专利名称：改良的导线架结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种导线架结构，特别是涉及一种可同时搭载两个或两个以上晶 粒的改良的导线架结构。
背景技术：
半导体晶片是经过繁杂的半导体制造过程所制造出，为了使半导体晶片可容易地 被应用于电路之中，并可同时保护半导体晶片不受外力与湿气的侵蚀，必须将半导体晶片 进行封装。进行半导体晶片封装时，须备有一基本的封装架构以供放置半导体晶片。请参阅 图1，是一种现有的双晶体管封装架构的俯视图，现有的一种双晶体管封装架构70’，包括 一第一导线架80’、一第二导线架86’以及多数个金属焊板40’。如图1所示，一第一晶粒 81’是以其一第一漏极端(第一漏极端为第一晶粒的背极，因此无标示元件符号)而被设置 于该第一导线架80’之上，并通过一引线91’而与该金属焊板40’电性连接；此外，第一晶 粒81’之一第一栅极端84’也通过一引线92’而与金属焊板40’电性连接。该第二导线架 86’之上则设有一第二晶粒87’，该第二晶粒87’以其一第二漏极端(第二漏极端为第二晶 粒之背极，因此无标示元件符号)而被设置于第二导线架86’之上，该第二漏极端更通过二 引线96’而电性连接至金属焊板40’，并且，第二晶粒87’的一第二栅极90’是通过一引线 94，而电性连接至金属焊板40，，且第二晶粒87，的一第二源极端88，通过二组引线95，分 别地电性连接至金属焊板40’ ；另外，第一晶粒81’的一第一源极端82’通过一组引线93’ 而耦接至第二晶粒87’的第二漏极端。上述双晶体管封装架构70’为现有的封装架构，双晶体管封装架构70’可供设置 两个待封装晶粒，因此，被经常地使用于半导体晶片封装之中；然而，如图1所示，双晶体管 封装架构70’具有下列的缺点与不足1.该双晶体管封装架构70’之中，是通过引线分别将该第一栅极端、第一漏极端、 第二栅极端与第二源极端电性连接至该金属焊板，并通过一组引线将第一源极端与第二漏 极端相互耦接；然而，使用过多的引线，将使得整体制造过程的时间拉长。2.焊粒材料，如银胶或焊锡，容易对晶粒周围的焊垫造成污染，导致对焊垫进行焊 线之时，焊线情况不佳。有鉴于上述现有的双晶体管封装架构存在的缺陷，本设计人积极加以研究创新， 终于创设出确具实用价值的本实用新型。
实用新型内容本实用新型的主要目的在于，提出一种改良的导线架结构，可作为双晶粒的场效 晶体管的焊线架构，其仅须使用数条引线，即可将两个场效晶体管电性连接至外部的金属 脚位，并同时将其一场效晶体管的源极电性连接至另一场效晶体管的漏极。本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用
3新型提出的改良的导线架结构，包括一第一晶粒座，用于设置一第一晶粒，其中，该第一晶 粒具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，第一晶粒以该第一电极连接该第一晶粒座； 一第二晶粒座，用于设置一第二晶粒，其中，该第二晶粒具有一第四电极、一第五电极与一 第六电极，第二晶粒以该第四电极连接该第二晶粒座，此外，第二晶粒座的一侧延伸成为一 第二电极焊线区；一第三电极焊线区，通过一第二引线将第一晶粒的第三电极电性连接至 该第三电极焊线区；一第五电极焊线区，通过一第三引线将第二晶粒的第五电极电性连接 至该第五电极焊线区；以及一第六电极焊线区，通过一第四引线将第二晶粒的第六电极电 性连接至该第六电极焊线区；其中，通过一第一引线将第一晶粒的第二电极电性连接至该 第二电极焊线区，使得第一晶粒的第二电极电性连接于第二晶粒的第四电极。本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的改良的导线架结构，其中所述的第一晶粒为一场效晶体管或一双极性晶体 管。前述的改良的导线架结构，其中所述的第二晶粒为一场效晶体管或一双极性晶体管。前述的改良的导线架结构，其中所述的第一晶粒座还包括至少一第一延伸区，该 第一延伸区形成于第一晶粒座的一侧边。前述的改良的导线架结构，其中所述的第二晶粒座还包括一第三延伸区，该第三 延伸区121形成于第二晶粒座的一侧边。借由上述技术方案，本实用新型改良的导线架结构至少具有下列优点1、本实用新型可作为双晶粒的场效晶体管或双极性晶体管的焊线架构，且，仅须 使用数条引线，即可将两个场效晶体管或两个双极性晶体管电性连接至外部的金属脚位。2、承上述的优点1，连接引线(镑线)时，通过该第一引线可将该第一晶粒的第二 电极(源极)电性连接至该第二电极焊线区，如此，使得第一晶粒的第二电极(源极)可电 性连接至该第二晶粒的第四电极(漏极)，而不需要连接多余的引线。3、承上述的优点2，如图2所示，在该改良导线架结构1之中，该第二晶粒3的第五 电极32与焊线区13距离较远，因此，进行焊线时，第二晶粒3的焊粒材料不会对焊线区13 造成污染，而导致焊线情况不佳的情况。4、本实用新型的应用范围极广，包括所有单一封装体中具有两颗晶粒的封装 产品，例如晶体管外形封装体中的D-PAK与T0-263、小外形封装体中的S0P-8、以及 Power-PAK的封装体。上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技 术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详 细说明如后。
