专利名称：半导体封装件及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有纤维 结构的半导体封装件及其制造方法。
背景技术：
传统的半导体封装件至少包括基板、芯片、数个焊球及封胶等组件。芯片设于基板 上。封胶以填充(灌胶)方式包覆芯片，封胶并具有数个贯孔(through hole)以露出基板 上的接垫。焊球通过贯孔电性连接于基板上的接垫，而一外部电路可通过焊球电性连接于
-H-· I I心片。一般而言，封胶的材料可包括酚醛基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂 (epoxy-based resin)、娃基树月旨(silicone-based resin)或其它适当的包覆剂。封胶的贯孔一般都是以激光加工成形。然而，上述封胶材料常加入加工性困难的 添加物，导致封胶材料的质地变硬，使贯孔在制作上较困难，而所形成的贯孔的内侧壁的斜 度也较大。由于贯孔的内侧壁的斜度较大，贯孔于封胶上的开口尺寸须够大才能露出基板 上的接垫，如此一来，贯孔的数量受到限制，使传统半导体封装件的输出/入接点的数目无 法进一步增加。
发明内容
本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件的封装体的加工性 较佳，因此可制作出较多数量的输出/入接点。根据本发明的第一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半 导体组件、一封装体(package body)及一导电部。基板具有一电性接点。半导体组件设于 基板上。封装体覆盖半导体组件的至少一部分并定义一贯孔，贯孔露出电性接点。其中，封 装体包括一树脂体及数层纤维层，纤维层设于树脂体内并定义呈数组型的数个纤维开孔。 导电部通过贯孔电性连接于基板。根据本发明的第二方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下 步骤。提供一基板，基板具有一电性接点；设置一半导体组件于基板上；形成一导电部于电 性接点上；迭合数层树脂层及数层纤维层于基板上，树脂层及纤维层露出半导体组件，纤维 层定义呈数组型的数个纤维开孔；施加压力及热量于树脂层及纤维层，使树脂层熔化，熔化 的树脂层于凝固后形成一树脂体，树脂体及纤维层形成一封装体；形成一贯孔贯穿树脂体 与纤维层以露出电性接点；以及，切割基板及封装体。为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细 说明如下
图1绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的剖视图。
图2绘示图1的局部A的上视图。图3绘示本发明另一实施方面的半导体封装件的纤维结构的上视图。图4绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图5A至5E绘示图1的半导体封装件的制造示意图。图6绘示本发明另一实施例的半导体封装件的导电部的示意图。图7绘示依照本发明第二实施例的半导体封装件的剖视图。图8绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的剖视图。图9绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的局部剖视图。图10绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图IlA至IlC绘示图8的半导体封装件的制造示意图。图12绘示图IlB的环绕部的局部上视图。图13绘示依照本发明一实施例的环绕部的局部上视图。图14绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的环绕部的局部上视图。图15绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。主要组件符号说明100、300、500、600 半导体封装件102、502、902 基板104 半导体组件106、506、306、606 封装体108、108，、208、308 导电部110 SM112、112’ 电性接点114、214、314、814 贯孔116:焊球118:树脂体120、420、520a、520b 纤维层122 第一子纤维结构124 第二子纤维结构126:顶部开口128:底部开口130 第一开孔132、532a、532b 树脂层118a、118b、132a、132b、132c、518a 一部分134 金属层136、138、536、538、552 外侧面140,240a,240b 第二开孔142、144、542、662 上表面148、448 纤维开孔158 交接处
