专利名称：曲折配置的堆叠裸片的电互连的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路芯片的电互连，并且更具体地涉及堆叠裸片的电互连。
背景技术：
典型的半导体裸片具有正(“有源“)面、背面以及侧壁，其中集成电路形成在正面中。侧壁在正边缘(edge)处与正面接合，并且在背边缘处与背面接合。半导体裸片通常具有位于正面处的互连焊盘(裸片焊盘)，以用于将裸片上的电路与裸片布置在其中的装置中的其他电路电互连。通常，裸片焊盘由导电金属或金属化构成，例如铜或铝。所提供的某些裸片沿着一个或多个裸片边界(margin)在正面上具有裸片焊盘， 并且这些裸片可以称作外围焊盘裸片。所提供的其他裸片裸片中心附近在正面上具有布置为一行或两行的裸片焊盘，并且这些裸片可以能称作中心焊盘裸片。某些裸片具有布置成分区阵列的焊盘。然而，裸片焊盘可以如此布置在裸片中，裸片可以被“重布线”，以在裸片的一个或多个边界处或在其附近提供互连焊盘的合适布置。已提出用于增大集成电路芯片封装体中的有源半导体电路的密度而同时使封装体尺寸(封装占用面积(footprint)、封装体厚度)最小化的多种方法。在一种用于形成具有更小占用面积的高密度封装体的制造方法中，将两个或更多个具有相同或不同功能的半导体裸片堆叠在彼此上方并且将它们安装在封装基底上。S. McElrea等人于2008年5月20日提交的、名称为“Electrically interconnected stacked die assemblies” 的美国申请号 12/1 , 077 描述了堆叠裸片配置，其中裸片上的互连焊盘通过为导电互连材料的迹线电连接。在某些配置中，堆叠中的相邻裸片沿着裸片边界在正面处具有互连焊盘，并且使上层裸片的边界处的边缘相对于在其下方的裸片的边界偏移。这一偏移暴露了在下方裸片上的互连焊盘的至少一部分区域，从而使得在下方裸片上的焊盘可以与在上方裸片上的焊盘电互连。导电互连材料是导电聚合物，例如可固化的导电环氧树脂。可以通过在模组化设计中构造偏移堆叠的裸片单元，并且随后堆叠这些单元来制造更大的堆叠裸片组件。可以将一个这种模组化单元倒置并且安装在另一个上方，而相应的模组化单元的互连端对准并且连接；所得到的双层组件呈现曲折配置。T. Caskey 等人于 2008 年 5 月 20 日提交的、名称为 “Electrical interconnect formed by pulse dispense”的美国申请号12/1 ，097描述了用于堆叠中的裸片之间以及堆叠裸片与基底的电互连的方法，其通过在一系列脉冲中在原位沉积电互连材料来形成电连续的互连。互连材料可以是可固化材料，并且可以以未固化或部分固化状态来沉积；并且在分配之后的中间阶段该材料可以部分或附加地固化，并且当完成分配时该材料可以完全固化。合适的互连材料包括填充有颗粒形式的导电材料的聚合物，例如金属填充的聚合物，包括例如金属填充的环氧树脂、金属填充的热固性聚合物、金属填充的热塑性聚合物或
曰由里
守也墨。
发明内容
在一个通常方面，本发明的特征在于裸片(或裸片堆叠)安装并且抬升在基座 (support)上方，并且电连接到基座中的电路。在基座的安装面处的一组键合焊盘上形成导电材料的柱，并且通过导电材料的迹线将抬升的裸片(或抬升的裸片堆叠中的至少一个裸片)电连接至基座，该迹线使裸片上的互连焊盘与柱接触，并且经由该柱连接至基座。在某些实施例中，下层裸片或下层裸片堆叠或半导体封装体位于基座与抬升的裸片之间；并且在某些实施例中，下层裸片或下层裸片堆叠或封装体电连接至基座。在某些实施例中，下层裸片堆叠是下层的层叠的偏移堆叠裸片组件，并且在第一叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，并且下层的叠层通过导电互连材料的迹线电连接至基座，该迹线与裸片上的互连焊盘以及基座上的一组键合焊盘接触。在某些实施例中，抬升的裸片堆叠是层叠的偏移堆叠裸片组件，其中裸片的叠层的互连边缘面向第一方向，并且互连裸片焊盘与柱对准。在各个实施例中，本发明的特征在于曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件，其中第一(下)叠层的互连边缘面向第一方向，并且堆叠在第一叠层上方的第二(上)叠层的互连边缘面向不同于该第一方向的第二方向。第二叠层互连边缘的方向可以与第一叠层互连边缘的方向相反或者垂直。在第一叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，并且该叠层通过导电材料的迹线电连接到基座，该迹线与裸片上的互连焊盘以及基座上的第一组键合焊盘接触。导电材料的柱形成在第二组键合焊盘上，并且第二叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，并且该叠层通过导电材料的迹线电连接至基座，该迹线使裸片上的互连焊盘与柱接触，并且通过柱连接到基底。导电材料包括聚合物基体中的金属颗粒。合适的材料包括可以以可流动形式沉积并且此后硬化或允许硬化以形成导体的材料。互连材料可以是可固化材料，并且可以以未固化或部分固化状态来沉积；并且该材料可以在沉积之后的中间阶段部分地或附加地固化，并且当沉积完成时可以完全固化。