专利名称：发光二极管制造方法
技术领域：
本发明涉及一种二极管制造方法，特别是指一种发光二极管制造方法。
背景技术：
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。在制造发光二极管的过程中，基于成本考虑，通常是先将多个发光二极管的基座一体制成为一整块基板，然后通过切割将其分为多个独立的基座，之后再将发光芯片设于各基座的收容槽内。由于需要对发光二极管的发光芯片进行保护，因此最后还须在各基座上固定透明的封装层。目前业界通常采用两种方法来实现封装层的固定，一种是直接将一整块封装板覆盖在涂有粘胶的基板上，然后与基板一同切割而与基板共同形成多个独立的封装个体；另一种则是先将封装板预先切割为多个独立的封装层，再在基板上放置一开设有多个定位孔的冶具，其中定位孔的尺寸要略大于收容槽的尺寸，然后在基板表面靠近收容槽边缘的位置处涂上粘胶，再将已切割好的封装层穿过定位孔粘结于基板表面，最后再将基板切割形成多个独立的发光二极管封装个体。然而，前述两种方法均存在不足之处前一种由于是将整块的封装板放置在基板上再进行切割，如若封装板放置的位置出现偏差，将会导致封装层相应的光学结构无法对准发光芯片而致使由整块基板切割的所有发光二极管的出光均发生偏移。再者，由于封装板与基板的硬度不同，在同时进行切割时容易导致切割失败率上升而影响产品良率。第二种方法需要使用到治具，由于一种治具仅能适用于一种孔径的基板，当用于不同孔径的基板时就需要同时更换治具，导致生产成本上升。
发明内容
故此，有必要提供一种成本低的发光二极管制造方法。一种发光二极管制造方法，包括步骤提供开设多个收容槽的基板，每一收容槽内具有台阶；将多个发光芯片分别固定于基板的多个收容槽内，使每一收容槽内至少具有一个发光芯片；通过粘胶分别将多个封装层固定在这些收容槽的台阶上；将基板切割为多个独立的发光二极管。 此制造方法由于在收容槽内形成有台阶，封装层可直接放置在台阶上而无需采用治具对其进行定位，故而该制造方法可省略掉治具从而节省整体的生产成本。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1示出了制造本发明第一实施例的发光二极管的第一个步骤。
图2示出了制造本发明第--实施例的发光二二极,^的第二个步骤。
图3示出了制造本发明第--实施例的发光二二极,^的第三个步骤。
图4示出了制造本发明第--实施例的发光二二极1f的第四个步骤，其中基板的被切开以方便观察。
图5示出了制造本发明第--实施例的发光二二极,^的第五个步骤。
图6示出了制造完成的第--实施例的发光二二极,r。
图7示出了制造本发明第二二实施例的发光二二极,^的一个步骤。
图8示出了制造完成的第二二实施例的发光二二极1r。
主要元件符号说明
基板10
收容槽12
台阶14
发光芯片20
粘胶30
封装层40
具体实施例方式请参阅图1-6，示出了一种制造第一实施例的发光二极管的方法。首先，提供一顶面开设有多个收容槽12的基板10。该基板10可采用塑料或其他适合的材料所制成，其具有一呈平板状的矩形构造。这些收容槽12沿平行基板10的四侧边的方向排列为矩阵，相邻二收容槽12之间隔出一段距离以避免彼此连通。每一收容槽12的下部的孔径要小于上部的孔径而在靠近其中部的位置处形成一台阶14。该台阶14平行于基板10顶面及收容槽12 底面。然后，在各收容槽12内分别设置发光芯片20。这些发光芯片20的材料可根据实际的发光需求进行选择，比如发红光的GaAsP，发黄光的InGaAlP,发蓝光的GaN，发绿光的GaP 等等。并且，每一收容槽12内的发光芯片20数量也可根据实际需求变化，比如两个、三个及以上，而并不限于图中所示出的一个。随后，在每一台阶14的表面涂覆一层粘胶30，再将多个已切割好的封装层40置于各收容槽12内。封装层40可由各种透明材料所制成，本实施例中优选为玻璃。每一封装层40大致呈矩形，其面积略小于收容槽12上部的面积并大于收容槽12下部的面积。封装层40通过粘胶30固定于台阶14表面，从而实现与基板10 的封装。最后，通过切割装置将基板10沿其割线切割为多个独立的发光二极管。每一割线平行于基板10的相应侧边且位于相邻二收容槽12之间，以便于将基板10均勻进行分割。