专利名称：发光器件、发光器件封装以及照明系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
背景技术：
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。最近，LED的亮度增加， 使得LED已经被采用为用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采 用磷光体或者组合具有各种颜色的LED来呈现具有优秀的光效率的白色。从LED发射的光的波长取决于用于制造LED的半导体材料。这是因为取决于LED 的有源层的能带，即，取决于表示价带和导带的电子之间的能量差的半导体材料的带隙来 确定发射的光的波长。同时，LED的亮度根据诸如有源层的结构、用于将光提取到外部的光提取结构、芯 片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件而被改变。如果改进有源层的结构，那 么能够提高LED的内量子效率，从而能够提高LED的亮度。
发明内容
实施例提供能够提高亮度的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及 照明系统。实施例提供能够发射具有各种波长带的光的发光器件、制造发光器件的方法、发 光器件封装、以及照明系统。根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及在第 一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，其中所述第一有源层发射 具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二 波长带的光。制造发光器件的方法包括下述步骤，形成第一导电半导体层；在第一导电半导体 层上形成包括第一和第二有源层的有源层；以及在有源层上形成第二导电半导体层；其中 所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且第二有源层发射具有比 第一波长带短的第二波长带的光。根据实施例的发光器件封装包括发光器件；封装主体，该封装主体用于在其上 安装发光器件；以及电极层，该电极层被电气地连接到发光器件。该发光器件包括第一导 电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二 有源层的有源层，其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且第 二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。根据实施例的照明系统包括发光模块，该发光模块包括衬底和被安装在衬底上 的发光器件，其中该发光器件包括第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及在第一和 第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，并且其中第一有源层发射具有 440nm至500nm的第一波长带的光，并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；图2A是示出图1中所示的发光器件的有源层的示例的截面图；图2B是示出图1中所示的发光器件的有源层的另一示例的截面图图3是示出图1中所示的发光器件的有源层的能带的视图；图4是示出根据图1中所示的发光器件的有源层的波长的亮度的图；图5是示出硅酸盐基磷光体的发光效率的图；图6是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；图7是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；图8是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透 视图；以及图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明系统的透视图。
具体实施例方式在实施例的描述中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一 基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间 接”在另一基板上、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已 经参考附图描述了层的这样的位置。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意 性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方 法、发光器件封装以及照明系统。图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。参考图1，发光器件100包括衬底110、缓冲层115、未掺杂的半导体层120、第一导 电半导体层130、具有第一和第二有源层141和142的有源层140、第二导电半导体层150、 透明电极层16、第一电极180以及第二电极170。