合适的互连材料包括填充有颗粒形式的导电材料的聚合物，例如金属填充的聚合物，其包括例如金属填充的环氧树脂、金属填充的热固性聚合物、金属填充的热塑性聚合物以及导电墨。可以通过对于特定材料合适的任何技术来沉积互连材料。在某些实施例中，可以使用喷嘴或探针来分配该材料，或者以喷雾方式喷射，或者丝网印刷，或者喷墨印刷；例如可以连续分配或以脉冲来分配该材料，例如通过喷口或喷嘴来滴落。在另一通常方面，本发明特征在于一种通过以下步骤将安装并且抬升在基座上方的裸片(或裸片堆叠)电连接到该基座中的电路的方法，即在基座的安装面处的一组键合焊盘上形成导电材料的柱；形成导电材料的迹线，每条迹线与在抬升裸片上(或在抬升的裸片堆叠中的至少一个裸片上)的互连裸片焊盘接触，并且与柱接触。在某些实施例中，该迹线跨越柱与互连裸片焊盘之间的缝隙。在某些实施例中，形成柱的步骤包括在键合焊盘上沉积可固化的导电柱材料，以及使所沉积的柱材料固化。在某些实施例中，形成迹线的步骤包括沉积与柱接触的可固化导电迹线材料，以及使所沉积的迹线材料固化。在某些实施例中，在连续操作中形成该柱和迹线。在另一通常方面，本发明的特征在于一种通过以下步骤来形成曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件的制造方法，即在基座上堆叠或安装第一(下)叠层，其被布置成使得第一(下)叠层的互连边缘面向第一方向，并且使得在第一叠层中的至少最下层的裸片上的互连焊盘与基座上的第一组键合焊盘对准；裸片到裸片地电互连在第一叠层中的裸片， 并且通过形成每个均与裸片上的至少一个互连焊盘接触并且与所述第一组键合焊盘的一个接触的导电材料的第一叠层迹线，将该叠层电连接至基座；在该第一叠层上方堆叠或安装第二(上)叠层，其被布置成使得第二(上)叠层的互连边缘面向第二方向；在基座上的第二组键合焊盘上形成导电材料的柱；以及形成导电材料的第二叠层迹线，每条迹线与第二(上)叠层中的至少一个裸片上的互连裸片焊盘接触并且与柱接触。在某些实施例中，形成第一叠层迹线的步骤包括沉积与在至少一个下叠层裸片上的裸片焊盘接触并且与第一组键合焊盘的一个接触的可固化导电迹线材料，以及使所沉积的迹线材料固化。在某些实施例中，形成第二叠层迹线的步骤包括形成跨越柱与互连裸片焊盘之间缝隙的迹线。在某些实施例中，形成柱的步骤包括在键合焊盘上沉积可固化导电柱材料，以及使所沉积的柱材料固化。在某些实施例中，形成第二叠层迹线的步骤包括沉积与至少一个上叠层裸片上的裸片焊盘接触并且与柱接触的可固化导电迹线材料，以及使所沉积的迹线材料固化。柱、 第一叠层迹线以及第二叠层迹线可以由相同或不同的材料形成。在其中柱和第二叠层迹线由相同材料形成的实施例中，可以分立地形成柱和迹线，或者可以在连续操作中形成柱和迹线。在某些实施例中，用于制造层叠的偏移堆叠裸片组件的方法包括在堆叠或安装第一叠层之后并且在形成第一叠层迹线之前，使用保形介电涂层涂覆组件，以及至少在选定的裸片焊盘和将要与第一叠层迹线接触的键合焊盘中形成开口。在某些实施例中，用于制造层叠的偏移堆叠裸片组件的方法包括在堆叠或安装第二叠层之后并且在形成柱之前，使用保形介电涂层涂覆组件，并且至少在选定的第二叠层裸片焊盘和将要与柱接触的键合焊盘中形成开口。
图IA和图IB是在平面图(图1A)和剖面图(图1B)显示了安装在基座上的偏移裸片堆叠的示意图。图IC是在剖面中显示了如图IB的安装在基座上的偏移裸片堆叠的示意图，其中裸片是裸片到裸片地电互连的并且裸片堆叠电连接至基座。图2A和图2B是在剖面图中显示了以曲折配置安装在彼此上方的两个堆叠裸片单元的示意图。图3A是显示了可固化互连材料的独立微滴的示意图，以及图:3B是显示了用于在裸片与基座之间形成电互连的工艺中的一个阶段的示意图。图4A、图4B以及图4C是在剖面图中显示了以曲折配置安装在基座上并且电连接至基座的层叠的偏移堆叠裸片组件的示意图。
图5A、图5B以及图5C，图6A、图6B以及图6C，图7A、图7B以及图7C，图8A、图8B 以及图8C，图9A、图9B以及图9C是在剖面图中显示了用于构建如图4A、图4B以及图4C中的以曲折配置安装在基座上并且电连接至基座的层叠的偏移堆叠裸片组件的工艺中各阶段的示意图。图4B、图5B、图6B、图7B、图8B以及图9B分别是图4A、图5A、图6A、图7A、图 8A、图9A中在如B所示处的部分剖面图；以及图4C、图5C、图6C、图7C、图8C以及图9C分别是图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A中在如C所示处的部分剖面图。图IOA是安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的正视图，其显示了下叠层至基座的电连接。图IOB是安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的下叠层的一部分的平面图， 其显示了下叠层至基座的电连接。图IlA是安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的正视图，其显示了上叠层至基座的电连接。图IlB是安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的平面图，其显示了上叠层至基座的电连接。图12A是安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的正视图，其显示了用于形成上叠层至基座的电连接的工艺中的一阶段。图12B是如图12A中安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的平面图，其显示了上叠层至基座的电连接。图12C是如图12A中所示安装在基座上的层叠的偏移堆叠裸片组件的一部分的平面图，其显示了用于形成上叠层至基座的电连接的工艺中的一阶段。
