专利名称：发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法。
背景技术：
传统的发光二极管封装结构的切割方法一般采用激光切割，但是为了降低切割成本以及简化制程，目前在发光二极管制程上大多采用裂片(breaking)方式。具体方法为 在用于形成多个封装结构的封装基板上预切割多条切割线，在完成封装制程后，沿着所述切割线将多个发光二极管封装结构分别剥离下来，得到多个分离的发光二极体封装结构。 但是为了保持封装基板整体结构，防止在预切割或后续封装制程时封装基板出现断裂，切割线不能切的太深，这就导致了在剥离发光二极管封装结构的过程中，由于应力无法很好地进行传递至切割线处，容易造成剥离后的发光二极体封装结构边缘不规则，从而影响到发光二极体封装结构的良率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种剥离后的发光二极管封装结构边缘规则，良率较高的发光二极管封装基板以及发光二极管封装结构的形成方法。一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面。所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片。所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤提供一发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均勻分割成多个单片；在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上；沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。相较于现有技术，本发明的发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。
图1为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的俯视图。
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图2为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的仰视图。图3为图1中的发光二极管封装基板沿I-I的剖面示意图。图4为将图1中的发光二极管封装基板设置发光二极管晶粒的俯视图。图5为在图7中的发光二极管晶粒上设置封装层的发光二极管封装基板的俯视图。主要元件符号说明
发光二极I 封装基板100
上表面110
下表面120
切割线130
单片140
凹槽141
上电极142
下电极143
通孔150
切口160
发光二极I 晶粒 200
封装层300
具体实施例方式下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。请参阅图1，图2以及图3，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装基板100 包括相对的上表面110以及下表面120。所述上表面110以及下表面120分别形成有多条相交的横向及纵向的切割线130， 所述切割线130将所述发光二极管封装基板100均勻分割成多个单片140。为保持所述发光二极管封装基板100的整体结构，防止其断裂，所述切割线130的深度不宜太深，其具体深度应视基板材质而定。所述横向及纵向的切割线130的交点处形成有贯通所述发光二极管封装基板100 的上表面110以及下表面120的通孔150。在所述发光二极管封装基板100的上表面110上，所述每个单片140都开设有凹槽141，所述凹槽141中设置有上电极142。在所述发光二极管封装基板100的下表面120 上设置有与所述上电极142相对应的下电极143，所述上电极142与所述下电极143彼此电性连接。在本实施方式中，所述发光二极管封装基板100为一陶瓷基板。可以理解，在其他实施方式中，所述单片140上也可不形成凹槽141。所述通孔150内壁靠近所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面 120的上下两端沿所述切割线130分别开设有切口 160。所述切口 160与所述切割线130 连通，并且比所述切割线130的深度要深。在本实施方式中，所述切口 160在垂直所述发光二极管封装基板100的方向上呈“V”字型。本发明实施方式中的发光二极管封装基板100，由于预切割的所述切割线130的深度不深，从而可以很好的保持所述发光二极管封装基板100的整体性，防止在预切割或后续封装制程时所述发光二极管封装基板100出现断裂。同时，又由于所述发光二极管封装基板100的上下表面沿切割线130分别开设有切口，从而在剥离过程中，更有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率较高。请一并参阅图4以及图5，本发明实施方式提供一种发光二极管封装结构的形成方法，所述方法包括以下几个步骤步骤一，请参阅图1至图3，提供一发光二极管封装基板100，其包括相对的上表面 110以及下表面120，在所述上表面110以及下表面120分别对应预切割形成多条相交的横向及纵向的切割线130，所述切割线130将所述发光二极管封装基板100均勻分割成多个单片140。在所述发光二极管封装基板100的上表面110上，所述每个单片140都开设有凹槽 141，所述凹槽141中设置有上电极142。在所述发光二极管封装基板100的下表面120上设置有与所述上电极142相对应的下电极143，所述上电极142与所述下电极143彼此电性连接。步骤二，在所述横向及纵向的切割线130的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板100上表面110以及下表面120的通孔150。步骤三，在所述通孔150内壁靠近所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面120的上下两端沿所述切割线130分别开设切口 160。所述切口 160与所述切割线130连通，并且比所述切割线130的深度要深。在本实施方式中，所述切口 160在垂直所述发光二极管封装基板100的方向上呈“V”字型。步骤四，请参阅图4，将多个发光二极管晶粒200分别设置在所述每个单片140的凹槽141中，并且电性连接其中的上电极142。步骤五，请参阅图5，在每个单片140的凹槽141中形成封装层300，覆盖所述发光二极管晶粒200。在本实施方式中，所述封装层300可以为环氧树脂、硅树脂或者是两者组合材料构成。所述封装层300中还可包括有荧光粉，所述荧光粉可以为石榴石结构化合物、 硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料的组合。步骤六，沿着所述切割线130分别剥离下每个单片140，从而形成多个发光二极管封装结构。在剥离过程中，当对所述发光二极管封装基板100的上表面110施以下压力时，上表面110的切口 160处就会产生张应力，该应力将会向下延伸寻找所述发光二极管封装基板100的相对脆弱的区域，从而就会延伸至所述下表面120的相对较深的切口 160处，进而将发光二极管封装结构从所述发光二极管封装基板100上剥离下来。由于在所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面分别开设相对于切割线130较深的切口 160，从而更有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较尚ο相较于现有技术，本发明的发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权力药求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片，其特征在于，所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于所述基板为陶瓷基板。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于所述切口与所述切割线连通，并在垂直所述发光二极管封装基板的方向上呈“V”字型。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于在所述基板的上表面上，所述每个单片都开设有凹槽，所述凹槽中设置有上电极，在所述基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极，所述上电极与所述下电极彼此电性连接。
5.一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤提供一发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均勻分割成多个单片；在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上；沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于在所述发光二极管封装基板的上表面上，所述每个单片都开设有凹槽，所述凹槽中设置有上电极，在所述发光二极管封装基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极，所述上电极与所述下电极彼此电性连接。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于所述多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片的凹槽中，并且电性连接其中的上电极。
8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于所述切口与所述切割线连通，并呈“V”字型。
9.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于在将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上的步骤之后还包括在每个单片的凹槽中形成封装层，覆盖所述发光二极管晶粒的步骤。
全文摘要
一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面。所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片。所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。本发明的发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设有切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。
文档编号H01L33/00GK102412360SQ20101029042
公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月23日 优先权日2010年9月23日
发明者张超雄, 方荣熙, 胡必强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司