专利名称：一种清洁装置及带清洁装置的排气装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造装置技术领域，尤其涉及一种清洁装置及带清洁装置 的排气装置。
背景技术：
在半导体集成电路的制造过程中，需使用大量的化学药品，例如多种酸以及碱。这 些化学药品一般是由厂务通过管道注入到化学罐中，由化学罐进行储存，需使用化学药品 时，再从化学罐中将该化学药品通入到清洗槽(wet bench)中，接着进行相应的处理程序。 通常来说，每一类化学药品对应一个清洗槽，每个清洗槽对应一个半导体制造机台。随着使 用时间的增长，一些化学雾气会从管道或者化学罐中散发至对应的清洗槽中，如果这些化 学雾气不能及时地排放，将会对半导体制造机台产生影响。为了及时地排放化学雾气，目前采用的办法是在每个半导体机台的底部设置排气 装置，所述排气装置收集散发出来的化学雾气，并将收集到的化学雾气排放至厂务化学雾 气排放系统。其中，厂务化学雾气排放系统分为酸气排放系统以及碱气排放系统，所述酸气 排放系统用于排放酸性化学药品散发的雾气，所述碱气排放系统用于排放碱性化学药品散 发的雾气。请参考图1，图1为现有的排气装置的结构示意图，如图1所示，现有的排气装置设 置在半导体制造机台10的底部，且所述现有的排气装置包括排气腔20，所述排气腔20上设 置有一个进气口 21以及一个出气口 22，散发出来的化学雾气从所述进气口 21进入所述排 气腔20内，并通过所述出气口 22排放至厂务化学酸气排放系统或碱气排放系统。从而避 免了化学雾气直接扩散到半导体制造机台10。然而，现有的排气装置存在如下问题(1) 一些化学雾气会在排气腔20的内壁上结晶，并且，随着时间的增长，结晶体越 来越多，使得排气腔20的内径越来越小，导致排气效率降低，没有被排出的化学雾气可能 会扩散到半导体制造机台上，引起机台报警，从而影响机台的正常工作；(2)由于每个半导体制造机台需配置一个排气装置，而在半导体集成电路的制造 过程需使用大量的半导体制造机台，从而需配置大量的排气装置，导致管路复杂，并且造成 资源浪费。因此，有必要对现有的排气装置进行改进。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种清洁装置及带清洁装置的排气装置，以解决现有 技术中的排气装置没有清洁装置，从而造成化学雾气在所述排气装置的排气腔内结晶，导 致排气腔的内径减小，排气效率降低，没有被排出的化学雾气可能会扩散到半导体制造机 台上，引起机台报警，从而影响机台的正常工作的问题。同时，本实用新型还解决了现有技术中每个半导体制造机台需配置一个排气装置，从而造成排气装置配置量大，导致管路复杂，并且造成资源浪费的问题。为解决上述问题，本实用新型提出一种清洁装置，该清洁装置包括清洁管道、第一 充气阀以及多组喷水装置，所述清洁管道与供水装置相连；所述多组喷水装置均勻设置于 所述清洁管道上，且所述多组喷水装置中的每组喷水装置与所述清洁管道相通；所述第一 充气阀设置在所述清洁管道上，位于所述供水装置与所述多组喷水装置之间。可选的，所述每组喷水装置包括第一喷洒装置以及第二喷洒装置，所述第一喷洒 装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹角，且所述第一喷洒装置及第二喷洒装置所在的平 面与所述清洁管道垂直。可选的，所述第一喷洒装置及所述第二喷洒装置分别具有喷洒管以及喷头，所述 喷洒管与所述清洁管道相通，所述喷头上设置有多个孔。可选的，所述夹角的范围为90° 120°。为解决上述问题，本实用新型还提出一种带清洁装置的排气装置，用于将化学管 道或者化学罐中散发出的化学雾气排出至厂务化学雾气排放系统，防止化学雾气影响半导 体制造机台，该排气装置包括排气腔，所述排气腔设置于所述半导体制造机台的底部，且与所述半导体制造机 台的底部具有一倾斜角，所述排气腔上设置有出气口以及多个进气口，所述多个进气口中 的每个进气口与一个半导体制造机台相连，所述出气口与所述厂务化学雾气排放系统相 连；清洁装置，所述清洁装置固定于所述排气腔内，所述清洁装置包括清洁管道、第一 充气阀以及多组喷水装置，所述清洁管道与供水装置相连，所述多组喷水装置均勻设置于 所述清洁管道上，且所述多组喷水装置中的每组喷水装置与所述清洁管道相通，所述第一 充气阀设置在所述清洁管道上，位于所述供水装置与所述多组喷水装置之间；以及废液管路，所述废液管路设置在所述排气腔的底部。可选的，所述废液管路包括废液管道、废液池以及设置在所述废液管道上的第二 充气阀，所述废液管道的一端与所述排气腔的底部相连，另一端与所述废液池相连。可选的，所述废液管路还包括从上往下依次设置在所述废液管道上的第一液位传 感器、第二液位传感器以及第三液位传感器，所述第一液位传感器、所述第二液位传感器以 及所述第三液位传感器位于所述排气腔与所述第二充气阀之间。可选的，所述清洁装置通过支撑柱固定于所述排气腔内。