具体实施例方式现在将参照说明了本发明备选实施例的附图来进一步详细描述本发明。附图为示意性的，其显示了本发明的特征以及这些特征与其他特征和结构的关系，并且附图未按比例绘制。为了增进呈现的清晰性，在说明了本发明实施例的附图中，对应于其他附图中所示元件的元件不再特意重编号，尽管它们在所有附图中是完全容易识别的。此外也为了呈现清晰，附图中未示出某些对于理解本发明而言并不必要的特征。在说明书中某些地方，可以参照附图中的视图方向来使用与相对位置的术语，例如“上方” “下方” “上” “下” “顶” “底” 等等；这些术语并非意在限制装置在使用中的方向。图IA在平面图中显示了安装在基座上的偏移堆叠裸片10的布置，每个裸片具有布置在与正面裸片边缘邻近的一个边界中的互连焊盘；以及图IB在图IA中1B-1B所示的剖面图中显示了安装在基座上的堆叠。在该示例中，该堆叠包括七个裸片1 、1Μ、1Μ、 1Μ、1^、1Μ、 Ζ，每个裸片安装为使得裸片的有源面远离基座II。参照堆叠中的最上层的裸片liZ，例如，在该实例中，互连焊盘148位于沿着正裸片边缘149的行142中。电绝缘保形涂层144覆盖在该实例中的裸片IiI的所有表面(背表面、正表面、侧壁)上，其具有暴露了互连焊盘148的开口 145。如在这些实例中，堆叠中后续涂覆的裸片可以直接层叠在彼此之上，以使得上层裸片的背面上的涂层可以与下层裸片的正面上的涂层接触。在其他示例中，保形涂层可以覆盖比所有裸片表面少的表面，或者可以仅仅覆盖一个或多个裸片的部分表面；通常，可以至少在那些要求与可以在完成的组件中接触的其他特征或表面电绝缘的表面或特征的上方形成电绝缘保形涂层。可选地或者附加地，可以在一个或多个裸片的背面上层叠裸片粘附膜。在图IA和图IB所示的示例中，每个裸片具有位于沿一个正裸片边缘(“互连”边缘)的边界中的互连焊盘，并且堆叠中的后续裸片被布置成使得它们相应的互连边缘朝向堆叠的相同面。沿与焊盘所位于的裸片边缘正交的方向(偏移)移位堆叠中的后续裸片， 并且在此处所示的示例中，该偏移使得在每个下方裸片中的焊盘完全暴露。该配置呈现出阶梯状的裸片堆叠，并且在台阶上方形成电互连。在基座11(例如封装基底)上安装该堆叠，基座II具有暴露在裸片安装表面171 处的键合位置172的行173。键合位置连接至基座中的电路(图中未示出)(或构成该电路的一部分)。裸片堆叠固定至基底的裸片安装表面171，并且被布置使得第一(最下层)裸片Iii的正侧壁与键合位置172的行173对准。在此处所示的示例中，最下层裸片的正侧壁以小范围与键合位置重叠；在其他示例中，最下层裸片的正侧壁可以相对于键合位置的行缩进，或者可以以较大范围与键合位置重叠。如在这些示例中，第一裸片的已涂覆的背面可以直接与基座表面171接触，并且可以适于将堆叠固定至基座。可选地，可以在第一裸片的背面上层叠裸片粘附膜以将堆叠固定至基座。如图IC中所示，通过布置成与裸片焊盘例如148以及键合焊盘172接触的互连材料的迹线174，堆叠中的裸片(裸片到裸片)电互连，并且该堆叠电连接至基座。互连材料可以是导电聚合物，例如包含了导电材料颗粒的聚合物基体。材料可以是可固化材料，例如可固化聚合物，例如导电环氧树脂(例如银填充的环氧树脂)；并且可以通过以指定图形形成未固化材料的迹线并且此后使该材料固化来形成互连，以确保与裸片焊盘和键合位置的电接触，以及确保裸片焊盘和键合位置之间的迹线的机械完整性。材料可以是导电墨，其可以包括在载体中的导电颗粒，并且可以包括或者不包括聚合物基体。如美国申请号12/1M，077中所述的，可以通过在模组化设计中构建偏移堆叠裸片单元，并且随后堆叠这些单元来制造较大的堆叠裸片组件。一个这种模组单元可以被倒置并且安装在另一个上方，而相应的模组化单元的互连焊盘对准并且连接；所得到的两层叠组件呈现曲折配置，例如图2A、图2B中所示。第一偏移裸片堆叠构成第一模组化单元(第一叠层)210，第一模组化单元可以安装并且电连接至基座MZ上的键合焊盘272;并且第二类似的模组化单元(第二叠层)212可以倒置并且安装在第一叠层210上方，而相应的模组化单元的互连214、2M的末端对准且连接。所得到的组件以示例的方式如图2A中所示。 可以在第一层和第二层之间提供间隔物(图2A中未示出)。如可以理解的，在第一模组化单元和第二模组化单元相同的情况下，在使第二单元倒置时，在互连末端处的焊盘的相应行是反平行的；即，第一单元上的第一互连此时与第二裸片上的最后互连对准。在这种配置中，可能需要重布线电路，以连接裸片上恰当的相应的特征。重布线电路可以提供在第一单元的顶部裸片的有源面处；或者，在包括间隔物的情况下，该间隔物可以构成插入物(图2A 中未示出)，其包括一个或多个介电层以及一个或多个导电重布线层。图2B显示了其中第二叠层安装在第一叠层上方但是第二叠层并未倒置的配置。