应当指出，对于正装型的发光芯片20而言，上述制造过程中还包含有对其进行打线的步骤，但此步骤属于公知技术，因此并未列入上述制造过程中。对于倒装型的发光芯片 20而言，其在与基板10固定的过程中已完成电连接的步骤，因此无需再进行打线。可以理解地，对于不同形状的发光二极管，其制造方法也可作相应的变化以使制造更为灵活。比如当封装层40由上述平板状变化为图7-8所示的圆顶状时，其与基板10的固定过程就可与前述过程不同。具体而言，由于该封装层40的外表面呈外凸的弧形且其底面中部开设一空腔而形成一与外表面大致平行的弧形内表面，因此可先在封装层40位于内表面与外表面之间的底面点上粘胶30。该粘胶30可采用热熔胶(如EVA共聚物、聚酯、聚胺酯等)等相关材料所制成，其具备在高温下软化粘滞而在室温下硬化的特点。然后，对基板10进行加热，使其保持在粘胶30的软化温度之上。再将封装层40置于收容槽12内， 使其底面的粘胶30与基板10的台阶14接触。受基板10温度的影响，粘胶30发生软化而将封装层40与台阶14粘合。随后使基板10降到室温，使封装层40与基板10相固定。最后再对基板10切割，使其分成多个独立的发光二极管。 由于基板10上形成有台阶14，封装层40可直接置于台阶14上，无需借助治具来完成与基板10的定位过程。因此，此方法可有效降低发光二极管的制造成本，便于业界推广应用。并且，由于形成的台阶14可对粘胶30起到一收容作用，使其不致漫出基板10表面而导致对基板10造成污染，因此可确保基板10表面整洁，并可防止割线被溢出的粘胶30 覆盖的情况发生。
权利要求
1.一种发光二极管制造方法，包括步骤1)提供开设多个收容槽的基板，每一收容槽内具有台阶；幻将若干发光芯片分别固定于这些收容槽内，使每一收容槽内至少具有一个发光芯片；；3)提供多个封装体，将每一封装体通过粘胶固定于各收容槽的台阶表面；4)将基板切割为多个独立的发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于收容槽在台阶上部的孔径大于在台阶下部的孔径。
3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于台阶平行于基板顶面及收容槽底面。
4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于封装体由玻璃制成。
5.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于封装体的面积小于收容槽上部的面积并大于收容槽下部的面积。
6.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于步骤幻中的粘胶先涂覆于收容槽内的台阶表面，再与封装层相粘合。
7.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于步骤幻中的粘胶先涂覆于封装层底面，再与收容槽的台阶相粘合。
8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于在粘胶粘合台阶之前还包括对基板进行加热的步骤。
9.如权利要求8所述的发光二极管制造方法，其特征在于粘胶为热熔胶。
10.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于封装层包括一外凸的外表面及一内凹的内表面，粘胶涂覆于封装层的外表面与内表面之间。
全文摘要
一种发光二极管制造方法，包括步骤1)提供开设多个收容槽的基板，每一收容槽内具有台阶；2)将若干发光芯片分别固定于这些收容槽内，使每一收容槽内至少具有一个发光芯片；3)提供多个封装体，将每一封装体通过粘胶固定于各收容槽的台阶表面；4)将基板切割为多个独立的发光二极管。本发明的制造方法无需使用治具，可有效节省制造成本。
文档编号H01L33/00GK102412346SQ20101028981
公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月23日 优先权日2010年9月23日
发明者柯志勋, 詹勋伟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司