160:内侧壁422 纤维结构550、650、750、950 环绕部554 环绕部开孔556 金属板764、864 块体766:凹部962 环绕部贯孔P 压力R 部分S 空间
具体实施例方式第一实施例请参照图1，其绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装 件100包括基板102、半导体组件104、封装体(package body) 106、导电部108、金属层134 及数个焊球116。金属层134例如是铜箔(copper foil)，其厚度约介于3微米(μ m)至72 μ m之 间，然此非用以限制本发明。金属层134设于半导体封装件100的最外层，可快速地将半导 体封装件100的产热散逸至外界。此外，金属层134亦可提升半导体封装件100的结构强度。半导体组件104可以是芯片，例如是覆晶(flip chip)。半导体组件104设于基板 102的上表面142上并电性连接于基板102。基板102具有数个电性接点112，电性接点112例如是接垫(pad)。焊球116设于 基板102上，基板102可通过焊球116电性连接于一外部电路(未绘示)。焊球116可通过 导通贯孔(未绘示)或通过基板102内的导电层(未绘示)电性连接于电性接点112。封装体106定义数个贯孔114，每个贯孔114露出对应的电性接点112及对应的导 电部108。导电部108例如是焊球(solder ball)，其设于贯孔114内并电性连接于电性接 点112。一外部电路(未绘示)可与导电部108对接，以电性连接于半导体组件104。此处 的外部电路例如是电路板或其它半导体组件。基板102的材质例如是环氧树脂、聚酯树脂等。封装体106包括树脂体118及数 层纤维层120，如图1中局部A的放大图所示。树脂体118的材质亦可为环氧树脂、聚酯 树脂等，而纤维层120的材质可为玻璃纤维、碳纤维、硼纤维、亦或是其它合成纤维。由于 基板102与树脂体118材质种类相似或相同，故基板102的热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion, CTE)与封装体106的热膨胀系数相近，使整个半导体封装件100的翘 曲量较小。如此一来，即使基板102的厚度较薄，半导体封装件100的翘曲量亦可控制在预 设范围内。树脂体118的一部分118a填充于半导体组件104与基板102之间且树脂体118 的一部分118b覆盖半导体组件104的上表面144及侧面110，即，整个半导体组件104被封装体106包覆，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，半导体组件104的上表面144亦 可不被封装体106覆盖而外露出来。该些纤维层120设于树脂体118内，每层纤维层120包括数个纤维结构。该些纤 维结构呈条状的玻璃纤维，其由数条第一子纤维结构122及数条第二子纤维结构124所组 成。请参照图2，其绘示图1的局部A的上视图。该些第一子纤维结构122与该些第二子纤 维结构124彼此交织出呈数组型的数个纤维开孔148于一实施方面中，第一子纤维结构122与第二子纤维结构124于交错部位彼此黏 结固定；或者，于另一实施方面中，请参照图3，其绘示本发明另一实施方面的半导体封装 件的纤维结构的上视图。图3中每层纤维层420 —片状玻璃纤维层，其定义数个纤维结构 422，该些纤维结构422围绕出呈数组型的数个纤维开孔448。另外一提的是，该些纤维结构 422连接在一起而成为一体成形的片状玻璃纤维层。由于封装体106的加工性较佳，因此贯孔114的内侧壁160(绘示于图1)的斜度 较小。进一步地说，相较于传统半导体封装件的贯孔，本实施例图1中贯孔114的顶部开口 126与底部开口 128的尺寸差异较小(即贯孔114的内侧壁160的斜度较小)。也就是说， 在相同大小的底部开口 128的比较基准下，本实施例的顶部开口 126的尺寸较小，因而可形 成更多、更密集的贯孔114，露出更多导电部108，亦即增加更多输出/入电性接点。以下以图4及图5A至5E说明图1的半导体封装件100的制造方法。图4绘示依 照本发明第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图，图5A至5E绘示图1的半导体封 装件的制造示意图。于步骤S102中，提供如图5A所示的基板102，基板102具有数个电性接点112及 112，。