专利名称：有机发光二极管显示器的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术：
在有机发光二极管(OLED)显示器中使用的有机发光元件具有自发光结构，其中在基板上的两个电极之间形成有发光层。根据光的发射方向，可以把OLED显示器分成顶部发光型OLED显示器、底部发光型OLED显示器、和双发光型OLED显示器。根据驱动方式，可以把OLED显示器分成无源矩阵型OLED显示器和有源矩阵型OLED显示器。在OLED显示器中，多个子像素中的每一个子像素包括晶体管单元和发光单元。晶体管单元包括开关晶体管、驱动晶体管和电容器，而发光单元包括连接到驱动晶体管的下电极、有机发光层和上电极。当向以矩阵形式布置的多个子像素提供扫描信号、数据信号、 电源等时，被选择的子像素发光以由此显示图像。在设计现有技术的OLED显示面板时，考虑到线电阻而增加形成于沟缘(bezel)区域的地线的宽度。但是，地线宽度的增加导致沟缘区域的增加。另一方面，当地线的宽度降低时，线电阻增加。
发明内容
本发明一方面提供一种有机发光二极管显示器，其包括基板，其包括显示区和非显示区；显示单元，其形成在所述显示区中，所述显示单元包括以矩阵形式布置的多个子像素；主地线，其位于所述非显示区的第一侧，并且由与包括在各个子像素中的源极和漏极相同的材料而形成；以及辅助地线，其形成为围绕所述非显示区，与所述非显示区的所述第一侧处的所述主地线的至少一部分交迭，与所述主地线电连接，并且由与包括在各个子像素中的下电极相同的材料形成。本发明另一个方面提供一种有机发光二极管显示器，其包括基板，其包括显示区和非显示区；显示单元，其形成在所述显示区中，所述显示单元包括以矩阵形式布置的多个子像素；主地线，其形成为围绕所述非显示区，并且由与包括在各个子像素中的源极和漏极相同的材料而形成；以及辅助地线，其形成为围绕所述非显示区，与所述非显示区的第一侧处的所述主地线的至少一部分交迭，与所述主地线电连接，并且由与包括在各个子像素中的下电极相同的材料而形成。
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并将附图结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1是示意性示出有机发光二极管⑴LED)显示器的框图；图2示出了图1所示的子像素的电路结构；
图3是示出根据本发明的第1示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图；图4是图3的区域A1-A2的截面图；图5是图3的区域B1-B2的截面图；图6是示出根据本发明的第2示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图；图7是示出根据本发明的第3示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图；图8是图7的区域C1-C2的截面图；图9是示出根据本发明的第4示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图；图10是图9的区域D1-D2的截面图。
具体实施例方式下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中示出了其示例。图1是示意性示出有机发光二极管(OLED)显示器的框图。图2示出了图1所示的子像素的电路结构。如图1和图2所示，该OLED显示器包括定时控制器TCN、数据驱动器DDRV、扫描驱动器SDRV、电源单元PWR、以及面板PNL。定时控制器TCN使用数据驱动信号DDC来控制数据驱动器DDRV，并且同时使用选通驱动信号GDC来控制扫描驱动器SDRV。定时控制器TCN把从外部接收的视频信号转换成数据信号DATA并且将数据信号DATA提供给数据驱动器DDRV。定时控制器TCN可以以集成电路(IC)的形式装配到与面板PNL相连的印刷电路板(PCB)上。数据驱动器DDRV在定时控制器TCN的控制下，通过位于面板PNL上的数据线DLl 至DLn向子像素SP提供数据信号DATA。数据驱动器DDRV可以以IC形式装配在面板PNL上。扫描驱动器SDRV在定时控制器TCN的控制下，通过位于面板PNL上的扫描线SLl 至SLm向子像素SP提供扫描信号。扫描驱动器SDRV可以以IC形式或以板中栅(GIP gate-in-panel)的形式装配到面板PNL上。电源单元PWR产生高电位电压(high potential power) VDD和低电位电压(low potential power) GND并将它们提供给定时控制器TCN、数据驱动器DDRV、扫描驱动器 SDRV、以及面板PNL中的至少一个。