通过CVD (化学气相沉积)、MBE (分子束外延)、溅射、或者HVPE (氢化物气相外延) 方案能够在衬底110上形成缓冲层115、未掺杂的半导体层120、第一导电半导体层130、有 源层140以及第二导电半导体层150，但是实施例不限于此。衬底110 可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO, Si、GaP、InP、或者 Ge 中的至少一个。缓冲层115能够形成在衬底110上以减少衬底110和第一导电半导体层130之间 的晶格错配。例如，缓冲层115可以包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、或者AlInGaN中的至少一 个。未掺杂的半导体层120能够形成在缓冲层115上。例如，未掺杂的半导体层120 可以包括未掺杂的GaN层，但是实施例不限于此。能够形成缓冲层115或者未掺杂的半导体层120中的至少一个或者能够省略缓冲层115和未掺杂的半导体层120。第一导电半导体层130形成在未掺杂的半导体层120上。例如，第一导电半导体层 130可以包括η型半导体层。η型半导体层可以包括具有Μ/ ρ^Ν (0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的组合式的半导体材料。例如，η型半导体层可以包括从由IniUGaN、GaN, AlGaN, InGaN, A1N、以及InN组成的组中选择的一个。另外，η型半导体层可以掺杂有诸如 Si、Ge或者Sn的η型掺杂物。另外，通过将三甲基镓(TMGa)气体、三乙基镓(TEGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2) 以及η型掺杂物注入腔体能够形成第一导电半导体层130。有源层140形成在第一导电半导体层130上。有源层140包括第一有源层141和 形成在第一有源层141上的第二有源层142。通过第一导电半导体层130注入的电子(或者空穴)在有源层140处遇到第二导 电半导体层150注入的空穴(或者电子)，使得有源层140能够基于根据有源层140的材料 确定的能带的带隙发射光。例如，第一有源层141能够发射具有大约440nm至550nm的第一波长带的蓝光，并 且第二有源层142能够发射具有大约380nm至小于440nm的第二波长带的UV光。有源层140可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点 结构中的至少一个。参考图1，第二有源层142形成在第一有源层141上，但是实施例不限于此。S卩，根 据另一实施例，第一有源层141能够形成在第二有源层142上。图2A是示出有源层140的示例的截面图。参考图2A，第一有源层141可以包括多个第一阱层141a和141c以及第一阻挡层 141b和141d。另外，第二有源层142可以包括多个第二阱层14 和142c和第二阻挡层 142b 和 142d。如图2A中所示，第一阱层141a和141c与第一阻挡层141b和141d交替地堆叠， 并且第二阱层14 和142c与第二阻挡层14 和142d交替地堆叠。例如，第一有源层141的第一阱层141a和141c能够发射具有440nm至500nm的 波长带的蓝光并且可以包括hxGai_xN(0彡χ彡1)。另外，第一阻挡层141b和141d可以包 括InyGai_yN(0彡y彡1)，其中χ和y具有y < χ的关系。第一阱层141a和141c可以具有大约5 □至50 □的厚度wl，并且第一阻挡层141b 和141d可以具有大约10 □至300 □的厚度bl。因此，第一阻挡层141b和141d的厚度bl 与第一阱层141a和141c的厚度wl的比率大约是0. 2至60，优选地，wl/bl = 20 □ /IOOD0这时，第一有源层141的生长温度大约是700°C至900°C，优选地，大约750°C。另外，第二有源层142的第二阱层14 和142c能够发射具有380nm至小于440nm 的波长带的光并且可以包括InxGi^xlN(0 < χ < 1)。另外，第二阻挡层14 和142d可以包 括 Ιηχ2Α1#&1_χ2ιΝ(0 彡 x2 彡 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x2+y ^ 1)，其中 xl 和 x2 具有关系 x2<xl。第二阱层14 和142c可以具有大约5 □至50 □的厚度w2，并且第二阻挡层142b 和142d可以具有大约10 □至300 □的厚度1^2。因此，第二阻挡层14 和142d的厚度M 与第二阱层14 和142c的厚度w2的比率大约是0. 2至60，优选地，W2/Id2 = 15 □/70 D0这时，第二有源层142的生长温度是大约700°C至900°C，优选地，大约810°C。第二有源层142的生长温度可以等于或者大于第一有源层141的生长温度。另外，当第二阱层14 和142c的铟含量被设置为xl并且第一阱层141a和141c 的铟含量被设置为X时，X和Xl具有关系Xl < X。由于第二阻挡层142b和142d可以包括 铝(Al)，因此，如图3中所示，第二有源层142的带隙可以大于第一有源层141的带隙。从第二有源层142发射的具有第二波长带的光可以激励磷光体，例如，硅酸盐基 磷光体，从而能够提高包括发光器件和磷光体的发光器件封装的亮度。尽管优选地采用硅 酸盐基磷光体，但是实施例可以不限制磷光体的类型。有源层140a可以包括TMGa、TEGa, NH3> N2, TMAl或者TiOn。另外，有源层可以具 有包括IniUGaN、InGaN或者feiN的MQW结构，但是实施例不限于此。