像 素电极300的一部分暴露在外。经过以上步骤S21-S26，形成第一实施例之二的薄膜晶体管阵列基板900。另外，在本制作方法中，拉力配向开孔400的图案化过程优选地包括同时在形成拉力配向开孔400的位置将钝化层103及钝化层103下方的栅极绝缘层102 —起挖孔，形成拉力配向开孔400，从而将位于拉力配向开孔400下方的像素电极的一部分暴露出。第一实施例之三第一实施例之三与第一实施例之一、之二的相同之处在此不再赘述，第一实施例 之三相对于第一实施例之一、之二的最主要区别仍在于像素电极300的形成位置不同， 从而导致薄膜晶体管阵列基板900的制作方法及结构相对于第一实施例之一、之二略有不 同，以下仅针对不同之处进行详细描述。图10是沿图3中A-A'线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了第一实施例 之三的薄膜晶体管阵列基板的像素剖面结构。在像素电极300上覆盖有绝缘层，如图10所 示，本实施例中，绝缘层为钝化层104，在像素电 极300所在层的下层依次具有钝化层103和 栅极绝缘层102。在钝化层104上设置有拉力配向开孔400，从而将像素电极300的一部分 暴露在外。优选地，在钝化层104上设置有多个拉力配向开孔400，多个拉力配向开孔400 呈条形排布且其在透明基板101上的投影位于像素电极300的中部位置，从而将像素电极 300的中部位置暴露在外。而且，多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配 向电极500和第二推力配向电极600。第一实施例之三的薄膜晶体管阵列基板900的制作方法虽然仍然采用六道光罩 制程，但与第一实施例之一不同。如图11所示，以下将对第一实施例之三的薄膜晶体管阵 列基板900的制作方法进行详细描述。在步骤S31中，在透明基板101上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化， 以形成薄膜晶体管700的栅极、扫描线100、公共电极线L。。m的主体部分以及由公共电极线 Lcoffl的两个延伸部分构成的第一推力配向电极500和第二推力配向电极600。在步骤S32中，依次形成栅极绝缘层102、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非 晶硅层和非晶硅层进行图案化，以形成薄膜晶体管700的半导体层105。在步骤S33中，形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管 700的源极和漏极以及数据线200。在步骤S34中，沉积第一层钝化层103，并对第一层钝化层103进行图案化以形成 通孔Cl。在步骤S35中，形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像 素电极300，并且像素电极300通过上面形成的通孔Cl与薄膜晶体管700的漏极电性连接。在步骤S35中，沉积第二层钝化层104，并对第二层钝化层104进行图案化以在覆 盖像素电极300的第二层钝化层104上形成拉力配向开孔400，从而将像素电极300的一部
分暴露出。经过以上步骤S31-S36，形成第一实施例之三的薄膜晶体管阵列基板900。在第一实施例(包括第一实施例之一、之二和之三)中，当液晶显示面板工作时， 如图4、图7和图10中的箭头方向大致为加电后液晶显示面板中像素区域内的电场方向。其 中，图4、图7和图10的电场方向均是以像素电极300为正极性，即像素电极300上的电压 大于彩色滤光片基板800上公共电极82的电压为例示出的。彩色滤光片基板800上的公共 电极82与薄膜晶体管阵列基板900上的公共电极线L。。m具有相同的电压，而像素电极300 与公共电极82之间存在一定的压差。因第一推力配向电极500和第二推力配向电极600 均为公共电极线Lcom的两个延伸部分所形成，第一推力配向电极500和第二推力配向电极600具有与公共电极相同的电压，因此，同一像素区域中的第一推力配向电极500和第二推 力配向电极600分别与像素电极300之间均存在压差，并且其压差均等于像素电极300与 公共电极82之间的压差。当薄膜晶体管阵列基板工作时，由于第一推力配向电极500和第 二推力配向电极600分别与像素电极300之间存在压差，所以，位于像素电极两侧的第一推 力配向电极500和第二推力配向电极600分别与像素电极300之间形成横向推力电场E1、 E2，加电后液晶显示面板中的液晶分子的长轴趋向垂直于电力线的方向排列，因此，在横向 推力电场E1、E2的作用下，使得位于像素电极300两侧的液晶层70中的液晶分子分别受到 由像素区域边缘向像素区域内部方向的推力电场的作用而倾倒一定的角度，位于第一推力 配向电极500左侧的液晶分子相当于受到第一推力配向电极500的推力作用，位于第二推 力配向电极600右侧的液晶分子相当于受到第二推力配向电极600的推力作用。