发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统的制作方法

专利名称：发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统的制作方法
技术领域：
实施方案涉及发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。
背景技术：
发光二极管(LED)是一种将电能转化为光的半导体器件。与相关技术的诸如荧 光灯和白炽电灯的光源相比，发光二极管的优势在于低电耗、半永久性的寿命、高的响应速 度、安全和环境友好的特征。已经进行了许多研究来利用发光二极管替代相关技术的光源，发光二极管越来越 多地用作建筑物内外使用的各种灯、液晶显示器、电子布告牌、路灯等的光源。

发明内容
实施方案提供具有新结构的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明 系统。实施方案提供具有降低的操作电压的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封 装和照明系统。实施方案提供具有改善的发光效率的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封 装和照明系统。根据一个实施方案的发光器件包括导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的接合 层；在接合层上的反射层；在反射层上的欧姆接触层；在欧姆接触层上的电流阻挡层；在接 合层上的周边部分处的保护层；在电流阻挡层、欧姆接触层和保护层上的发光结构层；和 在发光结构层上的电极，所述电极与电流阻挡层和保护层至少部分交叠，其中所述保护层 由导电率低于反射层或欧姆接触层的材料、电绝缘材料或与发光结构层肖特基接触的材料 制成。根据另一实施方案的发光器件包括导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的发光结 构层；设置在导电支撑衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之 间的导电保护层；和设置在发光结构层上并与导电保护层至少部分交叠的电极，其中发光 结构层具有倾斜的侧面，并且所述倾斜的侧面与导电保护层交叠。根据另一实施方案的发光器件包括导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的发光结 构层；设置在导电支撑衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之 间的保护层；和在发光结构层上的与保护层部分交叠的电极，其中所述电极包括外电极、 设置在外电极内部并将外电极的第一部和第二部连接的内电极、以及与外电极连接的垫单兀。


图1为说明根据第一实施方案的发光器件的视图；图2 10为说明制造根据本发明实施方案的发光器件的方法的视图；图11为说明根据第二实施方案的发光器件的视图；图12为说明根据第三实施方案的发光器件的视图；图13是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的视图；图14是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图；图15是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图；图16是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图；图17是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图；图18是显示根据本发明一个对比实施方案的电极的视图；图19是显示图15中说明的电极的视图；图20是包括图13中所示实施方案电极的发光器件与包括图18中所示对比实施 方案电极的发光器件的光输出比较图；图21为包括根据本发明一个实施方案的发光器件的发光器件封装的横截面图；图22为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的背光单 元的视图；图23为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的照明单 元的视图。
具体实施例方式应理解在本发明实施方案的描述中，当要素例如层(膜)、区域、图案或结构称为 在另一衬底、层(膜)、区域或图案“上”或“下”时，其可“直接地”在其它要素“上”或“下”， 或者可“间接地”在其它要素“上”或“下”(中间存在其它要素)。可参考附图限定各层的 “上”或“下”。为了描述方便和清楚，在附图中，可将各层的厚度或尺寸进行放大、省略或示意性 地显示。此外，各构件的尺寸未完全表示实际尺寸。以下将参考附图描述根据本发明实施方案的发光器件、发光器件制造方法、发光 器件封装和照明系统。图1为说明根据第一实施方案的发光器件的视图；参考图1，根据本发明第一实施方案的发光器件100包括导电支撑衬底175、在导 电支撑衬底175上的接合层170、在接合层170上的反射层160、在反射层160上的欧姆接 触层150、在接合层170上的周边部分处的保护层140、在欧姆接触层150和保护层140上 的产生光的发光结构层135、以及在发光结构层135上的电极115。
导电支撑衬底175支撑发光结构层135和与电极115 —起对发光结构层135供电。例如，导电支撑衬底175可包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W和载体晶片(例如Si、Ge、 GaAs、ZnO、SiC、GaN、Ga2O3)中的至少之一。在导电支撑衬底175上可形成接合层170。接合层170在反射层160和保护层140下形成。接合层170与反射层160、欧姆接触层150和保护层140接触，使得反射层160、欧姆接触层150和保护层140与导电支撑衬 底175接合。形成接合层170以与导电支撑衬底175接合。因此，当镀覆或者沉积导电支撑衬底175时，不是必须形成接合层170，这样接合 层170可选择性地形成。接合层170包括阻挡金属或接合金属，例如可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、 Cu、Ag和Ta中的至少之一。在接合层170上可形成反射层160。反射层160可通过将来自发光结构层135的 入射光反射来改善光提取效率。反射层160 可例如由包括 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 和 Hf 中的至 少之一的金属或合金制成。此外，反射层160可使用金属或合金和透光导电材料例如ΙΖ0、 ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为多层，提供反射层160以提高发光效率，反射层 160并非必须形成。在反射层160上可形成欧姆接触层150。欧姆接触层150与第二导电的半导体层 130欧姆接触，使得对发光结构层135平稳供电，并且可包括ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZ0、 IGTO、AZO和ATO中的至少任意一种。