然后，于步骤S104中，如图5A所示，设置数个半导体组件104于基板102的上表 面142上。半导体组件104通过焊球电性连接于电性接点112’。然后，于步骤S106中，如图5B所示，形成导电部108于对应的电性接点112上。第 5B至5E图仅绘示出单个半导体组件104的范围。本步骤S106中，可先执行植球步骤；之后，进行回焊(reflow)步骤，以形成如图 5B所示的导电部108。回焊后的导电部108的外形近似于三分之二的球体，而其余三分之 一的球体融接于电性接点112，使导电部108稳固地结合于电性接点112上。然后，于步骤S108中，迭合数层如图5C所示的树脂层132及纤维层120于基板102 上，其中，该些树脂层132及该些纤维层120彼此上下交错迭合。举例来说，二层树脂层132 之间仅夹有单层纤维层120 ；或者，二层纤维层120之间仅夹有单层树脂层132 ；或者，二层 树脂层132之间亦可夹有多层的纤维层120而不夹有树脂层132 ；或者，二层纤维层120之 间亦可夹有多层的树脂层132而不夹有纤维层120。于其它实施方面中，树脂层132及纤维 层120亦可任意交错迭合。于步骤S108前，可先于树脂层132与纤维层120上制作出数个第一开孔130及数 个第二开孔140。于步骤S108后，半导体组件104从第一开孔130露出，导电部108及电性 接点112从第二开孔140露出。此外，于步骤S108之后，可迭加如图5C所示的金属层134于树脂层132上及纤维 层120上。
然后，于步骤SllO中，如图5D所示，通过金属层134，施加压力P于树脂层132及 纤维层120上以压缩树脂层132及纤维层120，并施加热量于树脂层132及纤维层120，以 熔化树脂层132。熔化的树脂层132的一部分132a填充于半导体组件104与基板102之间 而形成底胶(underfill)，且熔化后的树脂层132的一部分132b覆盖半导体组件104的上 表面144及侧面110(侧面110绘示于图1)。进一步地说，于步骤SllO中，一次形成位于半导体组件104与基板102之间的填 充层及包覆半导体组件104的包覆层。此外，熔化后的树脂层132包覆导电部108，且熔化后的树脂层132的一部分132c 填充于导电部108与电性接点112的交接处158。树脂层132的一部分132c可紧抓导电 部108，使导电部108更稳固地设于电性接点112上。熔化的树脂层132于凝固后形成如图 1所示的树脂体118，树脂体118与该些纤维层120成为封装体106(封装体106绘示于图 1)。熔化的树脂层132的该部分132a于冷却凝固后形成图1中树脂体118的该部分118a， 而熔化的树脂层132的该部分132b于冷却凝固后形成图1中树脂体118的该部分118b。于一实施方面中，亦可于步骤S104先形成一底胶于半导体组件104与基板102 间，然后再继续进行后续工艺。于一实施方面中，图5C的金属层134中对应导电部108的部位定义数个金属层开 孔(未绘示)。在通过金属层134压缩树脂层132及纤维层120后，导电部108可通过该些 金属层开孔突出于金属层134，使最终半导体封装件100的导电部108突出于贯孔114的 顶部开口 126。如此一来，可增加导电部108与一电路组件的电性接触面积，以提升导电部 108与该电路组件间的电性连接质量。此处的电路组件可以是电路板、另一半导体封装件或 芯片，例如是覆晶。然后，于步骤S112中，如第5E图所示，以例如是机械或激光加工的方式于图5D所 示的封装体106形成数个贯孔114。贯孔114贯穿金属层134、树脂体118及纤维层120，以 露出对应的电性接点112及对应的导电部108。由于贯孔114的顶部开口 126的面积较小，故相邻二贯孔114之间的距离拉近，因 此可形成更多、更密集的贯孔114，露出更多的导电部108(输出/入电性接点)。由于贯孔114于导电部108形成之后再形成，故即使贯孔114的顶部开口 126的 面积较小亦不致影响导电部108的形成。如此一来，可先形成彼此紧密相邻的数个导电部 108，然后再形成对应的数个贯孔114以露出该些导电部108。由于该些导电部108可紧密 相邻，因此可形成更多数量的导电部108，藉以增加半导体封装件100的输出/入电性接点 的数量。此外，由于封装体106的加工性较佳，使激光加工后的贯孔114的内侧壁160的斜 度较小，顶部开口 126的面积因此可以更小，藉此可形成更多数量的贯孔114。虽然图1的半导体封装件100以包括有金属层134为例作说明，然此非用以限制 本发明。于一实施方面中，可于步骤S112之后，以例如是撕除或蚀刻方式移除金属层134 ； 或者，亦可于步骤SllO与S112之间移除金属层134。