电源单元PWR可以装配到与面板PNL相连的印刷电路板上。面板PNL包括以矩阵形式布置在基板上的多个子像素SP。子像素SP可以以无源矩阵形式或者有源矩阵形式来布置。如图2所示，当以有源矩阵形式布置子像素SP时，各个子像素SP可具有包括开关晶体管S、驱动晶体管T、电容器Cst、以及有机发光二极管D的 2T1C结构(即，包括两个晶体管T和一个电容器C)。或者，各个子像素SP可以具有向2T1C 结构增加晶体管和电容器的结构。在2T1C结构中，可以将开关晶体管S、驱动晶体管T、和电容器Cst定义为晶体管单元，并且可以将有机发光二极管D定义为发光单元。下面参照图2说明构成具有2T1C结构的子像素SP的组件之间的连接关系。如图2所示，开关晶体管S的栅极连接到被提供扫描信号的扫描线SL1，开关晶体管S的一个端子连接到被提供数据信号DATA的数据线DL1，而开关晶体管S的另一个端子连接到第1节点nl。驱动晶体管T的栅极连接到第1节点nl，驱动晶体管T的一个端子连接到与电源线VDD (该电源线
5VDD被提供高电位电压)相连的第2节点π2，而驱动晶体管T的另一个端子连接到第3节点η3。电容器Cst的一个端子连接到第1节点nl，而电容器Cst的另一个端子连接到第3 节点n3。有机发光二极管D的下电极连接到第3节点π3，而有机发光二极管D的上电极连接到地线GND (该地线GND被提供低电位电压)。尽管以上描述了包括在各个子像素SP中的晶体管S和T是η型的示例，但晶体管 S和T可以是P型的。此外，通过电源线VDD提供的高电位电压可以高于通过地线GND提供的低电位电压。高电位电压和低电位电压由电源单元PWR提供。上述子像素SP可以如下工作。如图2所示，当通过扫描线SLl提供扫描信号时， 开关晶体管S导通。接下来，当经由导通的开关晶体管S将通过数据线DLl而提供的数据信号DATA提供给第1节点nl时，将数据信号DATA作为数据电压存储在电容器Cst中。接着，当切断扫描信号并截止开关晶体管S时，根据存储在电容器Cst中的数据电压来驱动驱动晶体管T。接着，当通过电源线VDD提供的高电位电压流过地线GND时，有机发光二极管 D发出红光、绿光、和蓝光中的一种。图2所示出的驱动方法仅仅是有助于理解子像素的电路结构的子像素的驱动方法的一个示例，并且本发明的实施方式不限于图2所示出的子像素SP的驱动方法。子像素的其它驱动方法也可以用于本发明的实施方式。下面，介绍根据本发明的一个示例性实施方式的OLED显示器的结构。<第1示例性实施方式>图3是示出根据本发明的第1示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图。图 4是图3的区域A1-A2的截面图。图5是图3的区域B1-B2的截面图。如图3所示，构成面板PNL的基板包括显示区AA和非显示区BZxl、B&2、BZyl和 BZy2。非显示区BZxl、B^c2、BZyl和BZy2包括与第1侧对应的第1非显示区BZxl、与第2 侧对应的第2非显示区B&2、与第3侧对应的第3非显示区BZyl、和与第4侧对应的第4 非显示区BZy2。显示区AA由以矩形形式布置的子像素SP限定为显示单元DSP。非显示区 BZxU BZx2, BZyl和BZy2由主地线MGND和辅助地线AGND限定为沟缘区BZA。面板PNL上的主地线MGND和辅助地线AGND与包括在子像素SP中的地线GND相连。主地线MGND位于第1非显示区BZxl，并且由与包括在子像素SP中的源极和漏极相同的材料而形成。辅助地线AGND形成为围绕非显示区Bhl、BZx2, BZyl和BZy2。辅助地线AGND与第1非显示区BZxl中的主地线MGND的至少一部分交迭，并且与主地线MGND 电连接。辅助地线AGND由与包括在子像素SP中的下电极相同的材料形成。下面，参照图4和图5具体介绍晶体管单元和发光单元中各个单元的结构以及主地线MGND和辅助地线AGND中各个地线的结构。如图4所示，晶体管单元STFT_P和发光单元D_P形成在构成面板PNL的基板110 的显示区AA。构成发光单元D_P的部分组件形成在构成面板PNL的基板110的第3非显示区BZyl。形成在显示区AA的晶体管单元STFT_P及发光单元D_P、以及形成在第3非显示区BZyl的发光单元D_P的部分组件可以如下形成。第3非显示区BZyl包括与显示区AA 相邻的虚设区(dummy area)DA、以及与基板110的外侧相邻的接触区CA。虚设区DA是有机公共层的边缘区。接触区CA是辅助地线AGND与从包括于发光单元D_P中的上电极延伸的地线GND之间的接触区。