尽管在上面的实施例中已经描述了一个第一有源层141和一个第二有源层142， 但是可以取决于发光器件100的设计更改第一和第二有源层141和142的数目并且实施例 可以不限制第一和第二有源层141和142的数目。图2B是示出有源层140的另一示例的 截面图。S卩，如图2B中所示，有源层140包括相互交替堆叠的多个第一有源层141和第二 有源层142。尽管图2B示出包括阱层141a和14 以及阻挡层141b和142b的第一有源层 141，但是实施例不限于此。根据另一实施例，第一有源层141可以包括相互交替堆叠的多 个第一阱层141a和第一阻挡层141b，并且第二有源层142可以包括相互交替堆叠的多个第 二阱层14 和第二阻挡层142b。第一阻挡层141b直接形成在第一阱层141a上，第二阱层14 直接形成在第一阻 挡层141b上，并且第二阻挡层14 直接形成在第二阱层14 上。在下文中，将会参考图3至图5详细地描述有源层140的操作原理。图3是示出有源层140的能带的视图，图4是示出根据有源层140的波长的亮度 的视图，并且图5是示出硅酸盐基磷光体的发光效率的图。作为示例，在图3中示出图2B 中所示的有源层140的能带。参考图3，有源层140的能带包括价带VB和导带CB。有源层140的电子可以属于价带VB和导带CB中的一个。具有稳定的能量的电子 可以属于价带VB并且通过外部能量激励的电子可以属于导带CB。属于导带CB的电子返回 到价带VB同时生成能量，从而发射光。这时，基于导带CB和价带VB的能带的带隙确定光 的波长。当导带CB和价带VB的能带具有第一带隙Tl时，能够从第一有源层141发射第一 光(a)，并且当导带CB和价带VB的能带具有大于第一带隙Tl的第二带隙T2时，能够从第 二有源层142发射第二光(b)。如上所述，从第一有源层141发射的第一光(a)可以具有440nm至500nm的第一 波长带，并且从第二有源层142发射的第二光(b)可以具有380nm至小于440nm的第二波 长带。即，由于第一带隙Tl小于第二带隙T2，所以第一波长带大于第二波长带。这时，根据有源层140的材料可以确定导带CB和价带VB的能带。由于能够通过 使用不同的材料形成第一和第二有源层141和142，所以有源层140可以发射包括具有第一 波长带的第一光(a)和具有第二波长带的第二光(b)的光。另外，图3表示包括相互交替堆叠的第一和第二有源层141和142的有源层140的能带。能带可以取决于有源层140的堆叠结构而改变，并且实施例不限于此。参考图4，第一光(a)可以在大约440nm至500nm的第一波长带中具有峰值波长， 并且第二光(b)可以在大约380nm至小于440nm的第二波长带中具有峰值波长。同时，亮 度可以取决于有源层140的材料而改变并且实施例不限于图4中所示的亮度分布。在下文中，将会参考图5描述根据硅酸盐基磷光体的波长的发光效率。在440nm至 500nm的第一波长带以及在380nm至小于440nm的波长带中磷光体具有优秀的发光效率。 因此，通过从第一有源层141发射的第一光(a)和从第二有源层142发射的第二光(b)激 励磷光体使得磷光体发射光。更加详细地，第一光(a)的是蓝光的部分激励磷光体以允许 磷光体发射黄光并且第一光(a)的剩余部分被实现为蓝光。另外，具有380nm至小于440nm 的波长带的第二光(b)激励磷光体以允许磷光体发射黄光。即，第一光(a)激励磷光体并 且与从磷光体发射的光混合以产生白光。相反地，第二光(b)激励磷光体而没有与从磷光 体发射的光混合，从而提高黄光的发光效率。根据实施例，通过具有440nm至500nm的波长带的蓝光并且通过具有380nm至小 于440nm的短的波长带的光能够激励磷光体，从而能够提高磷光体的发光效率。参考图5， 380nm至小于440nm的第二波长带中的发光效率稍微高于440nm至500nm的第一波长带中 的发光效率，从而能够有效地提高发光效率。因此，通过使用包括第一和第二有源层141和 142的发光器件100和磷光体能够提供具有优秀的亮度的发光器件封装。第二导电半导体层150形成在有源层140上。例如，第二导电半导体层150可以包 括P型半导体层。P型半导体层可以包括具有h/lyGhuN (Ox彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 的组合式的半导体材料。详细地，P型半导体层可以包括从由IniUGaN、GaN、AWaN、InGaN、 A1N、以及InN组成的组中选择的一个并且能够被掺杂有诸如Mg的ρ型掺杂物。另外，通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气汎)以及ρ型掺杂物注入腔 体能够形成第二导电半导体层150，但是实施例不限于此。根据实施例，与是η型半导体层的第一导电半导体层130相邻的第一有源层141 可以发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且与是ρ型半导体层的第二导电半导 体层150相邻的第二有源层142可以发射具有380nm至小于440nm的第二波长带的光，但 是实施例不限于此。因此，ρ型掺杂物和η型掺杂物能够分别被掺杂在第一和第二导电半导体层130和 150中，但是实施例不限于此。另外，尽管在附图中没有示出，但是第三导电半导体层(未示 出)能够形成在第二导电半导体层150上。因此，发光器件100可以具有ρη、ηρ、ρηρ以及 ηρη结结构中的一个。透明电极层160形成在第二导电半导体层150上。