S卩，欧姆接触层150可由透光层和金属选择性地制成，并且可由ITO(氧化铟锡)、 IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧 化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、ATO (氧化锑锡)、GZO (氧化镓锌)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni、 Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/Ir0x/Au/IT0中的一种或更多种实现为一层或多层。提供欧姆接触层150以将载流子平稳地注入第二导电的半导体层130中，欧姆接 触层150并非必须形成。例如，用于反射层160材料可为与第二导电的半导体层130欧姆接触的材料，其中 注入第二导电的半导体层130中的载流子可与当形成欧姆接触层150时没有显著不同。在欧姆接触层150和第二导电的半导体层130之间可形成电流阻挡层(CBL) 145。 电流阻挡层145的顶部与第二导电的半导体层130接触，电流阻挡层145的底部和侧面与 欧姆接触层150接触。电流阻挡层145可与电极115至少部分交叠，因此，改善由于电极115和导电支撑 衬底175之间的最短距离而产生的电流集中，由此改善发光器件100的发光效率。电流阻挡层145的宽度为电极115的宽度的0. 9 1. 3倍。例如，电流阻挡层145 的宽度可为电极115的宽度的1. 1 1. 3倍。电流阻挡层145可由导电率小于反射层160或欧姆接触层150的材料、与第二导 电的半导体层130肖特基接触的材料或电绝缘材料制成。例如，电流阻挡层145 可包括 Zn0、Si02、Si0N、Si3N4、Al203、Ti02、Ti、Al 和 Cr 中的至少之一。同时，电流阻 挡层145可在欧姆接触层150和第二导电的半导体层130之间或在 反射层160和欧姆接触层150之间形成，但是不限于此。此外，可通过对第二导电的半导体 层130施加等离子体处理形成其中电流难以流动的区域而不形成电流阻挡层145，所述区 域可用作电流阻挡区域，如同电流阻挡层145 —样。此外，提供电流阻挡层145以允许电流宽泛地流入发光结构层135，但是电流阻挡 层145不是必需形成。在接合层170上的周边部分处可形成保护层140。当不形成接合层170时，可在导 电支撑衬底上的周边部分处形成保护层140。保护层140可减少由于发光结构层145和接合层170之间界面的分离而导致的发 光器件100可靠性的劣化。保护层140可为由导电材料制成的导电保护层或由非导电材料制成的非导电保 护层。导电保护层可由透明导电氧化物膜制成或可包括Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的 至少之一。例如，透明导电氧化物膜可为ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ΙΖΤ0(氧化铟 锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、 ATO (氧化锑锡)、GZO (氧化镓锌)中的任何一种。此外，当在芯片分离过程中施加隔离蚀刻以将发光结构层145分为单元芯片时， 导电保护层防止由接合层170产生碎片并防止在第二导电半导体层130和有源层120之 间、或在有源层120和第一导电半导体层110之间粘合和导致电短路。因此，导电保护层由不会破裂或产生碎片的材料制成。因为导电保护层具有导电性，所以电流可通过导电保护层注入发光结构层135 中。因此，在发光结构层135周围的导电保护层上，可由有源层120有效地产生光。此外，导电保护层可通过减小由于电流阻挡层145导致的操作电压增加来使得发 光器件的操作电压降低。导电保护层可由与欧姆接触层150相同的材料制成。非导电层的导电性非常低，其可基本上由非导电材料制成。非导电保护层145可 由材料导电率显著小于反射层160或欧姆接触层150的材料、与第二导电的半导体层130 肖特基接触的材料或电绝缘材料制成。例如，非导电保护层可由ZnO或SiO2制成。非导电保护层使接合层170和有源层120之间的距离增加。因此，能够减小接合 层170和有源层120之间电短路的可能性。此外，当在芯片分离过程中施加隔离蚀刻以将发光结构层145分为单元芯片时， 非导电保护层防止由接合层170产生碎片并防止在第二导电半导体层130和有源层120之 间、或在有源层120和第一导电半导体层110之间粘合和导致电短路。非导电保护层由不会破裂为碎片的材料或具有不会引起电短路(即使其在隔离 蚀刻中稍微破裂为少量碎片)的导电性的材料制成。
在欧姆接触层150和保护层140上可形成发光结构层135。在进行隔离蚀刻以分离为单元芯片中，发光结构层135的侧面可倾斜，并且该倾 斜的表面与保护层140至少部分交叠。保护层140顶部的一部分可通过隔离蚀刻暴露出。因此，保护层140可形成为在预定区域处与发光结构层135交叠而在其它区域处 不与发光结构层135交叠。 第一导电半导体层110可包括例如N型半导体层。第一导电半导体层110可选自 组成式为InxAlyGa1^yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料，例如InAlGaN, GaN, AlGaN, Al InN, InGaN, AlN 和 InN。

有源层120为利用根据有源层120材料能带的带隙差异发光的层，当通过第一导 电半导体层110注入的电子(或空穴)与通过第二导电的半导体层130注入的空穴(或电 子)复合时发光。有源层120可形成为单量子阱、多量子阱(MQW)、量子点和量子线中的任意一种， 但是不限于此。有源层可由组成式为InxAlyGa1^yN(0 ^ χ ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ 1)的半导 体材料制成。当有源层120形成为多量子阱时，有源层120可通过堆叠多个阱层和多个势 垒层例如以InGaN阱层/GaN势垒层的次序形成。掺杂有η型或ρ型掺杂剂的覆层(未显示)可在有源层120上和/或下形成，并 可通过AlGaN层或InAlGaN层实现。第二导电的半导体层130可通过例如ρ型半导体层实现。第二导电半导体层130 可选自组成式为InxAlyGai_x_yN(0 ^ χ ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料，例如 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, Al InN、AlN 和 InN，并且可掺杂有 ρ 型掺杂剂例如 Mg、Zn、Ca、 Sr 禾口 Ba。同时，第一导电半导体层110可包括ρ型半导体层，第二导电半导体层130可包括 η型半导体层。此外，包括η型或ρ型半导体层的第三导电半导体层(未显示)可在第二导 电半导体层130上形成，因此发光结构层135可包括ηρ结、ρη结、ηρη结和ρηρ结结构中的 至少之一。此外，第一导电半导体层110和第二导电半导体层130中的掺杂浓度可均勻或 不均勻。即，发光结构层130的结构可进行各种方式的改变而不限于本文所述。包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130的发光结构层 135可形成为各种改变的结构，而不限于在实施方案中示例性的发光结构层135的结构。在发光结构层135的顶部上形成电极115。电极115可分成预定图案，但是不限于 此。在第一导电半导体层100的顶部上可形成粗糙图案112以提高光提取效率。因此， 在电极115的顶部上可形成粗糙图案，但是不限于此。电极115可与第一导电半导体层110的顶部接触。此外，电极115可通过堆叠至 少一个垫单元和至少一个分支形电极单元形成为相同或不同的结构，但是不限于此。电极115可包括外部电极115a、内部电极115b和垫单元(图13中的115c)。即， 电极单元可由外部电极115a和内部电极115b构成。电极115可与保护层140和电流阻挡层145至少在预定部分处交叠。