可选的，所述每组喷水装置包括第一喷洒装置以及第二喷洒装置，所述第一喷洒 装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹角，且所述第一喷洒装置及第二喷洒装置所在的平 面与所述清洁管道垂直。可选的，所述第一喷洒装置及所述第二喷洒装置包括喷洒管以及喷头，所述喷洒 管与所述清洁管道相通，所述喷头上设置有多个孔。可选的，所述夹角的范围为90° 120°。本实用新型由于采用以上的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和 积极效果1、本实用新型提供的清洁装置包括多组喷水装置，每组喷水装置包括第一喷洒装 置及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹角，使得所述第一喷洒装置及第二喷洒装置的喷洒区域有交叠，从而使得清洗更彻底；2、本实用新型提供的排气装置带有清洁装置，所述清洁装置定期清洗所述排气腔 内残留的化学雾气，防止其在所述排气腔的内壁上结晶，保证了排气的效率；3、本实用新型提供的排气装置与半导体制造机台的底部具有一倾斜角，从而使得 清洗后的废液能彻底排出；4、本实用新型提供的排气装置设有多个进气口，其中每个进气口与一个半导体制 造机台连接，从而使得多个半导体制造机台可共同使用一个排气装置，减少了半导体加工 厂的排气装置，简化了管路，节约了资源。
图1为现有的排气装置的结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的清洁装置的结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的清洁装置的A-A剖视图；图4为本实用新型实施例提供的排气装置的结构示意图；图5为本实用新型实施例提供的排气装置的B-B剖视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的清洁装置及带清洁装置的排气 装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。 需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助 说明本实用新型实施例的目的。本实用新型的核心思想在于，提供一种清洁装置，所述清洁装置包括多组喷水装 置，其中，每组喷水装置包括第一喷洒装置及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第 二喷洒装置之间具有一夹角，使得所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置的喷洒区域有交 叠，从而使得清洗更彻底；同时本实用新型还提供一种排气装置，所述排气装置带有清洁装 置，所述清洁装置定期清洗所述排气装置内残留的化学雾气，防止其在所述排气装置的内 壁上结晶，保证了排气的效率，并且所述排气装置上设有多个进气口，其中每个进气口与一 个半导体制造机台连接，从而使得多个半导体制造机台可共同使用一个排气装置，减少了 半导体加工厂的排气装置，简化了管路，节约了资源。请参考图2至图3，其中，图2为本实用新型实施例提供的清洁装置的结构示意图， 图3为本实用新型实施例提供的清洁装置的A-A剖视图，如图2至图3所示，本实用新型实 施例提供的清洁装置包括清洁管道31、第一充气阀34以及多组喷水装置32，所述清洁管道 31与供水装置33相连；所述多组喷水装置32均勻设置于所述清洁管道31上，且所述每组 喷水装置32与所述清洁管道31相通；所述第一充气阀34设置在所述清洁管道31上，位于 所述供水装置33与所述多组喷水装置32之间。进一步地，所述每组喷水装置32包括第一喷洒装置321以及第二喷洒装置322，所 述第一喷洒装置321与所述第二喷洒装置322之间具有一夹角β，使得所述第一喷洒装置 321与所述第二喷洒装置322的喷洒区域有交叠，保证清洁彻底；且所述第一喷洒装置321 及所述第二喷洒装置322所在的平面与所述清洁管道31垂直，使得与所述清洁管道31垂直的区域也能彻底清洁。进一步地，所述第一喷洒装置321及所述第二喷洒装置322分别具有喷洒管以及 喷头，所述喷洒管与所述清洁管道31相通，所述喷头上设置有多个孔。进一步地，所述夹角β的范围为90° 120°，从而保证当水压为16Psi 30I^i 时，所述第一喷洒装置321与所述第二喷洒装置322的喷洒区域有交叠，其中所述Psi为压 强单位，意为磅/平方英寸(poundsper square inch)。本实用新型实施例提供的清洁装置的使用方法为需要清洁时，控制所述第一充气阀34打开，使得所述供水装置33中的水流入所述 清洁管道31中，并进一步从所述第一喷洒装置321及第二喷洒装置322中喷洒出，从而对 需清洁的设备进行清洗；清洁完毕时，控制所述第一充气阀34关闭，结束清洗。