透明电极层160可 以包括从由 ΙΤ0、IZO (In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、或者 Ni/Ir0x/Au/IT0 组成的组中选择的至少一个， 但是实施例不限于此。第二电极170形成在透明电极层160上并且第一电极180形成在第一导电半导体 层130上。这时，执行台面蚀刻以暴露第一导电半导体层130并且第一电极180形成在暴 露的第一导电半导体层130上。第一和第二电极170和180将电力提供给发光器件100。在下文中，将会描述制造根据第二实施例的发光器件100B的方法。相同的附图标 记将会被分配给相同的元件并且将会省略在第一实施例中已经解释的元件和结构的描述以避免重复。图6是示出根据第二实施例的发光器件100B的截面图。参考图6，发光器件100B包括第一导电半导体层130、具有第一有源层141和第二 有源层142的有源层140、第二导电半导体层150、反射层162、导电支撑构件172、以及第一 电极182。发光器件100B是垂直型发光器件，其中导电支撑构件172和第一电极182分别被 提供在其底表面和顶表面上。通过在从图1中所示的发光器件100移除衬底110之后在第 二导电半导体层150上形成反射层162和导电支撑构件172能够获得发光器件100B。通过激光剥离工艺或者蚀刻工艺能够移除衬底110，但是实施例不限于此。随着衬底110被移除，缓冲层115、未掺杂的半导体层120、以及第一导电半导体层 130的表面可以被暴露并且通过ICP/RIE (感应耦合等离子体/反应离子蚀刻)工艺可以抛 光暴露的表面。可以部分地或者完全地移除缓冲层115、未掺杂的半导体层120、以及第一导电半 导体层130。反射层162形成在第二导电半导体层150上。反射层162可以包括从由具有高反 射率的Ag、Ag合金、Al或者Al合金组成的组中选择的至少一个。导电支撑构件172可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo或者掺杂有杂质 的半导体材料组成的组中选择的至少一个。导电支撑构件172将电力提供给发光器件100B 和第一电极182。图7是示出根据实施例的包括发光器件100和磷光体的发光器件封装600的截面 图。尽管发光器件封装600包括根据第一实施例的发光器件100，但是根据第二实施例的发 光器件100B也能够用于发光器件封装600。发光器件封装600包括封装主体201、形成在封装主体201上的第一和第二电极层 202和203、发光器件100以及成型构件204。封装主体201可以包括硅、合成树脂或者金属材料并且具有带有倾斜侧壁的腔 体。第一和第二电极层202和203被相互电气地隔离以将电力提供给发光器件100。 另外，第一和第二电极层202和203反射从发光器件100发射的光以提高光效率并且将从 发光器件100产生的热发散到外部。发光器件100能够被安装在封装主体201或者第一和第二电极层202和203上。发光器件100通过引线键合方案、倒装芯片安装方案或者贴片方案中的至少一个 电气地连接到第一和第二电极层202和203。根据实施例，发光器件100的第一和第二电 极180和170通过电线分别电气地连接到第一和第二电极层202和203，但是实施例不限于 此。例如，发光器件100能够通过电线连接到第一电极层202并且通过贴片方案电气地连 接到第二电极层203。成型构件204包围发光器件100以保护发光器件100。发光器件封装600可以进一步包括透镜205。透镜205被提供在主体201上以调 节从发光器件封装600发射的光的分布。成型构件204或者透镜205中的至少一个可以包括磷光体。
由于从发光器件发射的光包括具有第一波长带的第一光(a)和具有第二波长带 的第二光(b)，所以光激励提供在成型构件204或者透镜205中的磷光体以调节从发光器件 封装600发射的光的颜色同时提高光的亮度。特别地，具有第二波长带的第二光(b)能够有效地激励磷光体，从而能够提高从 发光器件封装600发射的光的亮度。根据实施例的多个发光器件封装可以被排列在衬底上，并且包括导光板、棱镜片、 漫射片或者荧光片的光学构件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光 器件封装、衬底、以及光学构件可以用作背光单元或者照明系统。例如，照明系统可以包括 背光单元、照明单元、指示器、灯或者街灯。图8是示出根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的背光单元1100的分解 透视图。图8中所示的背光单元1100是照明系统的示例并且实施例不限于此。参考图8，背光单元1100包括底盖1140、安装在底盖1140中的导光构件1120、以 及安装在导光构件1120的底表面上或者一侧的发光模块1110。另外，反射片1130被布置 在导光构件1120的下面。底盖1140具有具有顶表面开口的盒形状以在其中容纳导光构件1120、发光模块 1110以及反射片1130。另外，底框1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施例不限 于此。发光模块1110可以包括衬底700和安装在衬底上的多个发光器件封装600。发光 器件封装600将光提供给导光构件1120。根据实施例，发光模块1110包括被安装在衬底 700上的发光器件封装600。然而，也能够直接安装发光器件。如图8中所示，发光模块1110被安装在底框1140的至少一个内侧上以将光提供 给底框1140的至少一侧。