双轴构型的屏蔽电缆的制作方法

专利名称：双轴构型的屏蔽电缆的制作方法
技术领域：
本发明整体涉及电缆和连接器。
背景技术：
用于传输电信号的电缆是众所周知的。一种通用型的电缆是同轴电缆。同轴电缆通常包括由绝缘体围绕的电导线。线和绝缘体被屏蔽件围绕，并且线、绝缘体和屏蔽件被护套围绕。另一种通用型的电缆是包括一个或多个例如由金属箔形成的屏蔽层围绕的绝缘信号导体的屏蔽电缆。为了便于电连接屏蔽层，有时在屏蔽层和一个或多个信号导体的绝缘体之间设置另外的非绝缘导体。这两种通用类型的电缆通常均要求使用针对端接特别设计的连接器，并且通常不适于使用批量端接技术，即，同时将多个导体连接至各个接触元件，例如电连接器的触点或印刷电路板上的接触元件。

发明内容
屏蔽电缆包括一个或多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组。每一个导体组具有一个或多个尺寸不大于24AWG的导体，并且每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，并且其被布置成使得在横截面中，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每个导体的每一侧上形成电缆的压紧部分。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为Cl1，并且VD小于约O. 25。导体组可以包括两个双轴布置的导体，并且由于导体组的谐振产生的插入损耗可为约O。导体组可以包括两个双轴布置的导体，并且标称插入损耗(不含由于谐振产生的插入损耗)可为由于导体组的谐振产生的插入损耗的约O. 5倍。电缆可以包括设置在屏蔽膜的压紧部分之间的粘合剂层。每一个导体组的插入损耗可小于约-5dB/m或约_4dB/m、或约_3dB/m。在高达约IOGbps的数据传送速度下，电缆的偏差可小于约20皮秒/米或小于约10皮秒/米。电缆可以具有在约I米的电缆长度上保持在目标特性阻抗的5%_10%内的特性阻抗。电缆的一个或多个导体组可以包括第一导体组和第二导体组，每一个导体组具有第一绝缘导体和第二绝缘导体，并且每一个导体组中第一绝缘导体相对于第二绝缘导体的高频电隔离可基本上小于第一导体组相对于相邻导体组的高频电隔离。在5-15GHZ的指定频率范围和I米的长度下，第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为第一远端串扰Cl，并且在指定频率下第一导体组相对于相邻导体组的高频隔离为第二远端串扰C2。C2可比Cl低至少10dB。电缆可具有小于O. I的(VD。屏蔽电缆包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组，每一个导体组具有两个尺寸不大于24AWG的导体，并且每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的信号衰减小于_20dB/m。电缆也包括排扰线和设置在电缆相对侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。对于至少一个导体组而言，排扰线和导体组的最近导体之间的间距可为大于导体组的两个导体之间中心至中心间距的O. 5倍。屏蔽电缆可以包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体 组，每一个导体组具有以双轴构型布置的两个导体，这些导体的每一个的尺寸为不大于24AWG。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，两个屏蔽膜均不包含纵向折叠，所述纵向折叠定向屏蔽膜以在电缆两侧上覆盖导体组。每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m，并且由于导体组的谐振产生的插入损耗为约O。电缆还可以包括至少一条排扰线，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，其被布置成使得在横截面内，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分，其中，对于至少一个导体组而言，排扰线的中心和导体组的最接近导体的中心之间的间距可为大于导体组的两个导体之间中心至中心间距的O. 5倍。屏蔽电缆包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组，这些导体组的每一个包含以双轴构型布置的两个导体，两个导体的尺寸均不大于24AWG。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，两个屏蔽膜均不包含将屏蔽膜粘结到自身的接缝，其中每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m，并且由于导体组的谐振损耗产生的插入损耗为约O。每个屏蔽膜单独地可以围绕每一个导体组的周边的小于全部的区域。本发明的上述发明内容并非意图描述本发明的每一个公开的实施例或每种实施方式。以下附图和详细说明更具体地举例说明了示例性实施例。


图I为屏蔽电缆的示例性实施例的透视图；图2a_2g为屏蔽电缆的七个示例性实施例的正面剖视图；图3为被端接至印刷电路板的图I的两个屏蔽电缆的透视图。图4a_4d为屏蔽电缆的示例性端接过程的俯视图；图5为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的俯视图；图6为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的俯视图；图7a_7d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图8a_8c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图9a_9b分别为被端接至印刷电路板的电组件的示例性实施例的俯视图和局部正面剖视图。图IOa-IOe和IOf-IOg分别为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的透视图和正面剖视图；图Ila-Ilc为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的细节的正面剖视图；图12a_12b分别为根据本发明的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图和对应的细部图。图13a_13b为根据本发明的方面的屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图。图14a_14b为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图15a_15c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图； 图16a_16g为示出屏蔽电缆的平行部分的七个示例性实施例的正面剖视细部图；图17a_17b为屏蔽电缆的平行部分的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图18为成弯曲构型的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图。图19为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图20a_20f为示出屏蔽电缆的平行部分的六个其他示例性实施例的正面剖视细部图；图21-22为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图23为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图24为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图25为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图26a_26d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图27为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图28a_28d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图29a_29d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图30a为可以利用导体组的高组装密度的屏蔽电缆组件的透视图；图30b和30c为示例性屏蔽电缆的正面剖视图，这两幅图还描绘了可用于表征导体组密度的参数；图30d为示例性屏蔽电缆组件的俯视图，其中屏蔽电缆附接到端接元件，并且图30e是其侧视图；图30f和30g为加工的屏蔽电缆的相片；图31a为示出一些可能的排扰线位置的示例性屏蔽电缆的正面剖视图；图31b和31c为屏蔽电缆的一部分的详细正面剖视图，展示了一种在局部区域的排扰线和屏蔽膜之间提供按需电接触的技术；图31d为电缆的示意性正面剖视图，示出了在选定区域处理电缆以提供按需接触的一种工序；图31e和31f为屏蔽电缆组件的俯视图，示出了可供选择的构型，其中可以选择在排扰线和屏蔽膜之间提供按需接触；图31g为另一个屏蔽电缆组件的俯视图，示出了另一种构型，其中可以选择在排扰线和屏蔽膜之间提供按需接触；
图32a为被加工并处理为具有按需排扰线接触的屏蔽电缆的相片，并且图32b为图32a的一部分的放大细部，并且图32c为图32a的电缆的一端的前正视图的示意图；图32d为采用多条通过屏蔽膜彼此连接的排扰线的屏蔽电缆组件的俯视图；图32e为另一个采用多条通过屏蔽膜彼此连接的排扰线的屏蔽电缆组件的俯视图，该组件被布置为扇出构型，并且图32f为在图32e的线32g-32g处的电缆的剖视图；图33a为另一个采用多条通过屏蔽膜彼此连接的排扰线的屏蔽电缆组件的俯视图，该组件也被布置为扇出构型，并且图33b为在图33a的线33b-33b处的电缆的剖视图；图33c_f为具有混合导体组的屏蔽电缆的示意性正面剖视图；图33g为另一个具有混合导体组的屏蔽电缆的示意性正面剖视图，并且图33h示意性地示出几组可用于混合导体组屏蔽电缆的低速绝缘导体组；
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图34a、34b和34c为屏蔽电缆组件的示意性俯视图，其中组件的端接元件包括一个或多个导电路径，所述导电路径将一条或多条低速信号线从端接元件的一端重新路由至另一端；并且图34d为加工的混合导体组屏蔽电缆组件的相片。图35a为示例性电缆构造的透视图；图35b为图35a的示例性电缆构造的剖视图；图35c_35e为示例性替代电缆构造的剖视图；图35f为示出所关注尺寸的示例性电缆的一部分的横截面；图35g和35h为示出示例性制备工序的步骤的框图；图36a为示出示例性电缆构造的分析结果的坐标图；图36b为相对于图36a的分析不出其他所关注的尺寸的横截面；图36c为另一个示例性屏蔽电缆的一部分的正面剖视图；图36d为另一个示例性屏蔽电缆的一部分的正面剖视图；图36e为示例性屏蔽电缆的其他部分的正面剖视图；图36f为另一个示例性屏蔽电缆的正面剖视图；图36g_37c为另外的示例性屏蔽电缆的正面剖视图；图38a_38d为示出将屏蔽电缆连接到端接元件的示例性端接过程的不同工序的俯视图；图39a_39c为另外的示例性屏蔽电缆的正面剖视图；并且图40为具有30AWG镀银导体的屏蔽电缆的插入损耗的坐标图；图41为具有30AWG镀锡导体的屏蔽电缆的插入损耗的坐标图；图42示出了具有卷绕屏蔽件的电缆；图43为屏蔽电缆的双轴构型的横截面的相片；图44为比较由于如下两种电缆谐振产生的插入损耗的坐标图具有卷绕屏蔽件的电缆，以及具有含本文所述覆盖部分和压紧部分的两个屏蔽膜的电缆；图45示出了三个不同电缆长度的插入损耗；图46示出了具有纵向折叠屏蔽件的电缆；图47为比较两个样品电缆的电隔离性能的坐标图；图48为示出用于测量电缆的力与挠曲的示例性测试设备的框图49和50为示出电缆的示例性力-挠曲测试结果的坐标图；并且图51为汇总示例性电缆的力-挠曲测试的平均值的对数坐标图。
具体实施例方式随着互连装置的数量和速度提高，在此类装置之间传输信号的电缆需要更小并且能够在没有不可接受的干扰或串扰的情况下传输更高速的信号。在一些电缆中使用屏蔽来 减少相邻导体所传输的信号之间的相互作用。本文所述的多种电缆具有基本平坦的构型，并且包括沿着电缆的长度延伸的导体组，以及设置在电缆相对侧上的电屏蔽膜。相邻导体组之间的屏蔽膜的压紧部分有助于将导体组彼此电隔离。电缆中的多个还包括电连接到屏蔽件并且沿着电缆的长度延伸的排扰线。本文所述的电缆构型可有助于简化到导体组和排扰线的连接，减小电缆连接位点的尺寸和/或为电缆的批量端接提供机会。图I示出了示例性屏蔽电缆2，其包括多个沿着电缆2的宽度w的全部或一部分彼此间隔开并且沿着电缆2的长度L延伸的导体组4。电缆2可以大致布置成如图I中所示的平面构型，或者可以在沿着其长度的一个或多个位置处折叠为折叠构型。在一些具体实施中，电缆2的一些部分可以布置成平面构型，而电缆的其他部分可以折叠。在一些构型中，电缆2的导体组4中的至少一个包括两个沿着电缆2的长度L延伸的绝缘导体6。导体组4的两个绝缘导体6可以布置为沿着电缆2的长度L的全部或一部分基本上平行。绝缘导体6可以包括绝缘的信号线、绝缘的电源线或绝缘的地线。两个屏蔽膜8设置在电缆2的相对侧上。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8被布置为使得在横截面内，电缆2包括覆盖区域14和压紧区域18。在电缆2的覆盖区域14中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8的覆盖部分7在横截面内基本上围绕每一个导体组4。例如，屏蔽膜的覆盖部分可以总共包围任何指定的导体组的周边的至少70%、或至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分9在每一个导体组4的每一侧上形成电缆2的压紧区域18。在电缆2的压紧区域18中，屏蔽膜8中的一个或两个为挠曲的，从而促使屏蔽膜8的压紧部分9更接近。在一些构型中，如图I中所示，这两个屏蔽膜8在压紧区域18内均为挠曲的，以促使压紧部分9更接近。在一些构型中，当电缆处于平面或未折叠构型时，屏蔽膜中的一个可以在压紧区域18内保持相对平坦，并且电缆相对侧上的另一个屏蔽膜可以为挠曲的，以促使屏蔽膜的压紧部分更接近。导体6可以包含任何合适的导电材料并且可以具有多种横截面形状和尺寸。例如，在横截面中，导体和/或地线可为圆形、椭圆形、矩形或任何其他形状。电缆中的一个或多个导体和/或地线可以具有与电缆中其他一个或多个导体和/或地线不同的一种形状和/或尺寸。导体和/或地线可为实心线或绞合线。电缆中全部导体和/或地线可为绞合的、全部可为实心的、或一些可为绞合的并且一些为实心的。绞合导体和/或地线可以呈现不同尺寸和/或形状。连接器和/或地线可以用各种金属和/或金属材料(包括金、银、锡、和/或其他材料)涂覆或电镀。用于隔离导体组的导体的材料可为任何达到所需电缆电性质的合适的材料。在一些情况下，所用绝缘可为泡沫绝缘(包括空气)，以降低电缆的介电常数和总体厚度。屏蔽膜8可以包含导电材料，包括(但不限于)铜、银、铝、金、和/或它们的合金。屏蔽膜8可以包含多个导电层和/或非导电层。在一些情况下，屏蔽膜8中的一个或多个可以包括含导电材料的导电层和非导电聚合物层。屏蔽膜8可以具有O. Olmm至O. 05mm范围内的厚度，并且电缆的总体厚度可小于2mm或小于1mm。电缆2还可以包括设置在屏蔽膜8之间、至少在压紧部分9之间的粘合剂层10。在电缆2的压紧区域18中，粘合剂层10使屏蔽膜8的压紧部分9彼此粘结。粘合剂层10可以存在或不存在于电缆2的覆盖区域14中。在一些情况下，导体组4的横截面具有基本上曲线形的包层或周边，并且屏蔽膜8设置在导体组4周围，从而基本上适形于并保持沿着至少一部分并且优选地沿着基本上全部的电缆6的长度L的横截面形状。通过保持该横截面形状，可以保持导体组4中的设计中所预期的导体组4的电特性。其优于一些常规屏蔽电缆，在一些常规屏蔽电缆中，围绕导体组设置导电屏蔽件改变了导体组的横截面形状。