然后，于步骤S114中，对应相邻二半导体组件104之间的部分，切割第5E图的基 板102及封装体106。由于切割路径(未绘示)通过重迭的基板102与封装体106，因此基板102的外侧面136及封装体106的外侧面138切齐，如图1所示。此外，于步骤S114之前或之后，可形成如图1所示的焊球116于基板102上，以形 成数个如图1所示的半导体封装件100。虽然本实施例的导电部108于贯孔114的形成步骤之前形成，然此非用以限制本 发明。于另一实施例中，请参照图6，其绘示本发明另一实施例的半导体封装件的导电部的 示意图。导电部208可于贯孔114的形成步骤之后才形成，在此情况下，贯孔214与电性接 点112间的交接处158与导电部208之间定义一空间S，该空间未被熔化的树脂层填满，然 此非用以限制本发明。第二实施例请参照图7，其绘示依照本发明第二实施例的半导体封装件的剖视图。第二实施例 中与第一实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第二实施例的半导体封装件300 与第一实施例的半导体封装件100不同之处在于，半导体封装件300的导电部308导电柱 (conductive pillar),例如是铜柱。半导体封装件300包括基板102、半导体组件104、封装体306、导电部308及焊球 116。封装体306的技术特征相似于图1的封装体106，在此不再重复赘述。以下以图4的流程图来说明图6的半导体封装件300的制造方法。于半导体封装 件300的制造方法中，步骤S106可延后至步骤Sl 12之后完成，即，导电部308于封装体306 的贯孔314形成后才形成。此外，于步骤S106中，可应用例如是电镀方式形成呈圆柱状的 导电部308，然此非用以限制本发明。在其它实施方面中，可应用涂布导电膏的方式形成呈 柱状且填满整个贯孔314的导电部。此处的导电膏例如是铜膏亦或是锡膏。虽然本实施例的半导体封装件300省略第一实施例的金属层134，然于一实施方 面中，半导体封装件300亦可包括有金属层，其结构及形成方法相似于第一实施例的金属 层134，在此不再重复赘述。第三实施例请参照图8，其绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的剖视图。第三实施例 中与第一实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第三实施例的半导体封装件500 与第一实施例的半导体封装件100不同之处在于，半导体封装件500包括环绕部550，其可 提升半导体封装件500的结构强度，减少半导体封装件500的翘曲量。半导体封装件500包括基板502、半导体组件104、环绕部550、焊球116及封装体 506。其中，环绕部550定义一环绕部开孔554，半导体组件104位于环绕部开孔554内。环绕部550埋设于封装体506内而其的外侧面552外露。由于环绕部550的外侧 面552外露，故半导体组件104的产热可通过环绕部550的外侧面552快速地散逸至外界， 然此非用以限制本发明。于一实施方面中，环绕部550亦可完全被封装体506包覆而不裸 露出来。导电部108可位于环绕部550与半导体组件104之间，如图8中右边的导电部108 所示；或者，导电部108可邻近基板502的外侧面536，如图8中左边的导电部108’所示； 或者，全部的导电部108可邻近基板502的外侧面536或位于环绕部550与半导体组件104 之间；或者，于一实施例中，请参照图9，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的局 部剖视图。环绕部950定义至少一环绕部贯孔962，单个导电部108设于对应的单个环绕部贯孔962内。此外，由于后续切割步骤的切割路径通过重迭的基板502、封装体506及环绕部 550，因此基板502的外侧面536、封装体506的外侧面538及环绕部550的外侧面552大致 上切齐。以下以图10并搭配图IlA至IlC说明图8的半导体封装件500的制造方法。图 10绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的制造方法流程图，图IlA至IlC绘示图8 的半导体封装件的制造示意图，其中图IlA至IlC仅绘示出单个半导体组件104的范围。制 造半导体封装件500的步骤S202及S206相似于图4的步骤S102及S106，在此不再重复赘 述，以下从步骤S208开始说明。于步骤S208中，如第IlA图所示，迭合数层树脂层532a及数层纤维层520a于基 板502的上表面542上。