专利名称：液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器，尤指一种提升开口率的液晶显示器。
背景技术：
功能先进的显示器渐成为现今消费电子产品的重要特色，其中液晶显示器已经逐 渐成为各种电子设备如行动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记型计 算机屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。液晶显示器包含二个具有电极的基材以及夹在二个基材间的液晶层。电压施加至 电极，使液晶层内的液晶分子被再定向以控制光透射。电极皆可形成在基材之一。基材之 一称为"薄膜晶体管阵列面板"，另一基材称为"滤色(color filter)基材"。薄膜晶体 管阵列面板具有复数扫描线、横过扫描线而界定像素区的数据线、形成在各个像素区而电 连接至栅极及数据线的薄膜晶体管以及电连接至薄膜晶体管的像素电极。储存电容形成在 薄膜晶体管阵列面板以使电压以稳定方式施加至配置于二个基材间的液晶。为了此目的， 储存电容的金属线会与扫描线使用相同金属层，使其与像素电极重迭以形成储存电容。请参阅图1，图1为先前技术的薄膜晶体管阵列面板10的局部平面图。薄膜晶体 管阵列面板10采用双重栅极线(dual gate)设计，当栅极驱动器(图未示)经由扫描线22 输出扫描信号使得每一列的晶体管观依序开启，同时源极驱动器(图未示)则经由数据线 20输出对应的数据信号至一整列的像素电极M使其充电到各自所需的电压，以显示不同 的灰阶。当同一列充电完毕后，栅极驱动器便将该列的扫描信号关断，然后再输出扫描信号 将下一列的晶体管观导通，再由源极驱动器对下一列的像素电极M进行充电。如此依序 下去，直到薄膜晶体管阵列面板10的所有像素电极M都充电完成，再从第一列开始充电。 为了让像素电极M在没有扫描信号驱动晶体管观时，仍能依据数据信号显示灰阶，在像素 电极M的对应处有设置一储存电容电极线26。储存电容电极线沈与像素电极M之间的 间距就是储存电容。储存电容会储存数据信号使得像素电极M维持在固定的电压直到下 一次扫描充电为止。然而，储存电容电极线沈与扫描线22虽为不同信号但使用同一金属层，因此在电 路布局时，必须考虑信号耦合(coupling)效应以及制程精度的限制。这使得储存电容电极 线26与扫描线22之间必须保留间距dl。间距dl越大，像素设计的开口率越小，透过率较 低，进而增加薄膜晶体管阵列面板10的成本。
发明内容
因此，本发明的主要目的在于提供一种能增加开口率的液晶显示器，不仅可克服 制程精度上的限制，也可增加辉度并降低制造成本，以解决上述先前技术的问题。本发明提供一种液晶显示器，其包含第一像素电极、第二像素电极、第一扫描线、 第二扫描线、数据线、第一储存电容电极线及第二储存电容电极线。该第一扫描线电性连接 该第一像素电极，该第二扫描线电性连接该第二像素电极。该数据线电性连接该第一像素电极和该第二像素电极。该第一储存电容电极线以及一第二储存电容电极线形成在该数 据线的两旁而横过该第一扫描线以及该第二扫描线，该第一储存电容电极线还包含一第一 储存电容电极延伸线，自该第一储存电容电极线朝该数据线方向延伸，以及该第二储存电 容电极线还包含一第二储存电容电极延伸线，自该第二储存电容电极线朝该数据线方向延 伸，且该第一像素电极的边缘与该第一储存电容电极线和该第一储存电容电极延伸线部分 重迭，该第二像素电极的边缘与该第二储存电容电极线和该第二储存电容电极延伸线部分 重迭。依据本发明的实施例，该第一、第二储存电容电极线与该数据线以相同的材料形 成。依据本发明的实施例，该液晶显示器还包含一连接区，电性连接该第一储存电容 电极延伸线和该第二储存电容电极延伸线。依据本发明的实施例，该液晶显示器还包含第三扫描线、第四扫描线、第三像素电 极以及第四像素电极，该第三像素电极电性连接该数据线以及该第一储存电容电极线，该 第四像素电极电性连接该数据线以及该第二储存电容电极线，该第三扫描线电性连接该第 三像素电极，该第四扫描线电性连接该第四像素电极。该第一储存电容电极线还包含一第 三储存电容电极延伸线，自该第一储存电容电极线朝该数据线方向延伸，以及该第二储存 电容电极线还包含一第四储存电容电极延伸线，自该第二储存电容电极线朝该数据线方向 延伸，且该第三像素电极的边缘与该第一储存电容电极线和该第三储存电容电极延伸线部 分重迭，该第四像素电极的边缘与该第二储存电容电极线和该第四储存电容电极延伸线部 分重迭。。依据本发明的实施例，该第一储存电容电极线还包含一第三储存电容电极延伸 线，自该第一储存电容电极线朝该数据线方向延伸，以及该第二储存电容电极线还包含一 第四储存电容电极延伸线，自该第二储存电容电极线朝该数据线方向延伸。依据本发明的实施例，该第一储存电容电极延伸线是靠近于该第二扫描线，并平 行于该第二扫描线，该第二储存电容电极延伸线是靠近该第一扫描线，并平行于该第一扫 描线。该液晶显示器还包含一连接线，电性连接该第一储存电容电极延伸线和该第四储存 电容电极延伸线。依据本发明的实施例，该第一储存电容电极延伸线是靠近于该第一扫描线，并平 行于该第一扫描线，该第二储存电容电极延伸线是靠近该第二扫描线，并平行于该第二扫 描线。该液晶显示器还包含一连接线，电性连接该第二储存电容电极延伸线和该第三储存 电容电极延伸线。为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下