同时，当薄 膜晶体管阵列基板900工作时，由于像素电极300与公共电极82之间存在压差，在像素电 极300与公共电极82之间形成电场，由于拉力配向开孔400的存在 ，像素电极300与公共电 极82之间形成的电场的电力线将从拉力配向开孔400分别向相对两侧发生倾斜，因此，在 拉力配向开孔400处形成斜向拉力电场E3，在该斜向拉力电场E3的作用下，使得位于拉力 配向开孔400左侧和右侧的液晶分子将分别受到拉力电场的作用而倾倒一定的角度，位于 拉力配向开孔400左右两侧的液晶分子相当于受到拉力配向开孔400的拉力作用，并且，横 向推力电场El、E2和斜向拉力电场E3均使得液晶分子朝着相同的方向倾倒。液晶分子由 于受到横向推力电场E1、E2和斜向拉力电场E3的双重作用，从而产生沿固定的方向倾倒一 定的角度，因此，可以加快液晶分子的响应，从而提高液晶显示面板的响应速度。此外，本实 施例中多个拉力配向开孔400呈条形排布且其在透明基板101上的投影位于像素电极300 的中部位置，而且，多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500和 第二推力配向电极600。从而当薄膜晶体管阵列基板工作时，可以使像素区域中拉力配向开 孔400左右两侧的拉力电场均勻对称，使位于拉力配向开孔400左右两侧的液晶分子受到 左右对称的拉力配向开孔400的拉力作用，同时也使得整个液晶显示面板显示画面的左右 视角对称。本发明所述由第一推力配向电极500和第二推力配向电极600分别与像素电极之 间形成的“横向推力电场”意指构成推力电场的两个电极位于同一块基板上，并不旨在限定 构成推力电场的两个电极是位于同一平面上或是位于同一层上，当然，具体电场分布会因 第一推力配向电极500或第二推力配向电极600的位置设置不同而略有差异，但并不影响 本发明的推力电场的实现，故本发明中统一称之为“横向推力电场”，针对以下实施例同样 适用。以上结合图4、图7和图10所述的横向推力电场El、E2和斜向拉力电场E3是在 像素电极300为正极性的情况下进行描述的，其同样适用于像素电极300为负极性的情况， 液晶显示面板加电后液晶分子的倾倒方向与电场的方向无关，仅与电力线的排布(包括形 状和疏密)等有关，加电后液晶分子的长轴均是趋向垂直于电力线的方向排列，因此，在像 素电极300为负极性时，虽然电场的方向改变，在第一推力配向电极500、第二推力配向电 极600分别与像素电极300之间仍能形成横向推力电场，在拉力配向开孔400处仍能形成 斜向拉力电场，加电后的液晶显示面板中的液晶分子仍然按照与图4、图7和图10所示的方 向倾倒。对于正极性的像素电极300来说，在拉力配向开孔400处形成从拉力配向开孔发散开的斜向拉力电场E3 ；而对于负极性的像素电极300来说，则在拉力配向开孔400处形 成向拉力配向开孔400汇聚的斜向拉力电场E3。通过在第一实施例薄膜晶体管阵列基板900的像素区域中采用第一推力配向电 极500和第二推力配向电极600以及拉力配向开孔400的结构，在薄膜晶体管阵列基板900 工作时形成横向推力电场E1、E2和斜向拉力电场E3，可以使得加电后液晶显示面板中的液 晶分子迅速朝着预定的方向倾倒，加快液晶分子的响应。并且，在液晶显示面板暗态时，像 素电极300与公共电极82之间的压差为零，液晶分子仍然是保持垂直于透明基板101的方 向直立排列，因此，不会像现有技术那样存在漏光的问题，有效提高了液晶显示面板的对比 度。所以，本发明实施例的液晶显示面 板在提高液晶分子的响应时间的同时，具有较高的对 t匕貞。图12是本发明第一实施例的部分薄膜晶体管阵列基板的像素结构连接方式示意 图，并且揭示了采用列反转驱动方式实现点反转的显示效果。如图12所示，奇数据线D1、 D3、D5...连接奇数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域201中的像素电极300，偶数据线 D2、D4...连接奇数行偶数列和偶数行奇数列的像素区域201中的像素电极300，每一条扫 描线100连接同一行所有像素区域201中的薄膜晶体管700。当液晶显示面板采用列反 转驱动方式时，在同一帧内，相邻数据线的极性相反，即奇数据线与偶数据线具有相反的极 性，如图12中的奇数据线Dl、D3和D5为负极性，而偶数据线D2和D4为正极性，因此，连 接到奇数据线的奇数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域201中的像素电极300与连接到 偶数据线的奇数行偶数列和偶数行奇数列的像素区域201中的像素电极300具有相反的极 性，如图12中的位于奇数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域201中的像素电极300具有 负极性，而位于奇数行偶数列和偶数行奇数列的像素区域201中的像素电极300具有正极 性，从而在同一帧画面中任意一个像素区域201中的像素电极300的极性均与其上下左右 相邻的像素区域201中的像素电极300的极性相反，例如以位于第二行第二列的像素区域 201中的像素电极300为参考像素电极，其具有负极性，而与该参考像素电极上下左右相邻 的像素电极300分别为位于第一行第二列、第三行第二列、第二行第一列以及第二行第三 列的像素电极300，它们均具有正极性。