专利名称：陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法
技术领域：
本发明涉及陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。
背景技术：
本发明与太阳能技术有关。特别在於本发明提供一生产方法是把晶体物料用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子的分离工艺制造出适合光伏应用的器件。更特别的是本发明提供一生产方法而制造出来的器件的光伏区域是被陶瓷物料支撑的。此发明已被应用於大阳能电池板，通常被称为模块，但不仅是这例子，它将会被认定为有一更广泛的应用性。温室气体正以很快的速度增长，带来的是全球暖化。另外，全球人口也正快速增加至愈六十亿人，这样等於有一庞大的能源消耗，而且亦会相对地增加温室气体。很多时候， 常规能源都是来自於化石燃料，包括原油及煤，水力发电系统，核能发电，及其他等等。然而，预计将来会有更多的原油消耗。虽然最大的能源消耗者仍然是美国，但大部份的增长则是来自发展中国家如中国及印度。於美国，差不多日常生活的每一个方面都是部份取决於原油。这些方面包括驾驶汽车上班，在家里开暖炉及开动用於建筑的大型机器等等。原油稀缺日益增长，随时间流逝，原油价格便宜和供应充足的时代差不多去到终结。原油会逐渐地消失，这将会把我们带回原始时期。於是，其他或替代的能源被发展出来。 现代社会亦凭藉其他非常有用的能源如水力发电，核能和其他的去提供我们日常由照明到启动电脑或其他设备所需的电力。大部份家用或商业用的电力都是由用煤或化石燃料去推动涡轮机，核能发电计划，水力发电计划和其他可再生能源而产生的。最普及的可再生能源就是太阳能，亦即来自太阳。太阳是在产生太阳能时不可或决的，太阳能拥有很多特点，包括可再生，资源丰富及非常清洁等等。已被发展的常规技术通常是获得太阳能，之後集中并储存起来和转换到其他有用形式的能量。一个常见的例子就是太阳能电池板，此电池板包含了一些通常用多晶或单晶硅生产的太阳能电池。世界各地都有不同的公司生产这些太阳能电池，例如德国的Q Cells，美国力口州的Sun Power Corporation，中国的Suntech及曰本的Sharp，还有BP So Ibt* ^^^^。不幸的是，太阳能电池板虽然在某方面的应用很成功，但太阳能电池仍然有一些限制。例如，太阳能电池有时比较昂贵，因为太阳能电池要用硅晶片生产，所以很难有效地生产出较大比例的太阳能电池。而且，用於生产太阳能电池的硅在有限的硅生产能力下也有时也变得稀缺。这些限制将会在之後作更详细描述。从以上看来，研发一些能改善太阳能器件的技术是非常可取的。
发明内容
本发明与太阳能技术有关。特别在於本发明提供一生产方法是把晶体物料用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子的分离工艺制造出适合光伏应用的器件。更特别的是本发明提供一生产方法而制造出来的器件的光伏区域是被陶瓷物料支撑的。此发明已被应用於大阳能电池板，通常被称为模块，但不仅是这例子，它将会被认定为有一更广泛的应用性。本发明提供一生产大阳能电池的方法。此方法包含提供的晶体硅衬底，此衬底的厚度确定为第一厚度，此衬底包含第一面和第二面，第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域，此分隔区域包含氢元素和化合物分子，此分隔区域基本上并行於第一面，此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份，首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外，此方法包含在第一面提供一模子结构，此模子结构确定了一支撑区域。再者，此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外，此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。本发明更提供一光伏器件，此器件包含一支撑层，此支撑层基本包含了陶瓷物料， 亦被特定了为第一厚度，而且被特定了一透气级数，此支撑层包含了第一面和第二面。