例如，外部电极115a可与保护层140垂直交叠，内部电极115b可与电流阻挡层 145垂直交叠。显然，当不形成电流阻挡层145时，外部电极115a可与保护层140垂直交叠。因为导电保护层与电极115交叠，当保护层为导电保护层时，可使得大量电流流 入导电保护层上的有源层120中。因此，由有源层120通过较大的区域发射光，使得发光器 件的发光效率可提高。此外，发光器件100的操作电压可降低。当保护层140为非导电保护层时，在非导电保护层上的有源层120中流动少量电 流，这样可不产生光，因此发光器件100的发光效率可降低。然而，因为电极115位于与非 导电保护层交叠的位置处，所以可使得更多电流流入非导电保护层上的有源层120中。因 此，由有源层120通过较大的区域发射光，使得发光器件的发光效率可提高。在发光结构层135的至少侧面上可形成钝化层180。此外，钝化层180可在第一导 电半导体层Iio顶部上和保护层140的顶部上形成，但是不限于此。

钝化层180可由例如Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4, Al2O3制成以对发光结构层135进 行电保护，但是不限于此。图13是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的视图。图 1中示出了沿着线Ι-Γ截取的横截面形状。参考图1和13，电极115在第一导电半导体层110上形成并且可包括沿第一导 电半导体层Iio的顶部上的边缘延伸的外部电极115a以及将外部电极115a的第一部与外 部电极115a的第二部连接的内部电极115b。内部电极115b可设置在由外部电极115a包 围的区域内部。外部电极115a包括第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部电极 115a3和第四外部电极115a4。此外，内部电极115b可包括第一内部电极115bl、第二内 部电极115b2、第三内部电极115b3和第四内部电极115b4。外部电极115a可至少部分地形成在从第一导电半导体层110顶部最外侧的50微 米内，并可与钝化层180接触。例如，第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部 电极115a3和第四外部电极115a4各自可至少部分地设置在从第一导电半导体层110顶部 的最外侧的50微米内。外部电极115a可设置为具有四边和四角的矩形，并且包括沿第一方向延伸的第 一外部电极115al和第二外部电极115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三 外部电极115a3和第四外部电极115a4。垫单元115c可包括第一垫单元115cl和第二垫单元115c2，其中第一垫单元 115cl可位于第一外部电极115al和第三外部电极115a3的连接处，第二垫单元115c2可位 于第一外部电极115al和第四外部电极115a4的连接处。内部电极115b包括沿第二方向延伸的并将第一外部电极115al和第二外部电极 115a2连接的第一内部电极115bl、第二内部电极115b2、第三内部电极115b3，以及沿第一 方向延伸的并将沿第二方向延伸的第三外部电极115a3与第四外部电极115a4连接的第四 内部电极115b4。第一外部电极115al和第四内部电极115b4之间的距离A可大于第二外部电极 115a2和第四内部电极115b4之间的距离B。
此外，第三外部电极115a3和第一内部电极115bl之间的距离C、第一内部电极 115bl和第二内部电极115b2之间的距离D、第二内部电极115b2和第三内部电极115b3之 间的距离E、以及第三内部电极115b3和第四外部电极115a4之间的距离F可基本相同。此外，外部电极115a的至少一部分的宽度可大于内部电极115b的宽度。此外，夕卜 部电极115a的至少一部分的宽度可大于外部电极115a的其它部分的宽度。例如，第一外部电极115al可形成为在宽度上大于内部电极115b，第一外部电极 115al可形成为在宽度上大于第二外部电极115a2。此外，第三外部电极115a3和第四外部电极115a4的宽度中的靠近第一外部电极 115al的宽度可大于靠近第二外部电极115a2的宽度。例如，外部电极115a和内部电极 115b限定窗形开口，其中位于所述开口的宽部的外部电极115a的宽度可大于位于所述开 口的窄部的外部电极的宽度。
内部电极115b将由外部电极115a包围的内部区域分为多个区域。靠近具有最大 宽度的第一外部电极115al的区域在所述区域中在面积上大于靠近具有较小宽度的第二 外部电极115a2的区域。此外，内部电极115b可形成为在宽度上小于外部电极115a。例如，第一外部电极115al、以及第三外部电极115ta3和第四外部电极115a4的靠 近第一外部电极115al的部分可形成为具有25 35微米的宽度，第二外部电极115a2、以 及第三外部电极115a3和第四外部电极115a4的靠近第二外部电极115a2的部分可形成为 具有15 25微米的宽度，内部电极115b可形成为具有5 15微米的宽度。根据图13所示实施方案的发光器件的电极115可应用于其中一侧为800 1200 微米长的发光结构层135。当至少一侧的长度小于800微米时，发光面积可通过电极115而 减小，而当至少一侧的长度小于1200微米时，则可无法通过电极115有效地供给电流。例 如，图13所示的电极115可应用于长度和宽度为1000微米的发光结构层135。与电极115占据的面积相比，如上所述的电极115可降低电阻和使得电流有效分 布。图14是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。参考图1和14，电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括沿第一导电半 导体层Iio顶部上的边缘延伸的外部电极115a以及将外部电极115a与外部电极115a连 接的内部电极115b。外部电极115a包括第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部电极 115a3和第四外部电极115a4。