专利名称：发光二极管封装体及其形成方法
技术领域：
本发明有关于晶片封装体及其形成方法，且特别有关于具有散热插塞(thermal via)的发光二极管(LED)封装体。
背景技术：
晶片封装体除了提供封装于其中的晶片连接界面外，还保护晶片免受环境污染物 污染。随着功能性的增加，在晶片运作期间，可能会产生大量的热能，其对晶片效能造成 不利的影响。特别是对发光二极管晶片而言，运作期间所产生的热能可能会严重地减低发 光二极管晶片的特性及使用寿命。因此，业界亟需散热良好的晶片封装体。
发明内容
本发明提供一种发光二极管封装体，包括一半导体基底，具有一第一表面及一第 二表面；至少一穿孔，穿过该半导体基底的该第一表面及该第二表面；至少一散热孔洞，自 该半导体基底的该第二表面朝该第一表面延伸；一导热材料，填充于该散热孔洞之中以形 成一散热插塞，其中该散热插塞具有靠近该第一表面的一第一端及靠近该第二表面的一第 二端；一绝缘层，位于该穿孔的一侧壁之上且延伸于该半导体基底的该第一表面及该第二 表面之上，其中该绝缘层进一步覆盖该第一端、该第二端及该散热插塞的一侧壁的至少其 中之一；一导电层，位于该穿孔中的该绝缘层之上，并延伸至该半导体基底的该第一表面及 该第二表面之上；以及一发光二极管晶片，设置于该半导体基底的该第一表面或该第二表 面之上，且具有一电极，电性连接至该导电层。本发明所述的发光二极管封装体，该穿孔的一尺寸大于该散热孔洞的一尺寸。本发明所述的发光二极管封装体，该导热材料完全填满该散热孔洞。本发明所述的发光二极管封装体，该导热材料延伸至该半导体基底的该第二表面 上以连结多个所述散热插塞。本发明所述的发光二极管封装体，该导热材料为该导电层的一部分。本发明所述的发光二极管封装体，该导热材料及该导电层是分别形成的。本发明所述的发光二极管封装体，该导热材料通过该绝缘层而与该导电层电性绝缘。本发明所述的发光二极管封装体，该导电层进一步延伸至该散热插塞之下。本发明所述的发光二极管封装体，位于该半导体基底的该第二表面上的该绝缘层
为一单一材料层。本发明所述的发光二极管封装体，位于该穿孔及该半导体基底的该第一表面上的 该绝缘层包括多个材料层。本发明还提供一种发光二极管封装体的形成方法，包括提供一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；自该半导体基底的该第二表面朝该第一表面形成至少一第一孔 洞及至少一第二孔洞，其中该第一孔洞的深度大于该第二孔洞的深度；自该第一表面薄化 该半导体基底以露出该第一孔洞而形成一穿孔，其中该第二孔洞作为自该半导体基底的该 第二表面朝该第一表面延伸的一散热孔洞；在该散热孔洞中填充一导热材料以形成一散热 插塞，其中该散热插塞具有靠近该第一表面的一第一端及靠近该第二表面的一第二端；形 成一第一绝缘层于该穿孔的一侧壁之上，且延伸至该半导体基底的该第一表面及该第二表 面之上，其中该第一绝缘层进一步覆盖于该第一端、该第二端及该散热插塞的一侧壁的至 少其中之一；形成一导电层于该穿孔中的该第一绝缘层之上，且延伸至该半导体基底的该 第一表面及该第二表面之上；以及将一发光二极管晶片设置于该半导体基底的该第一表面 或该第二表面之上，其中该发光二极管晶片具有一电极，电性连接至该导电层。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，形成该第一绝缘层的步骤在于该散 热孔洞中填充该导热材料以形成该散热插塞之后进行，使得该第一绝缘层进一步覆盖该散 热插塞的该第二端。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，该导热材料通过延伸在该半导体基 底的该第二表面上的该第一绝缘层而与该导电层电性绝缘。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，形成该第一绝缘层的步骤在于该散 热孔洞中填充该导热材料以形成该散热插塞之前进行，使得该第一绝缘层进一步覆盖该第 一端及该散热插塞的该侧壁。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，该导热材料及该导电层是同时形成 的。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，还包括在进行形成该第一绝缘层 与填充该导热材料的步骤之后，自该第二表面研磨该半导体基底及该半导体基底上的该第 一绝缘层以使该散热插塞的该第二端露出；以及形成一附加绝缘层于该第一绝缘层、该半 导体基底的该第二表面及该散热插塞的该第二端之上。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，该导电层同时形成于该第一绝缘层 及该附加绝缘层之上。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，该第一孔洞及该第二孔洞是同时形 成的。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，该第一孔洞的一尺寸大于该第二孔 洞的一尺寸。本发明所述的发光二极管封装体的形成方法，还包括形成一阻挡结构以覆盖该 穿孔；以及在形成该散热插塞之后，移除该阻挡结构。本发明可使得晶片封装体的散热性进一步提升。