虽然在图I所示实施例中，每一个导体组4具有两个绝缘导体6，但在其他实施例中，导体组的一些或全部可以仅包括一个绝缘导体，或者可以包括超过两个绝缘导体6。例如，设计上与图I类似的可供选择的屏蔽电缆可以包括具有八个绝缘导体6的一个导体组，或各自仅具有一个绝缘导体6的八个导体组。导体组和绝缘导体布置方式的这种灵活性使得本发明所公开的屏蔽电缆可以采用适用于众多预期应用的方式而构造。例如，导体组和绝缘导体可以被构造用于形成多个双轴电缆，即，多个导体组各自具有两个绝缘导体；多个同轴电缆，即，多个导体组各自仅具有一个绝缘导体；或其组合。在一些实施例中，导体组还可以包括围绕一个或多个绝缘导体设置的导电屏蔽件(未示出)和围绕导电屏蔽件设置的绝缘护套(未示出)。在图I所示的实施例中，屏蔽电缆2还包括任选的接地导体12。接地导体12可以包括地线或排扰线。接地导体12可与绝缘导体6间隔开并且在与绝缘导体6基本上相同的方向上延伸。屏蔽膜8可围绕接地导体12设置。在接地导体12两侧上的压紧部分9中，粘合剂层10可以使屏蔽膜8彼此粘结。接地导体12可以电接触屏蔽膜8中的至少一个。图2a_2g的剖视图可以表示各种屏蔽电缆、或电缆的部分。在图2a中，屏蔽电缆102a包括单个导体组104。导体组104沿着电缆的长度延伸，并且仅具有单个绝缘导体106。如果需要，电缆102a可以被制成包括多个导体组104，所述导体组在整个电缆102a的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆的长度延伸。两个屏蔽膜108设置在电缆的相对侧上。电缆102a包括覆盖区域114和压紧区域118。在电缆102a的覆盖区域114中，屏蔽膜108包括覆盖导体组104的覆盖部分107。在横截面中，覆盖部分107组合起来基本上围绕导体组104。在电缆102a的压紧区域118中，屏蔽膜108包括导体组104的每一侧上的压紧部分109。任选的粘合剂层110可以设置在屏蔽膜108之间。屏蔽电缆102a还包括任选的接地导体112。接地导体112与绝缘导体106间隔开并在与绝缘导体106基本上相同的方向上延伸。导体组104和接地导体112可以被布置成使得它们大致位于如图2a中所示的平面内。屏蔽膜108的第二覆盖部分113围绕接地导体112设置并覆盖接地导体112。在接地导体112的两侧上，粘合剂层110可以使屏蔽膜108彼此粘结。接地导体112可以电接触屏蔽膜108中的至少一个。在图2a中，绝缘导体106和屏蔽膜108被有效地布置为同轴电缆构型。图2a的同轴电缆构型可用于单端电路布置方式。如图2a的横截面图所示,屏蔽膜108的覆盖部分107之间存在最大间距D，屏蔽膜108的压紧部分109之间存在最小间距屯。图2a示出了粘合剂层110，其在电缆102a的压紧区域118中设置在屏蔽膜108的压紧部分109之间，以及在电缆102a的覆盖区域114中设置在屏蔽膜108的覆盖部分107和绝缘导体106之间。在该布置方式中，粘合剂层110在电缆的压紧区域118中使屏蔽膜 108的压紧部分109粘结在一起，并且在电缆102a的覆盖区域114中将屏蔽膜108的覆盖部分107粘结至绝缘导体106。图2b的屏蔽电缆102b类似于图2a的电缆102a，其中类似元件用类似附图标号标识，不同的是在图2b中，电缆102b的覆盖区域114内，屏蔽膜108的覆盖部分107和绝缘导体106之间不存在任选的粘合剂层110b。在该布置方式中，粘合剂层IlOb在电缆的压紧区域118中使屏蔽膜108的压紧部分109粘结在一起，但是粘合剂层IlOb在电缆102b的覆盖区域114中不会将屏蔽膜108的覆盖部分107粘结至绝缘导体106。参见图2c，屏蔽电缆202c类似于图2a的屏蔽电缆102a，不同的是电缆202c具有单个导体组204，该导体组具有两个绝缘导体206。如果需要，电缆202c可以被制成包括多个导体组204，所述导体组在整个电缆202c的宽度上间隔开，并且沿着电缆的长度延伸。绝缘导体206大致布置在单个平面内，并且有效地布置成双轴构型。图2c的双轴电缆构型可用于差分对电路布置方式，或用于单端电路布置方式。两个屏蔽膜208设置在导体组204的相对侧上。电缆202c包括覆盖区域214和压紧区域218。在电缆202的覆盖区域214中，屏蔽膜208包括覆盖导体组204的覆盖部分207。在横截面中，覆盖部分207组合起来基本上围绕导体组204。在电缆202的压紧区域218中，屏蔽膜208包括导体组204每一侧上的压紧部分209。任选的粘合剂层210c可以设置在屏蔽膜208之间。屏蔽电缆202c还包括类似于此前所讨论的接地导体112的任选的接地导体212c。接地导体212c与绝缘导体206c间隔开,并且在与绝缘导体206c基本上相同的方向上延伸。导体组204c和接地导体212c可以被布置成使得它们大致位于如图2c中所示的平面内。如图2c的横截面所示,屏蔽膜208c的覆盖部分207c之间存在最大间距D ;屏蔽膜208c的压紧部分209c之间存在最小间距Cl1 ;并且绝缘导体206c之间的屏蔽膜208c之间存在最小间距d2。图2c示出了粘合剂层210c，其在电缆202的压紧区域218中设置在屏蔽膜208的压紧部分209之间，以及在电缆202c的覆盖区域214中设置在屏蔽膜208的覆盖部分207和绝缘导体206之间。在该布置方式中，粘合剂层210c在电缆202c的压紧区域218中使屏蔽膜208的压紧部分209粘结在一起，并且在电缆202c的覆盖区域214中将屏蔽膜208的覆盖部分207粘结至绝缘导体206。图2d的屏蔽电缆202d类似于图2c的电缆202c，其中类似元件用类似附图标号标识，不同的是在电缆202d中，电缆的覆盖区域214中的屏蔽膜208的覆盖部分207和绝缘导体206之间不存在任选的粘合剂层210d。在该布置方式中，粘合剂层210d在电缆的压紧区域218中使屏蔽膜208的压紧部分209粘结在一起，但是在电缆202d的覆盖区域214中不会将屏蔽膜208的覆盖部分207粘结至绝缘导体206。现在参见图2e，我们看到，屏蔽电缆302的横截面图在许多方面类似于图2a的屏蔽电缆102a。然而，电缆102a包括仅具有单个绝缘导体106的单个导体组104，而电缆302包括具有沿着电缆302长度延伸的两个绝缘导体306的单个导体组304。电缆302可以被制成具有多个导体组304，所述导体组在整个电缆302的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆302的长度延伸。绝缘导体306被有效地布置为双绞式电缆布置方式，从而使绝缘导体306彼此扭绞并沿着电缆302的长度延伸。图2f示出了另一个屏蔽电缆402，该屏蔽电缆也在许多方面与图2a的屏蔽电缆102a类似。然而，电缆102a包括仅具有单个绝缘导体106的单个导体组104，而电缆402包括具有沿着电缆402的长度延伸的四个绝缘导体406的单个导体组404。电缆402可以被制成具有多个导体组404，所述导体组在整个电缆302的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆302的长度延伸。 绝缘导体306被有效地布置为四芯电缆布置方式，这样当绝缘导体106f沿着电缆302的长度延伸时，绝缘导体306可以互相扭绞，也可以不互相扭绞。重新参照图2a_2f，屏蔽电缆的其他实施例可以包括大致布置在单个平面内的多个间隔开的导体组104、204、304、或404、或它们的组合。任选地，屏蔽电缆可以包括多个接地导体112，所述接地导体与导体组的绝缘导体间隔开，并且大致在与导体组的绝缘导体相同的方向上延伸。在一些构型中，导体组和接地导体可大致布置在单个平面内。图2g示出了此类屏蔽电缆的示例性实施例。参见图2g，屏蔽电缆502包括大致布置在平面内的多个间隔开的导体组504a、504b。屏蔽电缆504还包括设置在导体组504a、504b之间并且位于屏蔽电缆504的两侧或边缘处的任选的接地导体112。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508设置在电缆504的相对侧上，并且被布置成使得在横截面中，电缆504包括覆盖区域524和压紧区域528。在电缆的覆盖区域524中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的覆盖部分517在横截面中基本上围绕每一个导体组504a、506b。例如，通过包围每一个导体组的周边的至少70%、或至少75%、或至少80%、或至少85%、或至少90%，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的压紧部分519在每一个导体组504a、504b的两侧上形成压紧区域518。屏蔽膜508设置在接地导体112周围。任选的粘合剂层510设置在屏蔽膜208之间，并且在每一个导体组504a、504b两侧上的压紧区域528中使屏蔽膜508的压紧部分519彼此粘结。屏蔽电缆502包括同轴电缆布置方式(导体组504a)和双轴电缆布置方式(导体组504b)的组合，并且因此可以被称为混合电缆布置方式。图3示出被端接至印刷电路板14的两个屏蔽电缆2。因为绝缘导体6和接地导体12可大致布置在单个平面内，所以屏蔽电缆2能很好地适于整体剥离(即，同时剥离屏蔽膜8和绝缘导体6)和批量端接(B卩，同时端接绝缘导体6和接地导体12的已剥离端)，这实现了更加自动化的电缆组装过程。在图3中，绝缘导体6和接地导体12的已剥离端端接至印刷电路板14上的接触元件16。绝缘导体和接地导体的已剥离端可以被端接至任何合适的端接点的任何合适的单个接触元件，例如，电连接器的电触点。
图4a_4d示出了将屏蔽电缆302端接到印刷电路板或其他端接元件314的示例性端接过程。这种端接过程可以是批量端接过程，并且包括剥离(在图4a_4b中示出)、对齐(在图4c中示出)和端接(在图4d中示出)这些步骤。当形成可以通常采取本文所示和/或所述的任何电缆形式的屏蔽电缆302时，屏蔽电缆302的导体组304、绝缘导体306和接地导体312的布置方式可以与印刷电路板314上的接触元件316的布置方式匹配，从而在对齐或端接期间消除了屏蔽电缆302端部的所有显著操纵。在图4a所示的步骤中，移除了屏蔽膜308的端部308a。可以使用任何合适的方法，例如机械剥离或激光剥离。这个步骤使绝缘导体306和接地导体312的端部暴露。在一个方面，整体剥离屏蔽膜308的端部308a是可能的，这是因为它们形成了与绝缘导体306的绝缘体分离的整体连接层。从绝缘导体306移除屏蔽膜308可保护这些位置不出现电短路，并且也能够独立地移动绝缘导体306和接地导体312的已暴露端部。在图4b所示的步骤中，移除了绝缘导体306的绝缘体的端部306a。可以使用任何合适的方法，例如机械剥离 或激光剥离。这个步骤使绝缘导体306的导体的端部暴露。在图4c所示的步骤中，将屏蔽电缆302与印刷电路板314对齐，使得屏蔽电缆302的绝缘导体306的导体的端部和接地导体312的端部与印刷电路板314上的接触元件316对齐。在图3d所示的步骤中，屏蔽电缆302的绝缘导体306的导体的端部和接地导体312的端部被端接至印刷电路板314上的接触元件316。举例来说，可使用的合适的端接方法的实例包括软焊、焊接、压接、机械夹持和粘合性粘结。图5示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例。屏蔽电缆602在一些方面类似于图I所示的屏蔽电缆2。此外，屏蔽电缆602包括一个或多个设置在导体组4之间的纵向狭缝或缝隙18。缝隙18至少沿着屏蔽电缆602长度的一部分分离各个导体组，由此至少增加电缆602的横向柔韧性。这可以(例如)更易于将屏蔽电缆602设置到曲线型外侧护套内。在其他实施例中，缝隙18可以如此设置以分离单个或多个导体组4和接地导体12。为了保持导体组4和接地导体12的间距，缝隙18沿着屏蔽电缆602的长度可以是不连续的。为了保持在屏蔽电缆602的至少一个端部A中的导体组4和接地导体12的间距从而保持批量端接的能力，缝隙18可以不延伸至电缆的一个或两个端部A。可以使用任何合适的方法在屏蔽电缆602中形成缝隙18，例如使用激光切割或冲压。作为纵向缝隙的替代或者结合纵向缝隙，可以在本发明所公开的电缆602中形成其他合适形状的开口，例如孔，以至少增加电缆602的横向柔韧性。图6示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例。屏蔽电缆702类似于图5所示的屏蔽电缆602。有效地，在屏蔽电缆702中，导体组4中的一者替换为两个接地导体12。屏蔽电缆702包括纵向缝隙18和18’。缝隙18沿着屏蔽电缆702的长度的一部分分隔各个导体组4，并且不延伸至屏蔽电缆702的端部A中。缝隙18’沿着屏蔽电缆702的长度分隔各个导体组4，并延伸至屏蔽电缆702的端部A中，这有效地将屏蔽电缆702分成两个单个屏蔽电缆702’、702”。屏蔽膜8和接地导体12在单个屏蔽电缆702’、702”中的每一个中提供不受干扰的接地平面。这个示例性实施例示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的并行处理能力的优点，由此可以同时形成多个屏蔽电缆。用于本发明所公开的屏蔽电缆的屏蔽膜可具有多种构型，并且可通过多种方式制成。图7a_7d示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的四个示例性实施例。图7a_7d示出屏蔽电缆的屏蔽膜的构造的各种实例。在一方面，屏蔽膜中的至少一个可以包括导电层和非导电聚合物层。导电层可以含有任何合适的导电材料，包括(但不限于)铜、银、铝、金及其合金。非导电聚合物层可以包括任何合适的聚合物材料，包括(但不限于)聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚亚苯基硫化物、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、有机硅、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。非导电聚合物层可以含有一种或多种添加剂和/或填料，从而得到适于预期应用的属性。在另一方面，屏蔽膜中的至少一个可以包括位于导电层和非导电聚合物层之间的层合粘合剂层。对于具有设置在非导电层上的导电层的屏蔽膜，或具有一个导电的主外表面和基本上不导电的相对的主外表面的屏蔽膜而言，可以根据需要以若干不同的取向将屏蔽膜结合到屏蔽电缆中。在一些情况下，例如，导电表面可以面对绝缘线和地线的导体组，并且在一些情况下，非导电表面可以面对那些元件。如果电缆的相对侧上使用两个屏蔽膜，膜可以被取向为使得它们的导电表面彼此面对，并且各自面对导体组和地线，或者它们可以被取向为使得它们的非导电表面彼此面对并各自面对导体组和地线，或者它们可以被取向为使得一个屏蔽膜的导电表面面对导体组和地线，而另一个屏蔽膜的非导电表面面对 电缆另一侧的导体组和地线。在一些情况下，屏蔽膜中的至少一者可以包括独立式导电膜，例如适形的或柔性的金属箔。可以基于适于预期应用的多个设计参数(例如柔性、电性能)和屏蔽电缆的构型(例如，是否存在接地导体和接地导体的位置)来选择屏蔽膜的构造。在一些情况下，屏蔽膜具有一体化形成的构造。在一些情况下，屏蔽膜可以具有O. Olmm至O. 05mm范围内的厚度。屏蔽膜有利地提供导体组之间的隔离、屏蔽和精确的间距，并且使得电缆制造过程更加自动化并且成本更低。此外，屏蔽膜防止由于电缆的谐振产生的插入损耗，这种现象称为“信号吸出”，由此在特定频率范围内出现高信号衰减。这种现象通常出现在导电屏蔽件卷绕在导体组周围的常规屏蔽电缆中。图7a为整个屏蔽电缆802的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组804。导体组804包括两个沿着电缆802的长度延伸的绝缘导体806。电缆802可以包括多个在整个电缆802的宽度上彼此间隔开的导体组804。两个屏蔽膜808设置在电缆802的相对侧上。在横截面内，屏蔽膜808的覆盖部分807组合起来基本上在电缆802的覆盖区域814中围绕导体组804。例如，通过包围每一个导体组的周边的至少70%，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组。屏蔽膜808的压紧部分809在导体组804的每一侧上形成电缆802的压紧区域818。屏蔽膜808可以包括任选的粘合剂层810a、810b，所述粘合剂层在电缆802的压紧区域818内使屏蔽膜808的压紧部分809彼此粘结。粘合剂层810a设置在非导电聚合物层808b中的一者上，并且粘合剂层810b设置在非导电聚合物层808b中的另一者上。粘合剂层810a、810b可以存在或不存在于电缆802的覆盖区域814中。如果存在，粘合剂层810a、810b可以完全或部分在整个屏蔽膜808的覆盖部分807的宽度上延伸，从而使屏蔽膜808的覆盖部分807粘结到绝缘导体806。在这个实例中，绝缘导体806和屏蔽膜808大致布置在单个平面内，并且有效地布置为双轴构型，该构型可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽膜808包括导电层808a和非导电聚合物层808b。非导电聚合物层808b面对绝缘导体806。可以使用任何合适的方法将导电层808a沉积到非导电聚合物层808b上。图7b为整个屏蔽电缆902的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组904。导体组904包括两个沿着电缆902的长度延伸的绝缘导体906。电缆902可以包括多个导体组904，所述导体组沿着电缆902的宽度彼此间隔开，并且沿着电缆902的长度延伸。两个屏蔽膜908设置在电缆902的相对侧上。在横截面内，屏蔽膜908的覆盖部分907组合起来基本上在电缆902的覆盖区域914中围绕导体组904。屏蔽膜908的压紧部分909在导体组904的每一侧上形成电缆902的压紧区域918。一个或多个任选的粘合剂层910a、910b在导体组904两侧上的压紧区域918内使屏蔽膜908的压紧部分909彼此粘结。粘合剂层910a、910b可以完全或部分在整个屏蔽膜908的覆盖部分907的宽度上延伸。绝缘导体906大致布置在单个平面内，并且有效地形成双轴电缆构型，并且可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽膜908包括导电层908a和非导电聚合物层908b。导电层908a面对绝缘导体906。可以使用任何合适的 方法将导电层908a沉积到非导电聚合物层908b上。图7c为整个屏蔽电缆1002的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组1004。导体组1004包括两个沿着电缆1002的长度延伸的绝缘导体1006。电缆1002可以包括多个导体组1004，所述导体组在整个电缆1002的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1002的长度延伸。两个屏蔽膜1008设置在电缆1002的相对侧上并且包括覆盖部分1007。在横截面内，覆盖部分1007组合起来基本上在电缆1002的覆盖区域1014中围绕导体组1004。屏蔽膜1008的压紧部分1009在导体组1004的每一侧上形成电缆1002的压紧区域1018。屏蔽膜1008包括一个或多个任选的粘合剂层1010a、1010b，所述粘合剂层在导体组1004两侧上的压紧区域1018内使屏蔽膜1008的压紧部分1009彼此粘结。粘合剂层1010a、IOlOb可以完全或部分在整个屏蔽膜1008的覆盖部分1007的宽度上延伸。绝缘导体1006大致布置在单个平面内，并且有效地布置为双轴电缆构型，该构型可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽膜1008包括独立式导电膜。图7d为屏蔽电缆1102的剖视图，该图示出了单个导体组1104。导体组1104包括两个沿着电缆1102的长度延伸的绝缘导体1106。电缆1102可以包括多个导体组1104，所述导体组沿着电缆1102的宽度彼此间隔开，并且沿着电缆1102的长度延伸。两个屏蔽膜1108设置在电缆1102的相对侧上并且包括覆盖部分1107。在横截面内，覆盖部分1107组合起来基本上在电缆1102的覆盖区域1114中围绕导体组1104。屏蔽膜1108的压紧部分1109在导体组1104的每一侧上形成电缆1102的压紧区域1118。屏蔽膜1108包括一个或多个任选的粘合剂层1110，所述粘合剂层在导体组1104两侧上的压紧区域1118内使屏蔽膜1108的压紧部分1109彼此粘结。粘合剂层1010a、IOlOb可以完全或部分在整个屏蔽膜1108的覆盖部分1107的宽度上延伸。绝缘导体1106大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴电缆构型。双轴电缆构型可用于单端电路布置方式或差分电路布置方式。屏蔽膜1108包括导电层1108a、非导电聚合物层1108b，以及设置在导电层1108a和非导电聚合物层1108b之间的层合粘合剂层1108c，由此将导电层1108a层合至非导电聚合物层1108b。导电层1108a面对绝缘导体1106。如本文其他地方所述，电缆构造中可以使用粘合剂材料在电缆的覆盖区域处将一个或两个屏蔽膜粘结到一个、一些或所有导体组上和/或可以用粘合剂材料在电缆的压紧区域处将两个屏蔽膜粘结在一起。