树脂层532a及纤维层520a定义第二开孔240a，第二开孔240a露 出导电部108。树脂层532a与纤维层520a的结构及迭合方式相似于第一实施例的树脂层 132与纤维层120，在此不再重复赘述。第二开孔240a可应用例如是激光加工、机械加工或图案化技术形成于树脂层 532a及纤维层520a上。然后，于步骤S210中，如图IlB所示，设置数个(图IlB仅绘示出单个)环绕部 550于树脂层532a与纤维层520a上，每个环绕部550环绕对应的半导体组件104。该些环绕部550—体成形。详细地说，请参照图12，其绘示图IlB的环绕部的局部 上视图。该些环绕部550定义于一金属板556中，环绕部550中的环绕部开孔554金属板 556中的贯孔，其露出半导体组件104。其中，金属板556的贯孔可应用冲孔(press)制成。上述金属板例如是铜板(copper plate)或铜箔(copper foil)，其厚度约介于 3 μ m至72 μ m之间，然此非用以限制本发明。此外，该金属板的材质未受限于铜金属，亦可 包含其它种类的金属。虽然本实施例的环绕部550以定义于金属板为例作说明，然此非用以限制本发 明。于一实施例中，请参照图13，其绘示依照本发明一实施例的环绕部的局部上视图。每 个环绕部750包括数个块体(block) 764，该些块体764定义或围绕丨凹部766，半导体组件 104可位于凹部766内。如此一来，切割路径可经过二分离设置的块体764之间的部分R而 不切割到块体764，使环绕部750可被后续形成的封装体完全包覆而不从最终的半导体封 装件中裸露出来。此外，请参照图14，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的环绕部的局部 上视图。每个环绕部包括二块体864，其邻近半导体组件104中相对二侧设置，而数个贯孔 814中至少一些邻近于半导体组件104中另相对二侧。由于二块体864呈对称设置，故可降 低半导体封装件的翘曲量，然此非用以限制本发明。于其它实施方面中，每个环绕部包括任 意数量的块体，其可以任意型态环绕半导体组件104。然后，于步骤S212中，如第IlC图所示，迭合数层树脂层532b及数层纤维层520b 于树脂层532a、纤维层520a及环绕部550上。树脂层532b及纤维层520b定义第二开孔 240b,以露出第二开孔240a及导电部108。树脂层532b与纤维层520b的结构及迭合方式 相似于第一实施例的树脂层132与纤维层120，在此不再重复赘述，而第二开孔240b的形成 方法相似于步骤S208中的第二开孔240a的形成方法。
接下来的步骤S214及S218相似于图4的步骤SllO及S114，在此不再重复赘述。于一实施方面中，本实施例的步骤S206亦可延后至步骤S216之后执行。图9所示的半导体封装件的制造方法中，于步骤S210中，环绕部950定义数个环 绕部贯孔914，使导电部108从环绕部贯孔914露出。其中，环绕部贯孔914可应用例如是 刀具或激光加工方式形成。此外，在图9所示的半导体封装件的另一制造方法中，亦可将步骤S206延后至步 骤S216之后执行。在此情况下，步骤S216更包括应用刀具或激光加工方式，形成环绕部 贯孔914于环绕部950上，使环绕部贯孔914露出基板902的电性接点112 ；然后，再形成 导电部108于环绕部贯孔914内并接触对应的电性接点112。此外，虽然本实施例的步骤S210中环绕部550以设于树脂层532a与纤维层520a 上(如图8所示)为例作说明，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，半导体封装件的 制造方法亦可省略步骤S208，如此，于步骤S210中，环绕部550可设于基板502的上表面 542 上。虽然本实施例半导体封装件500的半导体组件104的上表面144以被封装体506 的树脂体的一部分518b覆盖(如图8所示)为例说明，然此非用以限制本发明。于另一实 施例中，请参照图15，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件 600的封装体606未覆盖半导体组件104的上表面144，半导体组件104的上表面144外露， 使半导体组件104的产热快速地散逸至外界。详细而言，在图15中，只要半导体组件104 与环绕部650中至少一者的厚度经过适当设计，即可形成如图15所示的半导体封装件600。 进一步地说，只要在步骤S208、S210、S212中，使树脂层、纤维层与环绕部650的迭合高度不 过分超出半导体组件104的上表面144，于步骤S214完成后即可露出半导体组件104的上 表面144。于另一实施例的半导体封装件的制造方法中，亦可省略步骤S212，使环绕部650 的上表面662裸露出来。在适当地设计环绕部650的厚度下，使最终的半导体封装件中的 环绕部650的上表面662可低于、高于或大致上齐平于半导体组件104的上表面144。本发明上述实施例所揭露的半导体封装件及其制造方法，具有多项特征，列举部 份特征说明如下(1).基板的热膨胀系数与封装体的热膨胀系数相近，使整个半导体封装件的翘曲