图1A-1H显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图。图2A-2C显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图。图3A-3E显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图。
具体实施例方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而应注意的是，本发明提供 许多可供应用的发明概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为 制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用 重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例 及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上 时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。图1A-1H显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图。请 参照图1A，提供半导体基底100，其具有第一表面IOOa及第二表面100b。半导体基底100 可包括半导体材料，例如硅。在一实施例中，半导体基底100较佳为硅晶圆而适于晶圆级封 装(wafer-level packaging)的进行。接着，部分移除半导体基底100以形成至少一穿孔(through-hole)及至少一散热 孔洞(heat dissipation hole)。如图IA所示，至少一孔洞102a及至少一散热孔洞104a 通过自第二表面IOOb朝第一表面IOOa部分移除半导体基底100而形成。在此实施例中， 同时形成多个孔洞102a及多个散热孔洞104a。例如，可进行光刻及蚀刻制程以形成孔洞 102a及散热孔洞104a。在其他实施例中，孔洞102a及散热孔洞104a分别形成。孔洞102a 的尺寸可大于散热孔洞104a的尺寸，且孔洞102a的深度可大于散热孔洞104a的深度。例 如，当孔洞102a及散热孔洞104a皆具有圆形的开口时，孔洞102a的开口的直径大于散热 孔洞104a的开口的直径。请参照图1B，接着自第一表面IOOa薄化半导体基底100以使孔洞102a露出而形 成出穿孔102。例如，可于半导体基底100的第一表面IOOa上进行研磨(grinding)或化学 机械研磨(CMP)等制程直至到达或露出孔洞102a的底部。可将半导体基底100薄化至一 预定厚度，端视需求而定。如图IB所示，通过部分移除与薄化半导体基底100，形成了穿过半导体基底100的 第一表面IOOa与第二表面IOOb的至少一穿孔102以及自第二表面IOOb朝第一表面IOOa 延伸的散热孔洞104a。在此实施例中，形成有多个穿孔102及多个散热孔洞104a。在其他 实施例中，穿孔102可在单一蚀刻制程中形成而不需基底的薄化制程。在此情形中，穿孔 102及散热孔洞104a可能在不同的图案化制程中定义。然而，在其他实施例中，穿孔102及 散热孔洞104a可在相同的蚀刻制程中形成，其中穿孔102的尺寸可大于散热孔洞104a的 尺寸。应注意的是，穿孔102或散热孔洞104a的开口的形状可包括任何适合的形状，例如 圆形、长方形或正方形等等。请参照图1C，散热孔洞104a将被填充导热材料(thermal conductive material) 以形成多个散热插塞(thermal vias)。在此实施例中，导热材料及随后将形成的导电材料 (其将形成于穿孔102中)分别形成。因此，在形成散热插塞之前，可形成至少一阻挡结构 (blocking structure) 105以将穿孔102盖住。在此实施例中，阻挡结构105可部分或完全 填充穿孔102。阻挡结构105可包括(但不限于)图案化光阻层或其相似物。请参照图1D，接着于散热孔洞104a中填充导热材料以形成多个散热插塞106。散 热插塞106具有靠近第一表面100a的第一端106a及靠近第二表面100b的第二端106b。 