专利名称：超薄式片式整流桥的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体及半导体整流桥，尤其涉及一种超薄式片式整流桥。
背景技术：
随着节能灯市场的不断扩大，节能灯品种不断翻新，对其所需的元器件要求越来 越高，特别是半导体整流二极管，由于节能灯线路体积空间有限，散热条件差，工作环境恶 劣，极易引起二极管失效，所以半导体二极管组成的整流器必须具备以下特点1 体积小。2 耐高温。3:耐电压冲击。4负载能力强5:自身功耗小。在2007年以前主要以轴向二极管组成桥为主，其特点，生产工艺成熟，生产成本 低，价格便宜，基本上能满足市场需求。随着劳动力成本不断的增加，技术含量在不断的提 高，进口贴装设备进入国内市场。SMA、SMB封装的贴片二极管近两年得到大量使用，它是将 全波线路制在线路板上，二极管贴装在线路上，其生产效率提高近50倍，其能力也比轴向 二极管优良。LED及微型高效节能灯问世，SMA及SMB等二极管由于体积较大而无法得到应 用，贴片桥为此成为节能灯的选择，整流桥是将四只二极管芯片通过引线框架焊接组成， 并用环氧树脂封装而成的全波整流器。目前市场上桥式整流器均体积太大而无法在此类节能灯上使用，贴片桥就要解决 体积问题，又要解决负载问题。由于贴片TB桥较小，所以相对分立二极管来说芯片的尺寸 就相对要大，工艺及其封装模具要求较高，以及引线制作要求高。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是目前市场上桥式整流器均体积太大而无法在此 类节能灯上使用，贴片桥就要解决体积问题，又要解决负载问题。由于贴片TB桥较小，所以 相对分立二极管来说芯片的尺寸就相对要大，工艺及其封装模具要求较高，以及引线制作 要求高的不足，提供一种超薄式片式整流桥。为了克服背景技术中存在的缺陷，本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案 是本实用新型包括引脚一、引脚二、引脚三、引脚四和封装体，引脚一和引脚二置于封装体 上方，引脚三和引脚四置于封装体下方，所述封装体长度为5. 0士0. 75mm，最佳值为5. Omm ； 所述封装体宽度为4. 4士 1. 0mm，最佳值为4. 4mm ；所述封装体厚度为1. 3 士0. 75mm，最佳值 为1. 3mm ；所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的宽度为0. 60士0. 10mm，最佳值为0. 60mm ； 所述引脚、引脚二、引脚三、引脚四的长度为0. 6士0. 10mm，最佳值为0. 6mm ；引脚一和引脚 二、引脚三和引脚四的中心之间距离为4. 0士0. 2，最佳值为4. 0 ；所述封装体上的引脚一和 下的引脚三两端之间的距离为6. 8士 1. 0mm，最佳值为6. 8mm。[0012]根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述封装体为环氧树脂材料组成， 封装体内设有芯片，芯片均采用GPP玻璃钝化材料，芯片与引脚一、弓I脚二、引脚三、引脚 四连接。根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述芯片与引脚一、引脚二、引脚 三、引脚四的连接到封装体一侧的距离为0. 1 士0. 05mm，最佳值为0. 1mm。本实用新型的有益效果是本实用新型通过对芯片和引线框架尺寸改造，在不降 低其他性能的条件下，与传统的桥式整流器对比，完成对整流桥体积的充分减小，适应微型 节能灯及LED的要求，本实用新型芯片均采用GPP玻璃钝化芯片，取消腐蚀工序，不产生水 污染。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的主视结构示意图；图2是本实用新型的俯视结构示意图；图3是本实用新型的内部结构示意图；其中1、引脚一，2、引脚二，3、引脚三，4、引脚四，5、封装体，6、芯片。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关 的构成。如图1、图2和图3所示，图中包括引脚一 1、引脚二 2、引脚三3、引脚四4和封装 体5，引脚一 1和引脚二 2置于封装体5上方，引脚三3和引脚四4置于封装体5下方，所述 封装体5长度为5. 0 士0. 75mm,最佳值为5. Omm ；所述封装体5宽度为4. 4士 1. Omm,最佳值 为4. 4mm ；所述封装体5厚度为1. 3士0. 