图1是一种双晶体管封装架构的俯视图；图2是本实用新型的一种改良的导线架结构的第一实施例的俯视图；图3是改良的导线架结构的第二实施例的俯视图。1改良的导线架结构[0025]11第一晶粒座2第一晶粒[0026]22第二电极23第三电极[0027]12第二晶粒座3第二晶粒[0028]32第五电极33第六电极[0029]13第二电极焊线区14第三电极焊线区[0030]5第二引线15第五电极焊线区[0031]6第三引线16第六电极焊线区[0032]7第四引线4第一引线[0033]111第一延伸区112第二延伸区[0034]121第三延伸区122第四延伸区[0035]Ila第一晶粒座12a第二晶粒座[0036]13a第二电极焊线区14a第三电极焊线区[0037]5a第二引线15a第五电极焊线区[0038]6a第三引线16a第六电极焊线区[0039]7a第四引线4a第一引线[0040]Illa第一延伸区[0041]121a第三延伸区[0042]70，双晶体管封装架构[0043]80，第一导线架86，第二导线架[0044]40，金属焊板81，第一晶粒[0045]91，引线92，引线[0046]84，第一栅极87，第二晶粒[0047]88，第二源极95，引线[0048]93，引线82，第一源极[0049]90，第二栅极94，引线[0050]96，引线
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效，
以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的改良的导线架结构其具体实施方 式、结构、特征及其功效，详细说明如后。本实用新型有两个实施例，请参阅图2，是本实用新型的一种改良的导线架结构的 第一实施例的俯视图，该改良的导线架结构1包括一第一晶粒座11、一第二晶粒座12、一 第三电极焊线区14、一第五电极焊线区15、及一第六电极焊线区16。请继续参阅图2，该第一晶粒座11可供设置一第一晶粒2，该第一晶粒2可为一场 效晶体管(FET)或一双极性晶体管(BJT)，在本实施例中，该第一晶粒2为该场效晶体管，其 具有一第一电极、一第二电极22与一第三电极23，其中，该第一电极代表场效晶体管的漏 极，该第二电极22代表场效晶体管的源极，该第三电极23则代表场效晶体管的栅极；第一 晶粒2以该第一电极(漏极)连接第一晶粒座11，此外，第一晶粒座11更包括一第一延伸区111与一第二延伸区112，该第一延伸区111与该第二延伸区112平行地形成于第一晶粒 座11的一侧边(图2中，第一电极为第一晶粒2的背极，因此无法标示其元件符号)。相对于该第一晶粒座11，该第二晶粒座12可供设置一第二晶粒3，该第二晶粒3 可为该场效晶体管(FET)或该双极性晶体管(BJT)，于本实施例中，该第二晶粒3为场效晶 体管，具有一第四电极、一第五电极32与一第六电极33，其中，该第四电极代表场效晶体管 的漏极(图2中，第四电极为第二晶粒3的背极，因此无法标示其元件符号)，该第五电极 32代表场效晶体管的源极，该第六电极33则代表场效晶体管的栅极；第二晶粒3以该第四 电极(漏极)连接第二晶粒座12，此外，第二晶粒座12的一侧延伸成为一第二电极焊线区 13 ；第二晶粒座12的另一侧更包括一第三延伸区121与一第四延伸区122，其中，该侧为该 第二电极焊线区13形成侧的相对侧(图2中，第四电极为第二晶粒3背极，因此无法标示 其元件符号)。继续地参阅图2，通过一第二引线5可将该第一晶粒2的第三电极23电性连接至 该第三电极焊线区14 ；并且，通过一第三引线6可将该第二晶粒3的第五电极32电性连接 至该第五电极焊线区15 ；另外，通过一第四引线7可将第二晶粒3的第六电极33电性连接 至该第六电极焊线区16 ；而通过一第一引线4可将第一晶粒2的第二电极22电性连接至 该第二电极焊线区13，如此，通过上述该引线的连接，使得第一晶粒2的第二电极22可电性 连接于第二晶粒3的第四电极，且，在该改良的导线架结构1的整体上，是仅使用四条引线， 而使得本实用新型的改良之导线架结构1的制造过程不会过于繁杂，且制造过程时间并不 会太长。