图1为先前技术的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。图2为本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。图3为本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。图4为本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。
图5为本发明第四实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。图6为本发明第五实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。图7为本发明第六实施例的薄膜晶体管阵列面板的局部平面图。
具体实施例方式请参阅图2，图2为本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列面板100的局部平面图。 本发明的薄膜晶体管阵列面板100是用于液晶显示器，其包含第一像素电极61、第二像素 电极62、第三像素电极63、第四像素电极64、第一扫描线521、第二扫描线522、第三扫描线 523、第四扫描线524、数据线50、晶体管581-584、第一储存电容电极线561及第二储存电容 电极线562。第一像素电极61经由晶体管581电性连接第一扫描线521和数据线50。第二像 素电极62经由晶体管582电性连接第二扫描线522和数据线50。第三像素电极63经由 晶体管583电性连接第三扫描线523和数据线50。第四像素电极64经由晶体管584电性 连接第四扫描线5M和数据线50。第一储存电容电极线561以及第二储存电容电极线562 形成在数据线50的两旁而横过第三扫描线523和第四扫描线524，且第一像素电极61、第 三像素电极63与第一储存电容电极线561部分重迭，第二像素电极62、第四像素电极64与 第二储存电容电极线562部分重迭。储存电容电极线561、562与数据线50在相同平面上 且用相同的材料形成，并交替地与数据线50排列。第一储存电容电极线561还包含第一储存电容电极延伸线5611，自该第一储存电 容电极线561朝数据线50方向延伸，第二储存电容电极线562还包含一第二储存电容电极 延伸线5622，自该第二储存电容电极线562朝数据线50方向延伸。第一储存电容电极线 561还包含一第三储存电容电极延伸线5613，自第一储存电容电极线561朝数据线50方向 延伸，以及第二储存电容电极线562还包含一第四储存电容电极延伸线5624，自第二储存 电容电极线562朝该数据线50方向延伸。自本实施例中，第一储存电容电极延伸线5611 是靠近该第二扫描线522，并平行于该第二扫描线522，第二储存电容电极延伸线5622是靠 近第一扫描线521，并平行于第一扫描线521。第三储存电容电极延伸线5613是靠近该第 四扫描线524，并平行于第四扫描线524，第四储存电容电极延伸线56M是靠近第三扫描线 523，并平行于第三扫描线523。当扫描线521传来扫描信号时，晶体管581会导通，使得来自数据线50数据信号 会传递至像素电极61。像素电极61所接收的像素电压则与导电玻璃基板的共同电极(未 图标)的电压差而产生电场，而驱动导电玻璃基板与像素电极61间的液晶分子转动。当扫 描线522传来扫描信号时，晶体管582会开启使得来自数据线50数据信号会传递至像素电 极62。像素电极62所接收的像素电压则与导电玻璃基板的共同电极的电压差而产生电场， 而驱动导电玻璃基板与像素电极62间的液晶分子转动。当扫描线523传来扫描信号时，晶 体管583会开启使得来自数据线50数据信号会传递至像素电极63。像素电极63所接收的 像素电压则与导电玻璃基板的共同电极的电压差而产生电场，而驱动导电玻璃基板与像素 电极63间的液晶分子转动。当扫描线5M传来扫描信号时，晶体管584会导通使得来自数 据线50数据信号会传递至像素电极64。像素电极64所接收的像素电压则与导电玻璃基板 的共同电极的电压差而产生电场，而驱动导电玻璃基板与像素电极64间的液晶分子转动。