导热材料用以使将要封装于封装体中的晶片运作期间所产生的热能导出。导热材料可包括任何可散热的材质，例如铜、银、金、铝、钻石、碳纳米材料(包括碳纳米管或纳米柱)或前述 的组合。在一实施例中，较佳于散热孔洞104a中填充金属材料，例如铜。例如，可进行电镀 制程以于散热孔洞104a中填充例如铜或铜合金等材质。在一些实施例中，可于电镀制程进 行之前，形成晶种层、粘着层或/及缓冲层等。在一些情形中，基于导热材料的过度沉积，所 填充的散热插塞106的第二端106b可能具有远离第二表面IOOb的凸起部。在此情形下， 可通过研磨制程而将散热插塞106的第二端106b平坦化，例如可采用机械研磨或化学机械 研磨制程。虽然，显示于图ID中的导热材料完全填满散热孔洞104a，但本发明实施例的实施 方式不限于上述的特定实施例。在其他实施例中，导热材料可仅部分填充散热孔洞104a。 例如，导热材料可仅形成在散热孔洞104a的侧壁上而不将 散热孔洞104a完全填满，因而形 成出具有中空结构的散热插塞106。请参照图1E，在形成散热插塞106之后，将阻挡结构105移除，并于穿孔102的侧 壁上形成绝缘层108。较佳者，绝缘层108于低于导热材料的熔点的温度下形成，因而维持 散热插塞106的结构稳定性。例如，绝缘层108可以化学气相沉积法形成。绝缘层108可包 括(但不限于)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述的组合。在图IE的实施例中，绝缘层108 进一步延伸至半导体基底100的第一表面IOOa及第二表面IOOb之上。绝缘层108顺应性 地形成于半导体基底100的全部表面之上，并完全覆盖散热插塞106的第二端106b。在一 实施例中，绝缘层108与散热插塞106的第二端106b直接接触。虽然，显示于图IE的绝缘 层108完全覆盖半导体基底100的全部表面，在其他实施例中，可将绝缘层108图案化以露 出部分的半导体基底100。在又一实施例中，可进行额外的图案化制程以部分移除绝缘层 108而使散热插塞106的第二端106b露出。此外，在一实施例中，位于半导体基底100的第 二表面IOOb上的绝缘层108为一单一材料层。请参照图1F，接着于穿孔中的绝缘层上形成导电层，其中导电层与散热插塞电性 绝缘。请参照图1F，为了形成导电层，可先于穿孔102中的绝缘层108上形成晶种层110a。 晶种层IlOa可包括任何导电材料，例如铜。晶种层IlOa可通过物理气相沉积法形成。在图 IF所示的实施例中，晶种层IlOa进一步延伸至半导体基底100的第一表面IOOa及第二表 面IOOb之上。晶种层IlOa用以在后续的电镀制程中导通电流。如图IF所示，可于部分的 晶种层IlOa之上形成覆盖层111以避免金属材料于后续的电镀制程中沉积至晶种层IlOa 被覆盖的部分。在其他实施例中，可通过有别于电镀制程的其他沉积方法形成导电层。因 此，可省略晶种层。如图IG所示，进行电镀制程以将导电材料沉积至晶种层IlOa之上而形成导电层 110。导电层110形成于穿孔102中的绝缘层108上。在显示于图IG的实施例中，导电层 110进一步延伸至半导体基底100的第一表面IOOa及第二表面IOOb之上。例如，导电层 110可进一步延伸至散热插塞106之下。由于覆盖层111盖住部分的晶种层110a，导电材 料不沉积至被覆盖的部分上。接着，可移除覆盖层111。可进行蚀刻制程以移除先前被覆盖 层111所覆盖的晶种层110a，因而将导电层110图案化。在此实施例中，导电层110通过绝 缘层108而与填充于散热插塞106中的导热材料电性绝缘。在其他实施例中，可先将晶种层IlOa图案化以露出部分的绝缘层108，并接着将覆盖层111形成于绝缘层108所露出的部分上。在电镀出导电层110之后，将覆盖层111 移去，因而将导电层110图案化。导电层110及晶种层IlOa可包括相同的材质，例如铜。在其他实施例中，导电层 110及晶种层IlOa可包括不同的材质。应注意的是，导电层110不限于以电镀制程形成。 在其他实施例中，导电层110可通过其他制程而顺应性地形成于绝缘层108之上，例如通过 化学气相沉积、物理气相沉积或无电镀制程(electroless plating process) 0 在形成导电层之后，于半导体基底100的第一表面IOOa或第二表面IOOb上设置 晶片。例如，将晶片112设置于半导体基底100的第一表面IOOa上，如图IH所示。晶片112 具有至少一电极112a。电极112a电性连接至导电层110。在显示于图IH的实施例中，晶 片112的电极112a与导电层110通过焊线114而电性连接在一起。在其他实施例中，晶片 112的电极112a与导电层110可通过其他的导电元件而彼此电性连接，例如通过线路重布 层(redistribution layer)。晶片112可包括(但不限于)发光二极管晶片。