粘合剂材料层可以设置在至少一个屏蔽膜上，在电缆的相对侧上使用两个屏蔽膜的情况中，粘合剂材料层可以设置在两个屏蔽膜上。在后一种情况下，一个屏蔽膜上使用的粘合剂优选地与另一个屏蔽膜上使用的粘合剂相同，但如果需要也可以不同。给定粘合剂层可以包含电绝缘粘合剂，并可以提供两个屏蔽膜之间的绝缘粘结。此外，给定的粘合剂层可以提供屏蔽膜中的至少一个与一个、一些或所有导体组的绝缘导体之间，以及屏蔽膜中的至少一个与一个、一些或所有接地导体(如果有的话)之间的绝缘粘结。或者，给定的粘合剂层可以包含导电粘合剂，并可以提供两个屏蔽膜之间的导电粘结。此外，给定的粘合剂层可以提供屏蔽膜中的至少一个与一个、一些或所有接地导体(如果有的话)之间的导电粘结。合适的导电粘合剂包括导电颗粒，从而得到电流的流动。导电颗粒可以是当前所用类型中的任何者的颗粒，例如球体、薄片、棒、立方体、无定形或其他颗粒形状。它们可以是实心或基本为实心的颗粒，例如炭黑、碳纤维、镍球体、带镍涂层的铜球体、带金属涂层的氧化物、带金属涂层的聚合物纤维或其他类似的导电颗粒。这些导电 颗粒可以由被镀覆或涂覆有诸如银、铝、镍或铟锡氧化物之类的导电材料的电绝缘材料制成。这些带金属涂层的绝缘材料可以是基本中空的颗粒，例如中空玻璃球体，或者可以包括实心材料，例如玻璃微珠或金属氧化物。导电颗粒可以是约数十微米至纳米级的材料，例如碳纳米管。合适的导电粘合剂还可以包括导电性聚合物基质。当用于给定电缆构造时，粘合剂层优选地相对于电缆的其他元件基本上适形，并且相对于电缆的弯曲运动适形。在一些情况下，给定的粘合剂层可以是基本上连续的，如沿着给定屏蔽膜的给定主表面的基本上整个长度和宽度延伸。在一些情况下，粘合剂层可以是基本上不连续的。例如，粘合剂层可以仅存在于沿着给定屏蔽膜的长度或宽度的一些部分中。不连续的粘合剂层可以例如包括多个纵向粘合剂条，它们设置在如每一个导体组两侧上的屏蔽膜的压紧部分之间和接地导体(如果有的话)旁边的屏蔽膜之间。给定粘合剂材料可以是或包括压敏粘合剂、热熔性粘合剂、热固性粘合剂和固化性粘合剂中的至少一种。粘合剂层可以被构造用于在屏蔽膜之间提供粘结，该粘结基本上强于一个或多个绝缘导体和屏蔽膜之间的粘结。这可以例如通过适当选择粘合剂配方实现。这种粘合剂构型的优点是易于将屏蔽膜从绝缘导体的绝缘体剥离。在其他情况下，粘合剂层可以被构造用于在屏蔽膜之间提供粘结，以及在一个或多个绝缘导体和屏蔽膜之间提供强度基本上相同的粘结。这种粘合剂构型的优点是绝缘导体锚接在屏蔽膜之间。当具有这种构造的屏蔽电缆弯曲时，这可实现相对移动极小，并因此降低屏蔽膜褶皱的可能性。可以基于预期应用来选择合适的粘结强度。在一些情况下，可以使用厚度小于约O. 13mm的适形的粘合剂层。在示例性实施例中，粘合剂层的厚度小于约O. 05mm。给定粘合剂层可以适形，以实现所需的屏蔽电缆的机械和电性能特性。例如，粘合剂层可以适形，以在导体组之间的区域中的屏蔽膜之间较薄，这至少增加了屏蔽电缆的横向柔韧性。这可以更易于将屏蔽电缆设置到曲线型外侧护套内。在一些情况下，粘合剂层可以适形，以在紧邻导体组的区域中较厚，并且基本上适形于导体组。这可以提高机械强度并能够在这些区域中形成曲线形状的屏蔽膜，从而可以例如在折曲电缆时提高屏蔽电缆的耐久性。另外，这有助于沿着屏蔽电缆的长度保持绝缘导体相对于屏蔽膜的位置和间距，从而可以使屏蔽电缆获得更均匀的阻抗和更佳的信号完整性。
给定的粘合剂层可以适形，以便有效地将其从导体组之间的区域中(如电缆压紧区域中)的屏蔽膜之间部分地或完全移除。因此，在这些区域中屏蔽膜可以彼此电接触，这可以提高电缆的电性能。在一些情况下，粘合剂层可以适形，以便有效地将其从屏蔽膜中的至少一个与接地导体之间部分地或完全移除。因此，在这些区域中，接地导体可以电接触屏蔽膜中的至少一个，这可以提高电缆的电性能。即使在屏蔽膜中的至少一个与给定接地导体之间保留薄粘合剂层的情况下，接地导体上的突起物可以穿透薄粘合剂层，从而按照预期建立直接电接触。图8a_8c为屏蔽电缆的三个示例性实施例的剖视图，该图示出了屏蔽电缆中接地导体的布置方式的实例。屏蔽电缆的一个方面是屏蔽件的正确接地，并且此类接地可以通过多种方法实现。在一些情况下，给定的接地导体可以与屏蔽膜中的至少一个电接触，使得将给定的接地导体接地也会使屏蔽膜接地。此类接地导体也可以被称为“排扰线”。屏蔽膜与接地导体之间的电接触的特征可在于相对较低的直流电阻，如，小于10 Ω、或小于2 Ω 或基本上为0Ω的直流电阻。在一些情况下，给定的接地导体不与屏蔽膜电接触，但可以是电缆构造中的单个元件，它独立地端接到任何合适的端接元件的任何合适的单个接触元件上，例如印刷电路板、背板或其他装置上的导电路径或其他接触元件。此类接地导体也可以称为“地线”。图8a示出了示例性屏蔽电缆，其中接地导体设置在屏蔽膜的外部。图8b_8c示出了这样的实施例，其中接地导体设置在屏蔽膜之间，并可以包括在导体组内。可以将一个或多个接地导体设置在屏蔽膜的外部、屏蔽膜之间或这二者的组合的任何合适的位置中。参见图8a，屏蔽电缆1202包括沿着电缆1202的长度延伸的单个导体组1204。导体组1204包括两个绝缘导体1206，即一对绝缘导体。电缆1202可以包括多个导体组1204，所述导体组在整个电缆的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1202的长度延伸。设置在电缆1202的相对侧上的两个屏蔽膜1208包括覆盖部分1207。在横截面中，覆盖部分1207组合起来基本上围绕导体组1204。任选的粘合剂层1210设置在屏蔽膜1208的压紧部分1209之间，并且使导体组1204两侧上的屏蔽膜1208彼此粘结。绝缘导体1206大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴电缆构型，该构型可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽电缆1202还包括多个设置在屏蔽膜1208外部的接地导体1212。接地导体1212被设置在导体组1204之上、之下和两侧上。可任选地，屏蔽电缆1202包括围绕屏蔽膜1208和接地导体1212的保护膜1220。保护膜1220包括保护层1220a和将保护层1220a粘结至屏蔽膜1208和接地导体1212的粘合剂层1220b。或者，可以使用外部导电屏蔽件(例如，导电编织物)和外部绝缘护套(未示出)围绕屏蔽膜1208和接地导体1212。参见图8b，屏蔽电缆1302包括沿着电缆1302的长度延伸的单个导体组1304。导体组1304包括两个绝缘导体1306。电缆1302可以包括多个导体组1304，所述导体组在整个电缆1302的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1302的长度延伸。两个屏蔽膜1308设置在电缆1302的相对侧上并且包括覆盖部分1307。在横截面中，覆盖部分组合起来基本上围绕导体组1304。任选的粘合剂层1310设置在屏蔽膜1308的压紧部分1309之间，并且使导体组1304两侧上的屏蔽膜1308彼此粘结。绝缘导体1306大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆1302还包括设置在屏蔽膜1308之间的多个接地导体1312。接地导体1312中的两个被包括在导体组1304中，并且接地导体1312中的两个与导体组1304间隔开。参见图8c，屏蔽电缆1402包括沿着电缆1402的长度延伸的单个导体组1404。导体组1404包括两个绝缘导体1406。电缆1402可以包括多个导体组1304,所述导体组在整个电缆1402的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1402的长度延伸。两个屏蔽膜1408设置在电缆1402的相对侧上并且包括覆盖部分1407。在横截面中，覆盖部分1407组合起来基本上围绕导体组1404。任选的粘合剂层1410设置在屏蔽膜1408的压紧部分1409之间，并且使导体组1404两侧上的屏蔽膜1408彼此粘结。绝缘导体1406大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆1402还包括设置在屏蔽膜1408之间的多个接地导体1412。所有的接地导体1412被包括在导体组1404中。接地导体1412中的两个和绝缘导体1406大致布置在单个平面内。图9a_9b示出了包括端接至印刷电路板1514的电缆1502的电组件1500。电组件1500包括屏蔽电缆1502和导电电缆夹1522。屏蔽电缆1502包括大致布置在单个平面内的多个间隔开的导体组1504。每一个导体组1504包括两个沿着电缆1502的长度延伸的绝 缘导体1506。两个屏蔽膜1508设置在电缆1502的相对侧上，并且在横截面中基本上围绕导体组1504。一个或多个任选的粘合剂层1510设置在屏蔽膜1508之间，并且使每一个导体组1504两侧上的屏蔽膜1508彼此粘结。电缆夹1522夹住或者说是被附接到屏蔽电缆1502的端部，使得屏蔽膜1508中的至少一个电接触电缆夹1522。电缆夹1522被构造用于端接至例如印刷电路板1514上的接触元件1516的接地参考，以建立屏蔽电缆1502和接地参考之间的接地连接。举例来说，可以使用任何合适的方法包括软焊、焊接、压接、机械夹持和粘合性粘结，将电缆夹端接至接地参考。当被端接时，电缆夹1522可以有利于将屏蔽电缆1502的绝缘导体1506的导体的端部端接至端接点的接触元件，例如印刷电路板1514上的接触元件1516。屏蔽电缆1502可以包括如本文所述的一个或多个接地导体，所述接地导体可以电接触除了屏蔽膜1508的至少一个之外还电接触电缆夹1522，或者可以接触电缆夹1522而非接触屏蔽膜1508的至少一个。图IOa-IOg示出了基本上与图I中所示相同的屏蔽电缆的示例性制备方法。在图IOa所示的步骤中，使用任何合适的方法形成，例如挤出，或者说是提供绝缘导体6。可以形成具有任何合适长度的绝缘导体6。然后，可以提供如此的绝缘导体6或者将其切割成期望的长度。可以使用类似的方式形成和提供接地导体12 (参见图10c)。在图IOb所示的步骤中，形成了一个或多个屏蔽膜8。可以使用任何合适的方法例如连续宽幅材处理法来形成单层或多层幅材。每个屏蔽膜8可以形成为任何合适的长度。然后，可以提供如此的屏蔽膜8或者将其切割成期望的长度和/或宽度。可以将屏蔽膜8预形成为具有横向部分折叠，以增加纵向上的柔韧性。屏蔽膜8中的一个或两个可以包括适形的粘合剂层10，这可以使用任何合适的方法(例如层合或溅射)在屏蔽膜8上形成。在图IOc所示的步骤中，提供了多个绝缘导体6、接地导体12和屏蔽膜8。提供了成形工具24。成形工具24包括一对成形辊26a、26b，这对成形辊具有与屏蔽电缆2的所需横截面形状相对应的形状，成形工具还包括辊缝28。根据所需屏蔽电缆2 (例如本文所示和/或所述的任何电缆)的构型布置绝缘导体6、接地导体12和屏蔽膜8，并且将它们设置在成形辊26a、26b附近，然后将它们同时送入成形辊26a、26b的辊缝28中，并且设置在成形辊26a、26b之间。成形工具24围绕导体组4和接地导体12形成屏蔽膜8，并且在每一个导体组4和接地导体12的两侧上将屏蔽膜8彼此粘结。可以施加热以便于进行粘结。尽管在此实施例中，在单次操作中形成围绕导体组4和接地导体12的屏蔽膜8并使屏蔽膜8在每一个导体组4和接地导体12的两侧上彼此粘结，在其他实施例中，可以以单独的一些操作来进行这些步骤。图IOd示出了通过成形工具24形成的屏蔽电缆2。在图IOe所示的任选步骤中，在导体组4之间形成纵向缝隙18。可以使用任何合适的方法在屏蔽电缆2中形成缝隙18，例如使用激光切割或冲压。在图IOf所示的另一个任选步骤中，可以沿着压紧区域将屏蔽电缆2的屏蔽膜8多次纵向折叠成束，并且可以用任何合适的方法在折叠的束周围提供外部导电性屏蔽件30。也可以使用任何合适的方法(例如挤出)在外部导电屏蔽件30周围提供外侧护套32。在一些实施例中，可以省略外部导电屏蔽件30，并且可以在折叠的屏蔽电缆周围提供外侧护套32。

图Ila-Ilc示出了制备屏蔽电缆的示例性方法的细节。图Ila-Ilc示出了在形成和粘结屏蔽膜的过程中如何将一个或多个粘合剂层适形地成形。在图Ila所示出的步骤中，提供了绝缘导体1606、与绝缘导体1606间隔开的接地导体1612和两个屏蔽膜1608。屏蔽膜1608各自包括适形的粘合剂层1610。在图Ilb-Ilc所示的步骤中，围绕绝缘导体1606和接地导体1612形成屏蔽膜1608，并且屏蔽膜彼此粘结。最初，如图Ilb所示，粘合剂层1610仍具有其原始厚度。当进行形成并粘结屏蔽膜1608的过程时，适形的粘合剂层1610适形，以实现屏蔽电缆1602期望的机械和电性能特性(图lie)。如图Ilc所示，粘合剂层1610适形，以在绝缘导体1606两侧上的屏蔽膜1608和接地导体1612之间较薄；从这些区域移走粘合剂层1610的一部分。另外，适形的粘合剂层1610适形，以在紧邻绝缘导体1606和接地导体1612的区域中较厚，并且基本适形于绝缘导体1606和接地导体1612 ;粘合剂层1610的一部分被移入这些区域中。另外，适形的粘合剂层1610适形，以有效地在屏蔽膜1608和接地导体1612之间被去除；从这些区域移走适形的粘合剂层1610，使得接地导体1612能够电接触屏蔽膜1608。在一些方法中，可使用较厚的金属或金属材料作为屏蔽层形成半刚性电缆。例如，在这个方法中可以使用铝或其他金属，而无需背衬膜。将铝(或其他材料)通过成形模以在铝中形成波纹或通道，这些波纹或通道形成屏蔽件的覆盖部分和压紧部分。将绝缘导体设置在形成覆盖部分的波纹中。如果使用了排扰线，也可以为排扰线形成波纹。绝缘导体和任选的排扰线被夹在相对的波状铝层之间。可以例如使用粘合剂将铝层粘结到一起，或焊接到一起。上部和下部波状铝屏蔽膜之间的连接可以穿过非绝缘排扰线。或者，可将铝的压紧部分进一步压印、压紧和/或穿通，从而在波状屏蔽层之间提供正触点。在示例性的实施例中，屏蔽电缆的覆盖区域包括同心区域和设置在给定导体组一侧或两侧上的过渡区域。同心区域中的给定屏蔽膜的部分被称为屏蔽膜的同心部分，过渡区域中的屏蔽膜的部分被称为屏蔽膜的过渡部分。过渡区域可以被构造用于提供屏蔽电缆的高可制造性并消除张力和应力。使过渡区域沿着屏蔽电缆的长度保持基本上一致的构型(包括，如，尺寸、形状、容量和曲率半径等方面)有助于使屏蔽电缆具有基本上一致的电性能，例如，高频隔离、阻抗、偏差、插入损耗、反射、模式变换、眼图张开度和抖动。另外，在某些实施例中，例如在其中导体组包括两个沿着电缆长度延伸、大致布置在单个平面内并且有效地布置成可以差分对电路布置方式连接的双轴电缆的绝缘导体的实施例中，通过使过渡部分沿着屏蔽电缆的长度保持基本一致的构型，可以有利地为导体组中的两个导体提供偏离理想同心情况的基本上相同的电磁场偏差。因此，小心控制该过渡部分沿着屏蔽电缆长度的构型有助于使电缆获得有利的电性能和特性。图12a_14b示出了屏蔽电缆的多个示例性实施例，其包括设置在导体组一侧或两侧上的屏蔽膜过渡区域。图12a和12b的剖视图中所示的屏蔽电缆1702包括沿着电缆1702长度延伸的 单个导体组1704。屏蔽电缆1702可以被制成具有多个导体组1704，所述导体组沿着电缆1702的宽度彼此间隔开，并且沿着电缆1702的长度延伸。虽然图12a中仅示出了一个绝缘导体1706，但如果需要，导体组1704中可以包括多个绝缘导体。最靠近电缆压紧区域的导体组的绝缘导体被视为导体组的末端导体。如图所示，导体组1704具有单个绝缘导体1706，它也是末端导体，因为它的位置最靠近屏蔽电缆1702的压紧区域1718。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜1708设置在电缆的相对侧上并且包括覆盖部分1707。在横截面中，覆盖部分1707基本上围绕导体组1704。任选的粘合剂层1710设置在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间，并使屏蔽膜1708在导体组1704两侧上的电缆1702的压紧区域1718中彼此粘结。任选的粘合剂层1710可以部分或完全延伸穿过屏蔽膜1708的覆盖部分1707，如，从导体组1704 —侧上的屏蔽膜1708的压紧部分1709延伸至导体组1704另一侧上的屏蔽膜1708的压紧部分1709。绝缘导体1706被有效地布置成可以用于单端电路布置方式的同轴电缆。屏蔽膜1708可以包括导电层1708a和非导电聚合物层1708b。在一些实施例中，如图12a和12b所示，导电层1708a面向绝缘导体。或者，屏蔽膜1708中的一个或两个的导电层的取向可以反转，如本文其他地方所述。屏蔽膜1708包括与导体组1704的末端导体1706基本上同心的同心部分。屏蔽电缆1702包括过渡区域1736。电缆1702的过渡区域1736中的屏蔽膜1708的部分为屏蔽膜1708的过渡部分1734。在一些实施例中，屏蔽电缆1702包括设置在导体组1704两侧上的过渡区域1736并且在一些实施例中，过渡区域1736可以仅设置在导体组1704的一侧上。过渡区域1736由屏蔽膜1708和导体组1704限定。过渡区域1736中的屏蔽膜1708的过渡部分1734提供屏蔽膜1708的同心部分1711与压紧部分1709之间的逐渐过渡。与例如直角过渡或过渡点(与过渡部分相对)的急剧过渡形成对照，逐渐或平滑的过渡(例如大致S形过渡)渡消除了过渡区域1736中的屏蔽膜1708的张力和应力，并且防止了当使用屏蔽电缆1702时(例如当横向或轴向弯曲屏蔽电缆1702时)屏蔽膜1708受损。这种受损可能包括例如导电层1708a的断裂和/或导电层1708a和非导电聚合物层1708b之间失去粘结。另外，逐渐过渡防止了在制备屏蔽电缆1702的过程中屏蔽膜1708受损，这种受损可能包括例如导电层1708a和/或非导电聚合物层1708b的开裂或断开。在屏蔽带状电缆中的一个、一些或所有导体组的一侧或两侧上使用本发明所公开的过渡区域代表着脱离了常规的电缆构型，例如，屏蔽件通常连续地设置在单个绝缘导体周围的典型同轴电缆，或者屏蔽件连续设置在一对绝缘导体周围的典型的常规双轴电缆。根据本发明所公开的屏蔽电缆中的至少一些的一个方面，通过减小过渡区域的电冲击，如，通过减小过渡区域的尺寸和/或仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型，可以获得合格的电性能。通过减小过渡区域的尺寸可以减小电容偏差并且可以减小多个导体组之间所需的间距，从而减小导体组间距和/或增大导体组之间的电隔离。仔细控制过渡部分沿着屏蔽电缆长度的构型有助于获得可预期的电性能和一致性，这可供高速传输线路使用，从而可以更可靠地传输电数据。当过渡部分的尺寸接近尺寸下限时，仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型是一个考虑因素。通常考虑到的电特性是传输线路的特性阻抗。沿着传输线路长度的任何阻抗变化可能造成功率反射回到源，而不是被发送到目标。