在下一帧时，数据线输入的电压的极性发生反转，即 位于奇数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域的像素电极300具有正极性，而位于奇数行 偶数列和偶数行奇数列的像素区域的像素电极300具有负极性，同样地，在同一帧画面中 任意一个像素区域201中的像素电极300的极性仍然与其上下左右相邻的像素区域201中 的像素电极300的极性相反。因而实现液晶显示面板的点反转显示效果，从而可以有效降 低液晶显示面板的画面闪烁缺陷。第二实施例上述第一实施例中，第一推力配向电极500和第二推力配向电极600均为公共电 极线L。。m的两个延伸部分所形成，而第二实施例与上述第一实施例的不同之处在于第二 实施例的任一像素区域中的第一推力配向电极由构成该像素区域的连接薄膜晶体管的数 据线构成的相邻像素区域中的像素电极的延伸部分形成，第二推力配向电极由构成该像素 区域的非连接薄膜晶体管的数据线构成。以下仅针对不同之处进行详细描述，其相同之处 在此不再赘述。图13是本发明第二实施例的部分液晶显示面板的平面结构图，为了图示的 清楚起见，仅示出液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列基板，而省略了其中的彩色滤光片基板。如图13所示，在第二实施例中，薄膜晶体管阵列基板具有平行于扫描线100的公共电 极线L。。m。对于任一像素区域201来说，像素区域201中的薄膜晶体管700的栅极与扫描 线100电性连接，其源极与数据线200电性连接，其漏极通过通孔Cl与像素电极300电性 连接。像素区域201中的第一推力配向电极500由构成该像素区域201的连接薄膜晶体管 700的数据线200构成的相邻像素区域201'中的像素电极300'的延伸部分形成。在第二 实施例中是以第一推力配向电极500与数据线200位于同一层为例来进行图示和说明的， 即构成第一推力配向电极500的像素电极300'的延伸部分可由第二金属层代替，其再通 过通孔C2和像素区域201'中的像素电极300'电性连接。像素区域201中的第二推力配 向电极600由构成该像素区域201的非连接薄膜晶体管700的数据线200构成。第一推力 配向电极500与第二推力配向电极600在透明基板101上的投影分别位于像素电极300的 相对两侧，第一推力配向电极500与第二推力配向电极600均沿像素电极300的边缘方向 延伸。当然，由像素电极300的延伸部构成的第一推力配向电极500也可以与扫描线100 位于同一层，或者与像素电极300位于同一层，甚至可以由单独的一层金属层形成，亦不脱 离本发明的实质。图13所示的本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板亦可因像素电极的形成位 置不同而具有由不同的制作方法制成的两种不同的结构，以下将结合附图对这两种情况分 别进行详细说明。第二实施例之一图14是沿图13中A-A’线的液晶显示面板的剖面图，其清晰示出了第二实施例之 一的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。如图14所示，第一推力配向电极500与第二推力配 向电极600位于栅极绝缘层102上。在像素电极300上覆盖有绝缘层，本实施例中，绝缘层 为栅极绝缘层102和钝化层103，在栅极绝缘层102和钝化层103上一起设置有拉力配向开 孔400，从而将像素电极300的一部分暴露在外。优选地，在栅极绝缘层102和钝化层103 上一起设置有多个拉力配向开孔400，多个拉力配向开孔400呈条形排布且其在透明基板 101上的投影位于像素电极300的中部位置，从而将像素电极300的中部位置暴露出来。而 且，多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500和第二推力配向 电极600。图14所示第二实施例之一的薄膜晶体管阵列基板的制作方法可以采用与图7所 示第一实施例之二的薄膜晶体管阵列基板相类似的制作方法，只是第一推力配向电极500 与第二推力配向电极600是与数据线200 —起由第二金属层图案化形成的。第二实施例之二图15是沿图13中A-A’线的液晶显示面板的剖面图，但其清晰揭示了本发明第二 实施例之二的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构。