在此，第二叠层220的互连224 的末端靠近第一叠层210中的顶部裸片的相对边缘。包括至少一个介电层216(例如玻璃) 以及至少一个图案化导电层M4的插入物位于模组化单元之间，以提供从第一叠层210的一个边缘上的互连214的末端至第二叠层220的(位置相对的)边缘上的互连224的末端的重布线。可以利用特定互连材料的流变特性(例如粘性或触变性)来提供具有受控形状的沉积物。特别地，对于某些材料，沉积物物质的一部分可以在分配脉冲完成之后的时间内保持与沉积工具接触，并且该工具可以在完成分离之前移动。可以通过在分配脉冲之后立即移动沉积工具来在沉积期间使处于未固化状态的具有高粘性和触变性的导电聚合物材料成形，以沿选定方向牵引材料的“尾线”，从而形成具有选定形状的互连。结果，可以通过工具移动的方向和速率以及材料的流变特性而在一定程度地确定沉积物物质的形状。如上所述，显示了图1A、1B、1C、2A以及2B中所示的示例中的偏移裸片堆叠具有七个裸片。涵盖具有其他数目裸片的偏移堆叠，并且通常可能更经常使用偶数数目的裸片 (例如每个偏移堆叠中具有四个裸片或八个裸片)。参照图3A，例如，显示了微滴304附着至基座■上的电接触328(例如裸片上的焊盘，或者基底上的键合焊盘)。在所示的示例中，在微滴形成期间，将工具尖端(图中未示出)引导朝向接触328，并且将一团材料分配至接触上。随后，当材料团仍然与工具尖端接触时，从目标垂直地移走工具以朝上牵引出材料的“尾线”。最终，微滴物质与工具尖端分离，并且所得到的微滴304具有大致锥形的形状。适合用于形成所成形的微滴的材料包括导电环氧树脂(金属填充的环氧树脂)，其在未固化状态下具有约30000cps或更大的粘度和/或具有约6. 5或更大的触变指数。如将理解的，粘性和/或触变性不能太高，否则材料可能不可用，或者材料可能不会与互连端子形成良好接触。上述提到并且通过引用并入于此的美国申请号12/124，097描述了邻近裸片堆叠面形成一系列相互重叠的这种大致锥形的独立微滴，从而提供与互连端子接触的材料的圆柱(column)。在其中竖直相邻裸片之间具有足够大空间，从而互连迹线必须在没有横向支撑的情况下竖直贯穿该空间的情况下，这种圆柱形配置可以是特别有用的。这可能出现在具有多个裸片在彼此上方安装并且通过间隔物或者通过裸片的交错布置(即，将要连接的裸片之间的空间接近(或者稍微超过)插入的偏移裸片的厚度)将它们分离的裸片堆叠中；或者在具有伸长的堆叠裸片的裸片堆叠中，每个裸片与下方裸片呈90°定向，如以上提到并且通过引用并入于此的美国申请号12/124，077所述的。如美国申请号12/1M，097中进一步所述的，可以使工具沿与竖直远离目标不同的其他方向移动，并且可以产生各种有用的微滴形状。参照例如图3B，裸片341、342、343、 344的偏移堆叠被显示为安装在基底317上，基底MZ具有在堆叠安装面中的电连接位置 (例如键合焊盘)372。在该示例中的所有裸片具有外围焊盘例如348，其布置在沿着裸片边缘的互连边界中。相对于裸片下方来布置堆叠中的每个裸片，以暴露焊盘的区域的至少一部分(在所示示例中暴露了全部焊盘)。第一互连微滴314被显示为将第一裸片Mi上的裸片焊盘348连接至基底MZ中的键合焊盘372。为了形成该微滴，将工具引导朝向第一目标键合焊盘372，并且在键合焊盘上分配一团材料。随后，当材料团仍然与工具尖端接触时，首先远离第一目标向上和横向移动工具，并且随后朝向裸片焊盘348向下和横向移动工具，以牵引出朝向第二焊盘的弧形的材料“尾线”。可以类似地形成第二微滴和后续微滴，以连接后续裸片上的焊盘，从而形成裸片到裸片互连。图4A、4B和4C中显示了依照本发明实施例的安装在基座上并且与基座电连接的曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件。在该示例中，包括两个叠层的堆叠裸片组件4 安装在基座(例如封装基底)447上，每个叠层具有四个偏移堆叠裸片。在该示例中，下叠层包括裸片Mi、M2、MS、4M ；并且上叠层包括裸片M^、4M、MI、M§。每个裸片的背面层叠有裸片粘附膜(分别为Μ1、Μ2、Μ^、4Μ、Μ^、·、ΜΙ、4Μ)。互连裸片焊盘(例如548、 648)被布置在靠近每个裸片的互连边缘的裸片边界中。互连材料的迹线被形成在第一叠层的互连面上方，从而与互连裸片焊盘(例如Μ8)接触，以形成裸片到裸片互连，并且与基座上的第一行中的键合焊盘472接触，以形成叠层到基座电连接。互连材料的底座· 被形成为与基座上的第二行中的键合焊盘474接触；并且互连材料的迹线被形成在第二叠层的互连面上方，从而与互连裸片焊盘(例如648)接触，以形成裸片到裸片互连，并且与底座接触，以形成叠层到基座电连接。基座ill在与堆叠安装表面相对的表面处包括台476，以用于组件到其中布置该组件供使用的装置中的下层电路(这些图中未示出)的第二级电连接(例如作为台栅阵列或球栅阵列或载带型球栅(tab)阵列)。键合焊盘472、474以及台476连接至基底中的由一个或多个介电层隔开的图案化的导电层(或构成这些导电层一部分)，并且基底中的图案化的导电层经由穿过介电层的过孔连接。图 5A、5B 以及 5C，图 6A、6B 以及 6C，图 7A、7B 以及 7C，图 8A、8B 以及 8C，图 9A、9B