此器件亦包括了一拥有第一面与第二面的光伏层，并被特定了一厚度为少於十微米，此光伏层覆盖在支撑层的第一面而且光伏层的第一面与支撑层联结，此光伏层基本包含了硅物料。 另外，此器件包含了聚多的电接点联结到光伏层。本发明更提供一光伏器件，此器件包含一支撑层，此支撑层基本包含了陶瓷物料， 亦被特定了为第一厚度，而且被特定了一透气级数，此支撑层包含了第一面和第二面，第一面是反光的，而那些陶瓷物料是由固化胶态陶瓷物料而成。此器件亦可包含一粘合层，此粘合层包含了粘合物料。再者，此器件包含了一拥有第一面与第二面的光伏层，此光伏层包含了掺杂区域，此掺杂区域包含了第一种和第二种杂质，此光伏层被特定了一厚度为少於十微米，并覆盖在支撑层的第一面，光伏层的第一面通过粘合层联结到支撑层，此光伏层基本包含了硅物料。另外，此器件包含了聚多的电接点联结到光伏层。本发明提供了一用於太阳能瓷砖的太阳能电池封装结构，此太阳能电池封装包含了一光伏器件，此光伏器件包含了第一面与第二面及支撑层与光伏层。支撑层基本包含了陶瓷物料，并被特定了为第一厚度，此陶瓷物料亦被特定了一透气级数，此支撑层包含了第一面与第二面。另外，光伏层则包含了第一面与第二面，并被特定了一厚度为少於十微米， 此光伏层覆盖在支撑层的第一面，光伏层的第一面联结到支撑层，此光伏层基本包含了硅物料。此太阳能电池封装亦包含了保护层用来覆盖第一面和第二面，更包含了正和负两种电接器用来串联其他太阳能电池封装。本发明亦提供并联其他太阳能电池封装的电接方法。本发明拥有比常规技术更好的优点，例如，本技术提供一依赖常规技术好像硅物料，但简单易用的工艺，当然，其他物料亦可使用同样工艺。再者，此方法提供一工艺而这工艺能够兼容常规的工艺技术，以致不用在常规的设备及工艺上作出大量修改。本发明提供一成本低和容易处理的太阳能电池，此太阳能电池用了一氢离子注入技术去形成一薄膜的光伏物料。因为这层物料很薄，所以很多层物料可以从一块常规的硅或其他类似物料的晶片形成。更好的是，此薄膜层能够用氢离子注入和热力处理去剥离并能粘合在用作支持的陶瓷物料上。在另一层面上，一个或多个好处可以再达成，这些好处将於之後详细解释。本发明裹各种附加的物件，特点和优势将可通过参考详细说明和附图得到更充分的理解。
图1-8说明了根据本发明的方法生产一光伏结构的工艺。图9-10概示了根据本发明的方法生产的一光伏结构。图11-12概示了根据本发明的方法生产的包含了氮化硅层的光伏结构。图13概示了根据本发明的方法生产的包含了两层陶瓷的光伏结构。图14概示了根据本发明的方法生产的可包含了一粘合层的光伏结构。图15概示了根据本发明的方法生产的包含了一反光镜的光伏结构。图16-17概示了根据本发明的方法生产的太阳能电池封装和其电接器。图18概示了根据本发明的方法生产的太阳能电池封装的电接方法。
具体实施例方式本发明与太阳能技术有关。特别在於本发明提供一生产方法是把晶体物料用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子的分离工艺制造出适合光伏应用的器件。更特别的是本发明提供一生产方法而制造出来的器件的光伏区域是被陶瓷物料支撑的。此发明已被应用於大阳能电池板，通常被称为模块，但不仅是这例子，它将会被认定为有一更广泛的应用性。之前已解释过，硅物料的短缺其实是生产大比例的太阳能电池板的一重大挑战。 长久以来，不同的常规技术已被发展去生产成本效益较高的太阳能电池板。但不幸的是，常规技术在某些层面下仍然有不足的地方。更具体的说明一下，就是常规技术有时会包括减少硅物料的用量去生产太阳能电池板，但通常这些太阳能电池板的性能未能达到可接受的级别，就是每单位面积生产的能量未达标。常规太阳能板中的太阳能电池层通常的厚度都是由二百至三百微米不等，常规太阳能电池层的厚度对不同的性能指标都有影响，如太阳能电池的刚性，可生产的能量等等。 常规的太阳能电池结构中，要达到这些性能指标，二百至三百微米的厚度是必需的。同一时间，用此厚度级数去生产太阳能电池表示要用更多的硅物料。但相反地，本发明的太阳能电池结构则可大大减少生产时所需的硅物料。