包括源区11 la、沟道区Illb以及漏区Illc的有源层111形成在基板110上。有源层111可以由非晶硅、结晶的多晶硅或其它材料形成，并且可以在源区Illa和漏区Illc上掺杂P型或η型杂质。第1绝缘层112形成在有机层111上。第1绝缘层112可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。栅极113形成在第1绝缘层112上。栅极 113可以由从以下组中选择的任意一种制成，所述组由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、 钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者它们的合金组成。栅极113可以是单层结构或多层结构。第2绝缘层114形成在栅极113上。第2绝缘层114可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。与源区Illa相连的源极11 和与漏区Illc相连的漏极11 形成在第2绝缘层114上。源极11 和漏极11 中的每一个可以由从以下组中选择的任意一种制成，所述组由临、41、0^11、11、附、而、01及其合金组成。源极11 和漏极11 中的每一个可以具有单层结构或多层结构。第3绝缘层116形成在第2绝缘层 114上以露出源极11 和漏极11 中的一个。第3绝缘层116可以由硅氧化物(SiOx)、 硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。平化层117形成在第3绝缘层116上以露出源极11 和漏极11 中的一个。平化层117可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。平化层117可以具有多层结构或其它结构。与源极11 和漏极11 中的一个电连接的下电极118形成在平化层117上，并且利用与下电极118相同的工艺以及相同的材料来形成辅助地线AGND。可以将下电极118选择为阳极或阴极。当将下电极118选择为阳极时，该阳极118可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明材料或其它材料来形成。提层(bank layer) 119形成在平化层117上以露出下电极118以及一部分辅助地线AGND。提层119可由有机材料(诸如基于苯并环丁烯(BCB :benzocyclobutene)的树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂)形成，也可以使用其他材料。发出红光、绿光和蓝光中的一种的有机发光层120形成在下电极118上。有机发光层120可以包括空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及电子传输层。此外，有机发光层120还可以包括其它功能层。上电极121形成在有机发光层120上。可以将上电极121选择为阳极或者阴极。当将上电极121选为阴极时，阴极121可以由诸如铝和铝-钕(AlNd)的不透明金属材料形成， 也可以采用其它材料。如图4所示，在之前的工艺中，作为构成发光单元D_P的组件之一的下电极118分开地形成在虚设区DA和接触区CA，并且形成为辅助地线AGND。此外，作为构成发光单元 D_P的组件之一的上电极121延伸到显示区AA、虚设区DA以及接触区CA，并且形成为地线 GND。形成为地线GND的上电极121电连接到辅助地线AGND。辅助地线AGND电连接到第1 非显示区BZxl中的主地线MGND。参照图5来说明辅助地线AGND与主地线MGND之间的连接。如图5所示，基板110的第1非显示区BZxl包括交迭区OL和非交迭区N0L。交迭区OL是主地线MGND和辅助地线AGND彼此交迭且彼此电连接的区域。非交迭区NOL是主地线MGND和辅助地线AGND彼此不交迭且彼此不电连接的区域。利用图4所示出的工艺，将第1绝缘层112和第2绝缘层114形成在基板110的第1非显示区BZxl中。利用与源极11 和漏极11 相同的工艺和相同的材料将主地线 MGND形成在第1绝缘层114上。将平化层117形成在位于非交迭区NOL的主地线MGND上。 利用与下电极118相同的工艺和相同的材料将辅助地线AGND形成在主地线MGND上。在第 1示例性实施方式中，将平化层117形成在位于非交迭区NOL的主地线MGND上。但是，根据工艺，可以代替平化层117将提层119形成在主地线MGND上。