为了让像素电极61在没有扫描信号驱动晶体管581时，仍能依据数据信号显示灰 阶，在像素电极61与第一储存电容电极线561 (包括第一储存电容电极延伸线5611)有部 分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极61维持在固定数据 信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极62与第二储存电容电极线562(包括第二 储存电容电极延伸线562 有部分重达之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号， 使得像素电极62维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极63与第 一储存电容电极线561 (包括第三储存电容电极延伸线5613)有部分重迭之处的间距会形 成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极63维持在固定数据信号的电压直到下一次 扫描充电为止。像素电极64与第二储存电容电极线562(包括第四储存电容电极延伸线 5624)有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极64维持 在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。因为储存电容电极线561、562和扫描线521-524不是使用同一金属层也不在同 一平面上，所以不需考虑扫描线521-524与储存电容电极线561、562过于接近而导致的电 容耦合效应。在制程上，因为扫描线521-524与储存电容电极线561、562几乎不会有电容 耦合效应的问题，所以可容许储存电容电极线561、562和扫描线521-5M之间(例如第一 储存电容电极延伸线5611与扫描线522之间)有较小的间距d2(相较于先前技术的间距 dl)，间距d2甚至可等于0。所以每一像素电极61-64的面积可以较大，也就是较大的开口 率。故可降低薄膜晶体管阵列面板100的成本且增加效能。请参阅图3，图3为本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列面板200的局部平面图。 与薄膜晶体管阵列面板100差异之处在于，第一储存电容电极延伸线5611与第四储存电容 电极延伸线56M之间有一连接线57，使得储存电容电极线561、562更不易受到其它信号 的电容耦合效应影响，改善信号交互干扰(crosstalk)的问题，还可提升面板200的显示质量。请参阅图4，图4为本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列面板300的局部平面 图。薄膜晶体管阵列面板300的第一储存电容电极线561还包含第一储存电容电极延伸线 5611，自该第一储存电容电极线561朝数据线50方向延伸，第二储存电容电极线562还包 含一第二储存电容电极延伸线5622，自该第二储存电容电极线562朝数据线50方向延伸。 第一储存电容电极线561还包含一第三储存电容电极延伸线5613，自第一储存电容电极线 561朝数据线50方向延伸，以及第二储存电容电极线562还包含一第四储存电容电极延伸 线5624，自第二储存电容电极线562朝该数据线50方向延伸。自本实施例中，第一储存电 容电极延伸线5611是靠近该第一扫描线521，并平行于第一扫描线521，第二储存电容电极 延伸线5622是靠近第二扫描线522，并平行于第二扫描线522。第三储存电容电极延伸线 5613是靠近该第三扫描线523，并平行于第三扫描线523，第四储存电容电极延伸线56M是 靠近第四扫描线524，并平行于第四扫描线524。为了让像素电极61在没有扫描信号驱动晶体管581时，仍能依据数据信号显示灰 阶，在像素电极61在第一储存电容电极线561 (包括第一储存电容电极延伸线5611)和扫 描线522有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极61维 持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极62在第二储存电容电极线 562(包括第二储存电容电极延伸线5622)和扫描线521有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极62维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充 电为止。