图1-8说明了根据本发明的方法生产一光伏结构的工艺，但这些图表只是仅仅作为一例子，并不代表可以过份限制权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图1所示，提供了一块101晶体硅晶片，此晶片主要包含了单晶硅物料。单晶硅物料相对其他不同种类的光伏物料，通常拥有较好的效能。但其他种类的光伏物料如多晶硅或微晶物料都可以用於本发明。此外此硅晶片的厚度在二百至三百微米之间。如图2所示，制造了一分隔层202，此分隔层202将硅晶片分为两部份部份201和部份203。根据一特定体现，氢元素和化合物分子是用来移除一层硅物料(部份20 。部份203的厚度是根据生产太阳能器件所需的光伏物料和工艺所需而预定的。之後，将会利用氢离子注入工艺去将氢元素和化合物分子经过部份203注入至分隔层202。因此，部份 203的厚度与氢元素和化合物分子渗透度有直接的关系。例如，部份203的厚度是被氢离子
6注入工艺的能量及浓度而定的。一般而言，一层光伏物料的厚度有差不多二微米是适合用於太阳能电池结构的。根据不同的应用，氢元素和化合物分子可以用不同的参数或多个注入步骤去注入。具体来说，氢离子注入使用的能量为200keV及剂量为2E16/cm2至2E18/ cm2。另外，低能量的磷或硼粒子亦被注入到部份203的表面去形成发射极或背场层，继而用金属层沉积去形成反光镜物料同时亦是欧姆接点。再者，一层扩散阻隔层(如氮化硅) 亦被沉积到注入了氢的晶片表面。一个或多个模子结构304A及304B被联结到硅物料的部份303。根据不同的应用， 有不同的方法去制造此模子结构。具体来说，模子结构是用兼容铸造工艺的间隔物料制造， 如多晶硅及其他不同种类的混合物。此模子结构在生产过程中具有柔性，如随意的形状和厚度，去迎合不同特定的应用。如图4所示，陶瓷物料405是用来填满一被确定在模子结构404A和404B之间的空间。例如，胶态陶瓷物料是用来填入此空间。具体来说，此陶瓷物料可以是高反光性或一反光镜可以整合到陶瓷和硅层中间。根据不同的应用不同种类的陶瓷物料都可以使用，如二氧化硅粉剂，氧化铝粉剂或碳化硅。适当容量的液态粘合剂如磷酸铝，硅酸钾或胶体硅， 是需要混合到粉剂中去形成胶态陶瓷物料。另外，一层额外的粘合物料被涂到硅物料403 的表面用来增强陶瓷物料405与硅物料部份403的粘合性。此粘合物料需要在联结到间隔前准备。此外，如图所示的陶瓷物料405是用了平坦化技术来令其更正确地填入间隔物料之空间。此陶瓷物料提供了各种不同的好处。使用胶态陶瓷物料使外加的强化薄膜能连接到可转移的晶体层从而实现了高效的层转移，另外亦可以整合反光镜从而增加太阳能电池的效率。此外，用了胶态陶瓷物料可以将原本粗糙及多孔隙的硅物料的部份403的表面平坦化，这样可以在同一硅晶片或硅块上进行多次的层转移。再者，使用胶态陶瓷物料可以缓和因翘曲和困住尘埃粒子而产生的粘合性问题。实际上，使用胶态陶瓷物料使可转移的晶体层能加上结构强化层及反光镜。在某些应用上，使用流动的胶态陶瓷物料能加强对转移层的粘合性。图5所示为当模子结构确定了的空间被陶瓷物料填满後，模子结构被移除後的结构。之前描述的模子结构包含了兼容铸造的间隔物料，此物料於是可以用铸造兼容工艺移除，如物理性移除，化学性移除，抛光及其他工艺。如要移除模子结构，则要在陶瓷结构上进行额外的工艺。例如，陶瓷物料505在移除模子结构前需要被固化，此固化工艺包含了将整个结构放入烘炉或烘盘内用摄氏50至400度烘烤。此固化步骤能使陶瓷有足够的机械刚性来应付之後的工艺下一步，大部份的硅物料被移除，如图6所示，硅物料的部份601是从硅层603分离出来的。移除了部份601後，剩下的是包含部份603和陶瓷物料605的结构。具体来说， 此结构是用一热力处理工艺去使在晶体硅衬底表面下的分隔层进行分离并使硅物料的部份603剥离，而这厚度的硅物料仍然连接到陶瓷物料605。这样形成了一粗糙区域去确定硅物料的部份603。此热力处理工艺(如剥离工艺等)是在摄氏三百至六百度进行的，而移除了的衬底部份将会用来生产其他太阳能电池。根据向种不同的应用，其他铸造兼容工艺亦可用於由其他结构移除部份601。如图7所示，准备陶瓷物料705需要使多种不同的工艺。进行物理性抛光使陶瓷衬底理顺从而提高性能。另外陶瓷衬底的表面及边缘地区亦会使用等离子处理，薄膜涂层或沉积工艺去防止在之後的工艺步骤有液体渗入。