此外，内部电极115b可包括第一内部电极115bl、第二内部 电极115b2和第三内部电极115b3。外部电极115a可至少部分地形成在从第一导电半导体层110的最外侧的50微米 内，并可与钝化层180接触。外部电极115a可设置为具有四边和四角的矩形，并包括沿第一方向延伸的第一 外部电极115al和第二外部电极115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外 部电极115a3和第四外部电极115a4。垫单元115c可包括第一垫单元115cl和第二垫单元115c2，其中第一垫单元115cl可位于第一外部电极115al和第三外部电极115a3的连接处，第二垫单元115c2可位 于第一外部电极115al和第四外部电极115a4的连接处。内部电极115b包括沿第二方向延伸的并将第一外部电极115al与第二外部电极 115a2连接的第一内部电极115bl和第二内部电极115b2、以及沿第一方向延伸的并将沿第 二方向延伸的第三外部电极115a3与第四外部电极115a4连接的第三内部电极115b3。第一外部电极115al和第三内部电极115b3之间的距离A可大于第二外部电极 115a2和第三内部电极115b3之间的距离B。此外，第三外部电极115a3和第一内部电极115bl之间的距离C、第一内部电极 115bl和第二内部电极115b2之间的距离D、第二内部电极115b2和第四外部电极115a4之 间的距离E可基本相同。此外，外部电极115a的至少一部分的宽度可大于内部电极115b的宽度。此外，夕卜 部电极115a的至少一部分的宽度可大于外部电极115a的其它部分的宽度。例如，第一外部电极115al可形成为在宽度上大于内部电极115b，第一外部电极 115al可形 成为在宽度上大于第二外部电极115a2。此外，第三外部电极115a3和第四外部电极115a4的宽度中的靠近第一外部电极 115al的宽度可大于靠近第二外部电极115a2的宽度。内部电极115b将由外部电极115a包围的内部区域分为多个区域。靠近具有最大 宽度的第一外部电极115al的区域在所述区域中在面积上大于靠近第二外部电极115a2的 区域。根据图14所示实施方案的发光器件的电极115可应用于其中一侧为800 1200 微米长的发光结构层135。当至少一侧的长度小于800微米时，发光面积可通过电极115而 减小，而当至少一侧的长度小于1200微米时，则可无法通过电极115有效地供给电流。例 如，图14所示的电极115可应用于长度和宽度为1000微米的发光结构层135。与电极115占据的面积相比，如上所述的电极115可降低电阻和使得电流有效分 布。图15是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。参考图1和15，电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括沿第一导电半 导体层Iio顶部上的边缘延伸的外部电极115a以及将外部电极115a与外部电极115a连 接的内部电极115b。外部电极115a包括第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部电极 115a3和第四外部电极115a4。此外，内部电极115b可包括第一内部电极115bl和第二内 部电极115b2。外部电极115a可至少部分地形成在从第一导电半导体层110的最外侧的50微米 内，并可与钝化层180接触。外部电极115a可设置为具有四边和四角的矩形，并可包括沿第一方向延伸的第 一外部电极115al和第二外部电极115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三 外部电极115a3和第四外部电极115a4。垫单元115c可包括第一垫单元115cl和第二垫单元115c2，其中第一垫单元115cl可位于第一外部电极115al和第三外部电极115a3的连接处，第二垫单元115c2可位 于第一外部电极115al和第四外部电极115a4的连接处。 内部电极包括沿第二方向延伸的并将沿第一方向延伸的第一外部电极115al与 第二外部电极115a2连接的第一内部电极115bl和第二内部电极115b2。第三外部电极115a3和第一内部电极115bl之间的距离C、第一内部电极115bl和 第二内部电极115b2之间的距离D、第二内部电极115b2和第四外部电极115a4之间的距离 E可基本相同。如参考图13和14所述，在图15所示电极115中，外部电极115a的至少一部分 的宽度可大于内部电极115b的宽度，外部电极115a的至少一部分的宽度可大于外部电极 115a的其它部分。例如，第一外部电极115al可形成为在宽度上大于内部电极115b，第一 外部电极115al可形成为在宽度上大于第二外部电极115a2。显然，如图15所示，外部电极 115a和内部电极115b可形成为具有相同宽度。根据图15所示实施方案的发光器件的电极115可应用于其中一侧为800 1200 微米长的发光结构层135。当至少一侧的长度小于800微米时，发光面积可通过电极115而 减小，而当至少一侧的长度小于1200微米时，则可无法通过电极115有效地供给电流。例 如，图15所示的电极115可应用于长度和宽度为1000微米的发光结构层135。与电极115占据的面积相比，如上所述的电极115可降低电阻和使得电流有效分 布。图16是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。参考图1和16，电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括沿第一导电 半导体层Iio顶部上的边缘延伸的外部电极115a、以及将外部电极115a与外部电极115a 连接的内部电极115b。外部电极115a包括第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部电极 115a3和第四外部电极115a4。外部电极115a可至少部分地形成在从第一导电半导体层110的最外侧的50微米 内，并可与钝化层180接触。外部电极115a可设置为具有四边和四角的矩形，并可包括沿第一方向延伸的第 一外部电极115al和第二外部电极115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三 外部电极115a3和第四外部电极115a4。垫单元115c可位于第一外部电极115al和内部电极115b的连接处。内部电极 115b沿第二方向延伸并将沿第一方向延伸的第一外部电极115al与第二外部电极115a2连接。第三外部电极115a3和内部电极115b之间的距离C与内部电极115b和第四外部 电极115a4之间距离D可基本相同。如参考图13和14所述，在图16所示电极115中，外部电极115a的至少一部分 的宽度可大于内部电极115b的宽度，外部电极115a的至少一部分的宽度可大于外部电极 115a的其它部分。例如，第一外部电极115al可形成为在宽度上大于内部电极115b，第一 外部电极115al可形成为在宽度上大于第二外部电极115a2。显然，如图16所示，外部电极115a和内部电极115b可形成为具有相同宽度。根据图16所示实施方案的发光器件的电极115可应用于其中一侧为400 800微 米长的发光结构层135。