以及9C中显示了用于构造如图4A、4B以及4C中所示安装在基座上并与基座电连接的曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件的工艺的示例的各个阶段。该工艺的描述如下。传统上，在半导体晶片的有源面(正面)中形成用于裸片阵列的半导体电路。通常通过背研磨使晶片减薄，并且将裸片粘附膜安装在经减薄的晶片的背面上。随后通过沿着阵列中的裸片之间的锯切线(saw street)来切割(例如通过锯切)使裸片单个化 (singulate)0使用例如拾取工具之类的工具以偏移布置来堆叠经单个化的裸片。在此所示的示例中，构成第一叠层420的裸片的第一偏移堆叠(在该示例中为四个裸片)被安装在基底 477的堆叠安装表面上。第一叠层的位置使得最下层裸片Mi的裸片安装侧壁与基底上的第一键合焊盘行中的键合焊盘472对准(邻近，或部分重叠)。此后，使用介电涂层544涂覆该组件。介电涂层的材料可以是多种材料的任何一种，并且可以使用对于特定材料合适的多种各种技术的任何一种来形成。合适的材料包括有机聚合物，并且特别合适的材料包括聚对二甲苯，其通过以气相形式的前驱物分子的在原位聚合形成。涂层覆盖了在涂覆处理期间暴露于材料的所有表面，包括将要形成电连接的区域。因此，例如通过选择性激光烧蚀，在选定区域上方形成开口。例如，形成穿过涂层的开口 545以暴露互连裸片焊盘(例如 548)并且暴露基底上的第一行中的键合焊盘(例如472)。图5A中显示了所得到的构造， 并且图5B、5C中显示了局部放大图。此后，通过形成与互连裸片焊盘接触并且与键合焊盘472接触的导电材料的迹线 iM来制造第一叠层420中的裸片的互连以及第一叠层至基底的连接。图6A中显示了所得到的配置，并且图6B、6C中显示了局部放大图。介电涂层用于使那些可能与导电迹线接触但是却不期望电接触的特征绝缘，例如裸片焊盘沿着其位于的区域的裸片边界，以及相邻的裸片边缘和侧壁区域。如上所述，导电材料包括那些可以以可流动形式沉积并且此后硬化或者允许硬化以形成导体的材料。导电材料可以是可固化材料，并且可以以未固化或者部分固化状态来沉积；并且该材料可以在沉积之后的中间阶段处部分或者附加地固化，并且当已完成分配时完全固化。合适的导电材料包括填充有颗粒形式的导电材料的聚合物， 例如金属填充的聚合物，其包括例如金属填充的环氧树脂、金属填充的热固性聚合物、金属填充的热塑性聚合物以及导电墨。可以采用对于特定材料合适的任何技术来沉积互连材料。在某些实施例中，可以使用喷嘴或探针来分配材料，或者以喷雾方式喷射，或者丝网印刷，或者喷墨印刷；可以连续分配或者以脉冲分配材料，例如通过喷口或喷嘴来滴落。在分配之后，使材料固化以完成互连。此后，在第一叠层420的上表面上安装构成第二叠层422的裸片的第二偏移堆叠 (在该示例中为四个裸片)。在该示例中，布置第二叠层位于以使得最下层裸片⑩的裸片附接侧壁悬置在第一叠层上方，并且与基底上的第二键合焊盘行中的键合焊盘474垂直对准。随后采用第二介电涂层644来涂覆所得到的组件。第二介电涂层的材料可以是多种材料的任何一种，并且可以使用对于特定材料合适的多种各种技术的任何一种来形成。第二涂层材料可以与第一涂层材料相同或不同。合适的材料包括有机聚合物，并且特别合适的材料包括聚对二甲苯，其通过以气相形式的前驱物分子在原位聚合形成。涂层覆盖了那些在涂覆处理期间暴露于材料的所有表面，包括将要形成电连接的区域。因此，例如通过选择性激光烧蚀，在选定区域上方形成开口。例如，形成穿过涂层的开口 645以暴露互连裸片焊盘(例如648)并且暴露基底上第二行中的键合焊盘(例如474)。图7A中显示了所得到的构造，并且图7B、7C中显示了局部放大图。此后，导电材料的底座_被形成为与基底上的第二行中的键合焊盘474接触。 图8A中显示了所得到的构造，并且图8B、8C中显示了局部放大图。如上所述，导电材料包括那些可以以可流动形式沉积并且此后硬化或者允许硬化以形成导体的材料。导电材料可以是可固化材料，并且可以以未固化或部分固化状态沉积；并且该材料可以在沉积之后的中间阶段处部分或者附加地固化，并且当已完成沉积时可以完全固化。合适的导电材料包括填充有颗粒形式的导电材料的聚合物，例如金属填充的聚合物，其包括例如金属填充的环氧树脂、金属填充的热固性聚合物、金属填充的热塑性聚合物、以及导电墨。将具有适于当分配时并且在最终固化之前维持底座的高度和大致形状的流变特性的材料选择为合适的材料。在特定实施例中，底座具有大致锥形的形状，例如具有约190um 310um范围的高度，并且具有约160um ISOum范围的底部直径。取决于材料的特性，可以制造具有更大高度-直径比的底座。如图8B中的512处所示，在沉积以及固化工艺期间，可能得到围绕底部的环氧树脂“渗漏”；在某些实施例中，这可能不是期望的特征。适用于导电底座的材料的特定示例包括Ormet Circuits有限公司制造的名为 "800, 700, 500,400, 200series inks”的导电胶。这些导电胶包括5 15wt%的环氧树脂混合物，以及最多5wt%的丁基卡必醇；其余组分包括各种比例的Cu、Bi、Sn以及Ag颗粒。适用于导电底座的材料的其他特定示例包括Lord Corporation制造的名为“die attach adhesives”的材料，例如“Thermoset MD-141”。这些材料包括约IOwt %的酚醛环氧树脂，约5wt %的乙二醇醚化合物，约IOwt %的环氧树脂，以及约80wt %的银。