<第2示例性实施方式>图6是示出根据本发明的第2示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图。如图6所示，除了第1主地线MGNDl和第2主地线MGND2分别形成在第1非显示区BZxl和第2非显示区BZx2中，根据本发明的第2示例性实施方式的OLED显示器基本上与根据第1示例性实施方式的OLED显示器相同。这里，第1主地线MGNDl与辅助地线AGND在第1非显示区BZxl中彼此部分交迭并且彼此电连接。此外，第2主地线MGND2与辅助地线AGND在第2非显示区BZx2中彼此部分交迭并且彼此电连接。<第3示例性实施方式>图7是示出根据本发明的第3示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图。图 8是图7的区域C1-C2的截面图。如图7所示，构成面板PNL的基板包括显示区AA和非显示区BZxl、B&2、BZyl和 BZy2。非显示区BZxl、B^c2、BZyl和BZy2包括与第1侧对应的第1非显示区BZxl、与第2 侧对应的第2非显示区B&2、与第3侧对应的第3非显示区BZyl、和与第4侧对应的第4 非显示区BZy2。显示区AA由以矩形形式布置的子像素SP限定为显示单元DSP。非显示区 BZxU BZx2, BZyl和BZy2由主地线MGND和辅助地线AGND限定为沟缘区BZA。面板PNL上的主地线MGND和辅助地线AGND与包括在子像素SP中的地线GND相连。主地线MGND被设置为围绕非显示区BZxl、Bh2、BZyl和BZy2，利用与包括在子像素SP中的源极和漏极相同的材料形成主地线MGND。在第1非显示区BZxl中将主地线MGND 构图为不具有轮廓线的形式而是具有非轮廓线的形式。辅助地线AGND被形成为围绕非显示区BZxl、BZx2、BZyl和BZy2。辅助地线AGND与非显示区BZxl、BZx2、BZyl和BZy2中的主地线MGND的至少一部分交迭，并且与主地线MGND电连接。辅助地线AGND由与包括在子像素SP中的下电极相同的材料形成。下面，参照图8具体介绍晶体管单元和发光单元中各个单元的结构以及主地线 MGND和辅助地线AGND中各个地线的结构。如图8所示，晶体管单元STFT_P和发光单元D_P形成在构成面板PNL的基板110 的显示区AA中。构成发光单元D_P的部分组件形成在构成面板PNL的基板110的第3非显示区BZyl中。形成在显示区AA中的晶体管单元STFT_P及发光单元D_P、以及形成在第 3非显示区BZyl中的发光单元D_P的部分组件可以如下形成。第3非显示区BZyl包括与显示区AA相邻的虚设区DA、与虚设区DA相邻的接触区CA、以及与基板110的外侧相邻的选通驱动元件区GDA。虚设区DA是有机公共层的边缘区。接触区CA是辅助地线AGND与从包括于发光单元D_P的上电极延伸的地线GND之间的接触区。选通驱动元件区GDA是选通驱动器DTFT_P的形成区。也就是说，选通驱动器DTFT_P以GIP的形式形成于基板110上。包括源区11 la、沟道区Illb以及漏区Illc的有源层111形成在基板110上。第1 绝缘层112形成在有源层111上。栅极113形成在第1绝缘层112上。第2绝缘层114形成在栅极113上。与源区Illa相连的源极11 和与漏区Illc相连的漏极11 形成在第 2绝缘层114上。第3绝缘层116形成在第2绝缘层114上以露出源极11 和漏极11 中的一个。平化层117形成在第3绝缘层116上以露出源极11 和漏极11 中的一个。与源极11 和漏极11 中的一个电连接的下电极118形成在平化层117上，并且利用与下电极118相同的工艺以及相同的材料来形成辅助地线AGND。提层119形成在平化层117 上以露出下电极118以及一部分辅助地线AGND。发出红光、绿光和蓝光中的一种的有机发光层120形成在下电极118上。上电极121形成在有机发光层120上。如图8所示，在之前的工艺中，作为构成发光单元D_P的组件之一的下电极118分开地形成在虚设区DA和接触区CA中，并且形成为辅助地线AGND。此外，作为构成发光单元 D_P的组件之一的上电极121延伸到显示区AA、虚设区DA以及接触区CA，并且形成为地线 GND。形成为地线GND的上电极121电连接到辅助地线AGND。主地线MGND和地线GND在接触区CA彼此交迭并且彼此电连接。辅助地线AGND被分成至少两部分，该至少两个部分在主地线MGND上彼此分离。利用与晶体管单元STFT_P相同的工艺和相同的材料将第2绝缘层114形成在虚设区DA、接触区CA以及选通驱动元件区GDA。利用与源极11 和漏极11 相同的工艺和相同的材料将主地线MGND形成在第2绝缘层114上。