一种晶硅太阳电池的制作方法

文档序号:6984139阅读:329来源:国知局
专利名称:一种晶硅太阳电池的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电池技术领域,更具体的是涉及一种晶硅太阳电池。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,又叫光伏器件。 将太阳光能转换成电能的固体半导体器件,又称太阳能电池或光电池,是太阳电池阵电源 系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。单晶硅太阳电池的 基本材料为纯度达0. 999999、电阻率在10欧 厘米以上的P型单晶硅,包括p_n结、电极和 减反射膜等部分,受光照面加透光盖片(如石英或渗铈玻璃)保护,防止电池受外层空间范 爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。目前,工厂中每天都有一定比例的低效率太阳电池 生产出来。经过分析,其中很大部分是因为电池在烧结工序出现问题,过烧或者欠烧都会使 电池的串联电阻升高,降低填充因子和光电转换效率。
发明内容本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种结构简单合理、可 以降低电池的串联电阻,提高填充因子和光电转换效率的晶硅太阳电池。本实用新型是采用如下技术解决方案来实现上述目的一种晶硅太阳电池,包括 电池主体,其特征在于,所述电池主体的正面栅线上电镀一层银。作为上述方案的进一步说明,所述镀有银层的电池正面栅线线宽为40-100微米。本实用新型采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是本实用新型使用传统的电镀方法,在低效率电池的正面栅线上电镀一层薄银,可 以降低电池的串联电阻,提高填充因子和光电转换效率。

图1为本实用新型结构示意图;附图标记说明1、电池主体。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型一种晶硅太阳电池,包括电池主体1,电池主体1的正面栅 线上电镀一层银,栅线线宽为40-100微米。制备过程中,使用传统的电镀方法,在低效率电池的正面栅线上电镀一层薄银,虽 然操作简单,但可以降低电池的串联电阻,提高填充因子和光电转换效率。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术 人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属 于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种晶硅太阳电池,包括电池主体,其特征在于,所述电池主体的正面栅线上电镀一层银。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池,其特征在于,所述镀有银层的电池正面栅线 线宽为40-100微米。
专利摘要本实用新型公开了一种晶硅太阳电池,包括电池主体,其特征在于,所述电池主体的正面栅线上电镀一层银。本实用新型可以降低电池的串联电阻,提高填充因子和光电转换效率,具有良好的推广价值。
文档编号H01L31/042GK201877442SQ20102066657
公开日2011年6月22日 申请日期2010年12月18日 优先权日2010年12月18日
发明者方结彬 申请人:广东爱康太阳能科技有限公司
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