专利名称：高亮度大功率led及其制作方法
技术领域：
本发明涉及LED技术领域，特指高亮度大功率LED及其制作方法。
背景技术：
LED是一种半导体发光器件，被广泛的用做指示灯、显示屏等。白光LED被誉为替 代荧光灯和白炽灯的第四代照明光源。LED改变了白炽灯钨丝发光与荧光灯三基色粉发光 的原理，利用电场发光，具有光效高、无辐射、寿命长、低功耗和环保的优点。形成白光LED 的一种传统方式是蓝光或紫外芯片激发覆着在芯片上面的荧光粉，芯片在电驱动下发出的 光激励荧光粉产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光。随着LED应用的不断拓展，对 LED封装的发光效率要求也越来越高，而发光效率是决定LED封装的最重要的参数。
目前，LED包括基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连接基板的电 极，其一般做法是先将晶粒固定在基板内，然后将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上， 接着将荧光胶水注入基板内，最后烘烤使荧光胶水固化制成产品。但是现有的大功率LED 封装结构较复杂，封装有严重的散热问题，散热效率不佳，，LED芯片无法有效提升光通量， 而想要采取特定发光角度时还需使用透镜，如此这种封装结构降低良率，增加成本。因此， 如何提高LED封装的光通量同时又能解决散热问题成为业界急待解决的关键问题。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术存在的不足而提供一种能够增加光通量、并提高 散热效率的高亮度大功率LED，还提供了这种高亮度大功率LED的制作方法，旨在解决现有 的LED封装光通量低、散热效率低的问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是
高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线 连接基板的电极，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶粒的氧化铟锡 微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜。
所述纳米玻璃层的厚度为1 3 μ m。
所述导线为金线。
所述光控制膜厚度为50 lOOnm。
本发明还公开高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步骤
A、将纳米玻璃均勻分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；
B、对基板进行电浆表面处理；
C、将基板的特定区域点红胶；
D、将纳米玻璃溶液注入基板内；
E、烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均勻沉积于基板的内表面 形成纳米玻璃层；
F、去除红胶；
G、将晶粒固定在基板内；
H、将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上；
I、将荧光胶水注入基板内；
J、将氧化铟锡微透镜盖于基板上；
K、烘烤；
L、在氧化铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜。
步骤E中基板在100 150°C的温度下烘烤5 15分钟。
步骤A中所述可挥发溶剂为醇类溶剂，如甲醇、乙醇等，其中纳米玻璃溶液包括以 下重量百分比的组分
醇99 99. 9%
纳米玻璃0. 1 1 %
分散剂0 0.01%。
所述分散剂为纳米级脂肪酸。
步骤L中所述光控制膜厚度为50 lOOnm。
本发明有益效果在于本发明包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通 过导线连接基板的电极，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶粒的氧 化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有 光控制膜，在将晶粒固定在基板之前，先将均勻分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液， 然后将纳米玻璃溶液注入基板内，烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均 勻沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层，固晶后将氧化铟锡微透镜盖于基板上，并在氧化 铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层为高效反射层，提升光通量， 降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜将点光源变成面光源，使光线均勻分布，又配合光控 制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散热效率。
图1是本发明的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明，见图1所示
实施例1
高亮度大功率LED包括有基板1和晶粒2，晶粒2固定安装在基板1内，晶粒2通 过导线3连接基板1的电极，导线3为金线，电阻低，减少发热量。基板1的内表面涂覆有 纳米玻璃层4，纳米玻璃层4的厚度为1 3 μ m，厚度为1 3 μ m时具有较佳的综合性能， 如可以是1 μ m、l. 5 μ m、2 μ m、3 μ m等，优选为2 μ m。基板1上盖设有遮罩住晶粒2的纳米 级氧化铟锡微透镜5，氧化铟锡微透镜5与晶粒2之间设有荧光胶7，氧化铟锡微透镜5的 外侧表面设有光控制膜6，光控制膜6厚度为50 lOOnm，如可以是50nm、75nm、90nm、IOOnm 等，优选为75nm。