利用与下电极118相同的工艺和相同的材料将内侧辅助地线AGND2I形成在虚设区DA。接着，利用发光单元D_P的工艺来将提层119、有机发光层120、以及上电极121形成在内侧辅助地线AGND2I上。利用与晶体管单元STFT_P相同的工艺和相同的材料将选通驱动器DTFT_P形成在选通驱动元件区GDA。与晶体管单元STFT_P类似地将第3绝缘层116和平化层117形成在形成于选通驱动元件区GDA中的选通驱动器DTFT_P上。利用与下电极118相同的工艺和相同的材料将外侧辅助地线AGND20形成在平化层117上。提层119可以形成在外侧辅助地线AGND20上，但是也可以将其省略。利用上述工艺将内侧辅助地线AGND2I和外侧辅助地线AGND20彼此分离地形成在主地线MGND上。地线GND和主地线MGND在接触区CA彼此交迭并且彼此电连接。<第4示例性实施方式>图9是示出根据本发明的第4示例性实施方式的OLED显示器的结构的平面图。图 10是图9的区域D1-D2的截面图。如图9所示，构成面板PNL的基板包括显示区AA和非显示区BZxl、B&2、BZyl和 BZy2。非显示区BZxl、B^c2、BZyl和BZy2包括与第1侧对应的第1非显示区BZxl、与第2 侧对应的第2非显示区B&2、与第3侧对应的第3非显示区BZyl、和与第4侧对应的第4 非显示区BZy2。显示区AA由以矩形形式布置的子像素SP限定为显示单元DSP。非显示区 BZxU BZx2, BZyl和BZy2由主地线MGND和辅助地线AGND限定为沟缘区BZA。面板PNL上的主地线MGND和辅助地线AGND与包括在子像素SP中的地线GND相连。主地线MGND被设置为围绕非显示区BZxl、Bh2、BZyl和BZy2，利用与包括在子像素SP中的源极和漏极相同的材料来形成主地线MGND。主地线MGND被构图为具有轮廓线的形式。辅助地线AGND被形成为围绕非显示区BZxl、B&2、BZyl和BZy2。辅助地线AGND 与非显示区Bhl、BZx2, BZyl和BZy2中的主地线MGND的至少一部分交迭，并且与主地线 MGND电连接。利用与包括在子像素SP中的下电极相同的材料来形成辅助地线AGND。下面，参照图10具体介绍晶体管单元和发光单元中各个单元的结构以及主地线 MGND和辅助地线AGND中各个地线的结构。如图10所示，晶体管单元STFT_P和发光单元D_P形成在构成面板PNL的基板110的显示区AA。构成发光单元D_P的部分组件形成在构成面板PNL的基板110的第3非显示区BZyl。形成在显示区AA中的晶体管单元STFT_P和发光单元D_P、以及形成在第3非显示区BZyl的发光单元D_P的部分组件可以如下形成。第3非显示区BZyl包括与显示区AA 相邻的虚设区DA、以及与虚设区DA相邻的选通驱动元件区GDA。虚设区DA是有机公共层的边缘区。选通驱动元件区GDA是选通驱动器DTFT_P的形成区，并且是辅助地线AGND与从包括于发光单元D_P中的上电极121延伸的地线GND之间的接触区。与第3实施方式不同的是，由于在第4实施方式中省略了接触区，所以通过位于选通驱动元件区GDA中的提层119上的接触孔CH来将从上电极121延伸的地线GND电连接到辅助地线AGND。如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器中，由于具有低电阻结构的地线形成在基于面板结构而限制的沟缘区的内侧，因此降低了线电阻并且减小了沟缘区。尽管参照本发明的多个示例性实施方式描述了实施方式，但是应理解的是本领域技术人员可设计出落入本说明书的原理的范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地， 在本说明书、附图以及所附的权利要求的范围内，在主题组合排列的组成部分和/或排列中可以做出各种变型和修改。除了组成部分和/或排列中的变型和修改之外，替换使用对于本领域技术人员也是显而易见的。本申请要求2010年4月16日提交的韩国专利申请No. 10-2010-0035152的优先权，此处通过参引并入其内容。
权利要求