当至少一侧的长度小于400微米时，发光面积可通过电极115而减 小，而当至少一侧的长度小于800微米时，则通过电极115可无法有效地供给电流。例如， 图16所示的电极115可应用于长度和宽度为600微米的发光结构层135。与电极115占据的面积相比，如上所述的电极115可降低电阻和使得电流有效分 布。图17是显示在根据本发明一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例 的视图。参考图1和17，电极115在第一导电半导体层110上形成并可包括沿第一导电 半导体层Iio顶部上的边缘延伸的外部电极115a、以及将外部电极115a与外部电极115a 连接的内部电极115b。外部电极115a包括第一外部电极115al、第二外部电极115a2、第三外部电极 115a3和第四外部电极115a4。此外，内部电极115b可包括第一内部电极115bl和第二内 部电极115b2。外部电极115a可至少部分地形成在从第一导电半导体层110的最外侧的50微米 内，并可与钝化层180接触。外部电极115a可设置为具有四边和四角的矩形，并包括沿第一方向延伸的第一 外部电极115al和第二外部电极115a2、以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三外 部电极115a3和第四外部电极115a4。垫单元115c可位于第一外部电极115al和第一内部电极115bl的连接处。内部电极115b包括沿第二方向延伸的并将第一外部电极115al与第二外部电 极115a2连接的第一内部电极115bl、以及沿第一方向延伸的并将沿第二方向延伸的第三 外部电极115a3与第四外部电极115a4连接的第二内部电极115b2。第一外部电极115al和第二内部电极115b2之间的距离A可大于第二外部电极 115a2和第二内部电极115b2之间的距离B。此外，第三外部电极115a3和第一内部电极115bl之间的距离C与第一内部电极 115bl和第四外部电极115a4之间的距离D可基本相同。如参考图13和14所述，在图17所示电极115中，外部电极115a的至少一部分 的宽度可大于内部电极115b的宽度，外部电极115a的至少一部分的宽度可大于外部电极 115a的其它部分。例如，第一外部电极115al可形成为在宽度上大于内部电极115b，第一 外部电极115al可形成为在宽度上大于第二外部电极115a2。显然，如图17所示，外部电极 115a和内部电极115b可形成为具有相同宽度。内部电极115b将由外部电极115a包围的内部区域分为多个区域。在所述区域中， 靠近第一外部电极115al的区域在面积上大于靠近第二外部电极115a2的区域。 根据图17所示实施方案的发光器件的电极115可应用于其中一侧为400 800微 米长的发光结构层135。当至少一侧的长度小于400微米时，发光面积可通过电极115而减 小，而当至少一侧的长度小于800微米时，则通过电极115可无法有效地供给电流。例如， 图17所示的电极115可应用于长度和宽度为600微米的发光结构层135。
与电极115占据的面积相比，如上所述的电极115可降低电阻和使得电流有效分布。图18和19是说明在根据本发明一个实施方案的发光器件中电极结构的光输出的 视图。根据一个对比实施方案的电极示于图18中，参考图15描述的电极示于图19中。图18所示的电极115和图19所示的电极115具有基本相同的形状。然而，根据图18所示的对比实施方案的电极115设置在从第一导电半导体层110 顶部最外侧的50微米以上的距离处，而图19所示的电极115至少部分地设置在从第一导 电半导体层110的顶部的最外侧的50微米内并与钝化层180接触。根据实验，可见在图18所示的对比实施方案中，测量到光输出为282mW，在图19 所示的实施方案中，测量到光输出为304mW，当仅仅改变电极115的结构并保持其它条件相 同时，光输出提高8%。图20是包括图13中所示实施方案的电极的发光器件与包括图18中所示对比实 施方案的电极的发光器件的光输出比 较图。根据实验，可见当电极115设置为如图13和18中所示并保持其它条件相同时， 与包括图18所示对比实施方案的电极的发光器件的光输出相比，包括图13所示电极的发 光器件的光输出相当优异。图11为说明根据第二实施方案的发光器件的视图。根据第二实施方案的发光器件的结构与根据第一实施方案的发光器件的结构类 似。然而，在根据第二实施方案的发光器件中，欧姆接触层150延伸至发光器件的侧面。S卩，欧姆接触层150设置在保护层140的侧面和底部上，保护层140和接合层170 通过欧姆接触层150间隔开。图12为说明根据第三实施方案的发光器件的视图。根据第三实施方案的发光器件的结构与根据第一实施方案的发光器件的结构类 似。然而，在根据第三实施方案的发光器件中，反射层160延伸至发光器件的侧面。S卩，反射层160设置在保护层140和欧姆层150的底部上，保护层140和接合层 170通过欧姆接触层160间隔开。在反射层160上部分地形成保护层140。当形成在接合层170的整个顶部上时，反射层160可通过更有效地反射由有源层 120产生的光来提高发光效率。虽然未显示，但是欧姆接触层150和反射层160可设置为延伸至发光器件的侧面。以下描述制造根据一个实施方案的发光器件的方法。然而，与如上所述重复的部 分未进行描述或进行简单说明。图2 10为说明制造根据本发明一个实施方案的发光器件的方法的视图。参考图2，在生长衬底101上形成发光结构层135。生长衬底101 可由蓝宝石(Al203)、SiC、GaAs、GaN、Zn0、Si、GaP、InP 和 Ge 中的至 少之一制成，但是不限于此。发光结构层135可通过在生长衬底101上依次生长第一导电半导体层110、有源层 120和第二导电半导体层130形成。发光结构层135可通过MOCVD (金属有机化学气相沉积)、CVD (化学气相沉积)、PECVD (等离子体增强的化学气相沉积)、MBE (分子束外延)和HVPE (氢化物气相外延)形 成，但是不限于此。同时，在发光结构层135和生长衬底101之间可形成缓冲层(未显示)和/或未 掺杂的氮化物层(未显示)以减小晶格常数差异。参考图3，在发光结构层135上形成保护层140，对应于单元芯片区域。可通过掩模图案在单元芯片区域周围形成保护层。保护层可以以各种沉积方法形 成。特别地，当保护层140为导电保护层并包括11、慰、？仏？(1、他、11~和1中的至少任 意一种时，保护层140可通过溅射形成为具有高的浓度，使得其在隔离蚀刻中不会破裂为 碎片。 参考图4，在第二导电层130上可形成电流阻挡层145。电流阻挡层145可通过掩 模图案形成。例如，电流阻挡层145可在第二导电半导体层130上形成SiO2层之后通过掩模图 案形成。当保护层140为非导电保护层时，保护层140和电流阻挡层145可由相同材料制 成。在这种情况下，能够在一个工艺中而不是在特定的工艺中同时地形成保护层140和电 流阻挡层145。例如，保护层140和电流阻挡层145可在第二导电半导体层I30上形成SiO2层之 后通过掩模图案同时形成。参考图5和6，在第二导电半导体层130和电流阻挡层145上形成欧姆接触层150， 然后可在欧姆接触层150上形成反射层160。