如图15所示，第一推力配向电极500与第 二推力配向电极600位于栅极绝缘层102上。在像素电极300上覆盖有绝缘层，本实施例中，绝缘层为钝化层104，在像素电极300所在层的下层依次具有钝化层103和栅极绝缘层 102。在钝化层104上设置有拉力配向开孔400，从而将像素电极300的一部分暴露在外。 优选地，在钝化层104上设置有多个拉力配向开孔400，多个拉力配向开孔400呈条形排布 且其在透明基板101上的投影位于像素电极300的中部位置，从而将像素电极300的中部 位置暴露在外。而且，多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500和第二推力配向电极600。图15所示第二实施例之二的薄膜晶体管阵列基板的制作方法可以采用与图10所 示第一实施例之三的薄膜晶体管阵列基板相类似的制作方法，只是第一推力配向电极500 与第二推力配向电极600是与数据线200 —起由第二金属层图案化形成的。对于第二实施例的薄膜晶体管阵列基板可以采用类似于图12所示第一实施例的 薄膜晶体管阵列 基板的像素结构连接方式，奇数据线200连接奇数行奇数列和偶数行偶数 列的像素区域中的像素电极300，偶数据线200连接奇数行偶数列和偶数行奇数列的像素 区域中的像素电极300，每一条扫描线100连接同一行所有像素区域中的薄膜晶体管700。 并且，当液晶显示面板采用列反转驱动方式时，同样可以实现点反转的显示效果。在第二实施例(包括第二实施例之一和之二)中，当采用列反转驱动方式的液晶 显示面板工作时，如图14和图15中的箭头方向大致为加电后液晶显示面板中像素区域内 的电场方向。其中，图14和图15的电场方向均是以像素电极300为正极性，即像素电极 300上的电压大于彩色滤光片基板800上公共电极82的电压为例示出的。配合参照图13 所示，因任一像素区域201中的第一推力配向电极500由构成该像素区域201的连接薄膜 晶体管700的数据线200构成的相邻像素区域201'中的像素电极300'的延伸部分形成， 因此，像素区域201中的第一推力配向电极500上的电压等于相邻像素区域201'中的像素 电极300'上的电压。因像素区域201中的第二推力配向电极600由构成该像素区域201 的非连接薄膜晶体管的数据线200"构成，数据线200"连接到由该数据线200"构成的相 邻像素区域201"中的像素电极300"，因此，像素区域201中的第二推力配向电极600的 电压极性与相邻像素区域201"中的像素电极300"的电压极性相同。另外，由于液晶显 示面板采用列反转驱动方式可以实现点反转的显示效果，任一像素区域中的像素电极上的 电压极性与其上下左右相邻像素区域中的像素电极上的电压极性相反，因此，像素区域201 中的像素电极300上的电压极性分别与相邻像素区域201'、201〃中的像素电极300'、 300"上的电压极性相反，相邻像素区域201' ,201"中的像素电极300' ,300"上的电压 极性相同，故，任一像素区域201中的第一推力配向电极500和第二推力配向电极600上的 电压极性均与其像素电极300上的电压极性相反，因此，同一像素区域中的第一推力配向 电极500和第二推力配向电极600分别与像素电极300之间均存在压差。如图14和图15 所示，当薄膜晶体管阵列基板工作时，由于第一推力配向电极500和第二推力配向电极600 分别与像素电极300之间存在压差，所以，位于像素电极300两侧的第一推力配向电极500 和第二推力配向电极600分别与像素电极300之间形成横向推力电场E1、E2，加电后的液 晶显示面板中的液晶分子的长轴趋向垂直于电力线的方向排列，因此，在横向推力电场E1、 E2的作用下，使得位于像素电极300两侧的液晶分子分别受到由像素区域边缘向像素区域 内部方向的推力电场的作用而倾倒一定的角度，位于第一推力配向电极500左侧的液晶分 子相当于受到第一推力配向电极500的推力作用，位于第二推力配向电极600右侧的液晶 分子相当于受到第二推力配向电极600的推力作用。同时，当薄膜晶体管阵列基板900工 作时，由于像素电极300与公共电极82之间存在压差，在像素电极300与公共电极82之间 形成电场，由于拉力配向开孔400的存在，像素电极300与公共电极82之间形成的电场的 电力线将从拉力配向开孔400分别向相对两侧发生倾斜，因此，在拉力配向开孔400处形成 斜向拉力电场E 3，在该斜向拉力电场E 3的作用下，使得位于拉力配向开孔400左侧和右侧的液晶分子将分别受到拉力电场的作用而倾倒一定的角度，位于拉力配向开孔400左右 两侧的液晶分子相当于受到拉力配向开孔400的拉力作用，并且，横向推力电场E1、E2和斜 向拉力电场E3均使得液晶分子朝着相同的方向倾倒。