专利名称：量子点发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管产品，特别涉及一种量子点发光二极管。
背景技术：
量子点是纳米级材料，粒径一般可以小至I-IOnm之间，受激发后可以发射荧 光，基于量子效应可以在发光领域中有广泛的应用。半导体量子点与有机薄膜结合，可 以制作出发光效率高并且发光稳定的发光二极管。量子点发光材料的上述优势使得它完 全可以克服现有的广泛应用的LED照明光源所难以解决的问题，成为新一代的照明光源 器件的有力竞争者。在现有的本技术领域中，已经有相应的文献公开研究成果，如中国专利申请号 为200620108164.7公开的“ZnO基量子点发光二极管”。但是要想更好的将量子点应用 在发光领域中，还需要解决一些技术问题，如怎样采用更适合的量子点，使发光强度增 大；怎样通过精确控制量子点材料的浓度，实现对发光二极管功率的调整，从而适合不 同的照明要求；如何选择更适合的导电有机膜来配合量子点制备的发光二极管，才能形 成最稳定的光源等。
发明内容为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种量子点发光二极管，在双层导电 有机薄膜中加入一层均勻密度的量子点薄膜，达成高且稳定的发光二极管，发光亮度是 最好同类组件的25倍。本实用新型是通过以下的技术方案实现的一种量子点发光二极管，包括基板、双层导电有机膜、电子导电层和顶部电极 层，由所述基板依次至下而上是双层导电有机膜、电子导电层、顶部电极层，在所述双 层导电有机膜之间设有一层发光量子点层。所述发光量子点层是由平铺的若干个量子点构成，所述量子点为颗粒状，由内 核和内核外部的外壳构成，并且在外壳外部涂覆一层三辛基氧化膦，所述内核是硒化镉 内核，外壳是硫化锌外壳。外壳外部涂覆的三辛基氧化膦层是为了增加本发光量子点层 与双层导电有机膜之间的相容性。所述基板是至下而上的二氧化硅基板在表面镀有铟锡氧化物层制成的组合基 板。在二氧化硅基板上镀有铟锡氧化物可以极大的增强导电性能，而铟锡氧化物透明度 较高，不会影响发光强度，而且铟锡氧化物还可以抵御有害电子辐射对人体的侵害。所述双层导电有机膜是至下而上的联苯二胺化合物层和三辛基氧化膦层的组合。所述电子导电层是8-羟基喹啉铝制成的电子导电层，是一种极好的有机电致发 光材料，增加电子的移动。所述顶部电极层是至下而上的镁银合金层和金属银层的组合。[0012]本实用新型的有益效果为1、选择硒化镉和硫化锌作为发光量子点材料，这两种半导体的组合具有极高的 发光强度。2、选择适合上述金属化合物组合的导电有机薄膜，并且可以通过对量子点和相 应材料浓度的调节，对发光二极管的功率进行调节。3、上述材料制成的发光二极管是同类最好组件发光亮度的25倍以上。
图1是量子点发光二极管的结构示意图图2是发光量子颗粒的结构示意图
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型做进一步说明。如图1和图2，是量子点发光二极管的结构示意图和发光量子颗粒的结构示意 图，完整的将所有材料的结构层表述在图中，至下而上包括二氧化硅基板1、涂覆在 其上的铟锡氧化物(indium tinoxide，ITO)层2、下层导电有机膜联苯二胺化合物[N， N，-diphenyl-N, N，—bis (3—methylphenyl)—1, 1，-diphenyl-4, 4，—diamine, TPD]层
3、上层导电有机膜三辛基氧化膦(Trioctylphosphineoxide-Trioctylphosphine，TOPO)层
4、电子导电层8-羟基喹啉铝层5、顶部电极镁银合金层6和金属银层7;其中下层导电 有机膜联苯二胺化合物层3、上层导电有机膜三辛基氧化膦层4之间的发光量子点层8是 由硒化镉内核81、硫化锌外壳82和涂覆的三辛基氧化膦层83组成的(图2)。实施例以下通过一个实施例的制备，进一步描述本实用新型。将量子点层与双层导电有机膜TOPO层和TPD层溶解在氯仿中，然后以旋转涂 膜的方式涂在镀有ITO的二氧化硅基板上，在所形成的TOPO层之上，再以热蒸镀方式镀 上作为电子导电层的8-羟基喹啉铝有机材料，最后在顶部热蒸镀镁银合金和金属银作为 电极。通过上述方法制备的量子点发光二极管，其发光强度时是最好同类组件的25 倍，而且光谱频宽较窄，也适合作为单频光源应用。
权利要求1.一种量子点发光二极管，包括基板、双层导电有机膜、电子导电层和顶部电极 层，其特征在于由所述基板依次至下而上是双层导电有机膜、电子导电层、顶部电极 层，在所述双层导电有机膜之间设有一层发光量子点层。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于所述发光量子点层是由平铺的 若干个量子点构成，所述量子点为颗粒状，由内核和内核外部的外壳构成，并且在外壳 外部涂覆一层三辛基氧化膦，所述内核是硒化镉内核，外壳是硫化锌外壳。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于所述基板是至下而上的二氧化 硅基板在表面镀有铟锡氧化物层制成的组合基板。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于所述双层导电有机膜是至下而 上的联苯二胺化合物层和三辛基氧化膦层的组合。
5.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于所述电子导电层是8-羟基喹 啉铝制成的电子导电层。
6.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于所述顶部电极层是至下而上的 镁银合金层和金属银层的组合。
专利摘要本实用新型公开了一种量子点发光二极管，包括基板、双层导电有机膜、电子导电层和顶部电极层，其特征在于由所述基板依次至下而上是双层导电有机膜、电子导电层、顶部电极层，在所述双层导电有机膜之间设有一层发光量子点层。本实用新型通过半导体量子点与有机薄膜的结合，制作出发光效率极高并且发光稳定的发光二极管产品，通过精确控制量子点材料的浓度，还可以实现对二极管发光功率的调整，发光亮度是最好同类组建的25倍以上。
文档编号H01L33/26GK201796940SQ20102051950
公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月7日 优先权日2010年9月7日
发明者林上游 申请人:上海同天新材料科技有限公司