当保护层150为导电保护层时，欧姆接触层150可由与保护层140相同的材料制 成，其中保护层140和欧姆接触层150可在第二导电半导体层130上形成电流阻挡层145 之后同时形成。欧姆接触层150和反射层可通过例如电子束沉积、溅射和PECVD (等离子体增强的 化学气相沉积)中的任意一种形成。其中形成欧姆接触层150和反射层160的区域可进行不同的选择，并且可根据其 中形成欧姆接触层150和/或反射层160的区域形成参考图11和12描述的根据其它实施 方案的发光器件。参考图7，在反射层160和保护层140上形成导电支撑衬底175，中间具有接合层 170。接合层170与反射层160、欧姆接触层150和钝化层140接触，使得反射层160、欧 姆接触层150和钝化层140之间的粘合力可增强。导电支撑衬底175附着于接合层170。虽然在示例性的实施方案中，导电支撑衬底 175通过接合层170接合，但是导电支撑衬底175可镀覆或沉积。参考图8，从发光结构层135移除生长衬底101。在图8中将图7所示结构翻转。生长衬底101可通过激光剥离或化学剥离移除。参考图9，通过对各单元芯片实施隔离蚀刻，将发光结构层135分为多个发光结构 层 135。
例如，隔离蚀刻可通过干蚀刻例如ICP (感应耦合等离子体)实施。参考图10，在保护层140和发光结构层135上形成钝化层180并选择性地移除钝 化层180，使得暴露出第一导电半导体层110的顶部。此外，在第一导电半导体层110的顶部上形成粗糙图案112以改善光提取效率，并 且在粗糙图案112上形成电极115。粗糙图案112可通过湿蚀刻或干蚀刻形成。此外，通过使用芯片分离工艺将结构分成单元芯片区域，可制造多个发光器件。芯片分离工艺可包括例如通过利用刀片 施加物理力来分离芯片的破裂工艺、通 过对芯片界面辐射激光来分离芯片的激光划片工艺、以及包括湿蚀刻和干蚀刻的蚀刻，但 是不限于此。图21为包括根据本发明一个实施方案的发光器件的发光器件封装的横截面图。参考图21，根据一个实施方案的发光器件封装包括封装体10、安装于封装体10 中的第一电极31和第二电极32、安装于封装体10中的并与第一电极31和第二电极32电 连接的发光器件100、以及覆盖发光器件100的模制元件40。封装体10可包括硅材料、合成树脂材料和金属材料并且可具有腔，所述腔具有倾 斜的侧面。第一电极31和第二电极32电隔离并对发光器件100供电。此外，第一电极31和 第二电极32可通过反射由发光器件100产生的光来提高光效率，并可将由发光器件100产 生的热散发至外部。发光器件100可安装在封装体10上或第一电极31和第二电极32上。发光器件100可通过引线方法、倒装芯片方法和芯片接合方法中的任意一种来与 第一电极31和第二电极32电连接。在实施方案中作为示例，发光器件100与第一电极31 通过导线50电连接而通过直接接触与第二电极32电连接。模制元件40可通过覆盖发光器件100来保护发光器件100。此外，在模制元件40 中可包含荧光物质以改变由发光器件100发射的光的波长。在衬底上设置多个根据一个实施方案的发光器件封装，并且在由发光器件封装发 射的光程中可设置作为光学部件的导光板、棱镜板、扩散板和荧光板。发光器件封装、衬底 和光学部件可用作背光单元或照明单元，并且例如光系统可包括背光单元、照明单元、指示 器、灯和路灯。图22为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的背光单 元的视图。然而，图22所示的背光单元1100为照明系统的一个实例，本发明不限于此。参考图22，背光单元1100可包括底框1140、设置在底框1140内的导光元件 1120、以及设置在导光元件1120的至少一侧或底部上的发光模块1110。此外，在导光元件 1120下可设置反射板1130。底框可形成为顶部打开的盒形以容纳导光元件1120、发光模块1110和反射板 1130，并且可由金属或者树脂制成，但是所述材料不限于此。发光模块1110可包括衬底700和安装在衬底700上的多个发光器件封装600。发 光器件封装600可为导光元件1120提供光。虽然在实施方案中示例性地说明，发光器件封 装600安装在发光模块1110中的衬底700上，但是根据一个实施方案的发光器件100可在
其上直接安装。
如附图 所示，发光模块1110可设置在底框1140的至少任何一个内侧面上，因此可 为导光元件1120的至少一个侧面提供光。然而，发光模块1110可设置在底框1140下，为导光元件1120的底部提供光，根据 背光单元1100的设计可进行各种改变，而不限于此。导光元件1120可设置在底框1140内。导光元件1120可将由发光模块1110提供 的光转化为表面光并将其导至显示面板(未显示)。导光元件1120可为例如LGP (导光面板)。导光面板可由例如丙烯酸树脂例如 PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、C0C和PEN(聚 萘二甲酸乙二醇酯)树脂中之一制成。在导光元件1120上可设置光学板1150。光学板1150可包括例如扩散板、集光板、增亮板和荧光板中的至少之一。例如，光 学板1150可通过堆叠扩散板、集光板、增亮板和荧光板形成。在该结构中，扩散板1150将 由发光模块1110发射的光均勻地扩散，扩散的光可通过集光板集中至显示面板(未显示)。 在该结构中，来自集光板的光为任意偏振的光，增亮板可提高来自集光板的光的偏振度。集 光板可为例如水平或/和垂直的棱镜板。此外，增亮板可为例如双增亮膜。此外，荧光板可 为包括荧光物质的透光板或膜。反射板1130可设置在导光元件1120下。反射板1130可将通过导光元件1120底 部发射的光反射，朝向导光元件1120的出光面。反射板1130可由具有高反射比的树脂例如PET、PC和PVC树脂制成，但是不限于 此。图23为说明包括根据本发明一个实施方案的发光器件或发光器件封装的照明单 元的视图。然而，图23所示的照明单元1200为照明系统的一个实例而不限于此。参考图23，照明单元1200可包括壳体1210、安装至壳体1210的照明模块、以及 安装至壳体1210和由外部电源提供电力的接线端子1220。优选壳体1210由具有良好散热性能的材料的制成，例如可由金属或树脂制成。发光模块1230可包括衬底700和在衬底700上安装的至少一个发光器件封装 600。虽然在实施方案中示例性地说明，发光器件封装600安装在发光模块1110中的衬底 700上，但是根据一个实施方案的发光器件100可在其上直接安装。衬底700可通过在绝缘体上印刷电路图案形成，并且可包括例如普通PCB(印刷电 路板)、金属芯PCB、柔性PCB和陶瓷PCB。此外，衬底700由有效反射光的材料制成，或者表面可具有有效反射光的颜色例 如白色和银色。在衬底700上可安装至少一个发光器件封装600。发光器件封装600各自可包括 至少一个LED(发光二极管)。发光二极管可包括产生颜色例如红色、绿色、蓝色或者白色的 彩色发光二极管、以及产生紫外线的UV发光二极管。发光模块1230可设置为具有发光二极管的各种组合以实现颜色和亮度的效果。 例如，可将白色发光二极管、红色发光二极管和绿色发光二极管组合以确保高的CRI。此外， 在由发光模块1230发射的光的移动路径中可进一步设置荧光板并将由发光模块1230发射 的光的波长改变。