液晶分子由于受到横向推力电场E1、 E2和斜向拉力电场E3的双重作用，从而产生沿固定的方向倾倒一定的角度，因此，可以加 快液晶分子的响应时间，从而提高液晶显示面板的响应速度，此外，本实施例中多个拉力配 向开孔400呈条形排布且其在透明基板101上的投影位于像素电极300的中部位置，而且， 多个拉力配向开孔400所排布成的条形平行于第一推力配向电极500和第二推力配向电极 600。从而当薄膜晶体管阵列基板工作时，可以使像素区域中拉力配向开孔400左右两侧的 拉力电场均勻对称，使位于拉力配向开孔400左右两侧的液晶分子受到左右对称的拉力配 向开孔400的拉力作用，同时也使得整个液晶显示面板显示画面的左右视角对称。对于像素电极300为负极性的情况，可以类似地产生横向推力电场El、E2和斜向拉力电场E3，故，在此不再赘述。对于以上所述的各种实施例，由于在像素区域201中具有拉力配向开孔400，当 薄膜晶体管阵列基板工作时，在拉力配向开孔400处产生斜向拉力电场E3，斜向拉力电场 E3的电力线将从拉力配向开孔400处分别向相对两侧发生倾斜，因此位于该拉力配向开孔 400正上方的液晶分子将会受到两个对称的倾斜电力线的作用，使得该位置处的液晶分子 的倾倒方向不明确，容易出现液晶分子转向的不连续性，因而液晶显示面板工作时会在像 素区域对应于拉力配向开孔400的位置处产生向错线(disclination line)现象，从而影 响液晶显示面板的画面品质。因此，优选地，本发明的彩色滤光片基板800上对应于薄膜 晶体管阵列基板900上的拉力配向开孔400的位置，设置有凸伸入液晶层70的黑色矩阵凸 块83。黑色矩阵凸块83具有三个作用一是能够遮挡对应于拉力配向开孔400的位置处 产生的向错线现象，从而提高液晶显示面板的画面品质；二是可以充当凸起物，以便于使位 于其两侧的液晶分子在液晶显示面板未加电时预先产生预倾角，从而使得液晶分子在液晶 显示面板加电时能够更加快速地朝着预定方向倾倒；三是当液晶显示面板工作时可以改变 拉力配向开孔400上方的电力线分布，使其外扩延伸，进一步增强拉力配向开孔400附近液 晶分子受到的拉力作用，从而使得液晶分手更快的倾倒。利用彩色滤光片基板800的黑色 矩阵凸块83以及薄膜晶体管阵列基板上的第一推力配向电极500、第二推力配向电极600 和拉力配向开孔400，在液晶显示面板未加电时液晶分子由于受到黑色矩阵凸块83的作 用而具有预倾角，当液晶显示面板加上电压时，由于液晶分子同时受到第一推力配向电极 500与第二推力配向电极600的推力作用，及拉力配向开孔400与黑色矩阵凸块83的拉力 作用，从而液晶分子能够迅速地向预定的方向倾倒，提高液晶分子的响应速度，消除向错线 (disclination line)现象，提高穿透率。液晶层70中的液晶分子又因同时受到斜向拉力电场E3和横向推力电场E1、E2的 作用，因此，液晶分子能够快速响应，可大大提高液晶显示面板的响应速度。另外，由于黑色 矩阵凸块83本身为一种不透明的材料，即使黑色矩阵凸块83两侧的液晶分子在未加电压 时具有预倾角，相对于现有技术来说，可以大大减小液晶显示面板暗态时漏光现象的发生。 黑色矩阵凸块83呈等腰梯形，优选地，梯形的顶角在20度至60度范围内，并且，黑色矩阵 凸块83的梯形顶角越小，液晶显示面板的对比度越高。图16是本发明液晶显示面板中优选的彩色滤光片基板的剖面图，如图16所示，本发明优选的彩色滤光片基板的制作方法是仍然采用五道光罩制程在一透明基板80上分别依次形成图案化的红(R)、绿(G)、蓝(B)色阻层81 ；在图案化后的色阻层81以及部分透 明基板80上形成公共电极层，从而形成公共电极82 ；在公共电极82上再形成图案化的黑 色矩阵层，该图案化的黑色矩阵层的第一部分位于红(R)、绿(G)、蓝(B)色阻层81的边界 区域，第二部分形成黑色矩阵凸起83，其对应于薄膜晶体管阵列基板900上的拉力配向开 孔400的位置；之后在图案化的黑色矩阵层的第一部分上形成间隔物(Photo Space,PS)结 构(未图示)。彩色滤光片基板采用这种制作方法，通过五道光罩制程即可形成可充当凸起 物结构的黑色矩阵凸块83，而不需要像现有技术那样需要通过增加一道光罩制程来额外形 成凸起物结构。对于以上各种实施例，如图3和图13所示，优选地，像素电极300为鱼骨状，其可 以使处于鱼骨附近的液晶分子因受鱼骨处电场的作用而快速响应。另外，优选地，每个像素 区域中的像素电极300大体呈放倒的V字形或之字形，以便在像素区域中产生多个微区域 并消除微区域处产生的向错线(disclination line)现象，以获得较高的穿透率。优选地， 为了增大像素区域中的存储电容，在公共电极线L。。m和像素电极300之间可以设置部分第 二金属层，该部分第二金属层通过过孔(未图示)与像素电极300电性连接。