当晶片112为发光二极管晶片时， 其可能于运作时产生大量的热能。基于散热插塞的形成，可达到散热的目的。发光二极管 晶片的特性不至于恶化，且发光二极管晶片的使用寿命可获提升。此外，本领域技术人员当 可明了，可于晶片封装体中形成许多已知元件。例如，可形成保护层以保护晶片免受伤害。图2A-2C显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图，其 中相同或相似的元件将采用相同或相似的标号。在此实施例中，附加的绝缘层形成于散热 孔洞与散热插塞之间。请参照图2A，提供半导体基底100，其具有第一表面IOOa及第二表面100b。于半 导体基底100中形成至少一穿孔102及至少一散热孔洞104a。穿孔102及散热孔洞104a 可通过相似于图1A-1H所示的实施例的方法形成。在定义出散热孔洞104a之后，于散热孔洞104a的侧壁上形成绝缘层。如图2A所 示，绝缘层202形成于散热孔洞104a的侧壁上。在此实施例中，绝缘层202进一步延伸进 入穿孔102，且覆盖半导体基底100的第一表面IOOa及第二表面100b。绝缘层202可避免 半导体基底100受到随后将形成的散热插塞的污染。在一实施例中，绝缘层202可通过热 氧化制程而形成。在其他实施例中，绝缘层202可通过化学气相沉积而形成。绝缘层202 可例如包括氧化硅。请参照图2B，接着以相似于图ID所示实施例的方法形成散热插塞。例如，进行电 镀制程以于散热孔洞104a中填充导热材料而形成至少一散热插塞106。在此实施例中，导 热材料亦为导电材料，例如是铜。在此实施例中，于穿孔102的侧壁上形成导电层，且导电 层填入散热孔洞104a中。散热插塞106具有靠近第一表面IOOa的第一端106a及靠近第 二表面IOOb的第二端106b。导电层覆盖半导体基底100的整个第二表面100b，且具有较 低表面的部分106c。请参照图2C，接着将导电层图案化，因而使导电层延伸进入穿孔102的部分110与 导电层延伸于散热插塞106的第二端106b上的其他部分106c电性绝缘。在此实施例中， 散热插塞106进一步由其下方的导电层部分106c所连结，进一步增进封装体的散热性。换 言之，导热材料(部分的导电层)延伸于半导体基底100的第二表面IOOb上以连结多个散
热插塞。
接着，将例如是发光二极管晶片的晶片112设置于半导体基底100的第一表面 IOOa或第二表面IOOb之上，如图2C所示。晶片112具有至少一电极112，其电性连接至延 伸于穿孔102的侧壁上的导电层。在上述实施例中，散热孔洞与散热插塞仅部分穿过半导体基底。然而，本发明实施 例不限于上述的特定例子。在其他实施例中，散热孔洞与散热插塞可完全穿过半导体基底。图3A-3E显示根据本发明一实施例的发光二极管封装体的一系列制程剖面图，其 中相同或相似的元件将采用相同或相似的标号标示。请参照图3A，提供半导体基底100，其具有第一表面IOOa及第二表面100b。于半 导体基底100中形成至少一穿孔102及至少一散热孔洞10如。穿孔102及散热孔洞10 可通过相似于图1A-1H所示的实施例的方法形成。在定义出散热孔洞10 之后，于散热孔洞10 的侧壁上形成绝缘层。如图3A所 示，绝缘层202形成于散热孔洞10 的侧壁上。在此实施例中，绝缘层202进一步延伸进 入穿孔102，且覆盖半导体基底100的第一表面IOOa及第二表面100b。绝缘层202可避免 半导体基底100受到随后将形成的散热插塞的污染。绝缘层202的材质与形成方式可相似 于图2A所示实施例中的绝缘层。请参照图3B，形成阻挡结构105以覆盖穿孔102。在此实施例中，阻挡结构105覆 盖半导体基底100的第一表面100a，且完全填充穿孔102。阻挡结构105可包括(但不限 于)图案化光阻层或其相似物。例如，图案化干膜(patterned dry film)可用作阻挡结构 105。如图:3B所示，接着以相似于图ID所示实施例的方法形成散热插塞。例如，进行电 镀制程以于散热孔洞10 中填充导热材料而形成至少一散热插塞106。散热插塞106具有 靠近第一表面IOOa的第一端106a及靠近第二表面IOOb的第二端106b。在此实施例中，散 热插塞106的第二端106b具有远离第二表面IOOb的凸出部。请参照图3C，移除阻挡结构105，并对散热插塞106的第二端106b进行研磨制程。 在研磨制程之后，散热插塞106的第二端106b处的凸出部与半导体基底100的第二表面 IOOb上的绝缘层202被移除。如图3C所示，由于半导体基底100的第二表面IOOb上的绝 缘层202亦于散热插塞106的研磨制程期间被移除，散热插塞106的第二端106b大抵与半 导体基底100的第二表面IOOb共半面。相似于图1A-1F所示的实施例，可接着于穿孔102的侧壁上形成图案化导电层以 形成导电插塞(electrical via)。