请继续参考图4至图5，其中，图4为本实用新型实施例提供的排气装置的结构示 意图，图5为本实用新型实施例提供的排气装置的B-B剖视图，该排气装置用于将化学管道 或者化学罐中散发出的化学雾气排出至厂务化学雾气排放系统，防止化学雾气影响半导体 制造机台，如图4至图5所示，本实用新型实施例提供的排气装置包括排气腔200，所述排气腔200设置于所述半导体制造机台100的底部，且与所述半 导体制造机台100的底部具有一倾斜角α，所述排气腔200上设置有出气口 202以及多个 进气口 201，且每个进气口 201与一个半导体制造机台相连，所述出气口 202与所述厂务化 学雾气排放系统相连；清洁装置，所述清洁装置固定于所述排气腔200内，所述清洁装置包括清洁管道 310、第一充气阀320以及多组喷水装置340，所述清洁管道310与供水装置350相连；所述 多组喷水装置340均勻设置于所述清洁管道310上，且所述每组喷水装置340与所述清洁 管道310相通；所述第一充气阀330设置在所述清洁管道310上，位于所述供水装置350与 所述多组喷水装置340之间；以及废液管路，所述废液管路设置在所述排气腔200的底部，排出所述排气腔200内的废液。进一步地，所述废液管路包括废液管道400、废液池405以及设置在所述废液管道 400上的第二充气阀401，所述废液管道400的一端与所述排气腔200的底部相连，另一端 与所述废液池405相连；所述废液池405为厂务废液池，所述充气阀401控制所述废液管路 的开关。进一步地，所述废液管路还包括从上往下依次设置在所述废液管道400上的第一 液位传感器402、第二液位传感器403以及第三液位传感器404，所述第一液位传感器402、 所述第二液位传感器403以及所述第三液位传感器404位于所述排气腔200与所述第二 充气阀401之间；所述第一液位传感器402、第二液位传感器403以及第三液位传感器404 用于监测废液的液位，当所述第二液位传感器403监测到废液的液位到达其对应的液位线 时，所述第二充气阀401打开，进行排液；当所述第三液位传感器404监测到废液的液位到 达其对应的液位线时，所述第二充气阀401关闭，结束排液；当所述第一液位传感器403监 测到废液的液位到达其对应的液位线时，进行报警，告知废液管路存在故障。进一步地，所述清洁装置通过支撑柱330固定于所述排气腔内。[0051]进一步地，所述每组喷水装置340包括第一喷洒装置341以及第二喷洒装置342， 所述第一喷洒装置341与所述第二喷洒装置342之间具有一夹角β，使得所述第一喷洒装 置341与所述第二喷洒装置342的喷洒区域有交叠，保证清洁彻底；且所述第一喷洒装置 341及所述第二喷洒装置342所在的平面与所述清洁管道310垂直，使得与所述清洁管道 310垂直的区域也能彻底清洁。进一步地，所述第一喷洒装置341及所述第二喷洒装置342分别具有喷洒管以及 喷头，所述喷洒管与所述清洁管道310相通，所述喷头上设置有多个孔。进一步地，所述夹角β的范围为90° 120°，从而保证当水压为16Psi 30I^i 时，所述第一喷洒装置341与所述第二喷洒装置342的喷洒区域有交叠。进一步地，所述供水装置350供应的水源为超纯水，从而防止对所述排气腔200造 成污染。本实用新型提供的带清洁装置的排气装置的使用方法为将所述每个进气口 201与一个半导体制造机台通过管道相连，半导体制造机台内 的化学雾气通过所述进气口 201进入到所述排气腔200内，并通过所述出气口 202排放到 所述厂务化学雾气排放系统，由所述厂务化学雾气排放系统进行处理；每隔12小时或M小时，所述第一充气阀320打开，所述清洁装置对所述排气腔 200的内壁进行清洗，防止化学雾气在所述排气腔200的内壁结晶，所述清洁装置的清洁频 率由所述第一充气阀320控制；所述废液管路将清洗后的废液从所述排气腔200内排出。综上所述，本实用新型提供了一种清洁装置，所述清洁装置包括多组喷水装置，其 中，每组喷水装置包括第一喷洒装置及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第二喷洒 装置之间具有一夹角，使得所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置的喷洒区域有交叠，从 而使得清洗更彻底；同时本实用新型还提供一种排气装置，所述排气装置带有清洁装置，所 述清洁装置定期清洗所述排气装置内残留的化学雾气，防止其在所述排气装置的内壁上结 晶，保证了排气的效率，并且所述排气装置上设有多个进气口，其中每个进气口与一个半导 体制造机台连接，从而使得多个半导体制造机台可共同使用一个排气装置，减少了半导体 加工厂的排气装置，简化了管路，节约了资源。显然，本领域的技术人员可以对实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新 型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其 等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种清洁装置，其特征在于，包括清洁管道、第一充气阀以及多组喷水装置，所述清 洁管道与一供水装置相连；所述多组喷水装置均勻设置于所述清洁管道上，且所述多组喷 水装置中的每组喷水装置与所述清洁管道相通；所述第一充气阀设置在所述清洁管道上， 位于所述供水装置与所述多组喷水装置之间。