例如，当由发光模块1230发射的光具有蓝色波段时，在荧光板中可包含黄色荧光物质，并且由发光模块1230发射的光通过荧光板最后显示为白光。接线端子1220可通过与发光模块1230电连接来供电。根据图23所示的实施方 案，接线端子1220转动并插入外部电源，如插座一样，但是不限于此。例如，接线端子1220 可形成为可插入外部电源中的管脚形或可通过导线与外部电源连接。由于在如上所述的照明系统中，由发光模块发射的光的移动路径中设置导光元 件、扩散板、集光板、增亮板和荧光板中的至少任意一种，所以能够实现期望的光学效果。如上所述，照明系统可通过包括具有降低的操作电压和改善的光效率的发光器件 或者发光器件封装来实现高的光效率和可靠性。在本说明书中对〃 一个实施方案〃、‘‘实施方案〃、‘‘示例性实施方案〃等的任 何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实 施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合 任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与实施方案的 其它的特征、结构或特性关联均在本领域技术人员的范围之内。 尽管已经参考其若干说明性的实施方案描述了一些实施方案，但是应理解本领域 技术人员可以设 计出很多的其它改变和实施方案，这些也落入本公开的原理的精神和范围 内。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/ 或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技 术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件，包括 导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的接合层； 在所述接合层上的反射层； 在所述反射层上的欧姆接触层； 在所述欧姆接触层上的电流阻挡层； 在所述接合层上的周边部分处的保护层；在所述电流阻挡层、所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结构层；和在所述发光结构层上的电极，所述电极与所述电流阻挡层和所述保护层至少部分交叠，其中所述保护层包括导电率低于所述反射层或所述欧姆接触层的材料、电绝缘材料 或与所述发光结构层肖特基接触的材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构层具有倾斜的侧面，所述倾斜 的侧面与所述保护层交叠。
3.根据权利要求1所述的发光器件，包括钝化层，所述钝化层与所述发光结构层的顶 部和侧面以及所述保护层的顶部相接触。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层形成在所述接合层的整个顶部 上，所述保护层部分地形成在所述反射层上。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡层的底部和侧面与所述欧姆接 触层接触，所述电流阻挡层的顶部与所述发光结构层接触，所述电流阻挡层的宽度为所述 电极的宽度的1. 1 1. 3倍。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述发光结构层的顶部上形成粗糙图案。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极包括沿所述发光结构层的顶部的 边缘延伸的外部电极、设置在所述外部电极内部的并连接所述外部电极的内部电极、以及 在所述外部电极处形成的垫单元。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述外部电极的至少一部分在宽度上大于所 述内部电极。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述内部电极沿第一方向和垂直于所述第一 方向的第二方向延伸。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述外部电极的一部分在宽度上大于其它 部分。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中由所述外部电极包围的内部区域通过所述 内部电极分为多个区域，在所述多个区域中与具有大的宽度的外部电极接触的区域的面积 大于与具有小的宽度的外部电极接触的区域的面积。
12.一种发光器件封装，包括 封装体；安装至所述封装体的第一电极层和第二电极层；和根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件安装至所述封装体并与所述第一电极 层和所述第二电极层电连接。
13.一种发光器件，包括导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的发光结构层；导电保护层，所述导电保护层设置在所述导电支撑衬底上的周边部分处并部分地设置 在所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间；和设置在所述发光结构层上并与所述导电保护层至少部分交叠的电极，其中所述发光结构层具有倾斜的侧面，和所述倾斜的侧面与所述导电保护层交叠。
14.根据权利要求13所述的发光器件，包括设置在所述发光结构层和所述导电支撑 衬底之间的欧姆接触层。
15.根据权利要求14所述的发光器件，包括设置在所述欧姆接触层和所述导电支撑 衬底之间的反射层。
16.根据权利要求14所述的发光器件，包括部分设置在所述发光结构层和所述欧姆 接触层之间的电流阻挡层。
17.根据权利要求15所述的发光器件，包括设置在所述反射层和所述导电支撑衬底 之间的接合层。
18.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述导电保护层包括Ti、Ni、Pt、Pd、Rh, Ir和W中的至少任意一种或透明导电氧化物膜。
19.根据权利要求13所述的发光器件，还包括钝化层，所述钝化层与所述发光结构层 的顶部和侧面以及所述导电保护层的顶部接触。
20.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述反射层形成在所述接合层的整个顶部 上，所述导电保护层部分地形成在所述反射层上。
21.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述电流阻挡层的底部和侧面与所述欧姆 接触层接触，所述电流阻挡层的顶部与所述发光结构层接触，所述电流阻挡层的宽度为所 述电极的宽度的1. 1 1.3倍。
22.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述电极包括沿所述发光结构层的顶部 的边缘延伸的外部电极、设置在所述外部电极内部的并连接所述外部电极的内部电极、以 及在所述外部电极处形成的垫单元。
23.根据权利要求22所述的发光器件，其中所述外部电极的至少一部分在宽度上大于 所述内部电极。
24.根据权利要求22所述的发光器件，其中所述内部电极沿第一方向和垂直于所述第 一方向的第二方向延伸。