另外，发光模块1110能够被提供在底盖1140的下面以朝着导光构件1120的底表 面提供光。这样的布置能够根据背光单元1100的设计而不同地改变并且实施例不限于此。导光构件1120被安装在底盖1140中。导光构件1120将从发光模块110发射的 光转换为表面光以朝着显示面板(未示出)导向表面光。导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯) 的丙烯酸基树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二酯)、PC (聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚邻苯二甲 酸酯)树脂能够制造导光板。光学片1150可以被提供在导光构件1120的上方。光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中至少一个。例 如，光学片1150具有漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况 下，漫射片均勻地漫射从发光模块1110发射的光使得能够通过聚光片将漫射的光聚集在 显示面板上。从聚光片输出的光被任意地偏振并且亮度增加片增加从聚光片输出的光的偏 振的程度。聚光片可以包括水平和/或垂直棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增 强膜并且荧光片可以包括包含磷光体的透射膜或者透射板。反射片1130能够被布置在导光构件1120的下方。反射片1130将通过导光构件 1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。反射片1130可以包括诸如PET、PC或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是实施例不限于此。图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明系统1200的透 视图。图9中所示的照明系统1200仅用于示出目的并且实施例不限于此。参考图9，照明系统1200包括壳体1210、被安装在壳体1210中的发光模块1230、 以及被安装在壳体1210中的连接端子1220以接收来自于外部电源的电力。优选地，壳体1210包括具有优秀的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材 料或者树脂材料。发光模块1230可以包括衬底700和被安装在衬底700上的至少一个发光器件封 装600。根据实施例，发光模块1110包括被安装在衬底700上的发光器件封装600。然而， 也能够直接地安装发光器件100。衬底700包括被印制有电路图案的绝缘构件。例如，衬底700包括PCB(印刷电路 板)、MC (金属核)PCB、F (柔性)PCB、或者陶瓷PCB。另外，衬底700可以包括有效地反射光的材料。衬底300的表面能够被涂有诸如 白色或者银色的颜色，以有效地反射光。至少一个根据实施例的发光器件封装600能够被安装在衬底700上。每个发光器 件封装600可以包括至少一个LED (发光二极管)。LED可以包括发射具有红、绿、蓝或者白 色的光的彩色LED和发射UV光的UV (紫外线)LED。可以不同地布置发光模块1230的LED以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白 色的LED、红色的LED以及绿色的LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被提供 在从发光模块1230发射的光的路径中以更改从发光模块1230发射的光的波长。例如，如 果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄色磷光体。在这样 的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片使得光被观察为白光。连接端子1220被电气地连接至发光模块1230以将电力提供给发光模块1230。参 考图9，连接端子1220具有与外部电源插座螺丝耦合的形状，但是实施例不限于此。例如， 能够以通过插入到外部电源或通过电线连接至外部电源的插脚的形式制备连接端子1220。根据如上所述的照明系统，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中 的至少一个被提供在从发光模块发射的光的路径中，使得能够实现所想要的光学效果。如上所述，照明系统可以包括能够降低操作电压同时提高光效率的发光器件封装 或者发光器件，使得能够提高照明系统的可靠性和光效率。实施例能够提供能够提高亮度的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、 以及照明系统。实施例能够提供发光器件和制造发光器件的方法，其中发光器件能够通过调节有 源层中的化和々1的组成、有源层的厚度以及有源层的生长温度来发射具有各种波长带的光。