经模拟实验的结果显示，采用本发明各实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示 面板，在采用过驱动(Feed Forward Drive)时其响应时间可以达到约6ms，采用非过驱动 时其响应时间也小于17ms，其对比度大于5000 1，其性能均优于传统的MVA式液晶显示 器。另外，通过模拟显示，本发明通过减小彩色滤光片基板上黑色矩阵凸块的倾斜角度以及 增大覆盖在像素电极上的绝缘层的厚度，均有利于对比度的提高。以上仅为本发明较佳的实施例，本发明并不仅限于此，本文中应用了具体个例对 本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法 及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及 应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
一种薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基板以及形成于透明基板上的复数条扫描线、复数条数据线和多个像素区域，其中每个像素区域由相邻两条扫描线与相邻两条数据线相互交叉形成，其包括像素电极以及用于控制所述像素电极的薄膜晶体管，其特征在于，在所述像素电极上覆盖有绝缘层，并且所述绝缘层上设置有拉力配向开孔，所述每个像素区域还包括第一推力配向电极和第二推力配向电极，其中，所述第一推力配向电极与所述第二推力配向电极在所述透明基板上的投影分别位于像素电极的相对两侧，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在所述拉力配向开孔处形成斜向拉力电场，所述第一推力配向电极与所述像素电极之间以及所述第二推力配向电极与所述像素电极之间分别形成横向推力电场。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层上设置有多个 拉力配向开孔，多个拉力配向开孔呈条形排布且其在所述透明基板上的投影位于所述像素 电极的中部位置。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为栅极绝缘层 和钝化层；或者，所述绝缘层为钝化层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，任一像素区域中的第一推 力配向电极和所述第二推力配向电极由该像素区域中的公共电极线的两个延伸部分所形 成。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，任一像素区域的第一推力 配向电极由构成该像素区域的连接薄膜晶体管的数据线构成的相邻像素区域的像素电极 的延伸部分形成，第二推力配向电极由构成该像素区域的非连接薄膜晶体管的数据线构 成。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一推力配向电极与 所述数据线位于同一层；或者，所述第一推力配向电极与所述扫描线位于同一层；或者，所 述第一推力配向电极与所述像素电极位于同一层。
7.如权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极为 鱼骨状。
8.如权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极呈 放倒的V字形或之字形。
9.如权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，奇数据线连接奇 数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域中的像素电极，偶数据线连接奇数行偶数列和偶数 行奇数列的像素区域中的像素电极，每一条扫描线连接同一行所有像素区域中的薄膜晶体 管。
10.一种液晶显示装置，其包括液晶显示面板及连接液晶显示面板的驱动电路，其特征 在于所述液晶显示面板包括如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管阵列基板、具有公 共电极的彩色滤光片基板以及夹在两个基板之间的液晶层。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，对应于薄膜晶体管阵列基板的 所述拉力配向开孔位置，所述彩色滤光片基板上设置有凸伸入液晶层的黑色矩阵凸块。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，所述黑色矩阵凸块呈等腰梯形， 梯形的顶角在20度至60度范围内。
13.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，所述彩色滤光片基板上依次形成色阻层、公共电极层和黑色矩阵层。