在形成结构700之後，需要更多的步骤去形成电子器件。如图8所示，各种不同的电子器件在硅物料的部份803形成。具体来说，区域806与808是掺杂了第一种掺杂物(如 η型)，区域807与809则掺杂了第二种掺杂物(如ρ型)，於是形成了 ρ_η连接点的基础。 根据各种不同的应用，掺杂区域的间隔，大小及排列都可被决定或改变。例如，太阳能电池相关的应用，掺杂区域的间隔，大小及排列的组合能令光生载流子的集合达到最佳从而使其有最好的电子特徵。此外，没有在图8显示的其他电子结构亦可被制造，如电接点在掺杂区域上形成。其馀的曝光区域亦可被防反光及钝化层(如氮化硅或二氧化硅)覆盖。图9说明了本发明所描述的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图9所示，硅物料的一薄层901粘合到陶瓷物料902，此薄层901的厚度只有几微米。另外，如图8所示，此陶瓷物料902包含了一些孔隙，略透气的陶瓷物料可以在不同的温度或固化步骤能促进自我排气。另外，粘合到层901的陶瓷物料902的表面是平滑和反光的，帮助在光伏应用时的光的吸收。图10说明了本发明所描述的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图10所示，硅物料的一薄层1001是粘合在陶瓷物料1002，而此薄层1001的厚度只有几微米。图11及12说明了本发明所描述的包含了氮化硅层的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图11及12所示一硅物料层1101被联结到一氮化硅层 1102，此氮化硅物料强化了层1101并作为一扩散阻隔层。层1102被联结到陶瓷物料1103。 如图所示，层1101及1102的厚度只要几微米。略透气的陶瓷物料可以在不同的温度或固化步骤能促进自我排气。此外，此被固化的陶瓷衬底是作为硅层的层底。图13说明了本发明所描述的包含了两层陶瓷的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图13所示，一硅层1301被联结到陶瓷物料1302，此陶瓷物料 1302再联结到其他陶瓷物料1303。第一陶瓷物料1302是用来增加硅层1301在陶瓷物料 1303的粘合性。图14说明了本发明所描述的包含了一粘合层的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图14所示一硅层1401被联结到一氮化硅层1402，此氮化硅层是用作强化硅层1401和作为一扩散阻隔层。粘合物料1403是一连续粘合层用於氮化硅层 1402与陶瓷物料1404中间作为一强粘合剂。图15说明了本发明所描述的包含了一反光镜的一光伏结构，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图15所示，一反光镜层1503被嵌入氮化硅1502及1504。一硅层被联结到第一氮化硅层1502，而第二氮化硅层被联结到陶瓷物料1505。
本发明所描述的太阳能电池结构可以用在常规的太阳能电池板，而且因为特别的光伏层设计和陶瓷衬底令到太阳能电池砖变成有可能。常规硅太阳能电池需要用银线焊接，另外它被EVA，玻璃及TPT保护在模组里。相反地，本发明所描述的太阳能电池结构可容易地连接及完全地取替常规的砖块。图16及17说明了本发明所描述的太阳能电池封装，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图16及17所示，电接器1601，1602，1701及1702被连接到太阳能电池的边缘。正电接器1601及1701是在负电接器1602及1702的对面。正电接器连接到太阳能电池的P-型电极而负电接器则连接到太阳能电池的η-型电极，此连接可以使用导电胶水或焊接。电接器1601及1701为公，电接器1602及1702则为母，此电接器用於串联其他太阳能电池。母电接器可以容纳公电接器从面令太阳能电池封装能够电接起来。光伏器件 1703是被一层保护层覆盖第一面和第二面来保护。图18说明了本发明所描述的太阳能电池封装的电接方法，此图表只是仅仅作为一个例子，并不代表可以过份限制了权利要求的范围。