专利名称：一种金属化电容薄膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子技术领域，尤其为一种金属化电容薄膜。
背景技术：
薄膜电容器具有电容量稳定、损耗小、耐电压特性优异、绝缘电阻高、频率特性好、 性能稳定、可靠性高等优点，广泛用于电子、家电、通讯、电力等领域。目前的薄膜电容器，一 般由金属化电容薄膜绕制而成，金属化电容薄膜是在介质薄膜上真空蒸镀一层金属电极镀 层，由于介质薄膜与金属电极镀层的附着力较弱，在电容绕制过程中及电容使用中，金属电 极镀层容易和介质薄膜分离，导致金属电极镀层易被击穿，影响薄膜电容的使用寿命。
实用新型内容为克服上述技术问题，本实用新型提供了一种金属电极镀层不易和介质薄膜分离 的金属化电容薄膜。为实现上述技术目的，本实用新型是采用下述技术方案实现的一种金属化电容 薄膜，包括一个介质薄膜，介质薄膜采用聚丙烯拉伸形成，介质薄膜上设有通过真空蒸镀形 成的金属电极镀层，其特征在于介质薄膜上设有若干凹陷带，凹陷带内设有金属加强层， 金属加强层上边缘与金属电极镀层结合。本实用新型和以往技术相比，具有以下有益效果由于介质薄膜上设有凹陷带，并 通过金属加强层与金属电极镀层进行结合，比原来的金属化电容薄膜具有更强的结合力， 在使用过程中金属电极镀层与介质薄膜不易分离，延长了电容的使用寿命。
附图为本实用新型结构示意图。图中，1、凹陷带，2、金属电极镀层，3、介质薄膜，4、金属加强层。
具体实施方式
参看附图，一种金属化电容薄膜，包括一个介质薄膜3，介质薄膜3采用聚丙烯拉 伸形成，介质薄膜3上设有通过真空蒸镀形成的金属电极镀层2，介质薄膜3上设有若干凹 陷带1，凹陷带1内蒸镀有金属加强层4，金属加强层4的上边缘与金属电极镀层2结合。所述的金属电极镀层2与金属加强层4可采用铝、锌铝合金。
权利要求1. 一种金属化电容薄膜，包括一个介质薄膜，介质薄膜上设有通过真空蒸镀形成的金 属电极镀层，其特征在于介质薄膜上设有若干凹陷带，凹陷带内设有金属加强层，金属加 强层上边缘与金属电极镀层结合。
专利摘要本实用新型涉及电工技术领域，公开了一种金属化电容薄膜，其方案是介质薄膜上设有金属电极镀层，介质薄膜上设有凹陷带，凹陷带内设有金属加强层，金属加强层上边缘与金属电极镀层结合。由于凹陷带及金属加强层的作用，使金属电极镀层与介质薄膜具有更强的结合力，不易分离，延长了电容的使用寿命。
文档编号H01G4/14GK201898037SQ20102067650
公开日2011年7月13日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日
发明者尹朝前, 张广志, 林志强, 薛江华, 辛秀梅, 郭金华 申请人:河北海伟集团电子材料有限公司