可以采用对于特定材料和底座形状合适的任何技术来沉积用于底座的互连材料。 在某些实施例中，可以使用喷嘴或探针，或丝网印刷，或喷墨印刷来分配该材料；可以连续分配或以脉冲分配该材料，例如通过喷口或喷嘴来滴落。在分配之后，使底座的材料固化以完成底座的机械完整性。此后，通过形成与互连裸片焊盘接触并且与底座■接触的导电材料的迹线SM 来制造在第二叠层422中裸片的互连以及第二叠层(借由底座至基底的连接。图9A 中显示了所得到的构造，并且图9B、9C中显示了局部放大图。介电涂层用于使那些可能与导电迹线接触但是又不期望电接触的特征绝缘，例如裸片焊盘沿着位于区域的裸片边界， 以及相邻的裸片边缘和侧壁。如上所述，导电材料包括可以以可流动形式沉积并且此后硬化或者允许硬化以形成导体的材料。导电材料可以是可固化材料，并且可以以未固化或部分固化状态来沉积；并且该材料在沉积之后的中间阶段处可以部分或者附加地固化，并且当已完成沉积时可以完全固化。合适的导电材料包括填充有颗粒形式的导电材料的聚合物，例如金属填充的聚合物，其包括例如金属填充的环氧树脂、金属填充的热固性聚合物、 金属填充的热塑性聚合物、以及导电墨。将具有适于在分配之后并且在最终固化之前维持其跨越裸片■的侧壁与底座尖端之间缝隙的形状的流变特性的材料选择为合适的材料。可以采用对于特定材料适用的任何技术来沉积互连材料。在某些实施例中，可以使用喷嘴或者探针、或者以喷雾方式喷射、或者丝网印刷、或者喷墨印刷来分配该材料；可以连续分配或以脉冲分配该材料，例如通过喷口或喷嘴滴落。图IOA和图IOB是显示了形成第一叠层420中的裸片的裸片到裸片互连以及第一叠层420至基底上的键合焊盘472的连接的导电迹线的局部视图。图1IA和1IB是显示了形成第二叠层442中的裸片的裸片到裸片互连以及第二叠层422至基底上的底座■的连接的导电迹线的局部视图。图12A、12B、12C是显示了形成第二叠层422中的裸片的裸片到裸片互连以及第一叠层422至基底上的键合焊盘474上底座■的连接的导电迹线^M的形成过程中各阶段的局部视图。其他实施例也在本发明范围内。例如，附图显示了其中层叠的裸片堆叠(在这些示例中为上层的偏移裸片堆叠) 被抬升以高于基座的组件；并且采用柱以用于抬升的偏移裸片堆叠至基座上的键合焊盘的电连接。在其他考虑的实施例中，采用柱以用于抬升的裸片或(偏移或未偏移的)裸片堆叠至基座上的键合焊盘的电连接。并且，例如附图显示了其中下层的偏移裸片堆叠位于上层堆叠与基座之间的组件。特别地，在所示的示例中，下层的偏移裸片堆叠安装在基座上， 并且上层堆叠安装在下层堆叠上，从而使得上层堆叠的抬升由在基底表面上方的下层堆叠的高度(或者下层堆叠的高度)实施。在其他考虑的实施例中，可以在不同于下层堆叠的某些其他特征上方安装上层堆叠，其他特征例如下层裸片或下层非偏移裸片堆叠、或者封装体。此外，例如，所示的曲折层叠的裸片堆叠组件具有两个叠层(下叠层和上叠层)， 并且每个叠层被显示为具有四个裸片。涵盖具有多于两个叠层的组件，并且涵盖具有其他数目裸片的叠层。例如，可以在第二叠层上方堆叠一个或多个附加的叠层。并且，例如，一个或多个叠层可以具有多于或少于四个的裸片，在某些实施例中，一个或多个叠层可以具有例如八个裸片。此外，例如，上叠层和下叠层中的裸片被显示为具有相同的长度。该情况可能在例如其中所有裸片为相同类型或具有相同功能的情形中常见。每个层叠的堆叠可以例如包括相同类型的存储器裸片。涵盖其他裸片类型。例如，可以在叠层中包括具有不同功能的裸片；或者例如，在一个叠层中的裸片可以具有相同的功能，而在另一个叠层中的裸片可以具有一个或多个不同的功能。因此，在某些涵盖的实施例中，裸片可以具有不同大小；或者一个叠层中的裸片可以具有相同大小，而另一个叠层中的裸片可以具有不同尺度。此外，例如，在示例中显示了上叠层中最下层裸片的互连边缘向外延伸超过下层特征的下层边缘(即超过在所示的示例中下叠层中的最上层裸片的下层裸片边缘)。在其他涵盖的实施例中，上层堆叠的互连边缘可以与下层特征的下层边缘垂直对准或者可以向内偏移。此外，例如，在所示的示例中，介电涂层被显示为从堆叠中所有裸片上的互连焊盘移除。这允许了所有焊盘至后续形成的迹线的接触。可能期望的是，仅形成与选择的一个焊盘的电连接。如在以上提到并且通过引用并入于此的美国申请号12/1M，077中所示和所述的，可以在任何裸片中的选定的焊盘或者堆叠中的后续裸片上的选定的对应焊盘的上方形成开口，从而使得剩余的焊盘被介电涂层覆盖并且这些焊盘不适用于电连接。并且，例如描述了在各阶段形成涂层，而每个阶段在每个叠层的构建之后。在某些涵盖的实施例中， 在形成两个(或更多)层之后的单个阶段中施加涂层。在上叠层位于下叠层上方以便下叠层中的互连裸片焊盘易于移除(例如通过激光烧蚀)时，这可以是特别期望的。此外，例如，在所示的示例中，描述了在两个分配操作中执行柱的形成以及连接抬升的(上层)裸片或抬升的(上层)裸片堆叠至柱的迹线的形成。在某些实施例中，可以通过对分配和分配工具的合适的控制来在连续操作中形成每个柱以及相应的迹线。
权利要求
1.一种半导体组件，包括安装在基座上方并且抬升在所述基座之上的裸片，所述裸片在其正面处具有互连焊盘，所述基座在其安装面处的键合焊盘上具有第一导电材料的柱， 其中，所抬升的裸片通过第二导电材料的迹线电连接至所述基座，所述迹线使所述裸片上的所述互连焊盘与所述键合焊盘上的所述柱接触。