因为一个普通的技能已经可以包含许多变化，替代及改变。如图18所示，外部电接器1801及1802是用於并联太阳能电池封装，太阳能电池封装能在用外部连接器并联前串联起来。本发明提供一生产太阳能电池的方法，此方法包含提供一晶体硅衬底，此衬底的厚度确定为第一厚度，此衬底包含第一面和第二面，第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域，此分隔区域包含氢元素和化合物分子，此分隔区域基本上并行於第一面，此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份，首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。此外，此方法在第一面提供一模子结构，此模子结构确定了一支持区域。再者，此方法包含在支持区域内形成一层陶瓷物料。另外，此方法包含模子结构的移除及第二部份的移除。此方法亦包含在第一部份形成电子器件，而此方法在图1-8裹说明。本发明提供一光伏器件，此器件包含一支撑层，此支撑层的基本包含了陶瓷物料， 此支撑层被特定了一厚度，此陶瓷物料特定了为一透气级数，此支撑层包含了第一面与第二面，第一面拥有反射特性，此陶瓷物料是用胶态陶瓷物料固化而成。此器件亦包含一粘合层，此粘合层包含粘合物料。此外，此器件包含一光伏层，此光伏层包含了第一面与第二面及一掺杂区域，此掺杂区域包含了第一种杂质，此层被特定了一厚度为少於十微米，此光伏层覆盖了支撑层的第一面，第一方透过粘合层联结到支撑层，此光伏层基本包含了硅物料。 此器件更包含了聚多的电接点联结至此光伏层。图8说明了此例子。本发明提供一可用於太阳能电池砖的太阳能电池封装，此太阳能电池封装包含了一光伏器件，此光伏器件包含第一面与第二面及支撑层与光伏层。支撑层基本包含了陶瓷物料，支撑层被特定了一厚度，此陶瓷物料被特定了一透气级数，此支撑层包含第一面与第二面。光伏层包含第一面与第二面，此光伏层被特定了一厚度为少於十微米，此光伏层覆盖在支撑层的第一面，第一方与支撑层联结，此光伏层基本包含硅物料。此太阳能电池封装包含了保护层覆盖在光伏器件的第一面与第二面。此太阳能电池封装包含了正及负的电接器，可以用导电胶水或焊接连接到太阳能电池的金属，并可以与其他太阳能电池封装串联连接。图16及17说明了此例子。本发明亦提供并联太阳能电池封装的电接器。图18说明了此例子。
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本发明相对於常规技术有很多优点，例如本发明的技术提供一个比常规技术易用的工艺，而此工艺使用的物料不限於硅物料，其他的物料亦可以使用。此外，此方法提供一兼容常规工艺技术的工艺，因此常规的设备与工艺并不需要作出重大改变。本发明更提供一改善了的太阳能电池，能减低成本及容易处理。此太阳能电池用一氢离子注入技术去形成一层薄膜光伏物料。正因此光伏物料非常薄，使用同一块晶硅或其他物料的晶片能形成多块薄膜光伏物料。此外，此薄膜层在一胶态陶瓷物料上利用氢离子注入与热力处理技术移除，而此陶瓷物料便作为一支撑部份。另外，本发明提供可应用於太阳能电池砖的一太阳能电池封装结构，从而提供更多的优点。虽然本发明被具体地描述，但并不代表所有的其他具体情况是等同於被描述的具体情况。此外，本发明应不被已说明的特定具体情况限制，限制将根据权利要求的范围。
权利要求
1.一种生产硅太阳能电池的方法，包括提供一晶体硅衬底，此衬底的厚度为第一厚度，包含了第一面和第二面，第一面是在第二面的对面；在第一厚度形成一分隔区域，此分隔区域包含氢元素和化合物分子，基本上并行於第一面，此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份，首部份是在由第一面开始的第二厚度之间；在第一面提供了一模子结构，此模子结构确定了一支撑区域； 在支撑区域内形成一层陶瓷物料； 移除模子结构； 移除次部份；与在首部份形成电子器件，此电子器件包括光伏器件。
2.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中更包括在首部份与陶瓷物料之间形成一扩散阻隔层与结构强化层(氮化硅物料)。