1.一种有机发光二极管显示器，其包括 基板，其包括显示区和非显示区；显示单元，其形成在所述显示区中，所述显示单元包括以矩阵形式布置的多个子像素；主地线，其位于所述非显示区的第一侧，并且由与包括在各个子像素中的源极和漏极相同的材料而形成；以及辅助地线，其形成为围绕所述非显示区，与所述非显示区的所述第一侧处的所述主地线的至少一部分交迭，与所述主地线电连接，并且由与包括在各个子像素中的下电极相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主地线包括 第一主地线，其位于所述非显示区的所述第一侧；以及第二主地线，其位于所述非显示区的与所述第一侧相对的第二侧，与所述辅助地线部分交迭，并与所述辅助地线电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主地线与所述辅助地线中的至少一个与包括在各个子像素中的上电极电连接。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主地线由与包括在各个子像素中的所述源极和所述漏极相同的工艺来形成，其中，所述辅助地线由与包括在各个子像素中的所述下电极相同的工艺来形成。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，各个子像素包括晶体管单元和发光单元，其中，所述晶体管单元包括所述源极、所述漏极以及栅极，其中，所述发光单元包括与所述源极和所述漏极中的一个连接的所述下电极、有机发光层、以及与所述主地线连接的上电极。
6.一种有机发光二极管显示器，其包括 基板，其包括显示区和非显示区；显示单元，其形成在所述显示区中，所述显示单元包括以矩阵形式布置的多个子像素；主地线，其形成为围绕所述非显示区，并且由与包括在各个子像素中的源极和漏极相同的材料形成；以及辅助地线，其形成为围绕所述非显示区，与所述非显示区的第一侧处的所述主地线的至少一部分交迭，与所述主地线电连接，并且由与包括在各个子像素中的下电极相同的材料而形成。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主地线与所述辅助地线中的至少一个与包括在各个子像素中的上电极电连接。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述主地线由与包括在各个子像素中的所述源极和所述漏极相同的工艺来形成，其中，所述辅助地线由与包括在各个子像素中的所述下电极相同的工艺来形成。
9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基板包括限定在所述非显示区的第三侧和第四侧的沟缘区，其中，所述主地线与包括在所述沟缘区中的各个子像素中的上电极电连接。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述辅助地线在所述沟缘区被分成至少两部分，并且所述至少两部分在所述主地线上彼此分离。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述沟缘区包括虚设区、接触区、以及选通驱动元件区，这些区域是由从靠近所述显示单元的区域延伸至所述基板的外侧的区域中划分出来的，其中，所述辅助地线包括形成在所述虚设区的内侧辅助地线以及形成在所述选通驱动元件区的外侧辅助地线，其中，所述主地线从所述虚设区延伸到所述选通驱动元件区的一部分，并且与包括在所述接触区中的各个子像素中的所述上电极电连接。
12.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述沟缘区包括虚设区和选通驱动元件区，这些区域是由从靠近所述显示单元的区域延伸至所述基板的外侧的区域中划分出来的，其中，所述辅助地线从所述虚设区延伸到所述选通驱动元件区， 其中，所述主地线从所述虚设区延伸到所述选通驱动元件区的一部分，并且通过形成在所述选通驱动元件区中的提层中的接触孔来与包括在各个子像素中的所述上电极电连接。
13.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，各个子像素包括晶体管单元和发光单元，其中，所述晶体管单元包括所述源极、所述漏极以及栅极，其中，所述发光单元包括与所述源极和所述漏极中的一个连接的所述下电极、有机发光层、以及与所述主地线连接的上电极。
全文摘要
有机发光二极管显示器，其包括基板，其包括显示区和非显示区；显示单元，其形成在所述显示区并且包括以矩阵形式布置的多个子像素；主地线，其位于所述非显示区的第一侧，并且由与包括在各个子像素中的源极和漏极相同的材料而形成；以及辅助地线，其形成为围绕所述非显示区，与所述非显示区的所述第一侧处的所述主地线的至少一部分交迭，与所述主地线电连接，并且由与包括在各个子像素中的下电极相同的材料形成。
文档编号H01L27/32GK102222450SQ201010251758
公开日2011年10月19日 申请日期2010年8月11日 优先权日2010年4月16日
发明者金昌男 申请人:乐金显示有限公司