量较小。(2).由于封装体的加工性较佳，使激光加工后的贯孔的内侧壁的斜度较小，贯孔 的顶部开口的面积因此可以更小，半导体封装件的输出/入接点的数目因此而增加。(3).半导体封装件的导电部可以是导电柱或焊球，增加半导体封装件在设计上的 弹性。(4).通过树脂层及纤维层的设计，可一次形成半导体组件与基板之间的底胶及封 装半导体组件的封胶。(5).半导体封装件可包括环绕部，增加半导体封装件的结构强度。综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发 明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动 与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
一种半导体封装件，包括一基板，具有一电性接点；一半导体组件，设于该基板上；一封装体，覆盖该半导体组件的至少一部分并定义一贯孔，该贯孔露出该电性接点，其中该封装体包括一树脂体及数个层纤维层，该些纤维层设于该树脂体内，各该纤维层定义呈数组型的数个纤维开孔；以及一导电部，通过该贯孔电性连接于该基板。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中各该纤维层由玻璃纤维所组成。
3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中各该纤维层包括数个条第一子纤维结构及 数个条第二子纤维结构，该些第一子纤维结构与该些第二子纤维结构交织且彼此固定。
4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电部导电柱或焊球。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该半导体组件覆晶，该树脂体的一部分填 充于该半导体组件与该基板之间。
6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该树脂体的一部分覆盖该半导体组件的上 表面。
7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该基板的侧面与该封装体的侧面切齐。
8.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括 一环绕部，环绕该半导体组件设置；其中，该封装体包覆该环绕部的至少一部分。
9.如权利要求8所述的半导体封装件，其中该环绕部埋设于该封装体的内部。
10.一种半导体封装件的制造方法，包括 提供一基板，该基板具有一电性接点；设置一半导体组件于该基板上； 形成一导电部于该电性接点上；迭合数个层树脂层及数个层纤维层于该基板上，该些树脂层及该些纤维层露出该半导 体组件，各该纤维层定义呈数组型的数个纤维开孔；施加压力及热量于该些树脂层及该些纤维层，使该些树脂层熔化，熔化的该些树脂层 于凝固后形成一树脂体，该树脂体及该些纤维层形成一封装体；形成一贯孔贯穿该树脂体与该些纤维层，以露出该电性接点；以及 切割该基板及该封装体。
11.如权利要求10所述的制造方法，其中于施加压力及热量于该些树脂层及该些纤维 层的该步骤之前，该制造方法更包括设置一环绕部环绕该半导体组件。
12.如权利要求11所述的制造方法，其中于该切割步骤中，切割路径经过重迭的该基 板、该封装体与该环绕部，使该基板的侧面、该封装体的侧面及该环绕部的侧面切齐。
全文摘要
一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体组件、封装体及导电部。基板具有电性接点。半导体组件设于基板上。封装体覆盖半导体组件并定义贯孔，贯孔露出电性接点。其中，封装体包括数层树脂体及数层纤维层。纤维层设于树脂体内并定义呈数组型的数个纤维开孔。导电部通过贯孔电性连接于基板。
文档编号H01L23/498GK101937885SQ20101025725
公开日2011年1月5日 申请日期2010年8月12日 优先权日2010年8月12日
发明者刘昭源, 谢慧英, 赵兴华, 钟智明 申请人:日月光半导体制造股份有限公司