3.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中更包括用一粘合层(陶瓷或连续粘合层)去提高陶瓷物料的粘合力。
4.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中更包括在首部份与陶瓷物料之间形成一镜面层。
5.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中更包括用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子。
6.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中的移除次部份包括一热力剥离工艺。
7.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，其中的首部份的特点是厚度大概只有二至十微米。
8.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法，更包括确定一首部份和一次部份，首部份与次部份被首部份的至少一部份分隔； 用第一种杂质掺杂首部份； 用第二种杂质掺杂次部份；与於第一种杂质和第二种杂质表面上制作电极。
9.一光伏器件包括一支撑层，此支撑层基本包含了陶瓷物料，此支撑层被特定了为第一厚度，此陶瓷物料被特定了一透气级数，此支撑层包含了第一面和第二面，第一面拥有反射特性，此陶瓷物料是用胶态陶瓷物料固化而成，此支撑层的第二面是被抛光的；一粘合层，此粘合层包含粘合物料，並定位在在支撑层与光伏层之间； 一光伏层，此光伏层包含了第一面与第二面及一掺杂区域，此掺杂区域包含了第一种杂质，此层被特定了一厚度为少於十微米，此光伏层覆盖了支撑层的第一面，第一方透过粘合层联结到支撑层，此光伏层基本包含了硅物料，此光伏层包含了两部份，第一部份包含了第一种杂质，第二部份包含了第二种杂质；一结构强化层，此结构强化层定位在支撑层与光伏层之间，此结构强化层基本包含了氮化硅物料，此结构强化层被特定了一厚度为少於十微米；一反光镜，此反光镜位於两层结构强化层之间；与聚多的电接点联结至此光伏层。
10. 一太阳能电池封装包括一光伏器件，此光伏器件包含第一面与第二面及支撑层与光伏层。支撑层基本包含了陶瓷物料，支撑层被特定了一厚度，此陶瓷物料被特定了一透气级数，此支撑层包含第一面与第二面。一光伏层包含第一面与第二面，此光伏层覆盖在支撑层的第一面，第一方与支撑层联结，此光伏层基本包含硅物料；一保护层，此保护层包含耐候性物料，並覆盖了光伏器件的第一面与第二面； 一组电接器，用於与其他太阳能电池封装的串联连接，並有公与母的结构，而且分别连接到光伏器件的P-型与η-型电极；与聚多的外部连接器，用於太阳能电池封装的并联连接。
全文摘要
陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。本发明提供一生产太阳能电池的方法。此方法包括提供的晶体硅衬底可以是单晶或多晶，此衬底的厚度确定为第一厚度，包含了第一面和第二面，第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域，此分隔区域包含氢元素和化合物分子及基本上并行于第一面，亦在厚度内确定了首部份与次部份，首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外，此方法包含在第一面提供一模子结构，此模子结构确定了一支撑区域。再者，此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外，此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。最后，本发明提供太阳能瓷砖的太阳能电池的封装结构及连接器。
文档编号H01L31/048GK102339892SQ20101023421
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月20日 优先权日2010年7月20日
发明者张桓棠, 陈聪 申请人:中晶(香港)有限公司