采用上述封装结构的高亮度大功率LED的制作方法，包括以下步骤4
1、将纳米玻璃均勻分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；
2、对基板1进行电浆表面处理；
3、用点胶机将基板1的特定区域点红胶，该特定区域为电极的区域；
4、用点胶机将将纳米玻璃溶液点入基板1内；
5、基板1在100 150°C的温度下烘烤5 15分钟，使纳米玻璃溶液中的可挥发 溶剂挥发，纳米玻璃均勻沉积于基板1的内表面形成纳米玻璃层4 ；
6、去除红胶；
7、将晶粒2固定在基板1内；
8、将导线3的两分别焊接在晶粒2和基板1电极上；
9、将荧光粉加胶水混合配备成荧光胶水；
10、将荧光胶水用点胶机点入基板1内；
11、用自动盖透镜机将氧化铟锡微透镜5盖于基板1上；
12、烘烤使荧光胶水固化；
13、在氧化铟锡微透镜5上贴光控制膜6或镀光学膜。
其中，可挥发溶剂为醇类溶剂，纳米玻璃溶液包括重量分的组分甲醇98. 99、纳 米玻璃1、纳米级脂肪酸0.01。
本发明在将晶粒2固定在基板1之前，先将均勻分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻 璃溶液，然后将纳米玻璃溶液注入基板1内，烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳 米玻璃均勻沉积于基板1的内表面形成纳米玻璃层4，固晶后将氧化铟锡微透镜5盖于基板 1上，并在氧化铟锡微透镜5上贴光控制膜6或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层4为高效 反射层，提升光通量，降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜5将点光源变成面光源，使光 线均勻分布，又配合光控制膜6控制出光角度，可有效增加光通量至160-180Lm，并提高散 热效率。
实施例2
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分乙醇99、纳米玻璃0. 99、 纳米级脂肪酸0.01。
实施例3
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分甲醇99. 9、纳米玻璃0. 1。
实施例4
与实施例1不同的是，纳米玻璃溶液包括重量分的组分乙醇99. 89、纳米玻璃 0. 1、纳米级脂肪酸0.01。
当然，以上所述仅是本发明的较佳实施例，故凡依本发明专利申请范围所述的构 造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。
权利要求
1.高亮度大功率LED，它包括有基板和晶粒，晶粒固定安装在基板内，晶粒通过导线连 接基板的电极，其特征在于所述基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设有遮罩住晶 粒的氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表 面设有光控制膜。
2.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述纳米玻璃层的厚度为 1 3 μ m0
3.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述导线为金线。
4.根据权利要求1所述的高亮度大功率LED，其特征在于所述光控制膜厚度为50 IOOnm0
5.高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤A、将纳米玻璃均勻分散于可挥发溶剂中，制得纳米玻璃溶液；B、对基板进行电浆表面处理；C、将基板的特定区域点红胶；D、将纳米玻璃溶液注入基板内；E、烘烤使纳米玻璃溶液中的可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均勻沉积于基板的内表面形成 纳米玻璃层；F、去除红胶；G、将晶粒固定在基板内；H、将导线的两分别焊接在晶粒和基板电极上；I、将荧光胶水注入基板内；J、将氧化铟锡微透镜盖于基板上；K、烘烤；L、在氧化铟锡微透镜上贴光控制膜或镀光学膜。
6.根据权利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 在100 150°C的温度下烘烤5 15分钟。
7.根据权利要求5所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 可挥发溶剂为醇类溶剂，其中纳米玻璃溶液包括以下重量百分比的组分醇 99 99. 9%纳米玻璃0. 1 分散剂0 0.01%。
8.根据权利要求7所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于 纳米级脂肪酸。
9.根据权利要求5-8任意一项所述的高亮度大功率LED的制作方法，其特征在于步 骤L中所述光控制膜厚度为50 lOOnm。步骤E中基板 步骤A中所述所述分散剂为
全文摘要
本发明涉及LED技术领域，特指高亮度大功率LED及其制作方法，它包括有基板和晶粒，基板的内表面涂覆有纳米玻璃层，基板上盖设氧化铟锡微透镜，氧化铟锡微透镜与晶粒之间设有荧光胶，氧化铟锡微透镜的外侧表面设有光控制膜，在将晶粒固定在基板之前，先将均匀分散于可挥发溶剂中，然后注入基板内，烘烤使可挥发溶剂挥发，纳米玻璃均匀沉积于基板的内表面形成纳米玻璃层，固晶后将氧化铟锡微透镜盖于基板上，并贴光控制膜或镀光学膜，本发明利用纳米玻璃层为高效反射层，提升光通量，降低光损失，同时利用氧化铟锡微透镜将点光源变成面光源，使光线均匀分布，又配合光控制膜控制出光角度，有效增加光通量，并提高散热效率。
文档编号H01L33/64GK102034919SQ201010509110
公开日2011年4月27日 申请日期2010年10月15日 优先权日2010年10月15日
发明者陈林 申请人:陈林