专利名称：一种高介低损耗Ba(Ti<sub>2</sub>Zr)O<sub>3</sub>基高压电容器陶瓷材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容器材料，尤其是一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料。
背景技术：
目前广泛生产使用的超稳定型高压陶瓷电容器材料中，不能满足在振荡回路里补偿正温度系数的要求。且同时一般配方的超稳定型陶瓷电容器材料的介电常数较小，不能满足电子线路小型化的需求，且损耗值过大。
发明内容
本发明提供了一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料。技术方案如下一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料主要原料BaTi03、BaZrO3>CaZrO3> MgTiO3 等主要特征介电常数15000介质损耗tan δ ^ 0. 005耐压强度Eb彡8Kv/mm、温度特性为TOV。
具体实施例方式一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料主要原料BaTi03、BaZrO3>CaZrO3> MgTiO3 等主要特征介电常数15000介质损耗tan δ ^ 0. 005耐压强度Eb彡8Kv/mm、温度特性为TOV。
权利要求
1. 一种高介低损耗Ba (Ti2Zr) O3基高压电容器陶瓷材料，其特征在于介电常数15000介质损耗tan δ ^ 0. 005耐压强度劭彡8Kv/mm、温度特性为TOV。
全文摘要
本发明提供了一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料，技术方案如下一种高介低损耗Ba(Ti2Zr)O3基高压电容器陶瓷材料，主要原料BaTiO3、BaZrO3、CaZrO3、MgTiO3，主要特征介电常数15000介质损耗tanδ≤0.005耐压强度Eb≥8Kv/mm、温度特性为Y5V。
文档编号H01G4/12GK102531589SQ20101058881
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月15日 优先权日2010年12月15日
发明者颜欢 申请人:颜欢