理想的是，沿着传输线路的长度，传输线路将没有阻抗变化，但是，根据预期应用，高达5%-10%的变化可能是可接受的。在双轴电缆(采用不同方式驱动)中通常考虑的另外的电特性是成对的两个传输线路沿着其长度的至少一部分的有偏差或不相等的传输速度。所述偏差使差分信号转化为可以被反射回到源的 共模信号，降低已发送信号的强度，产生电磁辐射并且可以急剧增加比特误差率，特别是抖动。理想的是，一对传输线路将没有偏差，但是根据预期应用，高达所关注频率(例如，6GHz)的小于-25至-30dB的差分S-参数S⑶21或S⑶12的值(代表传输线路的一端与另一端的差分-共模转换)可能是可接受的。或者，可以在时域中测量偏差并且将其与所需规格进行比较。例如在高达IOGbps的数据传输速度下，本文所述屏蔽电缆可以实现小于约20皮秒/米(ps/m)或小于约10ps/m的偏差值。再次参见图12a_12b，为了在一定程度上帮助获得合格的电性能，屏蔽电缆1702的过渡区域1736各自可包括横截面过渡区域1764a。过渡区域1764a小于导体1706的横截面区域1706a。如图12b最佳示出的，过渡区域1736的横截面过渡区域1736a由过渡点1734，和 1734” 限定。在屏蔽膜偏离与导体组1704的末端绝缘导体1706基本上同心的位置的地方出现过渡点1734’。过渡点1734’为屏蔽膜1708的拐点，屏蔽膜1708的曲率在该点处改变正负号。例如，参照图12b，在示为上部过渡点1734’的拐点处，上部屏蔽膜1708的弯曲从向下凹过渡为向上凹。在示为过渡点1734’的下部拐点处，下部屏蔽膜1708的弯曲从向上凹过渡为向下凹。例如，在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间的间距超过压紧部分1709的最小间距Cl1预定系数(如约I. 2至约I. 5的范围内)的位置处出现另一个过渡点1734”。另外，每个过渡区域1736a可以包括空隙区域1736b。导体组1704任一侧上的空隙区域1736b可以基本上相同。另外，粘合剂层1710可以在屏蔽膜1708的同心部分1711处具有厚度Ta。，以及在屏蔽膜1708的过渡部分1734处具有大于厚度Tae的厚度。相似地，粘合剂层1710可以在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间具有厚度Tap，以及在屏蔽膜1708的过渡部分1734处具有大于厚度Tap的厚度。粘合剂层1710可以占横截面过渡区域1736a的至少25%。在过渡区域1736a中，特别是在厚度大于厚度Tae或厚度Tap处存在粘合剂层1710，有助于提高过渡区域1736中电缆1702的强度。仔细控制屏蔽电缆1702的多个元件的制备工艺和材料特性，可以减少过渡区域1736中的空隙区域1736b和适形的粘合剂层1710的厚度的变化，这又可以减少横截面过渡区域1736a的电容的变化。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704 —侧或两侧上的过渡区域1736，其包括基本上等于或小于导体1706的横截面区域1706a的横截面过渡区域1736a。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704—侧或两侧上的过渡区域1736，其包括沿着导体1706的长度基本上相同的横截面过渡区域1736a。例如，横截面过渡区域1736a在I米长度内的变化可以为小于50%。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704两侧上的过渡区域1736，其各自包括横截面过渡区域，其中横截面区域1734a的总和沿着导体1706的长度基本上相同。例如，横截面区域1734a的总和在I米长度内的变化可以为小于50%。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704两侧上的过渡区域1736，其各自包括横截面过渡区域1736a，其中横截面过渡区域1736a基本上相同。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704两侧上的过渡区域1736，其中过渡区域1736基本上一致。绝缘导体1706具有绝缘体厚度Ti,并且过渡区域1736可以具有比绝缘体厚度Ti小的横向长度Lt。绝缘导体1706的中央导体具有直径D。，并且过渡区域1736可以具有比直径D。小的横向长度Lt。上 述各种构型可以提供保持在所需范围内的特性阻抗，例如在给定长度例如I米内的目标阻抗值(例如50 Ω )的5%-10%内。举例来说，可以影响过渡区域1736沿着屏蔽电缆1702长度的构型的因素包括制备工艺、导电层1708a和非导电聚合物层1708b的厚度、粘合剂层1710、以及绝缘导体1706与屏蔽膜1708之间的粘结强度。在一个方面，导体组1704、屏蔽膜1708和过渡区域1736按照阻抗控制关系协同构造。阻抗控制关系意味着，导体组1704、屏蔽膜1708和过渡区域1736被协同构造用于控制屏蔽电缆的特性阻抗。图13a_13b示出了屏蔽电缆的两个示例性实施例的横截面，该电缆在导体组中具有两个绝缘导体。参见图13a，屏蔽电缆1802包括单个导体组1804，该导体组包括两个沿着电缆1802长度延伸的单独的绝缘导体1806。两个屏蔽膜1808设置在电缆1802的相对侧上，并且组合起来基本上围绕导体组1804。任选的粘合剂层1810设置在屏蔽膜1808的压紧部分1809之间，并使屏蔽膜1808在导体组1804两侧上的电缆1802的压紧区域1818中彼此粘结。绝缘导体1806可以大致布置在单个平面内并有效地布置成双轴电缆构型。双轴电缆构型可用于差分对电路布置方式或单端电路布置方式。屏蔽膜1808可以包括导电层1808a和非导电聚合物层1808b,或者可以包括导电层1808a,但没有非导电聚合物层1808b。图13a示出了面向绝缘导体1806的导电层1808a，但在可供选择的实施例中，该屏蔽膜中的一个或两个可以具有颠倒的取向。屏蔽膜1808中的至少一个的覆盖部分1807包括与导体组1804的相应末端导体1806基本上同心的同心部分1811。在电缆1802的过渡区域1836中，屏蔽膜1808的过渡部分1834在屏蔽膜1808的同心部分1811与压紧部分1809之间。过渡部分1836设置在导体组1804的两侧上，并且每个此类部分包括横截面过渡区域1836a。横截面过渡区域1836a的总和优选地沿着导体1806的长度基本上相同。例如，横截面区域1834a的总和在I米长度内的变化可以为小于50%。另外，两个横截面过渡区域1834a可以基本上相同和/或基本上一致。过渡区域的这种构型有助于将每个导体1806 (单端端接)的特性阻抗以及差分阻抗均保持在所需范围内，例如在给定长度(例如，I米)内的目标阻抗值的5%-10%内。另外，过渡区域1836的这种构型可以将两个导体1806沿着其长度的至少一部分的偏差降至最低。
当电缆为未折叠的平面构型时，每个屏蔽膜的横截面可以用在电缆1802的整个宽度上变化的曲率半径来表征。屏蔽膜1808的最大曲率半径可以出现在(例如)图13a中所示的电缆1802的压紧部分1809处或多导体电缆组1804的覆盖部分1807的中心点附近。在这些部分中，膜可以是大致平坦的，并且曲率半径可以是基本上无穷大。屏蔽膜1808的最小曲率半径可以出现在(例如)屏蔽膜1808的过渡部分1834处。在一些实施例中，屏蔽膜在电缆的整个宽度上的曲率半径为至少约50微米，S卩，曲率半径的大小在电缆的边缘之间沿着电缆宽度的任何点处都为不小于50微米。在一些实施例中，对于包括过渡部分的屏蔽膜而言，屏蔽膜的过渡部分的曲率半径相似地为至少约50微米。图13a中示出 ，在未折叠的平面构型中，包括同心部分和过渡部分的屏蔽膜1808可用同心部分的曲率半径R1和/或过渡部分的曲率半径!^来表征。在一些实施例中，R1/Γ!为在2至15的范围内。参见图13b，屏蔽电缆1902在一些方面与屏蔽电缆1802类似。屏蔽电缆1802具有各个绝缘导体1806，而屏蔽电缆1902具有结合在一起的绝缘导体1906。尽管如此，过渡区域1936基本上类似于过渡区域1836，并且为屏蔽电缆1902提供相同有益效果。图14a_14b示出了过渡部分的位置和构型的变化。在这些示例性实施例中，屏蔽膜2008、2108具有不对称构型，相对于图13a所示的更对称的实施例，该图中的过渡部分的位置有所改变。屏蔽电缆2002 (图14a)和2102 (图14b)具有屏蔽膜2008、2108的压紧部分2009，其位于偏离绝缘导体2006、2106的对称平面的平面内。因此，过渡区域2036、2136具有相对于其他示出的实施例稍微偏移的位置和构型。然而，通过确保过渡区域2036、2136的位置相对于对应的绝缘导体2006、2106 (如，相对于导体2006、2106之间的垂直平面)基本上对称，并确保仔细控制过渡区域2036、2136沿着屏蔽电缆2002、2102长度的构型，屏蔽电缆2002、2102可以被构造为仍然能提供合格的电性能。图15a_15c、18和19示出了另外的屏蔽电缆的示例性实施例。图16a_16g、17a_17b和20a-20f示出了屏蔽电缆的压紧部分的若干示例性实施例。图15a-20f示出了压紧部分的实例，其被构造用于电隔离屏蔽电缆的导体组。导体组可以与相邻的导体组电隔离(如，用于使相邻的导体组之间的串扰最小，图15a-15c和图16a-16g)或者与屏蔽电缆的外部环境隔离(如，用于使从屏蔽电缆逸出的电磁辐射最小并且使外部源带来的电磁干扰最小，图19和图20a-20f)。在这两种情况下，压紧部分可以包括用于改变电隔离的各种机械结构。举例来说，这些实例包括屏蔽膜非常靠近、屏蔽膜之间的高介电常数材料、直接或间接电接触屏蔽膜中的至少一个的接地导体、相邻的导体组之间的延伸距离、相邻的导体组之间的物理断裂、屏蔽膜彼此直接纵向、横向或既纵向又横向地间歇接触、以及导电粘合剂。在一个方面，屏蔽膜的压紧部分被限定为没有覆盖导体组的屏蔽膜的一部分。图15a示出了屏蔽电缆2202的剖视图，其包括两个在整个电缆2202的宽度上间隔开并沿着电缆2202的长度纵向延伸的导体组2204a、2204b。每一个导体组2204a、2204b包括两个绝缘导体2206a、2206b。两个屏蔽膜2208设置在电缆2202的相对侧上。在横截面内，屏蔽膜2208的覆盖部分2207在电缆2202的覆盖区域2214基本上围绕导体组2204a、2204b。例如，通过包围每一个导体组2204a、2204b的周边的至少70%，屏蔽膜2208的覆盖部分2207组合起来基本上围绕每一个导体组2204a、2204b。在导体组2204a、2204b的两侧上的电缆2202的压紧区域2218中，屏蔽膜2208包括压紧部分2209。当电缆2202为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2202中，屏蔽膜2208的压紧部分2209和绝缘导体2206大致布置在单个平面内。设置在导体组2204a、2204b之间的压紧部分2209被构造用于将导体组2204a、2204b彼此电隔离。当布置成大致平面的未折叠布置方式时，如图15a所示，导体组2204中第一绝缘导体2206a相对于导体组2204中第二绝缘导体2206b的高频电隔离基本上小于第一导体组2204a相对于第二导体组2204b的高频电隔离。例如，在3_15GHz的指定频率范围和I米的长度下，第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为第一远端串扰Cl，并且在指定频率下，第一导体组相对于相邻导体组的高频隔离为第二远端串扰C2，并且其中C2比Cl低至少 IOdB。如图15a的剖视图所示，电缆2202可以通过屏蔽膜2208的覆盖部分2207之间的最大间距D、屏蔽膜2208的覆盖部分2207之间的最小间距d2和屏蔽膜2208的压紧部分2209之间的最小间距Cl1来表征。在一些实施例中，d/D为小于O. 25或小于O. I。在一些实施例中，d2/D为大于O. 33。 如图所示，屏蔽膜2208的压紧部分2209之间可以包括任选的粘合剂层2210。粘合剂层2210可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层完全或部分地在电缆2202的覆盖区域2214中延伸，如，在屏蔽膜2208的覆盖部分2207与绝缘导体2206a、2206b之间延伸。粘合剂层2210可以设置在屏蔽膜2208的覆盖部分2207，并且可以完全或部分地从导体组2204a、2204b —侧上的屏蔽膜2208的压紧部分2209延伸至导体组2204a、2204b另一侧上的屏蔽膜2208的压紧部分2209。屏蔽膜2208可以通过整个电缆2202宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜的过渡部分2212的曲率半径Γι和/或通过屏蔽膜的同心部分2211的曲率半径r2来表征。在过渡区域2236中，屏蔽膜2208的过渡部分2212可以被布置用于提供屏蔽膜2208的同心部分2211与屏蔽膜2208的压紧部分2209之间的逐渐过渡。屏蔽膜2208的过渡部分2212从第一过渡点2221 (其为屏蔽膜2208的拐点并标志着同心部分2211的结束)延伸至第二过渡点2222，在此处，屏蔽膜之间的间距超出压紧部分2209的最小间距(I1预定的系数。在一些实施例中，电缆2202包括至少一个屏蔽膜，其在整个电缆的宽度上具有至少约50微米的曲率半径R和/或屏蔽膜2202的过渡部分2212的最小曲率半径为至少约50微米。在一些实施例中，同心部分的最小曲率半径与过渡部分的最小曲率半径的比率^Vr1为在2至15范围内。图15b为屏蔽电缆2302的剖视图，其包括两个在整个电缆2302的宽度上彼此间隔开并沿着电缆2302的长度纵向延伸的导体组2204。每一个导体组2304包括一个绝缘导体2306和设置在电缆2302相对侧上的两个屏蔽膜2308。在横截面中，屏蔽膜2308的覆盖部分2307组合起来基本上在电缆2302的覆盖区域2314中围绕导体组2304的绝缘导体2306。在导体组2304两侧上的电缆2302的压紧区域2318中，屏蔽膜2308包括压紧部分2309。当电缆2302为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2302中，屏蔽膜2308的压紧部分2309和绝缘导体2306可大致布置在单个平面内。屏蔽膜2308的覆盖部分2307和/或电缆2302的压紧部分2309被构造用于将导体组2304彼此电隔离。如图15b的剖视图所示，电缆2302可以通过屏蔽膜2308的覆盖部分2307之间的最大间距D和屏蔽膜2308的压紧部分2309之间的最小间距Cl1来表征。在一些实施例中，d/D为小于O. 25或小于O. I。屏蔽膜2308的压紧部分2309之间可以包括任选的粘合剂层2310。粘合剂层2310可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层2310完全或部分地在电缆的覆盖区域2314中延伸，如，在屏蔽膜2308的覆盖部分2307与绝缘导体2306之间延伸。粘合剂层2310可以设置在屏蔽膜2308的覆盖部分2307，并且可以完全或部分地从导体组2304 —侧上的屏蔽膜2308的压紧部分2309延伸至导体组2304另一侧上的屏蔽膜2308的压紧部分2309。屏蔽膜2308可以通过整个电缆2302宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜2308的过渡部分2312的最小曲率半径Γι和/或通过屏蔽膜2308的同心部分2311的最小曲率半径r2来表征。在电缆2302的过渡区域2236中，屏蔽膜2302的过渡部分2312可被构造用于提供屏蔽膜2308的同心部分2311与屏蔽膜2308的压紧部分2309之间的逐渐过渡。 屏蔽膜2308的过渡部分2312从第一过渡点2321 (其为屏蔽膜2308的拐点并标志着同心部分2311的结束)延伸至第二过渡点2322，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2309的最小间距Cl1或超出Cl1预定的系数，如，约I. 2或约I. 5的系数。在一些实施例中，屏蔽膜在整个电缆宽度上的曲率半径R为至少约50微米和/或屏蔽膜的过渡部分的最小曲率半径为至少50微米。图15c示出了屏蔽电缆2402的剖视图，其包括两个在整个电缆2402的宽度上彼此间隔开并沿着电缆2402的长度纵向延伸的导体组2404a、2404b。每一个导体组2404a、2404b包括两个绝缘导体2206a、2206b。两个屏蔽膜2408a、2408b设置在电缆2402的相对侧上。在横截面内，屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407组合起来基本上在电缆2402的覆盖区域2414中围绕导体组2404a、2404b。在导体组2404a、2404b两侧上的电缆2402的压紧区域2418中，上部屏蔽膜2408a和下部屏蔽膜2408b包括压紧部分2409。当电缆2402为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2402中，屏蔽膜2408的压紧部分2409和绝缘导体2406a、2406b大致布置在不同平面内。屏蔽膜2408b中的一个基本上为平的。本文将电缆2402的压紧区域2418中大致平坦的屏蔽膜2408b部分称为压紧部分2409，即使屏蔽膜2408b在压紧区域2418很少或不偏离平面。当电缆2402为平面或未折叠构型时，屏蔽膜2408b的同心部分2411、过渡部分2412和压紧部分2407基本上共面。导体组2404a、2404b之间的电缆2402的覆盖部分2407和/或压紧部分2409被构造用于将导体组2404a、2404b彼此电隔离。当布置成大致平面的未折叠布置方式时，如图15c所示，第一导体组2404a中第一绝缘导体2406a相对于第一导体组2404a中第二绝缘导体2406b的高频电隔离基本上小于第一导体组2404a中任一导体2406a、2406b相对于第二导体组2404b中任一导体2406a、2406b的高频电隔离，如上所述。如图15c的剖视图所示，电缆2402可以通过屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407之间的最大间距D、屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407之间的最小间距d2和屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409之间的最小间距(I1来表征。在一些实施例中，d/D为小于O. 25或小于O. I。在一些实施例中，d2/D为大于O. 33。