在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结 合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中， 在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、 结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领 域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域 的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加 具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/ 或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对 于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件，包括第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及在所述第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源 层发射具有比所述第一波长带短的第二波长带的光。
2.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第二有源层形成在所述第一有源层上， 或者所述第一有源层形成在所述第二有源层上。
3.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第一有源层包括多个第一有源层，所述 第二有源层包括多个第二有源层，并且所述第一和第二有源层相互交替堆叠。
4.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第二波长带处于380nm至小于440nm的 范围内。
5.如权利要求1中所述的发光器件，其中所述第一有源层包括多个第一阱层和与所述 第一阱层交替地排列的第一阻挡层，并且所述第二有源层包括多个第二阱层和与所述第二 阱层交替地排列的第二阻挡层。
6.如权利要求5中所述的发光器件，其中每个第一阻挡层的厚度与每个第一阱层的厚 度的比率大约从0.2至60。
7.如权利要求5中所述的发光器件，其中每个第二阻挡层的厚度与每个第二阱层的厚 度的比率大约从0.2至60。
8.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第二阱层包括InxlGai_xlN(0≤xl≤1)， 并且所述第二阻挡层包括 Inx2Aly(iai_x2_yN(0 ≤ x2 ≤ 1,0 ≤y ≤ 1,0 ≤ x2+y ≤ 1)，其中 xl 和x2具有关系x2 <xl。
9.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第一阱层包括LxlGiVxN(0≤xl≤1)， 并且所述第一阻挡层包括hy(iai_yN(()≤y≤1)，其中χ和y具有关系y < χ。
10.如权利要求5中所述的发光器件，其中所述第二阱层包括InxlGai_xlN(0≤xl≤1)， 并且所述第一阱层包括InxGai_xN(0≤χ≤1)，其中xl和χ具有关系χ < χ。
11.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层下面的衬底。
12.如权利要求11中所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述衬 底之间的缓冲层或者未掺杂的半导体层中的至少一个。
13.如权利要求1中所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层下面的导 电支撑构件。
14.一种发光器件封装，包括发光器件，所述发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一 和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，其中所述第一有源层发射具 有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源层发射具有比所述第一波长带短 的第二波长带的光；封装主体，所述封装主体用于在其上安装所述发光器件；以及电极层，所述电极层被电气地连接到所述发光器件。
15. 一种照明系统，包括发光模块，所述发光模块包括衬底和被安装在所述衬底上的发光器件， 其中所述发光器件包括 第一导电半导体层； 第二导电半导体层；以及在所述第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层，并且 其中所述第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且所述第二有源 层发射具有比所述第一波长带短的第二波长带的光。
全文摘要
本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层；第二导电半导体层；以及第一和第二导电半导体层之间的包括第一和第二有源层的有源层。第一有源层发射具有440nm至500nm的第一波长带的光，并且第二有源层发射具有比第一波长带短的第二波长带的光。
文档编号H01L33/48GK102074626SQ20101051579
公开日2011年5月25日 申请日期2010年10月19日 优先权日2009年10月19日
发明者孙孝根 申请人:Lg伊诺特有限公司