2.根据权利要求1的组件，所述抬升的裸片在其所述正面处具有多个互连焊盘，并且所述基座在其安装面处的多个键合焊盘的每一个上具有第一导电材料的柱，其中，所述抬升的裸片通过第二导电材料的迹线电连接至所述基座，所述迹线使所述多个互连焊盘的至少两个中的每个与至少两个对应的键合焊盘中的每个上的柱接触。
3.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料包括相同的材料。
4.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括可以以可流动形式沉积并且此后硬化或者允许硬化以形成导体的材料。
5.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括可固化材料。
6.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括在聚合物基体中以颗粒形式的导电材料。
7.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括金属填充的聚合物。
8.根据权利要求7的组件，其中，所述金属填充聚合物包括金属填充的环氧树脂。
9.根据权利要求7的组件，其中，所述金属填充的聚合物包括金属填充的热固性聚合物。
10.根据权利要求7的组件，其中，所述金属填充的聚合物包括金属填充的热塑性聚合物。
11.根据权利要求1的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括在载体中以颗粒形式的导电材料。
12.根据权利要求11的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括导电墨。
13.一种半导体组件，包括安装在基座上方的裸片堆叠中的多个裸片，至少第一裸片抬升在所述基座之上，所述第一裸片在其正面处具有互连焊盘，所述基座在安装面处的键合焊盘上具有第一导电材料的柱，其中，所述第一裸片通过第二导电材料的迹线连接至所述基座，所述迹线使所述裸片上的所述互连焊盘与所述键合焊盘上的所述柱接触。
14.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料包括相同的材料。
15.根据权利要求13的组件，其中，至少第二裸片通过第三导电材料的迹线电连接至所述第一裸片，所述第三导电材料的迹线使所述第一裸片上的互连焊盘与所述第二裸片上的互连焊盘接触。
16.根据权利要求15的组件，其中，所述第三导电材料和所述第二导电材料包括相同的材料。
17.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括可以以可流动形式沉积并且此后硬化或者允许硬化以形成导体的材料。
18.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括可固化材料。
19.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括在聚合物基体中以颗粒形式的导电材料。
20.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括金属填充的聚合物。
21.根据权利要求20的组件，其中，所述金属填充的聚合物包括金属填充的环氧树脂。
22.根据权利要求20的组件，其中，所述金属填充的聚合物包括金属填充的热固性聚合物。
23.根据权利要求20的组件，其中，所述金属填充的聚合物包括金属填充的热塑性聚合物。
24.根据权利要求13的组件，其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一个包括在载体中以颗粒形式的导电材料。
25.根据权利要求M的组件，其中，所述导电材料包括导电墨。
26.一种半导体组件，包括安装在基座上方并且抬升在所述基座之上的上层裸片堆叠中的多个裸片，所述上层堆叠中的至少第一裸片在其正面处具有互连焊盘，所述基座在其安装面处的键合焊盘上具有第一导电材料的柱，其中，所述上层堆叠中的所述第一裸片通过第二导电材料的迹线电连接至所述基座，所述迹线将所述上层堆叠中的所述第一裸片上的所述互连焊盘与所述键合焊盘上的所述柱接触。
27.根据权利要求沈的半导体组件，进一步包括，位于所述基座和所述上层裸片堆叠之间的下层裸片。
28.根据权利要求沈的半导体组件，进一步包括，位于所述基座和所述上层裸片堆叠之间的下层裸片堆叠。
29.根据权利要求沈的半导体组件，进一步包括，位于所述基座和所述上层裸片堆叠之间的半导体封装体。
30.根据权利要求观的半导体组件，其中，所述下层裸片堆叠包括层叠的偏移堆叠裸片组件，并且其中下叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，以及通过导电材料的迹线将下叠层电连接至基座，所述迹线与所述裸片上的互连焊盘以及所述基座上的一组键合焊盘接触。
31.根据权利要求沈的半导体组件，其中，所述上层裸片堆叠包括层叠的偏移堆叠裸片组件，其中所述叠层的互连边缘面向第一方向，并且互连裸片焊盘与所述柱对准。
32.—种裸片堆叠组件，包括曲折配置的第一层叠的偏移裸片堆叠和第二层叠的偏移裸片堆叠。