2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述每组喷水装置包括第一喷洒装置 以及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹角，且所述第一 喷洒装置及第二喷洒装置所在的平面与所述清洁管道垂直。
3.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述第一喷洒装置及所述第二喷洒装 置分别具有喷洒管以及喷头，所述喷洒管与所述清洁管道相通，所述喷头上设置有多个孔。
4.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述夹角的范围为90° 120°。
5.一种带清洁装置的排气装置，用于将化学管道或者化学罐中散发出的化学雾气排出 至厂务化学雾气排放系统，防止化学雾气影响半导体制造机台，其特征在于，该排气装置包 括排气腔，所述排气腔设置于所述半导体制造机台的底部，且与所述半导体制造机台的 底部具有一倾斜角，所述排气腔上设置有出气口以及多个进气口，所述多个进气口中的每 个进气口与一个半导体制造机台相连，所述出气口与所述厂务化学雾气排放系统相连；清洁装置，所述清洁装置固定于所述排气腔内，所述清洁装置包括清洁管道、第一充气 阀以及多组喷水装置，所述清洁管道与供水装置相连，所述多组喷水装置均勻设置于所述 清洁管道上，且所述多组喷水装置中的每组喷水装置与所述清洁管道相通，所述第一充气 阀设置在所述清洁管道上，位于所述供水装置与所述多组喷水装置之间；以及废液管路，所述废液管路设置在所述排气腔的底部。
6.如权利要求5所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述废液管路包括废液 管道、废液池以及设置在所述废液管道上的第二充气阀，所述废液管道的一端与所述排气 腔的底部相连，另一端与所述废液池相连。
7.如权利要求6所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述废液管路还包括从 上往下依次设置在所述废液管道上的第一液位传感器、第二液位传感器以及第三液位传感 器，所述第一液位传感器、所述第二液位传感器以及所述第三液位传感器位于所述排气腔 与所述第二充气阀之间。
8.如权利要求5所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述清洁装置通过支撑 柱固定于所述排气腔内。
9.如权利要求5所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述每组喷水装置包括 第一喷洒装置以及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹 角，且所述第一喷洒装置及第二喷洒装置所在的平面与所述清洁管道垂直。
10.如权利要求5所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述第一喷洒装置及所 述第二喷洒装置包括喷洒管以及喷头，所述喷洒管与所述清洁管道相通，所述喷头上设置 有多个孔。
11.如权利要求5所述的带清洁装置的排气装置，其特征在于，所述夹角的范围为 90° 120° 。
专利摘要本实用新型公开了一种清洁装置，所述清洁装置包括多组喷水装置，其中，每组喷水装置包括第一喷洒装置及第二喷洒装置，所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置之间具有一夹角，使得所述第一喷洒装置与所述第二喷洒装置的喷洒区域有交叠，从而使得清洗更彻底；同时本实用新型还提供一种排气装置，所述排气装置带有清洁装置，所述清洁装置定期清洗所述排气装置内残留的化学雾气，防止其在所述排气装置的内壁上结晶，保证了排气的效率，并且所述排气装置上设有多个进气口，其中每个进气口与一个半导体制造机台连接，从而使得多个半导体制造机台可共同使用一个排气装置，减少了半导体加工厂的排气装置，简化了管路，节约了资源。
文档编号H01L21/00GK201815509SQ20102050624
公开日2011年5月4日 申请日期2010年8月26日 优先权日2010年8月26日
发明者何显双, 吴良辉, 汪亚军 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 武汉新芯集成电路制造有限公司