75mm，最佳值为1. 3mm ；所述引脚一 1、引脚二 2、引 脚三3、引脚四4的宽度为0. 60士0. 10mm，最佳值为0. 60mm ；所述引脚一 1、引脚二 2、引脚 三3、引脚四4的长度为0. 6士0. 10mm，最佳值为0. 6mm ；引脚一 1和引脚二 2、引脚三3和引 脚四4的中心之间距离为4. 0士0. 2，最佳值为4. 0 ；所述封装体5上的引脚一 1和下的引脚 三3两端之间的距离为6. 8士 1. Omm,最佳值为6. 8mm,所述封装体5为环氧树脂材料组成， 封装体5内设有芯片6，芯片6均采用GPP玻璃钝化材料，芯片6与引脚一 1、引脚二 2、引脚 三3、引脚四4连接，所述芯片6与引脚一 1、引脚二 2、引脚三3、引脚四4的连接到封装体 5 一侧的距离为0. 1 士0. 05mm，最佳值为0. 1_。本实用新型制作工艺流程为首先为芯片选择，为了保证整流桥的稳定，选好二极管的芯片是关键，确保芯片质量。其次是焊接工艺(1)超薄式片式整流桥引线框架用高温焊片通过链烧炉焊在一起。(2)根据超薄式片式整流桥体积要求制定引线框架。(3)将焊片通过烧结炉在芯片两表面均焊上焊锡，烧结炉温度在320°C —350时间大于15分钟低于20分钟。(4)将出炉预焊好的芯片，置于常温冷却，并保持干燥。(5)将引线框架下片放入组焊板，预焊好的适量的芯片放入筛盘，将二极管极性分 开。(6)用吸笔将芯片焊点上。(7)盖上压板进焊接，完成此工序。本实用新型通过对芯片和引线框架改造，在不降低其他性能的条件下，与传统的 桥式整流器对比，完成对整流桥体积的充分减小，适应微型节能灯及LED的要求，本实用新 型芯片均采用GPP玻璃钝化芯片，取消腐蚀工序，不产生水污染。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术 性范围。
权利要求一种超薄式片式整流桥，包括引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)和封装体(5)，引脚一(1)和引脚二(2)置于封装体(5)上方，引脚三(3)和引脚四(4)置于封装体(5)下方，其特征在于所述封装体(5)长度为5.0±0.75mm；所述封装体(5)宽度为4.4±1.0mm；所述封装体(5)厚度为1.3±0.75mm；所述引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的宽度为0.60±0.10mm；所述引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的焊接面长度为0.6±0.10mm；引脚一(1)和引脚二(2)、引脚三(3)和引脚四(4)的中心之间距离为4.0±0.2；所述封装体(5)上的引脚一(1)和下的引脚三(3)两端之间的距离为6.8±1.0mm。
2.如权利要求1所述的超薄式片式整流桥，其特征在于所述封装体(5)为环氧树脂 材料组成，封装体(5)内设有芯片(6)，芯片(6)均采用GPP玻璃钝化材料，芯片(6)与引脚 一(1)、引脚二⑵、引脚三(3)、引脚四(4)连接。
3.如权利要求1或2所述的超薄式片式整流桥，其特征在于所述芯片(6)与引脚一 (1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的连接与封装体(5) 一侧的距离为0. 1 + 0. 05mm。
专利摘要本实用新型涉及半导体及半导体整流桥的技术领域，尤其涉及一种超薄式片式整流桥。本实用新型所述封装体长度为5.0±0.75mm，最佳值为5.0mm；所述封装体宽度为4.4±1.0mm，最佳值为4.4mm；所述封装体厚度为1.3±0.75mm，最佳值为1.3mm；所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的宽度为0.60±0.10mm，最佳值为0.60mm；所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的焊接面长度为0.6±0.10mm，最佳值为0.6mm；引脚一和引脚二、引脚三和引脚四的中心之间距离为4.0±0.5，最佳值为4.0；所述封装体上的引脚一和下的引脚三两端之间的距离为6.8±1.0mm，最佳值为6.8mm。
文档编号H01L25/07GK201689885SQ201020022278
公开日2010年12月29日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者邹向前 申请人:常州市武进昌达电子元件厂