33.根据权利要求32的裸片堆叠组件，其中，所述第一叠层的互连边缘面向第一方向， 并且所述第二叠层的互连边缘面向不同于所述第一方向的第二方向。
34.根据权利要求32的裸片堆叠组件，其中，所述第一叠层互连边缘方向与所述第二叠层互连边缘方向相反。
35.根据权利要求32的裸片堆叠组件，其中，所述第一叠层互连边缘方向与所述第二叠层互连边缘方向正交。
36.根据权利要求32的裸片堆叠组件，其中，所述第一叠层是裸片到裸片地电互连的， 并且通过导电材料的迹线将所述第一叠层中的裸片电连接至所述基座，所述迹线与所述裸片上的互连焊盘以及所述基座上的第一组键合焊盘接触；并且其中，所述第二叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，并且通过导电材料的迹线将所述第二叠层电连接至所述基座，所述迹线将所述裸片上的互连焊盘与形成在所述基座上的第二组键合焊盘上的导电材料的柱接触。
37.一种用于将安装在基座上方并且抬升到所述基座之上的裸片电连接至所述基座中的电路的方法，包括在所述基座的安装面处的一组键合焊盘上形成导电材料的柱；以及形成导电材料的迹线，每个所述迹线与所抬升的裸片上的互连裸片焊盘接触并且与所述柱接触。
38.根据权利要求37的方法，其中，形成所述迹线的步骤包括，形成跨越所述柱和所述互连裸片焊盘之间缝隙的迹线。
39.根据权利要求37的方法，其中，形成所述柱的步骤包括，在所述键合焊盘上沉积可固化的导电柱材料并且使所沉积的柱材料固化。
40.根据权利要求37的方法，其中，形成所述迹线的步骤包括，沉积与所述柱接触的可固化导电迹线材料并且使所沉积的迹线材料固化。
41.一种用于将安装在基座上方并且抬升到所述基座之上的裸片堆叠中的裸片电连接至所述基座中的电路的方法，包括在所述基座的安装面处的一组键合焊盘上形成导电材料的柱；以及形成导电材料的迹线，每个所述迹线与所抬升的裸片堆叠中的至少一个裸片上的互连裸片焊盘接触并且与所述柱接触。
42.一种用于制造曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件的方法，包括在基座上安装第一叠层，其被布置成使得所述第一叠层的互连边缘面向第一方向，并且使得所述第一叠层中的至少最下层裸片上的互连焊盘与所述基座上的第一组键合焊盘对准；裸片到裸片地电互连所述第一叠层中的裸片，并且通过形成导电材料的第一叠层迹线将所述叠层电连接至所述基座，所述第一叠层迹线的每一个与所述裸片上的至少一个互连焊盘接触并且与所述第一组键合焊盘的一个接触；在所述第一叠层上方堆叠或者安装第二叠层，其被布置成使得所述第二叠层的互连边缘面向第二方向；在所述基座上的第二组键合焊盘上形成导电材料的柱；以及形成导电材料的第二叠层迹线，每个迹线与所述第二叠层中的至少一个裸片上的互连裸片焊盘接触并且与所述柱接触。
43.根据权利要求42的方法，其中，形成所述第一叠层迹线的步骤包括，沉积与至少一个下叠层裸片上的裸片焊盘接触并且与第一组键合焊盘的一个接触的可固化导电迹线材料，以及使所沉积的迹线材料固化。
44.根据权利要求42的方法，其中，形成所述第二叠层迹线的步骤包括，形成跨所述柱与所述互连裸片焊盘之间的缝隙的迹线。
45.根据权利要求42的方法，其中，形成所述柱的步骤包括，在键合焊盘上沉积可固化导电柱材料，并且使所沉积的柱材料固化。
46.根据权利要求42的方法，其中，形成所述第二叠层迹线的步骤包括，沉积与至少一个上叠层裸片上的裸片焊盘接触并且与柱接触的可固化导电迹线材料，以及使所沉积的迹线材料固化。
47.根据权利要求42的方法，进一步包括，在堆叠或者安装所述第一叠层之后并且在形成所述第一叠层迹线之前，使用保形介电涂层涂覆所述组件，以及至少在选定的裸片焊盘和将要与所述第一叠层迹线接触的键合焊盘中形成开口。
48.根据权利要求42的方法，进一步包括，在堆叠或者安装所述第二叠层之后并且在形成所述柱之前，使用保形介电涂层涂覆所述组件，以及至少在选定的第二叠层裸片焊盘和将要与所述柱接触的键合焊盘中形成开口。
全文摘要
裸片(或裸片堆叠)被安装在基座上方并且被抬升至该基座之上，并且被电连接至基座中的电路。在基座的安装面处的一组键合焊盘上形成导电材料的柱，并且通过使裸片上的互连焊盘与柱接触，并且经由柱与基座的迹线接触，抬升的裸片(或抬升的裸片堆叠中的至少一个裸片)被电连接至基座。此外，曲折配置的层叠的偏移堆叠裸片组件电连接至基座，其中第一(下)叠层的互连边缘面向第一方向，并且堆叠在第一层上方的第二(上)叠层的互连边缘面向不同于第一方向的第二方向。第一叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，以及通过与裸片上互连焊盘接触并且与基座上第一组键合焊盘接触的导电材料的迹线，该叠层电连接至基座。在第二组键合焊盘上形成导电材料的柱，并且第二叠层中的裸片是裸片到裸片地电互连的，并且通过将裸片上的互连焊盘与柱接触并且经由柱与基底接触的导电材料的迹线，该叠层被电连接至基座。
文档编号H01L23/12GK102473697SQ201080035256
公开日2012年5月23日 申请日期2010年6月23日 优先权日2009年6月26日
发明者G·维拉维森西奥, J·利尔, R·科, S·J·S·麦克尔里 申请人:垂直电路公司