像素电极63在第一储存电容电极线561(包括第三储存电容电极延伸线5613)和 扫描线5M有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极63 维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极64在第二储存电容电极 线562(包括第四储存电容电极延伸线5624)与扫描线523有部分重迭之处的间距会形成 储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极64维持在固定数据信号的电压直到下一次扫 描充电为止。因为储存电容电极线561、562和扫描线521-5M不是使用同一金属层也不在同一 平面上，所以不需考虑扫描线521-524与储存电容电极线561、562过于接近而导致的电容 耦合效应。在制程上，因为扫描线521-5M与储存电容电极线561、562几乎不会有电容耦 合效应的问题，所以可容许储存电容电极线561、562和扫描线521-5 之间(例如储存电 容电极延伸线5613与扫描线523之间)有较小的间距d3(相较于先前技术的间距dl)，间 距d3甚至可等于0。所以每一像素电极61-64的面积可以较大，也就是较大的开口率。除 此之外，因为储存电容是形成在扫描在线(CS on gate)，因此可使开口率再提高。且储存 电容电极延伸线5611、5613、5622、5624的金属层可以挡光，因此可以使黑色阵列层(Black Matrix)的设计可往扫描线的方向后退，可提升开口率。因此薄膜晶体管阵列面板300的成 本还可降低且增加效能。请参阅图5，图5为本发明第四实施例之薄膜晶体管阵列面板400的局部平面图。 与薄膜晶体管阵列面板300差异之处在于，第二储存电容电极延伸线5622与第三储存电容 电极延伸线5613之间有一连接线59，使得储存电容电极线561、562更不易受到其它信号 的电容耦合效应影响，改善信号交互干扰(crosstalk)的问题，还可提升面板400的显示质量。请参阅图6，图6为本发明第五实施例的薄膜晶体管阵列面板500的局部平面图。 第一像素电极61经由晶体管581电性连接第一扫描线521和数据线50。第二像素电极62 经由晶体管582电性连接第二扫描线522和数据线50。第三像素电极63经由晶体管583 电性连接第四扫描线5M和数据线50。第四像素电极64经由晶体管584电性连接第三扫 描线523和数据线50。储存电容电极线561、562与数据线50在相同平面上且用相同的材 料形成，并交替地与数据线50排列。第一储存电容电极线561还包含第一储存电容电极延伸线5611，自该第一储存电 容电极线561朝数据线50方向延伸，第二储存电容电极线562还包含一第二储存电容电极 延伸线5622，自该第二储存电容电极线562朝数据线50方向延伸。第一储存电容电极线 561还包含一第三储存电容电极延伸线5613，自第一储存电容电极线561朝数据线50方向 延伸，以及第二储存电容电极线562还包含一第四储存电容电极延伸线5624，自第二储存 电容电极线562朝该数据线50方向延伸。自本实施例中，第一储存电容电极延伸线5611是 靠近该第二扫描线522，并平行于该第二扫描线522，第二储存电容电极延伸线5622是靠近 第一扫描线521，并平行于第一扫描线521。第三储存电容电极延伸线5613是靠近第三扫 描线523，并平行于第三扫描线523，第四储存电容电极延伸线56M是靠近第四扫描线524， 并平行于第四扫描线524。连接区551与扫描线521-522的金属材质一致且位于同一平面。 连接区电性连接第一储存电容电极延伸线5611和第二储存电容电极延伸线5622。第三储存电容电极延伸线5613与第四储存电容电极延伸线56M之间有连接区552。连接区 552与扫描线523-524的金属材质一致且位于同一平面。连接区552电性连接第三储存电 容电极延伸线5613和第四储存电容电极延伸线56M。为了让像素电极61在没有扫描信号驱动晶体管581时，仍能依据数据信号显示 灰阶，像素电极61在第一储存电容电极线561 (包括第一储存电容电极延伸线5611)和连 接区551有部分重达之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极61维 持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极62在第二储存电容电极线 562(包括第二储存电容电极延伸线5622)和连接区551有部分重迭之处的间距会形成储存 电容，用来储存数据信号，使得像素电极62维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充 电为止。