任选的粘合剂层2410可以设置在屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409之间。粘合剂层2410可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层2410完全或部分地在电缆2402的覆盖区域2414中延伸，如，在屏蔽膜2408a、2408b中一者或多者的覆盖部分2407与绝缘导体2406a、2406b之间延伸。粘合剂层2410可以设置在一个或多个屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407上，并且可以完全或部分地从导体组2404a、2404b —侧上的屏蔽膜2408a,2408b的压紧部分2409延伸至导体组2404a、2404b另一侧上的屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409。弯曲屏蔽膜2408a的过渡部分2412提供屏蔽膜2408a的同心部分2411与屏蔽膜2408a的压紧部分2409之间的逐渐过渡。屏蔽膜2408a的过渡部分2412从第一过渡点2421a (其为第一屏蔽膜2408a的拐点)延伸至第二过渡点2422a，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2409的最小间距Cl1或超出Cl1预定的系数。大致平坦的屏蔽膜2808b的过渡部分从第一过渡点2421b延伸至第二过渡点2422b，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2409的最小间距Cl1或超出Cl1预定的系数。第一过渡点2421b由垂直于大致平坦的屏 蔽膜2408b (其与屏蔽膜2408a的第一过渡点2421a相交)的线限定。弯曲屏蔽膜2408a可以通过整个电缆2402宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜2408a的过渡部分2412的最小曲率半径和/或通过屏蔽膜的同心部分2411的最小曲率半径1*2来表征。在一些实施例中，电缆2402包括至少一个屏蔽膜2408，其在整个电缆的宽度上具有至少约50微米的曲率半径和/或屏蔽膜的过渡部分的最小曲率半径F1为至少约50微米。在一些实施例中，屏蔽膜的同心部分的最小曲率半径1*2与屏蔽膜的过渡部分的最小曲率半径A的比率r2/ri为在2至15范围内。在图16a中，屏蔽电缆2502包括压紧区域2518，其中屏蔽膜2508间隔开一定距离。间隔开的屏蔽膜2508 (即，不使屏蔽膜2508沿着其接缝连续直接电接触)增大了压紧区域2518的强度。如果迫使具有相对薄和脆的屏蔽膜的屏蔽电缆沿着其接缝连续直接电接触，其可能在制造过程中断裂或开裂。如果不使用有效的装置来降低发生串扰的可能性，间隔开的屏蔽膜2508会使得相邻的导体组之间发生串扰。降低串扰涉及控制一个导体组的电场和磁场，以使得它们不会影响相邻导体组。在图16a所示实施例中，通过在屏蔽膜2508之间提供较低的直流电阻，实现对串扰的有效屏蔽。可通过将屏蔽膜2508定向为非常接近，实现较低的直流电阻。例如，屏蔽膜2508的压紧部分2509可以在压紧区域2518的至少一个位置间隔开小于约O. 13mm。所得的屏蔽膜2508之间的直流电阻可以为小于约15 Ω，并且所得的相邻导体组之间的串扰可以为小于约_25dB。在一些情况下，电缆2502的压紧区域2518的最小厚度为小于约O. 13mm。屏蔽膜2508可被间距介质间隔开。所述间距介质可以包括适形的粘合剂层2510。例如，间距介质可以具有至少I. 5的介电常数。高介电常数使屏蔽膜2508之间的阻抗减小，由此增强电隔离并减少相邻的导体组之间的串扰。屏蔽膜2508可以在压紧区域2518’的至少一个位置中彼此直接电接触。可以在选定位置中迫使屏蔽膜2508压在一起，从而减小选定位置中适形的粘合剂层2510的厚度。可通过如下方法在选定位置中迫使屏蔽膜压在一起，例如，用图案化工具使这些位置中的屏蔽膜2508之间间歇挤压接触。可以沿纵向或横向将这些位置图案化。在一些情况下，间距介质可以导电，使得屏蔽膜2508之间能够进行直接电接触。在图16b中，屏蔽电缆2602包括压紧区域2618，该压紧区域包括设置在屏蔽膜2608之间并沿着电缆2602的长度延伸的接地导体2612。接地导体2612可以与两个屏蔽膜2608均间接电接触，如，屏蔽膜2608之间的直流电阻较低但不为O。在一些情况下，接地导体2612可以在压紧区域2618的至少一个位置中与屏蔽膜2608中的至少一个直接或间接电接触。屏蔽电缆2602可以包括适形的粘合剂层2610，该粘合剂层设置在屏蔽膜2608之间并且被构造用于提供屏蔽膜2608中的至少一个和接地导体2612的受控的间距。适形的粘合剂层2610可以具有不均匀的厚度，这种厚度使得接地导体2612在选定位置中与屏蔽膜2608中的至少一个直接或间接电接触。在一些情况下，接地导体2612可以包括表面粗糙部分或可变形线，例如绞线，以使接地导体2612和屏蔽膜2608中的至少一个之间形成受控的电接触。在图16c中，屏蔽电缆2702包括压紧区域2718。接地导体2712设置在屏蔽膜2708之间并且与两个屏蔽膜2708均直接电接触。在图16d中，屏蔽电缆2802包括压紧区域2818，其中屏蔽膜2808通过任何合适的装置如(例如)导电元件2844彼此直接电接触。举例来说，导电元件2844可以包括带导电镀层的通孔或通道、填充有导电物的通孔或通道、或导电粘合剂。在图16e中，屏蔽电缆2902包括在压紧区域2918的至少一个位置中具有开口2936的压紧区域2918。换句话讲，压紧区域2918是不连续的。开口 2936可以包括孔、穿孔、狭缝和任何其他合适的元件。开口 2936提供了至少一些水平的物理间距，这有助于压紧区域2918的电隔离性能并且至少增加屏蔽电缆2902的横向柔韧性。该间距可以沿着压紧区域2918的长度不连续，并且可以在整个压紧区域2918的宽度上不连续。在图16f中，屏蔽电缆3002包括压紧区域3018，在此处，屏蔽膜3008中的至少一个在压紧区域3018的至少一个位置中包括断裂3038。换句话讲，屏蔽膜3008中的至少一个为不连续的。断裂3038可以包括孔、穿孔、狭缝和任何其他的合适元件。断裂3038提供了至少一些水平的物理间距，这有助于压紧区域3018的电隔离性能并且至少增加屏蔽电缆3002的横向柔韧性。这个间距沿着压紧区域的长度可以是不连续的或连续的，并且在整个压紧部分3018的宽度上可以是不连续的。在图16g中，屏蔽电缆3102包括压紧区域3118，该压紧区域是成折叠构型的分段平面。在所有其他条件相同的情况下，分段平面的压紧区域比具有相同投影宽度的平面压紧区域具有更大的实际表面积。如果压紧区域的表面积远大于屏蔽膜3108之间的空间，则直流电阻降低，从而提高压紧区域3118的电隔离性能。在一个实施例中，小于5至10 Ω的直流电阻导致电隔离良好。在一个实施例中，屏蔽电缆3102的平行部分3118的实际宽度与最小间距之比为至少5。在一个实施例中，压紧区域3118预先弯曲，由此至少增加了屏蔽电缆3102的横向柔韧性。压紧区域3118可以是成任何其他合适构型的分段平面。图17a_17b示出了示例性屏蔽电缆的制造过程中与压紧区域有关的细节。屏蔽电缆3202包括两个屏蔽膜3208并且包括压紧区域3218 (参见图17b)，其中屏蔽膜3208可以是大致平行的。屏蔽膜3208包括非导电聚合物层3208b、设置在非导电聚合物层3208b上的导电层3208a和设置在导电层3208a上的阻挡层3208d。适形的粘合剂层3210设置在阻挡层3208d上。压紧区域3218包括设置在屏蔽膜3208之间的纵向接地导体3212。迫使屏蔽膜一起包围接地导体后，接地导体3212与屏蔽膜3208的导电层3208a形成间接电接触。通过由阻挡层3208d提供受控的导体层3208a和接地导体3212的间距，使得能够进行这种间接电接触。在一些情况下，阻挡层3208d可以为或包括非导电聚合物层。如图所示，使用外部压力(参见图17a)将导电层3208a压到一起并迫使适形的粘合剂层3210围绕接地导体适形(图17b)。因为阻挡层3208d至少在相同的加工条件下不会适形，所以它可以防止 接地导体3212与屏蔽膜3208的导电层3208a之间发生直接电接触，但可实现间接电接触。可以选择阻挡层3208d的厚度和介电性能，以实现较低的目标直流电阻，即间接型电接触。在一些实施例中，接地导体与屏蔽膜之间的特性直流电阻可以为例如小于10Ω，或小于5Ω，但大于0Ω，以实现所需的间接电接触。在一些情况下，希望给定接地导体与一个或两个屏蔽膜之间形成直接电接触，因此此类接地导体与此类屏蔽膜之间的直流电阻可以基本上为0Ω。图18示出了折叠的屏蔽电缆3302。屏蔽电缆3302包括两个围绕间隔开的导体组3304设置的屏蔽膜3308。屏蔽膜3308设置在电缆3302的相对侧上并且包括导体组3304每一侧上的压紧区域3318。压紧区域3318被构造为以至少30°的角度α横向弯曲。压紧区域3318的这种横向柔韧性使得屏蔽电缆3302可以折叠为任何合适的构型，例如可用于圆形电缆的构型(参见(如)图10g)。在一个实施例中，具有相对薄的单独层的屏蔽膜3308增加了压紧区域3318的横向柔韧性。为了保证这些单独层尤其在弯曲条件下的完整性，优选地它们间的粘结保持不受损。例如，压紧区域3318可以具有小于约O. 13_的最小厚度，并且在处理或使用期间在暴露于热之后，单独层之间的粘结强度为至少17. 86g/mm (I磅/英寸)。在一个方面，对于屏蔽电缆的电性能有益的是，压紧区域在导体组的两侧上具有大致相同的尺寸和形状。任何尺寸上的改变或不平衡都会导致沿着平行部分长度的电容和电感不平衡。这又会造成沿着压紧区域长度的阻抗差和相邻导体组之间的阻抗不平衡。至少出于这些原因，可能需要控制屏蔽膜之间的间距。在一些情况下，导体组两侧上的电缆的压紧区域中屏蔽膜的压紧部分彼此间隔约O. 05_以内。在图19中，屏蔽电缆3402包括两个导体组3404，每一个导体组包括两个绝缘导体3406 ;以及两个大致平行的屏蔽膜3408，其围绕导体组3404设置在电缆3402的相对侧上。屏蔽膜3408包括压紧部分3418。压紧部分3418设置在屏蔽电缆3402的边缘处或附近，其被构造用于将导体组3404与外部环境电隔离。在屏蔽电缆3402中，屏蔽膜3408的压紧部分3418和绝缘导体3406大致布置在单个平面内。在图20a中，屏蔽电缆3502包括压紧区域3518，其中屏蔽膜3508的压紧部分3509为间隔开的。压紧区域3518类似于上文所述和图16a所示的压紧区域2518。压紧区域2518设置在导体组之间，而压紧区域3518设置在屏蔽电缆3502的边缘处或附近。在图20b中，屏蔽电缆3602包括压紧区域3618，其包括设置在屏蔽膜3608之间的纵向接地导体3612。压紧区域3618类似于上文所述和图16b所示的压紧区域2618。压紧区域2618设置在导体组之间，而压紧区域3618设置在屏蔽电缆3602的边缘处或附近。在图20c中，屏蔽电缆3702包括压紧区域3718，其包括设置在屏蔽膜3708之间的纵向接地导体3712。压紧区域3718类似于上文所述和图16c所示的压紧区域2718。压紧区域2718设置在导体组之间，而压紧区域3718设置在屏蔽电缆3702的边缘处或附近。在图20d中，屏蔽电缆3802包括压紧区域3818，其中屏蔽膜3808的压紧部分3809通过任何合适的装置如(例如)导电元件3844彼此直接电接触。举例来说，导电元件3844可以包括带导电镀层的通孔或通道、填充有导电物的通孔或通道、或者导电粘合剂。压紧区域3818类似于上文所述和图16d所示的压紧区域2818。压紧区域2818设置在导体组之间，而压紧区域3818设置在屏蔽电缆3802的边缘处或附近。在图20e中，屏蔽电缆3902包括压紧区域3918，该压紧区域是成折叠构型的分段平面。压紧区域3918类似于上文所述和图16g所示的压紧区域3118。压紧区域3118设置在导体组之间，而压紧区域3918设置在屏蔽电缆3902的边缘处或附近。在图20f中，屏蔽电缆4002包括压紧区域4018，该压紧区域为弯曲构型的分段平面并且设置在屏蔽电缆4002的边缘处或附近。根据本发明的方面的屏蔽电缆可以包括至少一个纵向接地导体；电制品，其沿着与接地导体基本上相同的方向延伸；以及两个屏蔽膜，其设置在屏蔽电缆的相对侧上。在横截面中，屏蔽膜基本上围绕接地导体和电制品。在这种构型中，屏蔽膜和接地导体被构造 用于电隔离电制品。接地导体可以延伸超出屏蔽膜的端部中的至少一个，例如，以将屏蔽膜端接至任何合适端接点的任何合适的单个接触元件，例如所述端接点是印刷电路板上的接触元件或电连接器的电触点。有利地，电缆构造只需要有限数量的接地导体，这些接地导体可以与屏蔽膜一起完成电制品的电磁屏蔽。电制品可以包括至少一个沿着电缆长度延伸的导体；至少一个沿着电缆长度延伸的导体组，其包括一个或多个绝缘导体；柔性印制电路；或任何其他需要电隔离的合适电制品。图21a_21b示出这种屏蔽电缆构型的两个示例性实施例。在图21a中，屏蔽电缆4102包括两个间隔开的接地导体4112，其沿着电缆4102长度延伸；电制品4140，其设置在接地导体4112之间并沿着与接地导体4112大致相同的方向延伸；以及两个屏蔽膜4108，其设置在电缆相对侧上。在横截面中，屏蔽膜4108组合起来基本上围绕接地导体4112和电制品4140。电制品4140包括三个在整个电缆4102的宽度上间隔开的导体组4104。每一个导体组4104包括两个沿着电缆长度延伸的基本上绝缘的导体4106。接地导体4112可以与两个屏蔽膜4108形成间接电接触，从而导致接地导体4112与屏蔽膜4108之间的阻抗较低但不为O。在一些情况下，接地导体4112可以在屏蔽膜4108的至少一个位置中与屏蔽膜4108中的至少一个形成直接或间接电接触。在一些情况下，粘合剂层4110设置在屏蔽膜4108之间，并且使屏蔽膜4108在接地导体4112和电制品4140的两侧上彼此粘结。粘合剂层4110可被构造用于提供屏蔽膜4108中的至少一个与接地导体4112的受控间距。在一个方面，这意味着，粘合剂层4110具有不均匀的厚度，这种厚度使得接地导体4112在所选的位置中直接或间接电接触屏蔽膜4108中的至少一个。接地导体4112可以包括表面粗糙部分或可变形线，例如绞线，以使接地导体4112和屏蔽膜4108中的至少一个之间形成这种受控的电接触。在屏蔽膜4108的至少一个位置中，屏蔽膜4108可间隔开最小间距，其中接地导体4112的厚度大于最小间距。例如，屏蔽膜4108可以具有小于约O. 025mm的厚度。在图22中，屏蔽电缆4202包括两个间隔开的接地导体4212，其沿着电缆4202长度延伸；电制品4240，其设置在接地导体4212之间并沿着与接地导体4212大致相同的方向延伸；以及两个屏蔽膜4208，其设置在电缆4202的相对侧上。在横截面中，屏蔽膜组合起来基本上围绕接地导体4212和电制品4240。屏蔽电缆4202在一些方面类似于上文所述和图21a所示的屏蔽电缆4102。在屏蔽电缆4102中，电制品4140包括三个导体组4104，每一个导体组包括两个基本上平行的纵向绝缘导体4106，而在屏蔽电缆4202中，电制品4240包括具有三个导体组4242的柔性印刷电路。在上文所述的示例性实施例中，屏蔽电缆包括两个设置在电缆相对侧上的屏蔽膜，使得在横截面中，屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕给定的导体组，并单独围绕每个间隔开的导体组。然而，在一些实施例中，屏蔽电缆可以仅包含一个屏蔽膜，该屏蔽膜仅设置在电缆的一侧上。与具有两个屏蔽膜的屏蔽电缆相比，屏蔽电缆中仅包含单个屏蔽膜的优点包括材料成本降低、机械柔韧性增大、具有可制造性以及易于剥离和端接。单个屏蔽膜可以为给定应用提供可接受的电磁干扰(EMI)隔离水平，并可以减小邻近效应，从而降低信号衰减。图13示出了仅包括一个屏蔽膜的此类屏蔽电缆的一个实例。图23中所示屏蔽电缆4302包括两个间隔开的导体组4304和单个屏蔽膜4308。每一个导体组4304包括单个沿着电缆4302长度延伸的绝缘导体4306。绝缘导体4306大致布置在单个平面内，并且有效地布置为同轴电缆构型，该构型可用于单端电路布置方式。电缆4302包括压紧区域4318。在压紧区域4318中，屏蔽膜4308包括从每一个导体组4304 的两侧延伸的压紧部分4309。压紧区域4318协同限定大致平面的屏蔽膜。屏蔽膜4308包括两个覆盖部分4307,每个覆盖部分部分地覆盖导体组4304。每个覆盖部分4307包括与对应导体4306基本上同心的同心部分4311。屏蔽膜4308包括导电层4308a和非导电聚合物层4308b。导电层4308a面向绝缘导体4306。电缆4302可以任选地包括非导电载体膜4346。载体膜4346包括从每一个导体组4304的两侧延伸的压紧部分4346”和屏蔽膜4308的相对压紧部分4309。载体膜4346包括两个覆盖部分4346”，，每个覆盖部分在屏蔽膜4308的覆盖部分4307的相对侧部分地覆盖导体组4304。每个覆盖部分4346”，包括与对应导体4306基本上同心的同心部分4346’。载体膜4346可以包括任何合适的聚合物材料，包括(但不限于)聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚亚苯基硫化物、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、有机硅、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。载体膜4346可以包括一种或多种添加剂和/或填充剂，从而得到适合于预期应用的性质。载体膜4346可用于完成导体组4304的物理覆盖并增加屏蔽电缆4302的机械稳定性。参见图24，屏蔽电缆4402在一些方面类似于上文所述和图23所示的屏蔽电缆4302。屏蔽电缆4302包括导体组4304，每一个导体组包括单个绝缘导体4306，而屏蔽电缆4402包括导体组4404，其具有两个绝缘导体4406。绝缘导体4406大致布置在单个平面内，并且有效地布置为双轴电缆构型，该构型可用于单端或差分对电路布置方式。参见图25，屏蔽电缆4502在一些方面类似于上文所述和图24所示的屏蔽电缆4402。屏蔽电缆4402具有单独的绝缘导体4406，而屏蔽电缆4502具有结合在一起的绝缘导体4506。在一个方面，如图23-25中可见，屏蔽膜在相邻的导体组之间内曲。换句话讲，屏蔽膜包括设置在相邻导体组之间的压紧部分。该压紧部分被构造用于将相邻的导体组彼此电隔离。压紧部分可以消除将接地导体设置在相邻导体组之间的需要，这样除了其他优点夕卜，简化了电缆构造并增大了电缆柔韧性。压紧部分可以设置在深度d处(图23)，该深度大于绝缘导体直径的约1/3。在一些情况下，压紧部分可以设置在深度d处，该深度大于绝缘导体直径的约1/2。根据相邻导体组之间的间距、传输距离和信号方案(差分与单端)，屏蔽膜的这种内曲构型非常充分地将导体组彼此电隔离。可以将导体组和屏蔽膜按照阻抗控制关系协同构造。