14.如权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示面板采用列反转 驱动方式，同一帧内位于奇数行奇数列和偶数行偶数列的像素区域的像素电极与位于奇数 行偶数列和偶数行奇数列的像素区域的像素电极具有相反的极性。
15.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的栅 极、扫描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推力配 向电极和第二推力配向电极；形成栅极绝缘层，并对栅极绝缘层进行图案化以在非显示区域中形成过孔； 依次形成非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化，以形 成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极以及 数据线；形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极，像素电极与 薄膜晶体管的漏极直接电性连接；沉积钝化层，并对钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的钝化层上形成拉力配向开 孔，从而将像素电极的一部分暴露出。
16.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化，形成薄膜晶体管的栅极、扫 描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推力配向电极 和第二推力配向电极；形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极； 形成栅极绝缘层，并对栅极绝缘层进行图案化以在覆盖像素电极的栅极绝缘层上形成 拉力配向开孔的第一部分，从而将像素电极的一部分暴露出，并且形成像素区域中的通孔 以及非显示区域中的过孔；依次形成非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化，以形 成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极以及 数据线，薄膜晶体管的漏极通过上述通孔与像素电极电性连接；沉积钝化层，并对钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的钝化层上并对应于拉力配向 开孔的第一部分的位置处形成拉力配向开孔的第二部分，从而将像素电极的一部分暴露在 外。
17.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括在透明基板上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的栅 极、扫描线、公共电极线的主体部分以及由公共电极线的两个延伸部分构成的第一推力配 向电极和第二推力配向电极；依次形成栅极绝缘层、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行 图案化，以形成薄膜晶体管的半导体层；形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，以形成薄膜晶体管的源极和漏极以及数据线；沉积第一层钝化层，并对第一层钝化层进行图案化以形成通孔； 形成透明导电材料层，并对透明导电材料层进行图案化以形成像素电极，像素电极通 过上述通孔与薄膜晶体管的漏极电性连接；沉积第二层钝化层，并对第二层钝化层进行图案化以在覆盖像素电极的第二层钝化层 上形成拉力配向开孔，从而将像素电极的一部分暴露出。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基板以及形成于透明基板上的扫描线、数据线和多个像素区域，每个像素区域由相邻两条扫描线与相邻两条数据线相互交叉形成，其包括像素电极、用于控制像素电极的薄膜晶体管、第一推力配向电极以及第二推力配向电极，其中，第一、第二推力配向电极在透明基板上的投影分别位于像素电极的相对两侧。在像素电极上覆盖有绝缘层，并且绝缘层上设置有拉力配向开孔，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在拉力配向开孔处形成斜向拉力电场，第一、第二推力配向电极分别与像素电极之间形成横向推力电场。采用这种像素结构的薄膜晶体管阵列基板，能够提高液晶分子的响应速度。
文档编号H01L27/02GK101840120SQ20101015441
公开日2010年9月22日 申请日期2010年4月23日 优先权日2010年4月23日
发明者乔艳冰, 周刘飞, 廖家德, 钟德镇, 黄霞 申请人:昆山龙腾光电有限公司