然而，图案化导电层通常会进一步延伸至半导体基底100 的第一表面IOOa及第二表面IOOb之上。因此，为了避免发生短路，应在形成导电层之前， 于半导体基底100的第一表面IOOa及第二表面IOOb上形成绝缘层。特别是绝缘层202可 能于散热插塞106的研磨制程期间被完全或部分移除，因此应先形成绝缘层。请参照图3D，通过相似于图IE实施例的方法，于半导体基底100的整个表面上形 成绝缘层108(或称附加绝缘层)。绝缘层108较佳通过化学气相沉积而形成。绝缘层108 覆盖第一表面IOOa及第二表面100b，因而使半导体基底100与随后将形成的导电层电性 绝缘。在此实施例中，绝缘层108完全覆盖散热插塞106的第二端106b。然而，在其他实 施例中，可另外进行图案化制程以部分移除绝缘层108而使散热插塞106露出。在一实施 例中，穿孔102与半导体基底100的第一表面IOOa上的绝缘层包括多层的绝缘层。例如，在图3D的实施例中，穿孔102与半导体基底100的第一表面IOOa上的绝缘层包括绝缘层 202 及 108。在形成绝缘层108之后，可进行一连串相似于图1F-1H所示的制程以形成图案化 导电层110，并于半导体基底100的第一表面IOOa或第二表面IOOb上设置晶片112，如图 3E所示。在此实施例中，导电层110同时形成于绝缘层202及108之上。晶片112的电极 112a电性连接至延伸进入穿孔102中的导电层。在其他实施例中，可部分移除绝缘层108 以定义出露出全部或部分散热插塞106的第二端106b的开口。在又一实施例中，可进一步 于所露出的散热插塞106上形成导热材料。本发明不受限于所揭露的实施例。例如，虽然所讨论形成于穿孔中的导电层为顺 应性材料层，本发明实施的导电层可为其他形式。例如，导电层可完全填满穿孔，具相似于 散热插塞的结构。基于散热插塞的形成，本发明实施例的晶片封装体的散热性可获提升。特别是，当 所封装的晶片为发光二极管晶片时，发光二极管元件的特性将不至于恶化，且使用寿命可 获提升。以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本 项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因 此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。附图中符号的简单说明如下
100 半导体基底
IOOaUOOb 表面
102 穿孔
102a、104a 孔洞
105 阻挡结构
106 散热插塞
106a、106b 端
106c 部分
108,202 绝缘层
110 导电层
IlOa:晶种层
111 覆盖层
112 晶片
11 电极
114:焊线。
权利要求
1.一种发光二极管封装体，其特征在于，包括 一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；至少一穿孔，穿过该半导体基底的该第一表面及该第二表面； 至少一散热孔洞，自该半导体基底的该第二表面朝该第一表面延伸； 一导热材料，填充于该散热孔洞之中以形成一散热插塞，其中该散热插塞具有靠近该 第一表面的一第一端及靠近该第二表面的一第二端；一绝缘层，位于该穿孔的一侧壁之上且延伸于该半导体基底的该第一表面及该第二表 面之上，其中该绝缘层进一步覆盖该第一端、该第二端及该散热插塞的一侧壁的至少其中 之一；一导电层，位于该穿孔中的该绝缘层之上，并延伸至该半导体基底的该第一表面及该 第二表面之上；以及一发光二极管晶片，设置于该半导体基底的该第一表面或该第二表面之上，且具有一 电极，该电极电性连接至该导电层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该穿孔的一尺寸大于该散 热孔洞的一尺寸。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导热材料完全填满该散 热孔洞。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导热材料延伸至该半导 体基底的该第二表面上以连结多个所述散热插塞。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导热材料为该导电层的 一部分。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导热材料及该导电层是 分别形成的。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导热材料通过该绝缘层 而与该导电层电性绝缘。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装体，其特征在于，该导电层进一步延伸至该 散热插塞之下。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，位于该半导体基底的该第 二表面上的该绝缘层为一单一材料层。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，位于该穿孔及该半导体基 底的该第一表面上的该绝缘层包括多个材料层。