在一个方面，这意味着，屏蔽膜完成对导体组的部分覆盖时，屏蔽电缆长度具有所需的几何一致性，从而得到适用于预期应用的合格的阻抗变化。在一个实施例中，这种阻抗变化沿着代表性电缆长度(例如，Im)为小于5 Ω并且优选地小于3 Ω。在另一方面，如果绝缘导体被有效地布置为双轴和/或差分对电缆布置方式，这意味着，屏蔽膜完成对导体组的部分覆盖时在一对绝缘导体之间具有所需的几何一致性，从而得到适用于预期应用的合格的阻抗变化。在一些情况下，阻抗变化沿着代表性电缆长度(例如，Im)为小于2 Ω并且优选地小于O. 5 Ω。图26a_26d示出了屏蔽膜部分覆盖导体组的多个实例。多个实施例之间屏蔽膜的覆盖范围不同。在图26a所示实施例中，导体组具有最大的覆盖范围。在图26d所示实施 例中，导体组具有最小的覆盖范围。在图26a和26b所示实施例中，屏蔽膜覆盖超过导体组的周边的一半。在图26c和26d所示实施例中，屏蔽膜覆盖小于导体组的周边的一半。更大的覆盖范围可提供更好的电磁干扰(EMI)隔离并降低信号衰减(邻近效应减小的结果)。参见图26a，屏蔽电缆4602包括导体组4604和屏蔽膜4608。导体组4604包括两个沿着电缆4602的长度延伸的绝缘导体4606。屏蔽膜4608包括从导体组4604的两侧延伸的压紧部分4609。压紧部分4609协同限定大致平面的屏蔽膜。屏蔽膜4608还包括部分覆盖导体组4604的覆盖部分4607。覆盖部分4607包括与导体组4604的对应末端导体4306基本上同心的同心部分4611。屏蔽电缆4602还可以具有任选的非导电载体膜4646。载体膜4646包括压紧部分4646”，其从导体组4604两侧延伸并设置在与屏蔽膜4608的压紧部分4609的相对侧。载体膜4646还包括覆盖部分4646”，，其在屏蔽膜4608的覆盖部分4607的相对侧部分地覆盖导体组4604。屏蔽膜4608的覆盖部分4607覆盖导体组4604的顶侧以及整个左侧和右侧。载体膜4646的覆盖部分4646”’覆盖导体组4604的底侧，从而完成导体组4604的基本封装。在该实施例中，载体膜4646的压紧部分4646”和覆盖部分4646”，基本上共面。参见图26b，屏蔽电缆4702在一些方面类似于上文所述和图26a所示的屏蔽电缆4602。然而，在屏蔽电缆4702中，屏蔽膜4708的覆盖部分4707覆盖导体组4704的顶侧和超过左侧和右侧的一半。载体膜4746的覆盖部分4746”’覆盖导体组4704的底侧以及左侧和右侧的剩余部分(小于一半)，从而完成导体组4704的基本封装。载体膜4746的覆盖部分4746”，包括与对应导体4706基本上同心的同心部分4746’。参见图26c，屏蔽电缆4802在一些方面类似于上文所述和图26a所示的屏蔽电缆4602。在屏蔽电缆4802中，屏蔽膜4808的覆盖部分4807覆盖导体组4804的底侧以及小于左侧和右侧的一半。载体膜4846的覆盖部分4846”’覆盖导体组4804的顶侧以及左侧和右侧的剩余部分(大于一半)，从而完成导体组4804的封装。参见图26d，屏蔽电缆4902类似于上文所述和图26a所示的屏蔽电缆4602。然而，在屏蔽电缆4902中，屏蔽膜4908的覆盖部分4907覆盖导体组4904的底侧。载体膜4946的覆盖部分4946”’覆盖导体组4904的顶侧以及整个左侧和右侧，从而完成导体组4904的基本封装。在一些情况下，屏蔽膜4908的压紧部分4909和覆盖部分4907基本上共面。类似于包括两个屏蔽膜(围绕导体组和/或围绕多个间隔开的导体组设置在电缆的相对侧)的屏蔽电缆的实施例，包括单个屏蔽膜的屏蔽电缆的实施例可以包括至少一个纵向接地导体。在一个方面，该接地导体有利于屏蔽膜电接触任何合适的端接点的任何合适的单独接触元件，例如所述端接点是印刷电路板上的接触元件或电连接器的电触点。接地导体可以延伸超出屏蔽膜的端部中的至少一个，从而有利于该电接触。接地导体可以在沿着其长度的至少一个位置中与屏蔽膜形成直接或间接电接触，并且可以将其设置在屏蔽电缆的合适位置中。图27示出了仅具有一个屏蔽膜5008的屏蔽电缆5002。绝缘导体5006被布置成两个导体组5004,每一个导体组仅具有一对绝缘导体,但还可以想到如本文所述具有其他数量的绝缘导体的导体组。示出的屏蔽电缆5002包括在多个示例性位置中的接地导体5012，但如果需要，可以省略接地导体5012中的任何者或全部，或者可以包括另外的接地导体。接地导体5012在与导体组5004的绝缘导体5006基本上相同的方向上延伸，并设置在屏蔽膜5008和载体膜5046之间。屏蔽膜5008的压紧部分5009中包括一个接地导体5012，并且导体组5004中包括三个接地导体5012。这三个接地导体5012中的一个设置在绝缘导体5006和屏蔽膜5008之间，并且这三个接地导体5012中的两个和绝缘导体5006大致布置在单个平面内。
图28a_28d为示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的多个示例性实施例的剖视图。图28a-28d示出屏蔽膜部分覆盖导体组并且不存在载体膜的多个实例。多个实施例之间屏蔽膜的覆盖范围不同。在图28a所示实施例中，导体组具有最大的覆盖范围。在图28d所示实施例中，导体组具有最小的覆盖范围。在图28a和28b所示实施例中，屏蔽膜覆盖超过导体组的周边的一半。在图28c所示实施例中，屏蔽膜覆盖导体组的周边的约一半。在图28d所示实施例中，屏蔽膜覆盖小于导体组的周边的一半。更大的覆盖范围可提供更好的电磁干扰(EMI)隔离并降低信号衰减(邻近效应减小的结果)。虽然在这些实施例中，导体组包括两个基本上平行的纵向绝缘导体，但在其他实施例中，导体组可以包括一个或超过两个基本上平行的纵向绝缘导体。参见图28a，屏蔽电缆5102包括导体组5104和屏蔽膜5108。导体组5104包括两个沿着电缆5102的长度延伸的绝缘导体5106。屏蔽膜5108包括从导体组5104的两侧延伸的压紧部分5109。压紧部分5109协同限定大致平面的屏蔽膜。屏蔽膜5108还包括部分覆盖导体组5104的覆盖部分5107。覆盖部分5107包括与导体5104的对应末端导体5106基本上同心的同心部分5111。在图28a中，屏蔽膜5108的覆盖部分5107覆盖导体组5104的底侧以及整个左侧和右侧。参见图28b，屏蔽电缆5202在一些方面类似于上文所述和图28a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5202中，屏蔽膜5208的覆盖部分5207覆盖导体组5204的底侧以及超过左侧和右侧的一半。参见图28c，屏蔽电缆5302类似于上文所述和图28a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5302中，屏蔽膜5308的覆盖部分5307覆盖导体组5304的底侧以及超过左侧和右侧的一半。参见图28d，屏蔽电缆5402在一些方面类似于上文所述和图28a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5402中，屏蔽膜5408的覆盖部分5411覆盖导体组5404的底侧以及小于左侧和右侧的一半。作为载体膜的替代形式，例如，根据本发明的方面的屏蔽电缆可以包括任选的非导电支承件。该支承件可用于完成导体组的物理覆盖并增加屏蔽电缆的机械稳定性。图29a-29d为示出根据本发明的方面的包括非导电支承件的屏蔽电缆的多个示例性实施例的剖视图。虽然在这些实施例中，将非导电支承件与包括两个绝缘导体的导体组一起使用，但在其他实施例中，可将非导电支承件与包括一个或超过两个基本上平行的纵向绝缘导体的导体组，或与接地导体一起使用。支承件可以包括任何合适的聚合物材料，包括(但不限于)聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚亚苯基硫化物、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、有机硅、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。支承件可以包括一种或多种添加剂和/或填充剂，从而得到适合于预期应用的性质。参见图29a，屏蔽电缆5502类似于上文所述和图28a所示的屏蔽电缆5102，但还包括非导电支承件5548，该支承件在屏蔽膜5508的覆盖部分5507相对侧部分覆盖导体组5504。支承件5548可覆盖导体组5504的顶侧，以包封绝缘导体5506。支承件5548包括大致平面的顶部表面5548a。屏蔽膜5508的顶部表面5548a和压紧部分5509是基本上共面的。
参见图29b，屏蔽电缆5602类似于上文所述和图28b所示的屏蔽电缆5202，但还包括非导电支承件5648，该支承件在屏蔽膜5608的覆盖部分5607相对侧部分覆盖导体组5604。支承件5648仅部分覆盖导体组5604的顶侧，从而使绝缘导体5606部分暴露。参见图29c，屏蔽电缆5702类似于上文所述和图28c所示的屏蔽电缆5302，但还包括非导电支承件5748，该支承件在屏蔽膜5708的覆盖部分5707相对侧部分覆盖导体组5704。支承件5748大致覆盖导体组5704的整个顶侧，从而大致完全包封绝缘导体5706。支承件5748的至少一部分与绝缘导体5706基本上同心。支承件5748的一部分设置在绝缘导体5706和屏蔽膜5708之间。参见图29d，屏蔽电缆5802类似于上文所述和图28d所示的屏蔽电缆5402，但还包括非导电支承件5848，该支承件在屏蔽膜5808的覆盖部分5807相对侧部分覆盖导体组5804。支承件5848仅部分覆盖导体组5804的顶侧，从而使绝缘导体5806部分暴露。支承件5848的一部分设置在绝缘导体5806与屏蔽膜5808之间。对屏蔽电缆的额外讨论在与本文同一天提交的“Connector Arrangements forShielded Electrical Cables”(屏蔽电缆的连接器布置方式)(代理人案卷号66887US002)中有所提供，该专利以引用的方式并入本文。现在我们提供有关屏蔽带状电缆的更多细节，其可以采用高封装密度的互相屏蔽导体组。本发明所公开电缆的设计特征使得它们可以采用在单个带状电缆中允许非常高密度信号线的格式而制造。这样能够获得高密度配合界面和超薄连接器和/或能够实现与标准连接器界面的串扰隔离。另外，高密度电缆可以降低每个信号对的制成本，降低对组件的挺度(例如，一般来讲，一个高密度的带状物比两个堆叠的较低密度带状物更易弯曲)，并且减小总厚度，因为一个带状物通常比两个堆叠的带状物更薄。本发明所公开屏蔽电缆中的至少一些的一种可能应用是计算机系统或其他电子系统的元件或装置之间的高速(I/O)数据传输。通过信息技术标准国际委员会(INCITS)维护的称为SAS (串行连接SCSI)的协议，是一种涉及计算机存储装置(例如硬盘驱动器和磁带驱动器)之间数据来回传送的计算机总线协议。SAS使用标准的SCSI指令集并且涉及点对点串行协议。已经针对SAS规格内的某些类型连接器开发出了称为迷你SAS的公约。用于内部应用的常规双轴(双芯同轴)电缆组件(例如迷你SAS电缆组件)利用单独的双芯同轴对，每个对具有自身随附的排扰线，并且在一些情况下具有两条排扰线。端接此类电缆时，不仅必须对每个双芯同轴对的每个绝缘导体进行管理，而且还必须对每个双芯同轴对的每条排扰线(或两条排扰线)进行管理。这些常规双芯同轴对通常布置为设置在松散的外部编织物内的松散束，该松散束包含所述双芯同轴对，以使得它们能够被一起路由。相比之下，本文所述的屏蔽带状电缆可以根据需要用于这样的构型中，其中(例如)将第一个四对带状电缆配合至双切换卡的一个主表面(参见如上图3d)，并且将在构型或布局上可与第一个四对带状电缆类似或基本上相同的第二个四对带状电缆配合至双切换卡相同端部的另一个主表面，以形成4x或4i的迷你SAS组件，其具有4个传输屏蔽对和4个接收屏蔽对。该构型相对于利用常规电缆双芯同轴对的构造来说是有利的，一定程度上是因为每个双芯同轴对可以使用少于一条排扰线，并从而使得需要管理更少排扰线以进行端接。然而，利用两个四对带状电缆的叠堆的构型具有这样的缺陷，即需要两个单独的带状物以提供4x/4i组件，同时需要管理两个带状物，并且相对于仅一个带状物，两个带状物会不利地增加硬度和厚度。我们发现，可以将本发明所公开的屏蔽带状电缆制备得足够致密，S卩，具有足够小的线至线间距、足够小的导体组至导体组间距以及具有足够小的排扰线数和排扰线间距，并且具有足够损耗特性以及串扰或屏蔽特性，以允许单一带状电缆或多个带状电缆被布置成并列型而非堆叠构型，以沿着单个平面延伸从而与连接器配合。这一个或多个带状电缆可以包含总共至少三个双芯同轴对，并且如果使用多个电缆，则至少一个带状物可以包含至少两个双芯同轴对。在示例性实施例中，可以使用单个带状电缆，并且如果需要，可以将信号对路由至连接器或其他端接元件的两个平面或主表面，尽管带状电缆仅沿着一个平面延伸。该路由可用多种方式实现，如各个导体的顶端或端部可以弯曲到带状电缆的平面外，以接触端接元件的一个或另一个主表面，或者端接元件可以利用导电性通孔或通路，其(例如)将一个主表面上的导电通道部分连接至另一个主表面上的另一个导电通道部分。对高密度电缆具有特别重要意义的是，带状电缆也优选包含少于导体组的排扰线；在其中导体组中的一些或全部是双芯同轴对(即导体组中的一些或全部均各自仅包含一对绝缘导体)的情况下，排扰线的数量优选小于双芯同轴对的数量。由于给定电缆中的排扰线通常沿着电缆的宽度尺寸彼此间隔开，因此减少排扰线的数量能够减小电缆的宽度。减少排扰线的数量还会通过减少电缆和端接元件之间所需的连接数而简化制造过程，从而还减少制造步骤数并减少制造所需的时间。此外，通过使用更少排扰线，保留的排扰线可以被设置成比通常情况下距最近的信号线更远，从而使端接过程容易很多，并且电缆宽度仅轻微增加。例如，给定的排扰线可以通过排扰线中心到最靠近导体组的最靠近绝缘线中心的间距σ I来表征，而最靠近的导体组可以通过绝缘导体的中心至中心间距σ 2来表征，并且σ I/σ 2可为大于O. 7。相比之下，常规双芯同轴电缆的排扰线间距是绝缘导体间距的O. 5倍，加上排扰线直径。在本发明所公开的屏蔽带状电缆的示例性高密度实施例中，两个相邻的双芯同轴对之间的中心至中心间距或节距(该距离结合图16在下文用Σ来表示)至少为一对内的信号线之间的中心至中心间距(该距离结合图16在下文用σ来表示)4倍以下，并优选3倍以下。设计用于内部应用的不带护套的电缆和设计用于外部应用的带护套的电缆均满足这种关系，其可以表示为Σ/σ〈4或Σ/σ〈3。如本文其他地方所阐述，我们已展示了具有多个双芯同轴对并且具有可接受的损耗和屏蔽(串扰)特性的屏蔽带状电缆，其中Σ/σ为在2. 5至3的范围内。一种对给定屏蔽带状电缆的密度进行表征的可供选择方式(无论电缆的导体组中的任何者是否具有双芯同轴构型的一对导体)是参考两个相邻导体组的最靠近绝缘导体。因此，当屏蔽电缆平放时，第一导体组的第一绝缘导体最靠近第二 (相邻)导体组，第二导体组的第二绝缘导体最靠近第一导体组。第一绝缘导体和第二绝缘导体的中心至中心间距为S。第一绝缘导体的外部尺寸为D1，如其绝缘体的直径，第二绝缘导体的外部尺寸为D2，如其绝缘体的直径。在多种情况下，导体组使用相同尺寸的绝缘导体，这样的话D1=D2。然而，在一些情况下，D I和D2可能不同。参数Dmin可以被定义为Dl和D2中较小的一者。当然，如果D1=D2，则Dmin=Dl=D2。使用本文所述的屏蔽带状电缆的设计特性，我们能够制造S/Dmin为在I. 7至2范围内的此类电缆。
紧密封装或高密度在一定程度上可凭借本发明所公开电缆的下列特征中的一个或多个而实现需要最小数量的排扰线，或换句话说，能够每个连接器组用少于一条排扰线(并且在一些情况下，例如每两个、三个或者四个或更多个连接器组少于一条排扰线，或者整个电缆仅使用一条或两条排扰线)而对电缆中的一些或全部连接器组提供足够屏蔽的能力；相邻导体组之间的高频信号隔离结构，如合适几何形状的屏蔽膜；电缆构造中所用的相对小数量和厚度的层；以及成形方法，其确保绝缘导体、排扰线和屏蔽膜的适当布置和构型，并且用沿着电缆长度提供一致性的方式进行。可有利地在能够批量剥离和批量端接至双切换卡或其他线性阵列的电缆中提供高密度特性。通过将电缆中的一条、一些或全部排扰线与其各自最接近的信号线(即，最接近导体组的最接近绝缘导体)分开一定距离会有利于批量剥离和端接，该距离大于导体组中相邻绝缘导体之间的间距的二分之一，并且优选大于此类间距的O. 7倍。通过将排扰线电连接至屏蔽膜，并且使屏蔽膜适当成形以基本上围绕每一个导体组，屏蔽件结构单独可提供相邻导体组之间的足够高频串扰隔离，并且我们可以将屏蔽带状电缆构造为仅具有最少数量的排扰线。在示例性实施例中，给定的电缆可以仅具有两条排扰线(其中一条可位于电缆的每个边缘处或接近电缆的每个边缘)，但也可以仅具有一条排扰线，并且当然也可以具有两条以上的排扰线。通过在电缆构造中使用更少排扰线，双切换卡或其他端接元件上所需的端接垫更少，从而可以将该元件制成更小和/或使其可以承载更高信号密度。由于存在更少排扰线从而消耗更小带状物宽度，因此电缆同样可被制成更小(更窄)并且可具有更高信号密度。减少的排扰线数量是使得本发明所公开的屏蔽电缆能够比常规离散的双芯同轴电缆、由离散双芯同轴对构成的带状电缆以及普通带状电缆承载更高密度的重要因素。近端串扰和/或远端串扰可为任何电缆中信号完整性或屏蔽的重要量度，所述电缆包括本发明所公开的电缆和电缆组件。将信号线(如，双芯同轴对或其他导体组)在电缆中和在端接区域中更近地结合在一起往往会增加不良串扰，但可以使用本文所公开的电缆设计和端接设计来抵消该趋势。电缆中串扰和连接器内串扰的问题可以独立地解决，但这些用于串扰减少的方法中的若干可以一起用于促进串扰减少。为了增加本发明所公开电缆中的高频屏蔽并减少串扰，希望使用电缆相对侧上的两个屏蔽膜形成尽可能完整的围绕导体组(如双芯同轴对)的屏蔽件。因此希望形成屏蔽膜，使得其覆盖部分组合起来基本上围绕任何给定的导体组，如该导体组周边的至少75%或者至少80%、85%或90%。另外，常常希望使电缆压紧区中的屏蔽膜之间的任何间隙最小化(包括消除)和/或在两个屏蔽膜之间使用低阻抗或直接电接触，例如通过直接接触或触碰，或通过一条或多条排扰线的电接触，或者在屏蔽膜之间使用导电粘合剂。如果为给定的电缆或系统限定或指定单独的“传输”和“接收”双芯同轴对或导体，则也可以通过在相同的带状电缆中，将所有此类“传输”导体物理地靠近彼此组合在一起，并且将所有此类 “接收”导体靠近彼此组合在一起但在可能的范围内与传输对分离，从而在电缆和/或端接元件中增强高频屏蔽。导体的传输组也可以通过一条或多条排扰线或者本文其他地方所述的其他隔离结构与导体的接收组分开。在一些情况下，可以使用两个单独的带状电缆，一个用于传输导体，一个用于接收导体，但两个(或更多个)电缆优选被布置成并列构型而非堆叠构型，从而可保持带状电缆单一柔韧性平面的优点。所述屏蔽电缆可呈现给定导体组中相邻绝缘导体之间的高频隔离，其通过I米电缆长度的3-15GHZ范围内的指定频率下的串扰Cl来表征，并且可呈现给定导体组和相邻导体组(通过电缆的压紧部分与第一导体组分开)之间的高频隔离，其通过指定频率下的串扰C2来表征，并且C2至少比Cl低10dB。作为另外一种选择或除此之外，所述屏蔽电缆可满足与迷你SAS应用中所用类似或相同的屏蔽规格将给定信号强度的信号连接到电缆一端的传输导体组中的一个(或接收导体组中的一个)，并且计算所有接收导体组中(或所有传输导体组中)的累积信号强度，如在电缆的同一端处所测量。作为累积信号强度与初始信号强度的比率计算并且以分贝表示的近端串扰优选为小于_26dB。如果未适当屏蔽电缆端部，则对于给定的应用而言，在电缆端部处的串扰可变得很显著。本发明所公开的电缆的可能解决方案是使屏蔽膜的结构与绝缘导体的端接点保持尽可能接近，从而控制导体组内的任何杂散电磁场。除电缆以外，双切换卡或其他端接元件的设计细节也可以加以调整，以对系统保持足够的串扰隔离。策略包括尽可能将传输和接收信号彼此电隔离，如，使和这两种信号类型相关的线和导体在端接和路由时尽可能物理上彼此远离。一种选择是在双切换卡的单独侧面(相对的主表面)上端接此类线和导体，其可用于在双切换卡的不同平面或相对侧上自动地路由信号。另一种选择是将此类线和导体尽可能远地横向分开，以使传输线与接收线横向分离。也可以使用这些策略的组合进行进一步隔离。(就这一点而言参考此前引用的“Connector Arrangements for ShieldedElectrical Cable”(屏蔽电缆的连接器布置方式)(代理人案卷号66887US002)，其在此前以引用的方式并入本文。)这些策略可以与结合常规尺寸或减小尺寸的双切换卡的本发明所公开高密度带状电缆一起使用，以及与带状电缆的单个平面一起使用，两者均可提供显著的系统优点。应提醒读者的是，有关双切换卡端接的上述讨论，以及本文其他地方涉及双切换卡的讨论，也应该被理解为涵盖任何其他类型的端接。例如，压印金属连接器可以包括一行或两行触点的线性阵列以连接至带状电缆。此类行可与双切换卡的行类似，其还可以包括两个线性阵列的触点。本发明所公开的电缆和端接元件可以采用相同的交错、交替和隔离端接策略。