像素电极63在第一储存电容电极线561(包括第三储存电容电极延伸线5613)和 连接区552有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极63 维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极64在第二储存电容电极 线562(包括第四储存电容电极延伸线5624)和连接区552有部分重迭之处的间距会形成 储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极64维持在固定数据信号的电压直到下一次扫 描充电为止。因为储存电容电极线561、562和扫描线521-524不是使用同一金属层也不在同 一平面上，所以不需考虑扫描线521-524与储存电容电极线561、562过于接近而导致的电 容耦合效应。在制程上，因为扫描线521-524与储存电容电极线561、562几乎不会有电容 耦合效应的问题，所以可容许储存电容电极线561、562和扫描线521-5M之间(例如第一 储存电容电极延伸线5611与扫描线522之间)有较小的间距d4(相较于先前技术的间距 dl)，间距d4甚至可等于0。所以每一像素电极61-64的面积可以较大，也就是较大的开口 率。故可降低薄膜晶体管阵列面板500的成本且增加效能。请参阅图7，图7为本发明第六实施例的薄膜晶体管阵列面板600的局部平面图。 薄膜晶体管阵列面板600的第一储存电容电极线561包含储存电容电极延伸线5611、5612、 5613,5614自该第一储存电容电极线561朝数据线50方向延伸，第二储存电容电极线562 包含第二储存电容电极延伸线5621、5622、5623、5624，自该第二储存电容电极线562朝数 据线50方向延伸。自本实施例中，储存电容电极延伸线5611、5612、5613、5614分别靠近 扫描线521、522、523、524，并平行于扫描线521、522、523、524。储存电容电极延伸线5621、 5622,5623,5624 是靠近扫描线 521、522、523、524，并平行于扫描线 521、522、523、524。为了让像素电极61在没有扫描信号驱动晶体管581时，仍能依据数据信号显示 灰阶，像素电极61在储存电容电极线561(包括储存电容电极延伸线5611、5612)和连接 区551有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极61维持 在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极62在第二储存电容电极线 562(包括储存电容电极延伸线5621、562幻和连接区551有部分重迭之处的间距会形成储 存电容，用来储存数据信号，使得像素电极62维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描 充电为止。像素电极63在储存电容电极线561(包括储存电容电极延伸线5613、5614)和 连接区552有部分重达之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极63 维持在固定数据信号的电压直到下一次扫描充电为止。像素电极64在第二储存电容电极 线562 (包括储存电容电极延伸线5623、5624)和连接区552有部分重迭之处的间距会形成储存电容，用来储存数据信号，使得像素电极64维持在固定数据信号的电压直到下一次扫 描充电为止。因为储存电容电极线561、562和扫描线521-5M不是使用同一金属层也不在同一 平面上，所以不需考虑扫描线521-524与储存电容电极线561、562过于接近而导致的电容 耦合效应。在制程上，因为扫描线521-5M与储存电容电极线561、562几乎不会有电容耦 合效应的问题，所以可容许储存电容电极线561、562和扫描线521-5M之间有较小的间距 d5(相较于先前技术的间距dl)。所以可容许储存电容电极线561、562和扫描线521-5 之间(例如储存电容电极延伸线5612与扫描线522之间)有较小的间距d5(相较于先前 技术的间距dl)，间距d5甚至可等于0。所以每一像素电极61-64的面积可以较大，也就是 较大的开口率。除此之外，因为储存电容是形成在扫描在线(CSon gate)，因此可使开口率 再提高。且储存电容电极延伸线5611、5614、5622、5623的金属层可以挡光，因此可以使黑 色阵列层(Black Matrix)的设计可往扫描线的方向后退，可提升开口率。因此薄膜晶体管 阵列面板600的成本更可降低且增加效能。