25.根据权利要求22所述的发光器件，其中由所述外部电极包围的内部区域通过所述 内部电极分为多个区域，在所述多个区域中与具有大的宽度的外部电极接触的区域的面积 大于与具有小的宽度的所述外部电极接触的区域的面积。
26.一种发光器件封装，包括封装体；安装至所述封装体的第一电极层和第二电极层；和根据权利要求13所述的发光器件，所述发光器件安装至所述封装体并与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
27.一种发光器件，包括导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的发光结构层；保护层，所述保护层设置在所述导电支撑衬底上的周边部分处并部分地设置在所述导 电支撑衬底和所述发光结构层之间；和在所述发光结构层上的与所述保护层至少部分交叠的电极，其中所述电极包括外部电极、设置在所述外部电极内部并连接所述外部电极的第一 部分和第二部分的内部电极、以及与所述外部电极连接的垫单元。
28.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极的至少一部分在宽度上大于 所述内部电极。
29.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极的至少一部分在宽度上大于 所述外部电极的其它部分。
30.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述电极至少部分地设置在从所述发光结 构层的顶部的侧边的50微米内。
31.根据权利要求27所述的发光器件，还包括部分地形成在所述发光结构层的侧面 和顶部上的钝化层，并且所述电极的至少一部分与所述钝化层接触。
32.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述保护层为导电保护层，所述导电保护 层包括透明导电氧化物膜，或包括或Ti、Ni、Pt、Pd、Rh, Ir和W中的至少任意一种。
33.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述保护层为非导电保护层，所述非导电 保护层包括电绝缘材料或与所述发光结构层肖特基接触的材料。
34.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极包括沿第一方向形成的第 一外部电极和第二外部电极、以及沿第二方向延伸并将所述第一外部电极和所述第二外部 电极连接起来的第三外部电极和第四外部电极，和所述内部电极包括沿所述第二方向形成、设置在所述第三外部电极和所述第四外部 电极之间并且将所述第一外部电极和所述第二外部电极连接起来的第一内部电极。
35.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极包括沿第一方向形成的第 一外部电极和第二外部电极、以及将所述第一外部电极和所述第二外部电极连接起来的第 三外部电极和第四外部电极，和所述内部电极包括沿第二方向形成、设置在所述第三外部电极和所述第四外部电极 之间并将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第一内部电极、以及沿所述第 一方向形成、设置在所述第一外部电极和所述第二外部电极之间并将所述第三外部电极与 所述第四外部电极连接起来的第二内部电极。
36.根据权利要求35所述的发光器件，其中所述第一外部电极和所述第二内部电极之 间的距离大于所述第二外部电极和所述第二内部电极之间的距离。
37.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极包括沿第一方向形成的第 一外部电极和第二外部电极、以及沿第二方向形成并将所述第一外部电极与所述第二外部 电极连接起来的第三外部电极和第四外部电极，和所述内部电极包括沿所述第二方向形成、设置在所述第三外部电极和所述第四外部电极之间并将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第一内部电极和第二内 部电极。
38.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极包括沿第一方向形成的第 一外部电极和第二外部电极、以及将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第 三外部电极和第四外部电极，和所述内部电极包括沿第二方向延伸、设置在所述第三外部电极和所述第四外部电极 之间并将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第一内部电极和第二内部电 极、以及沿所述第一方向形成、设置在所述第一外部电极和所述第二外部电极之间并将所 述第三外部电极与所述第四外部电极连接起来的第三内部电极。
39.根据权利要求38所述的发光器件，其中所述第一外部电极和所述第三内部电极之 间的距离大于所述第二外部电极和所述第三内部电极之间的距离。
40.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述外部电极包括沿第一方向形成的第 一外部电极和第二外部电极、以及将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第 三外部电极和第四外部电极，和所述内部电极包括沿第二方向形成、设置在所述第三外部电极和所述第四外部电极 之间并将所述第一外部电极与所述第二外部电极连接起来的第一内部电极、第二内部电极 和第三内部电极，以及沿所述第一方向形成、设置在所述第一外部电极和所述第二外部电 极之间并将所述第三外部电极与所述第四外部电极连接起来的第四内部电极。
41.根据权利要求40所述的发光器件，其中所述第一外部电极和所述第四内部电极之 间的距离大于所述第二外部电极和所述第四内部电极之间的距离。
42.一种发光器件封装，包括封装体；安装至所述封装体的第一电极层和第二电极层；和根据权利要求27所述的发光器件，所述发光器件安装至所述封装体并与所述第一电 极层和所述第二电极层电连接。
全文摘要
本发明涉及发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。根据一个实施方案的发光器件包括导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上接合层；在所述接合层上的反射层；在所述反射层上的欧姆接触层；在所述欧姆接触层上的电流阻挡层；在所述接合层上的周边部分处的保护层；在所述电流阻挡层、所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结构层；以及在所述发光结构层上与所述电流阻挡层和所述保护层至少部分交叠的电极，其中所述保护层由导电率低于所述欧姆接触层或所述反射层的材料、电绝缘材料或与所述发光结构层肖特基接触的材料制成。
文档编号H01L33/44GK102097569SQ20101059185
公开日2011年6月15日 申请日期2010年12月9日 优先权日2009年12月9日
发明者丁焕熙, 宋俊午, 崔光基, 李尚烈 申请人:Lg伊诺特有限公司