对于多个电缆应用而言，损耗或衰减是另一个重要考虑因素。高速I/O应用的一种典型损耗规格是电缆在(例如)5GHz的频率下的损耗为小于_6dB。(就这一点而言，读者将理解，例如_5dB的损耗小于_6dB的损耗。)对于尝试仅通过针对导体组的绝缘导体和/或针对排扰线使用较细线而使电缆微型化，此类规格使之受到限制。通常，在其他因素相同的情况下，随着将电缆中所用的线制备得更细，电缆损耗会增加。尽管线的电镀层，如，银电镀层、锡电镀层或金电镀层可对电缆损耗有影响，但在多种情况下，小于约32线规(32AWG)或稍微较小的线尺寸，无论是实芯还是绞线设计，均可以代表一些高速I/O应用中的信号线的实际尺寸下限。然而，在其他高速应用中更小线尺寸可能是可行的，并且也可以预期通过技术发展使更小线尺寸变得可接受。现在转向图30a，我们在其中看到电缆系统11401，其包括与端接元件11420(例如双切换卡等)结合的屏蔽带状电缆11402。可具有本文其他地方所示和所述设计特征和特性中的任何者的电缆11402，示为具有八个导体组11404和两条排扰线11412，其中每条排 扰线设置在电缆的各自边缘处或该边缘附近。每一个导体组基本上为双芯同轴对，即各自仅包括两个绝缘导体11406，每一个导体组优选经调整，以传输和/或接收高速数据信号。当然，其他数量的导体组、给定导体组内其他数量的绝缘导体和其他数量的排扰线(如果有的话)通常可用于电缆11402。然而，由于被设计为与四个“线道”或“通道” 一起使用的双切换卡的现有普及，八个双芯同轴对具有某种意义，每个线道或通道恰好具有一个传输对并恰好具有一个接收对。电缆的基本平坦或平面设计，以及其设计特性，使得其易于弯曲或者说是如图所示进行操控，同时保持导体组的良好高频屏蔽和可接受的损耗。排扰线的数量(2)显著小于导体组的数量(8)，从而使得电缆11402具有显著减小的宽度《I。由于仅涉及两条排扰线(在本实施例中)，因此甚至在其中使排扰线11412相对于最靠近信号线(最靠近的绝缘导体11406)间隔开最靠近的导体组中信号线间距的至少O. 7倍的情况下，也可以实现此类减小的宽度。端接兀件11420具有第一末端11420a和相对的第二末端11420b,以及第一主表面11420c和相对的第二主表面11420d。通过(如)印刷或者其他常规沉积方法和/或蚀刻方法，在兀件11420的至少第一主表面11420c上提供导电路径11421。就这一点而言,导电路径设置在合适的电绝缘基板上，该基板通常是坚硬或刚性的，但在一些情况下可以是柔性的。每个导电路径通常从元件的第一末端11420a延伸到第二末端11420b。在示出的实施例中，电缆11402的各个线和导体电连接到导电路径11421的各自部件。为了简洁起见，示出的每个路径都是直的，其从元件11420或基板的一端延伸到兀件同一主表面上的另一端。在一些情况下，导电路径中的一者或多者可以延伸穿过基板中的孔或“通路”，以使得(例如)路径的一个部分和一端处于一个主表面上，路径的另一个部分和另一端处于基板的相对主表面上。另外，在一些情况下，电缆的线和导体中的一些可以附连到基板一个主表面上的导电路径(如接触垫)，线和导体中的另一些可以附连到位于基板的相对主表面上但位于元件的相同末端处的导电路径(如接触垫)。这可以通过如使线和导体的末端朝一个主表面向上轻微弯曲，或朝另一个主表面向下轻微弯曲而实现。在一些情况下，与屏蔽电缆的信号线和/或排扰线相对应的全部导电路径可以设置在基板的一个主表面上。在一些情况下，导电路径中的至少一者可以设置在基板的一个主表面上，导电路径中的至少另一者可以设置在基板的相对主表面上。在一些情况下，导电路径中的至少一者可具有在第一末端处基板的第一主表面上的第一部分，以及在第二末端处基板的相对第二主表面上的第二部分。在一些情况下，屏蔽电缆的交替导体组可以附连到基板相对主表面上的导电路径。端接元件11420或其基板具有宽度w2。在示例性实施例中，电缆的宽度wl并不显著大于元件的宽度w2，以使得(例如)电缆无需在其末端处折叠或集拢在一起以建立电缆的线和元件的导电路径之间的必要连接。在一些情况下，《I可稍微大于《2，但仍足够小，从而使导体组的末端可以采用漏斗型方式在电缆的平面内弯曲，以便连接到相关的导体路径，同时仍在连接点处和其附近保留电缆的大致平面构型。在一些情况下，wl可以等于或小于w2。常规的四个通道双切换卡当前的宽度为15. 6毫米，因此在至少一些应用中，希望屏蔽电缆的宽度为约16mm或更小，或者约15mm或更小。图30b和30c是示例性屏蔽电缆的正面剖视图，这些图还示出了可用于对导体组的密度进行表征的参数。屏蔽电缆11502包括至少三个导体组11504a、11504b和11504c，其凭借电缆相对侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜11508彼此屏蔽，并且适当形成其各自的覆盖部分、压紧部分和过渡部分。屏蔽电缆11602同样包括至少三个导体组11604a、11604b 和11604c，其凭借第一屏蔽膜和第二屏蔽膜11608彼此屏蔽。电缆11502的导体组包含不同数量的绝缘导体11506，其中导体组11504a具有一个，导体组11504b具有三个，导体组11504c具有两个(针对双芯同轴设计)。导体组11604a、11604b、11604c全部属于双芯同轴设计，其正好具有绝缘导体1606中的两个。尽管在图30b和30c中未示出，但每个电缆11502、11602优选还包括至少一条并且任选两条(或更多条)排扰线，其优选被夹在电缆边缘处或附近的屏蔽膜之间，例如图I或图30a所示。在图30b中，我们看到涉及两个相邻导体组的最靠近绝缘导体的已标识的一些尺寸。导体组11504a与导体组11504b相邻。组11504a的绝缘导体11506最靠近组11504b，组11504b的最左侧(从附图的角度)绝缘导体11506最靠近组11504a。组11504a的绝缘导体具有外部尺寸D1，组11504b的最左侧绝缘导体具有外部尺寸D2。这些绝缘导体的中心至中心间距为SI。如果我们将参数Dmin定义为Dl和D2中较小的一者，则我们可以针对致密堆积的屏蔽电缆指定Sl/Dmin为在I. 7至2的范围内。我们还在图30b中看到，导体组11504b与导体组11504c相邻。组11504b的最右侧绝缘导体11506最靠近组11504c，组11504c的最左侧绝缘导体11506最靠近组11504b。组11504b的最右侧绝缘导体11506具有外部尺寸D3，组11504c的最左侧绝缘导体11506具有外部尺寸D4。这些绝缘导体的中心至中心间距为S3。如果我们将参数Dmin定义为D3和D4中较小的一者，则我们可以针对致密堆积的屏蔽电缆指定S3/Dmin为在I. 7至2的范围内。在图30c中，我们看到涉及具有至少一组相邻双芯同轴对的电缆的已标识的一些尺寸。导体组11604a、11604b代表这样的一组相邻双芯同轴对。这两个导体组之间的中心至中心间距或节距用Σ表示。双芯同轴导体组11604a内的信号线之间的中心至中心间距用σ I表示。双芯同轴导体组11604b内的信号线之间的中心至中心间距用σ 2表示。对于致密堆积的屏蔽电缆而言，我们可以指定Σ/σΙ和Σ/σ 2中的一者或两者为小于4，或小于3，或在2. 5至3的范围内。在图30d和30e中，我们分别看到电缆系统11701的俯视图和侧视图，其包括与端接元件11720 (例如双切换卡等)结合的屏蔽带状电缆11702。可具有本文其他地方所示和所述设计特征和特性中的任何者的电缆11702，示为具有八个导体组11704和两条排扰线11712，其中每条排扰线设置在电缆的各自边缘处或该边缘附近。每一个导体组基本上为双芯同轴对，即各自仅包括两个绝缘导体11706，每一个导体组优选经调整，以传输和/或接收高速数据信号。正如在图30a中一样，排扰线的数量(2)显著小于导体组的数量(8)，从而使得电缆11702相对于(例如)每一个导体组具有一条或两条排扰线的电缆而言具有显著减小的宽度。由于仅涉及两条排扰线(在本实施例中)，因此甚至在其中使排扰线11712相对于最 靠近的信号线(最靠近的绝缘导体11706)间隔开最靠近的导体组中信号线间距的至少O. 7倍的情况下，也可以实现此类减小的宽度。端接元件11720具有第一末端11720a和相对的第二末端11720b，并且包括具有第一主表面11720c和相对的第二主表面11720d的合适基板。在基板的至少第一主表面11720c上提供导电路径11721。每个导电路径通常从元件的第一末端11720a延伸到第二末端11720b。示出的导电路径在元件的两端包括接触垫，在图中，示出的电缆11702的各个线和导体电连接到对应接触垫处的导电路径11721的各自部件。注意，在本文其他地方所述的有关基板上导电路径的设置、构型和布置，以及电缆多个线和导体以及它们附连到端接元件一个或两个主表面的设置、构型和布置的变型形式，也旨在适用于系统11701。实M制造具有电缆11402 (参见图30a)总体布局的屏蔽带状电缆。该电缆利用十六条被布置成信号线的八个双芯同轴对的绝缘32线规(AWG)线，以及两条沿着排扰线的电缆边缘布置的非绝缘32 (AWG)线。所用十六条信号线中的每一条具有带银电镀层的铜实芯。两条排扰线各自具有绞线构造(每条7股线)并且用锡镀覆。绝缘线绝缘体的标称外径为O. 025英寸。将十六条绝缘线和两条非绝缘线送入类似于图5c所示的装置中，置于两个屏蔽膜之间。屏蔽膜基本上相同，并且具有以下构造聚酯基层(厚度为O. 00048英寸)，该基层上设置有铝连续层(厚度为O. 00028英寸)，该连续层上设置有非导电粘合剂连续层(厚度为O. 001英寸)。对屏蔽膜进行取向，使得膜的金属涂层面向彼此并且面向导体组。加工温度为约270 T。对通过该方法制造的所得电缆拍照并在图30f中示出其俯视图，并且在图30g中示出电缆末端的斜视图。在图中，1804是指双芯同轴导体组，1812是指排扰线。由于用于信号线的绝缘导体中的实芯缺少同心度，因此所得电缆不理想。然而，考虑到非同心度问题(的校正)，可以测量电缆的某些参数和特性。例如，尺寸D、dl、d2 (参见图2c)分别为约O. 028英寸、O. 0015英寸和O. 028英寸。在横截面中，屏蔽膜中任何一者的任何部分在沿着电缆宽度的任何点处均不具有小于50微米的曲率半径。从给定排扰线至最近双芯同轴导体组的最近绝缘线的中心至中心间距为约O. 83mm，每一个导体组内绝缘线的中心至中心间距(参见如图30c中的参数σ I和σ 2)为约O. 025英寸(O. 64mm)。相邻双芯同轴导体组的中心至中心间距(参见如图30c中的参数Σ )为约O. 0715英寸(I. 8mm)。间距参数S (参见图30b中的SI和S3)为约O. 0465英寸。从边缘至边缘测量的电缆的宽度为约16至17毫米，并且排扰线之间的间距为15毫米。电缆易于实现批量端接，包括排扰线。从这些值我们看到从排扰线到最近信号线的间距为每个双芯同轴对内的线至线间距的约I. 3倍，从而大于该线至线间距O. 7倍；电缆密度参数Σ / σ为约2. 86，S卩，在2. 5至3的范围内；另一个电缆密度参数S/Dmin为约I. 7，S卩，在1.7至2的范围内；比率d/D (屏蔽膜压紧部分的最小间距除以屏蔽膜覆盖部分之间的最大间距)为约O. 05，S卩，小于O. 25并且也小于O. I ;比率d2/D (绝缘导体之间区域内的屏蔽膜覆盖部分之间的最小间距除以屏蔽膜覆盖部分之间的最大间距)为约1，即，大于O. 33。另外请注意，电缆的宽度(S卩，边缘至边缘为约16mm，排扰线至排扰线为15.0mm)小于常规的迷你SAS内部电缆外模接线端的宽度(通常17. 1_)，并且与迷你SAS双切换卡的代表性宽度(15. 6_)大约相同。利用比双切换卡小的宽度能够从电缆至双切换卡进行简单的一对一路由， 而不需要对线末端进行横向调整。即使电缆比端接板或外壳稍宽，外部线也可以横向地路由或弯曲以接触板的外侧边缘上的垫。该电缆与其他带状电缆相比可以在物理上提供双倍密度，在组件中的厚度可为二分之一(由于需要的带状物少一个)，并且可允许使用比其他通用电缆更薄的连接器。可采用任何合适方式端接和操控电缆末端，使其与端接元件连接，如本文其他地方所述。我们现在提供有关可以采用按需排扰线特征的屏蔽带状电缆的更多细节。在本发明所公开屏蔽电缆的多者中，与屏蔽膜中的一者或两者形成直接或间接电接触的排扰线基本上在电缆的整个长度上形成此类电接触。随后可以将排扰线固定到端接位置处的外部接地连接以提供屏蔽件的接地参考，从而减少(或“排除”)可产生串扰的任何杂散信号并且减少电磁干扰(EMI)。在这一节的详细描述中，我们更详尽描述了在电缆一个或多个隔离区域处而不是沿着整个电缆长度的给定排扰线与给定屏蔽膜之间形成电接触的构造和方法。我们有时将通过在隔离区域处的电接触来表征的构造和方法称为按需技术。该按需技术可利用本文其他地方所述的屏蔽电缆，其中电缆被制造成包括至少一条排扰线，其在排扰线长度的全部或至少相当大一部分范围内的排扰线和至少一个屏蔽膜之间具有高直流电阻。出于描述该按需技术的目的，此类电缆可以称为未处理过的电缆。随后可以在至少一个特定的局部区域中对未处理过的电缆进行处理，以显著降低直流电阻并且在局部区域中的排扰线与屏蔽膜之间形成电接触(无论直接或间接)。局部区域中的直流电阻可以(例如)为小于10 Ω ,或小于2Ω ,或基本上为0Ω。未处理过的电缆可以包括至少一条排扰线、至少一个屏蔽膜和至少一个导体组，该导体组包括至少一个适用于传输高速信号的绝缘导体。图31a是示例性屏蔽电缆11902的正面剖视图，该电缆可充当未处理过的电缆，但也可使用本文中所示出或描述的实际上任何其他屏蔽电缆。电缆11902包括三个导体组11904a、11904b、11904c，所述导体组各自包括一个或多个绝缘导体，该电缆还具有出于示范目的而展示于多种位置中的六条排扰线11912a-f。电缆11902还包括设置在电缆的相对侧上且优选地具有各自的覆盖部分、压紧部分和过渡部分的两个屏蔽膜11908。最初，非导电粘合剂材料或其他适形的非导电材料使每条排扰线与一个或两个屏蔽膜分离。所述排扰线、屏蔽膜以及其间的非导电材料被构造为使得屏蔽膜能够在局部区域或处理过的区域中按需地与排扰线进行直接或间接电接触。其后，使用合适的处理过程实现所描述的排扰线11912a-f中的任一者与屏蔽膜11908之间的这种选择性电接触。图31b、31c和31d是展示至少一些此类处理过程的屏蔽电缆或其部分的正面剖视图。在图31ba中，屏蔽电缆12002的一部分包括相对的屏蔽膜12008，相对的屏蔽膜中的每一者可包括导电层12008a和非导电层12008b。屏蔽膜经定向以使得每个屏蔽膜的导电层面向排扰线12012和另一屏蔽膜。在可供选择的实施例中，可以省略一个或两个屏蔽膜的非导电层。值得注意的是，电缆12002包括位于屏蔽膜12008之间且使排扰线12012与屏蔽膜12008中的每一者分离的非导电材料(如，电介质材料)12010。在一些情况下，材料12010可以是或可包含非导电的适形粘合剂材料。在一些情况下，材料12010可以是或可包含热塑性电介质材料，例如具有小于O. 02mm的厚度或某一其他合适厚度的聚烯烃。在一些情况下，材料12010可在电缆制造之前呈覆盖一个或两个屏蔽膜的薄层的形式。在一些情况下，材料12010可在电缆制造之前(以及在未处理过的电缆中)呈覆盖排扰线的薄绝缘层的形式，在该情况下与图31b和31c中所示出的实施例不同，此类材料可不延伸至电缆的压紧区域中。为了进行局部连接，可在有限的区域或区段内施加压缩力和/或热以通过有效地挤开材料12010而迫使屏蔽膜12008与排扰线12012进行永久电接触。该电接触可以是 直接的或间接的，并且可以通过局部处理过的区域中的小于10 Ω、或小于2 Ω、或基本上为0Ω的直流电阻来表征。(排扰线12012的未处理过的部分继续与屏蔽膜实体地分离，且将以高直流电阻(如，>100Ω)为特征，除了当然排扰线的未处理过的部分经由排扰线的处理过的部分电连接至屏蔽膜的事实之外。)可在随后步骤中在电缆的不同隔离区域处重复该处理程序和/或可在任何给定的单个步骤中在电缆的多个隔离区域处执行该处理程序。屏蔽电缆还优选地包含用于高速数据通信的一条或多条绝缘信号线的至少一个群组。在图31d中，例如，屏蔽电缆12102具有多个双芯同轴导体组12104，所述多个双芯同轴导体组具有由屏蔽膜12108提供的屏蔽。电缆12102包括排扰线12112，将排扰线中的两条(12112a、12112b)展示为使用处理元件12130 (例如)借由压力、热、辐射和/或任何其他合适的试剂在单个步骤中予以处理。所述处理元件优选地具有与电缆12102的长度相比较小的长度(沿着垂直于绘图的平面的轴线的尺寸)，使得处理过的区域类似地与电缆的长度相比较小。用于按需排扰线接触的处理过程可以在以下时间内执行(a)电缆制造期间，(b)将电缆切成用于端接过程的长度之后，(c)在端接过程期间(甚至在端接电缆的同时)，(d)已将电缆制成电缆组件(如，借由将端接元件附接至电缆的两个末端)之后，或(e) (a)至(d)的任何组合。在一些情況下，用以提供排扰线和一个或两个屏蔽膜之间的局部电接触的处理可利用压缩。该处理可在室温下以使材料严重地变形且引起接触的高局部力执行，或在(例如)使如上文论述的热塑性材料可更容易地流动的高温下执行。