虽然本发明已用较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技 艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改，因此本发明的保护范围 当视前述的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种液晶显示器，其特征在于，其包含一第一像素电极以及一第二像素电极；一第一扫描线以及一第二扫描线，该第一扫描线电性连接该第一像素电极，该第二扫 描线电性连接该第二像素电极；一数据线，电性连接该第一像素电极和该第二像素电极；以及一第一储存电容电极线以及一第二储存电容电极线，形成在该数据线的两旁而横过 该第一扫描线以及该第二扫描线，该第一储存电容电极线还包含一第一储存电容电极延伸 线，自该第一储存电容电极线朝该数据线方向延伸，以及该第二储存电容电极线还包含一 第二储存电容电极延伸线，自该第二储存电容电极线朝该数据线方向延伸，且该第一像素 电极的边缘与该第一储存电容电极线和该第一储存电容电极延伸线部分重达，该第二像素 电极的边缘与该第二储存电容电极线和该第二储存电容电极延伸线部分重迭。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，该第一、第二储存电容电极线、该第 一、第二储存电容电极延伸线与该数据线是以相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，还包含一连接区，电性连接该第一储 存电容电极延伸线和该第二储存电容电极延伸线。
4.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，还包含一第三像素电极以及一第四像素电极，该第三像素电极电性连接该数据线以及该第一 储存电容电极线，该第四像素电极电性连接该数据线以及该第二储存电容电极线，且该第 三像素电极与该第一储存电容电极线部分重迭，该第四像素电极与该第二储存电容电极线 部分重迭；及一第三扫描线以及一第四扫描线，该第三扫描线电性连接该第三像素电极，该第四扫 描线电性连接该第四像素电极。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其特征在于，该第一储存电容电极线还包含一第 三储存电容电极延伸线，自该第一储存电容电极线朝该数据线方向延伸，以及该第二储存 电容电极线还包含一第四储存电容电极延伸线，自该第二储存电容电极线朝该数据线方向 延伸。
6.如权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，该第一储存电容电极延伸线是靠近 于该第二扫描线，并平行于该第二扫描线，该第二储存电容电极延伸线是靠近该第一扫描 线，并平行于该第一扫描线，该第三储存电容电极延伸线是靠近于该第四扫描线，并平行于 该第四扫描线，该第四储存电容电极延伸线是靠近该第三扫描线，并平行于该第三扫描线。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于，还包含一连接线，电性连接该第一储 存电容电极延伸线和该第四储存电容电极延伸线。
8.如权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，该第一储存电容电极延伸线是靠近 于该第一扫描线，并平行于该第一扫描线，该第二储存电容电极延伸线是靠近该第二扫描 线，并平行于该第二扫描线，该第三储存电容电极延伸线是靠近于该第三扫描线，并平行于 该第三扫描线，该第四储存电容电极延伸线是靠近该第四扫描线，并平行于该第四扫描线。
9.如权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，还包含一连接线，电性连接该第二储 存电容电极延伸线和该第三储存电容电极延伸线。
全文摘要
一种液晶显示器，包含第一扫描线电性连接第一像素电极，第二扫描线电性连接第二像素电极。数据线电性连接第一像素电极和第二像素电极并传送数据信号。两储存电容电极线在数据线的两旁而横过第一、第二扫描线。第一储存电容电极延伸线自第一储存电容电极线朝数据线方向延伸，第二储存电容电极延伸线自第二储存电容电极线朝数据线方向延伸。第一像素电极的边缘与第一储存电容电极线和该第一储存电容电极延伸线部分重迭，第二像素电极的边缘与第二储存电容电极线和该第二储存电容电极延伸线部分重迭。因为扫描线与储存电容电极线分别形成于不同金属层，所以储存电容电极线与扫描线的间距可以大幅缩小而可克服制程精度上的限制，提高开口率，增加辉度，可降低制造成本。
文档编号H01L27/02GK102096254SQ20101053547
公开日2011年6月15日 申请日期2010年11月4日 优先权日2010年11月4日
发明者林彦芬, 蔡乙诚 申请人:中华映管股份有限公司, 华映视讯(吴江)有限公司