请继续参阅图2，为了能够使得本实用新型的改良的导线架结构1可于应用于封 装工艺上，因此，于该第一晶粒2与该第二晶粒3被分别地设置在该第一晶粒座11与该第 二晶粒座12之上，并完成该四条引线的连接引线(镑线)的动作后，上述该第二电极焊线 区13则可被电性连接至外部的一第一金属脚位；该第三电极焊线区14可被电性连接至外 部的一第二金属脚位；该第五电极焊线区15可被电性连接至外部的一第三金属脚位；该第 六电极焊线区16可被电性连接至外部的一第四金属脚位；该第四延伸区122可被电性连接 至外部的一第五金属脚位；该第三延伸区121则可被电性连接至外部的一第六金属脚位； 然后，该第一延伸区111可被电性连接至外部的一第七金属脚位；最后，该第二延伸区112 则可被电性连接至外部的一第八金属脚位。本实用新型还包括第二实施例，请参阅图3，是该改良的导线架结构的第二实施 例的俯视图，相同于第一实施例，该第二实施例的改良的导线架结构1包括一第一晶粒座 11a、一第二晶粒座12a、一第三电极焊线区14a、一第五电极焊线区15a、及一第六电极焊线 区 16a。继续地参阅图3，该第一晶粒座Ila可供设置该第一晶粒2，其中，第一晶粒2以其 该第一电极(漏极)连接第一晶粒座11a，此外，第一晶粒座Ila更包括一第一延伸区111a， 该第一延伸区Illa形成于第一晶粒座Ila的一侧边(图3中，第一电极为第一晶粒2的背 极，因此无法标示其元件符号)。相对于该第一晶粒座11a，该第二晶粒座12a可供设置该第二晶粒3，其中，第二晶 粒3以其该第四电极(漏极)连接第二晶粒座12a，此外，第二晶粒座12a的一侧延伸成为 一第二电极焊线区13a ；第二晶粒座12a的另一侧更包括一第三延伸区121a，其中，该侧为
6该第二电极焊线区13a形成侧的相对侧(图3中，第四电极为第二晶粒3的背极，因此无法 标示其元件符号)。继续地参阅图3，通过一第二引线5a可将该第一晶粒2的第三电极23电性连接至 该第三电极焊线区14a ；并且，通过一第三引线6a可将该第二晶粒3的第五电极32电性连 接至该第五电极焊线区15a ；另外，通过一第四引线7a可将第二晶粒3的第六电极33电性 连接至该第六电极焊线区16a ；而通过一第一引线4a可将第一晶粒2的第二电极22电性 连接至该第二电极焊线区13a。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上 的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟 悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内 容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内 容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍 属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求一种改良的导线架结构，其特征在于其包括一第一晶粒座，用于设置一第一晶粒，其中，该第一晶粒具有一第一电极、一第二电极与一第三电极，第一晶粒以该第一电极连接该第一晶粒座；一第二晶粒座，用于设置一第二晶粒，其中，该第二晶粒具有一第四电极、一第五电极与一第六电极，第二晶粒以该第四电极连接该第二晶粒座，此外，第二晶粒座的一侧延伸成为一第二电极焊线区；一第三电极焊线区，通过一第二引线将第一晶粒的第三电极电性连接至该第三电极焊线区；一第五电极焊线区，通过一第三引线将第二晶粒的第五电极电性连接至该第五电极焊线区；以及一第六电极焊线区，通过一第四引线将第二晶粒的第六电极电性连接至该第六电极焊线区；其中，通过一第一引线将第一晶粒的第二电极电性连接至该第二电极焊线区，使得第一晶粒的第二电极电性连接于第二晶粒的第四电极。
2.根据权利要求1所述的改良的导线架结构，其特征在于所述的第一晶粒为场效晶体 管或双极性晶体管。
3.根据权利要求1所述的改良的导线架结构，其特征在于所述的第二晶粒为场效晶体 管或双极性晶体管。
4.根据权利要求1所述的改良的导线架结构，其特征在于所述的第一晶粒座还包括至 少一第一延伸区，该第一延伸区形成于第一晶粒座的一侧边。
5.根据权利要求4所述的改良的导线架结构，其特征在于所述的第二晶粒座还包括一 第三延伸区，该第三延伸区(121)形成于第二晶粒座的一侧边。
专利摘要本实用新型是关于一种改良的导线架结构，包括一第一晶粒座、一第二晶粒座、一第三电极焊线区、一第五电极焊线区、及一第六电极焊线区。其中，该第一晶粒座与第二晶粒座可供分别设置一第一晶粒与一第二晶粒，并且，通过一第一引线可将该第一晶粒之一第二电极(源极)电性连接至一第二电极焊线区，如此，使得第一晶粒之该第二电极(源极)可电性连接至该第二晶粒之一第四电极(漏极)。
文档编号H01L29/739GK201749847SQ20102025843
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月14日 优先权日2010年7月14日
发明者张定宏 申请人:勤益股份有限公司