11.一种发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，包括 提供一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；自该半导体基底的该第二表面朝该第一表面形成至少一第一孔洞及至少一第二孔洞， 其中该第一孔洞的深度大于该第二孔洞的深度；自该第一表面薄化该半导体基底以露出该第一孔洞而形成一穿孔，其中该第二孔洞作 为自该半导体基底的该第二表面朝该第一表面延伸的一散热孔洞；于该散热孔洞中填充一导热材料以形成一散热插塞，其中该散热插塞具有靠近该第一 表面的一第一端及靠近该第二表面的一第二端；形成一第一绝缘层于该穿孔的一侧壁之上，且延伸至该半导体基底的该第一表面及该 第二表面之上，其中该第一绝缘层进一步覆盖于该第一端、该第二端及该散热插塞的一侧 壁的至少其中之一；形成一导电层于该穿孔中的该第一绝缘层之上，且延伸至该半导体基底的该第一表面 及该第二表面之上；以及将一发光二极管晶片设置于该半导体基底的该第一表面或该第二表面之上，其中该发 光二极管晶片具有一电极，该电极电性连接至该导电层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，形成该第一 绝缘层的步骤在于该散热孔洞中填充该导热材料以形成该散热插塞之后进行，使得该第一 绝缘层进一步覆盖该散热插塞的该第二端。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，该导热材料 通过延伸在该半导体基底的该第二表面上的该第一绝缘层而与该导电层电性绝缘。
14.根据权利要求11所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，形成该第一 绝缘层的步骤在于该散热孔洞中填充该导热材料以形成该散热插塞之前进行，使得该第一 绝缘层进一步覆盖该第一端及该散热插塞的该侧壁。
15.根据权利要求14所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，该导热材料 及该导电层是同时形成的。
16.根据权利要求14所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，还包括在进行形成该第一绝缘层与填充该导热材料的步骤之后，自该第二表面研磨该半导体 基底及该半导体基底上的该第一绝缘层以使该散热插塞的该第二端露出；以及形成一附加绝缘层于该第一绝缘层、该半导体基底的该第二表面及该散热插塞的该第 二端之上。
17.根据权利要求16所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，该导电层同 时形成于该第一绝缘层及该附加绝缘层之上。
18.根据权利要求11所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，该第一孔洞 及该第二孔洞是同时形成的。
19.根据权利要求11所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，该第一孔洞 的一尺寸大于该第二孔洞的一尺寸。
20.根据权利要求11所述的发光二极管封装体的形成方法，其特征在于，还包括形成一阻挡结构以覆盖该穿孔；以及在形成该散热插塞之后，移除该阻挡结构。
全文摘要
一种发光二极管封装体及其形成方法，发光二极管封装体包括半导体基底，具有第一及第二表面；至少一穿孔，穿过半导体基底的第一及第二表面；至少一散热孔洞，自第二表面朝第一表面延伸；导热材料，填充于散热孔洞之中以形成散热插塞，散热插塞具靠近第一表面的第一端及靠近第二表面的第二端；绝缘层，位于穿孔的侧壁上且延伸于第一及第二表面上，绝缘层覆盖第一端、第二端及散热插塞的侧壁的至少其中之一；导电层，位于穿孔中的绝缘层之上，并延伸至第一及第二表面上；及发光二极管晶片，设置于第一或第二表面上，且具有电极，电性连接至导电层。本发明可使得晶片封装体的散热性进一步提升。
文档编号H01L33/48GK102142509SQ20101061522
公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月22日 优先权日2010年1月14日
发明者刘沧宇, 吴上义 申请人:精材科技股份有限公司