处理也可包括将超声能量传递至该区域以便进行接触。另外，可通过使用分离屏蔽膜与排扰线的电介质材料中的导电粒子和/或使用设置在排扰线和/或屏蔽膜上的粗糙突起来辅助该处理过程。图31e和31f是屏蔽电缆组件12201的俯视图，其示出了可供人选择来提供排扰线和屏蔽膜之间的按需接触的可供选择的构型。在两个图中，屏蔽带状电缆12202在其两个末端处连接至端接元件12220、12222。所述端接元件各自包括其上提供有各条导电路径的基板，所述各条导电路径用于电连接至电缆12202的各自的线和导体。电缆12202包括绝缘导体的若干导体组，例如适合于高速数据通信的双芯同轴导体组。电缆12202还包括两条排扰线12212a、12212b。所述排扰线具有连接至每个端接元件的各自导电路径的末端。所述排扰线还设置在电缆的至少一个屏蔽膜附近(如，被电缆的至少一个屏蔽膜覆盖)，并且优选地设置在两个这种膜之间，如(例如)图31a和31b的剖视图中所示出。除了将在下文描述的局部处理过的区域或区段之外，排扰线12212a、12212b不在沿着电缆长度的任何点处与屏蔽膜进行电接触，并且这可以通过任何合适的方式(如，通过采用在本文中别处所描述的电隔离技术中的任一者)来实现。在未处理过的区域中的排扰线和屏蔽膜之间的直流电阻可以(例如)为大于100 Ω。然而，电缆优选地如上文描述在选定区段或区域处经过处理，以提供给定排扰线和给定屏蔽膜之间的电接触。在图31e中，电缆12202已在局部区域12213a中经过处理，以提供排扰线12212a与屏蔽膜之间的电接触，且其亦已在局部区域12213b、12213c中经过处理，以提供排扰线12212b与屏蔽膜之间的电接触。在图31f中，将电缆12202示出为在相同的局部区域12213a和12213b中经过处理，但亦在不同的局部区域12213d、2213e中经过处理。应注意，在一些情况下，出于冗余或出于其他目的，多个处理过的区域可用于单条排扰线。在其他情况下，只有单个处理过的区域可用于给定的排扰线。在一些情况下，用于第一排扰线的第一处理过的区域可以设置在与用于第二排扰线的第二处理过的区域相同的纵长方向位置处，参见(例如)图31e、31f的区域12213a、12213b，并且还参见图31d中示 出的工序。在一些情况下，用于一条排扰线的处理过的区域可以设置在与用于另一条排扰线的处理过的区域不同的纵长方向位置处，参见(例如)图31e的区域12231a和12213c，或图31f的区域12213d和12213e。在一些情况下，用于一条排扰线的处理过的区域可以设置在另一条排扰线缺乏与屏蔽膜的任何局部电接触的电缆的纵长方向位置处，参见(例如)图31e的区域12213c，或图31f的区域12213d或区域12213e。图31g为另一种屏蔽电缆组件12301的俯视图，其示出了可供人选择来提供排扰线和屏蔽膜之间的按需接触的另一种构型。在组件12301中，屏蔽带状电缆12302在其两个末端处连接至端接元件12320、12322。所述端接元件各自包括其上提供有各条导电路径的基板，所述各条导电路径用于电连接至电缆12302的各自的线和导体。电缆12302包括绝缘导体的若干导体组，例如适合于高速数据通信的双芯同轴导体组。电缆12302还包括若干排扰线12312a-d。所述排扰线具有连接至每个端接元件的各自导电路径的末端。所述排扰线还设置在电缆的至少一个屏蔽膜附近(如，被电缆的至少一个屏蔽膜覆盖)，并且优选地设置在两个这种膜之间，如(例如)图31a和31b的剖视图中所示出。除了将在下文描述的局部处理过的区域或区段之外，至少排扰线112312a、112312d不在沿着电缆长度的任何点处与屏蔽膜进行电接触，且这可通过任何合适的方式(如，通过采用在本文中别处所描述的电隔离技术中的任一者)来实现。在未处理过的区域中的这些排扰线和屏蔽膜之间的直流电阻可以(例如)为大于100 Ω。然而，电缆优选地如上文描述在选定区段或区域处经过处理，以提供这些排扰线和给定屏蔽膜之间的电接触。在该图中，将电缆12302展示为在局部区域12313a中经过处理，以提供排扰线12312a与屏蔽膜之间的电接触，且其亦展示为在局部区域12313b、12313c中经过处理，以提供排扰线2312d与屏蔽膜之间的电接触。排扰线12313b、12312c中的一者或两者可具有适用于局部处理的类型，或所述一者或两者可以更标准的方式制造，在该更标准的方式中它们在电缆制造期间沿着基本上它们的整个长度与屏蔽膜进行电接触。实例在本节中提供了两个实例。首先，使用与图31d中所示出的屏蔽电缆相同的导体组和排扰线的数量和构型来制造两个基本上相同的未处理过的屏蔽带状电缆。使用具有以下相同构造的两个相对的屏蔽膜制造每个电缆聚酯基底层(O. 00048英寸厚)，在聚酯基底层上设置连续铝层(O. 00028英寸厚)，在该连续铝层上设置连续非导电粘合剂层(O. 001英寸厚)。在每个电缆中用于制造四个双芯同轴导体组的八个绝缘导体为30线规(AWG)、实芯的镀银铜线。用于每个电缆的八条排扰线为32线规(AWG)、镀锡的7股线。用于制造过程的设定经调整以使得在每条排扰线和每个屏蔽膜之间保留粘合剂材料(聚烯烃)的薄层(小于10微米)，以防止在未处理过的电缆中排扰线和屏蔽膜之间的电接触。将两个未处理过的电缆各自切成约I米的长度，并且在一端处加以批量剥离。最初，测试这些未处理过的电缆中的第一个以判定排扰线中的任一者是否与屏蔽膜中的任一者电接触。通过在电缆的已剥离末端处将微欧姆计连接至两条排扰线的所有28种可能的组合来进行此测试。这些测量针对所述组合中的任一种皆不产生可测量的直流电阻，即，所有组合皆产生大大超过100Ω的直流电阻。接着，如图31d中所描绘，在一个步骤 中处理两条相邻的排扰线，以在那些排扰线和两个屏蔽膜之间提供局部接触区域。在第二步驟中亦以相同方式处理另外两条相邻的排扰线，如，在图31d的左侧处标记为12112的两条相邻的线。通过使用约O. 25英寸长和O. 05英寸宽的工具来压缩电缆的一部分而实现每项处理，该工具宽度在电缆的一个纵长方向位置处覆盖两条相邻的排扰线。每个处理过的部分距电缆的一端约3cm。在此第一实例中，工具温度为220°C，并且针对每项处理施加约75至150磅的力并保持10秒。随后移除该工具，并使电缆冷却。然后在与处理过的末端相对的电缆的末端处连接微欧姆计，并再次测试两条排扰线的所有28种可能的组合。测量出一对(处理过的排扰线中的两条)的直流电阻为I. I Ω，且两条排扰线的所有其他组合的直流电阻(在与处理过的末端相对的电缆的末端处测量)是不可测量的，即，大大超过100 Ω。最初还测试所述未处理过的电缆中的第二个以判定排扰线中的任一者是否与屏蔽膜中的任一者电接触。再次通过在电缆的已剥离末端处将微欧姆计连接至两条排扰线的所有28种可能的组合来进行此测试，且测量针对所述组合中的任一种再次不产生可测量的直流电阻，即，所有组合皆产生大大超过100Ω的直流电阻。然后，如图21中所描绘，在第一步骤中处理两条相邻的排扰线，以在那些排扰线和两个屏蔽膜之间提供局部接触区域。使用与实例I中的工具相同的工具进行此处理，且处理过的部分距电缆的第一末端约3cm。在第二处理步骤中，在与第一步骤相同的条件下，但在距与第一末端相对的电缆的第二末端3cm的位置处处理相同的两条排扰线。在第三步骤中，以与第一步骤相同的方式，再次在距电缆的第一末端3cm处处理另外两条相邻的排扰线，例如，在图31d的左侧处标记为12112的两条相邻的线。在第四处理步骤中，在相同的条件下，但在距电缆的第二末端3cm的处理位置处处理在第3步骤中经过处理的相同的两条排扰线。在此第二实例中，工具温度为210°C，并且针对每个处理步骤施加约75至150磅的力并保持10秒。然后移除该工具，并使电缆冷却。随后在电缆的一端处连接微欧姆计，并且再次测试两条排扰线的所有28种可能的组合。针对所述组合中的五种(所有五种这些组合涉及具有处理过的区域的四条排扰线)测量到O. 6 Ω的平均直流电阻，且对于涉及具有处理过的区域的四条排扰线的剩余组合，测量到21.5Ω的直流电阻。两条排扰线的所有其他组合的直流电阻皆不可测量，即，大大超过100 Ω。图32a为针对这些实例制造并处理的屏蔽电缆中的一个的照片。可看到四个处理过的局部区域。图32b是图32a的一部分的放大细部图，其显示了所述处理过的局部区域中的两者。图32c是图32a的电缆的正面横截面布局的前正视图的示意图。我们现在提供有关可采用多条排扰线的屏蔽带状电缆，以及此类电缆与在电缆的一个或两个末端处的一个或多个端接元件的独特组合的另外细节。常规的同轴或双芯同轴电缆使用多个独立的线组，每个组具有其自身的排扰线，以进行电缆与端接点之间的接地连接。本文中所描述的屏蔽电缆的有利方面在于它们可在整个结构中的多个位置中包括排扰线,如(例如)图31a中所示出。任何给定的排扰线均可直接(DC)连接至屏蔽件结构、交流连接至屏蔽件(低阻抗交流连接)，或可不良地连接或完全不连接至屏蔽件(高交流阻抗)。因为排扰线为细长导体，所以它们可延伸超出屏蔽电缆且与配对连接器的接地端进行连接。本发明所公开的电缆的优势在于一般来讲，在一些应用中可使用较少的排扰线，这是因为屏蔽膜提供的电屏蔽是整个电缆结构共有的。
我们已发现，可使用本发明所公开的屏蔽电缆来有利地提供可通过屏蔽带状电缆的导电屏蔽件电互连的多种不同的排扰线构型。简而言之，本发明所公开的屏蔽电缆中的任一者可包括至少第一排扰线和第二排扰线。所述第一排扰线和第二排扰线可以沿着电缆的长度延伸，并且可至少由于它们二者均与第一屏蔽膜电接触而彼此电连接。该电缆可以在电缆的第一末端处与一个或多个第一端接元件组合、并且在电缆的第二末端处与一个或多个第二端接元件组合。在一些情况下，第一排扰线可以电连接至一个或多个第一端接元件，但可能未电连接至一个或多个第二端接元件。在一些情况下，第二排扰线可以电连接至一个或多个第二端接元件，但可能未电连接至一个或多个第一端接元件。第一排扰线和第二排扰线可以是沿着电缆的长度延伸的多条排扰线的成员，nl条排扰线可以连接至一个或多个第一端接元件，并且n2条排扰线可以连接至一个或多个第二端接元件。数字nl可以不等于η2。此外，所述一个或多个第一端接元件可总共具有ml个第一端接元件，并且所述一个或多个第二端接元件可总共具有m2个第二端接元件。在一些情况下，n2>nl,并且m2>ml。在一些情况下，ml=l。在一些情况下，ml=m2。在一些情况下，ml〈m2。在一些情况下，ml>l,并且m2>l。例如这些的布置方式提供用于将一条排扰线连接至外部连接且使一条或多条其他排扰线仅连接至共同屏蔽件，从而将所有排扰线有效地连接至外部接地的能力。因此，有利的是，并非电缆中的所有排扰线均需要连接至外部接地结构，这可用于借由在连接器处需要较少的配对连接来简化连接。另一个潜在的优势是如果不止一条排扰线连接至外部接地及至屏蔽件，则可进行冗余接触。在这种情况下，有人可能无法使用一条排扰线进行至屏蔽件或外部接地的接触，但仍通过另一条排扰线成功地进行外部接地和屏蔽件之间的电接触。此外，如果电缆组件具有扇出构型，其中电缆的一个末端连接至一个外部连接器(ml=l)和共同接地，并且另一个末端连接至多个连接器(m2>l)，则可在共同末端上进行比用于多个连接器末端的连接(n2)少的连接(nl)。由此类构型提供的简化接地可提供在减少的复杂性及端接处所需的减小数量的接触垫方面的有益效果。在这些布置方式的多者中，假定所讨论的所有排扰线当然是与屏蔽膜电接触，将通过屏蔽膜的排扰线的独特互连性质用于简化端接结构且可提供较紧密(较窄)的连接节距。一个直接实施例为包括高速导体组和多条排扰线的屏蔽电缆在两个末端处端接至在每个末端处的一个连接器，并且并非所有排扰线都在每个末端处端接，但在一个末端处端接的每条排扰线也在另一个末端处端接。由于未端接的排扰线也直接地或间接地连接至接地，因此这些排扰线仍维持在低电位。在相关的实施例中，所述排扰线中的一条可连接于一个末端处，但未连接于(故意地或错误地)另一个末端处。仍然在此情况下，只要在每个末端处连接了一条排扰线，接地结构就得以维持。在另一个相关实施例中，在一个末端处附接的排扰线与在另一个末端处附接的排扰线不相同。在图32d中示出了这种情况的简单版本。在该图中，电缆组件12501包括在一个末端处连接至端接元件12520并且在另一个末端处连接至端接元件12522的屏蔽电缆12502。电缆12502可实际上为本文中所示出或描述的任何屏蔽电缆，只要其包括均电连接到至少一个屏蔽膜的第一排扰线12512a和第二排扰线12512b即可。如图所示，排扰线12512b连接到元件12520但不连接到元件12522，并且排扰线12512a连接到元件12522但不连接到元件12520。由于接地电位(或其他受控电位)在电缆12502的排扰线12512a、12512b与屏蔽膜之间依靠其互相电连接而共用，故归因于共同接地而在该结构中维持相同电位。应注意，可借由消除不使用的导电路径而有利地使两个端接元件12520、12522更小(更窄)。在图32e_32f中示出了展示这些技术的更复杂的实施例。在那些图中，屏蔽电缆 组件12601具有扇出构型。组件12601包括在第一末端处连接到端接元件12620并且在第二末端(其分裂成三个分离的扇出部分)处连接到端接元件12622、12624、12626的屏蔽带状电缆12602。如在沿着图32e的线32g_32g截取的图32e的剖视图中最佳地看到，电缆12602包括具有绝缘导体的三个导体组(一个同轴类型和两个双芯同轴类型)和八条排扰线12612a-h。所述八条排扰线均电连接到电缆12602中的至少一个屏蔽膜，且优选地两个屏蔽膜。所述同轴导体组连接到端接元件12626，一个双芯同轴导体组连接到端接元件12624，并且另一个双芯同轴导体组连接到端接元件12622，并且所有三个导体组均连接到在电缆的第一末端处的端接元件12620。所有八条排扰线均可连接到在电缆的第二末端处的端接元件，即，排扰线12612a、12612b和12612c可连接到端接元件12626上的适当导电路径，并且排扰线12612d和12612e可连接到端接元件12624上的适当导电路径，并且排扰线12612f和12612g可连接到端接元件12622上的适当导电路径。然而，有利的是，可使少于所有八条排扰线的排扰线连接至在电缆的第一末端处的端接元件12620。在该图中，仅排扰线12612a和12612h被示出为连接至元件12620上的适当导电路径。通过省略排扰线12612b-g与端接元件12620之间的端接连接，组件12601的制造得以简化且流线化。又如，举例而言，排扰线12612d和12612e将导电路径充分地连接至接地电位(或另一所需电位)，即使该两者均不物理地连接至端接元件12620也是这样。关于上文论述的参数nl、n2、ml和m2,电缆组件12601满足nl=2、n2=8、ml=l及m2=30图33a_b中示出另一个扇出屏蔽电缆组件12701。组件12701包括在第一末端处连接到端接元件12720并且在第二末端(其分裂成三个分离的扇出部分)处连接到端接元件12722、12724、12726的屏蔽带状电缆12702。如在沿着图33a的线33b_33b截取的图33b的剖视图中最佳地看到，电缆12702包括具有绝缘导体的三个导体组(一个同轴类型和两个双芯同轴类型)和八条排扰线12712a-h。所述八条排扰线全部电连接到电缆12702中的至少一个屏蔽膜，且优选地两个屏蔽膜。所述同轴导体组连接到端接元件12726，一个双芯同轴导体组连接到端接元件12724，并且另一个双芯同轴导体组连接到端接元件12722，并且所有三个导体组均连接到在电缆的第一末端处的端接元件12720。所述排扰线中的六条可连接到在电缆的第二末端处的端接元件，即，排扰线12712b和12712c可连接到端接元件12726上的适当导电路径，并且排扰线12712d和12712e可连接到端接元件2724上的适当导电路径，并且排扰线12712f和12712g可连接到端接元件12722上的适当导电路径。这六条排扰线均不连接至在电缆的第一末端上的端接元件12720。在电缆的第一末端处，其他两条排扰线(即，排扰线12712a和12712h)连接到元件2720上的适当导电路径。通过省略排扰线12712b-g与端接元件12720之间、排扰线12712a与端接元件2726之间、以及排扰线12712h与端接元件12722之间的端接连接，组件12701的制造得以简化且流线化。关于上文论述的参数nl、n2、ml和m2,电缆组件12701满足nl=2、n2=6、ml=l及m2=3。多个其他实施例是可能的，但一般而言，利用电缆的屏蔽件来将两个分离的接地连接(导体)连接在一起以确保接地完成且至少一个接地连接至在电缆的每个末端处的每个端接位置(以及针对扇出电缆为两个以上接地)可为有利的。这意味着无需使每条排扰线连接至每个端接点。如果在任何末端处连接不止一条排扰线，则该连接为冗余的且较不倾 向于出现故障。我们现在提供有关可采用混合导体组(例如，适合于高速数据传输的导体组和适合于电力传输或低速数据传输的另一个导体组)的屏蔽带状电缆的另外细节。适合于电力传输或低速数据传输的导体组可被称作边带。用于高速信号传输的一些互连和已定义标准允许高速信号传输(如通过双芯同轴或同轴线布置提供)和低速或电力导体两者，它们二者均需要在导体上存在绝缘材料。该标准的实例为SAS标准，其定义了高速对和包括在其微型SAS 4i互连方案中的“边带”。虽然SAS标准指示边带使用在其范围之外并且为制造商特定的，但常见边带使用为SGPIO (串行通用输入输出)总线，如行业规范SFF-8485中所描述。SGPIO具有的时钟频率仅为100kHz，并且不需要高性能的屏蔽线。因此，本节集中于经特制以传输高速信号和低速信号(或电力输送)两者的电缆的方面，包括电缆构型、至线性接触阵列的端接以及端接元件(如双切换卡)构型。一般来讲，本文中其他地方论述的屏蔽带状电缆可经稍微修改而使用。具体而言，除了适用于高速数据传输的导体组以及也可包括的排扰线/接地线之外，本发明所公开的屏蔽电缆还可经修改以将适用于低速信号传输而非高速信号传输的绝缘线包括于构造中。因此，屏蔽电缆可包括传输数据速率显著不同的信号的至少两组绝缘线。当然，在电力导体的情况下，线不具有数据速率。我们还公开了用于组合式高速/低速屏蔽电缆的端接元件，其中用于低速导体的导电路径被重新路由于端接元件的相对两端之间，如，端接末端和连接器配对末端之间。换句话说，屏蔽电缆可包括多个导体组和第一屏蔽膜。所述多个导体组可以沿着电缆的长度延伸，并且沿着电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体。第一屏蔽膜可包括覆盖部分和压紧部分，其被布置为使得覆盖部分覆盖导体组，并且压紧部分设置在每一个导体组每一侧上的电缆的压紧部分处。所述多个导体组可包括适合于高速数据传输的一个或多个第一导体组以及适合于电力传输或低速数据传输的一个或多个第二导体组。
电缆还可以包括设置在电缆的相对于第一屏蔽膜的相对侧上的第二屏蔽膜。电缆可以包括与第一屏蔽膜电接触、并还沿着电缆的长度延伸的第一排扰线。一个或多个第一导体组可包括具有多个中心至中心间距为σ I的第一绝缘导体的第一导体组，并且一个或多个第二导体组可包括具有多个中心至中心间距为σ 2的第二绝缘导体的第二导体组，并且σ I可以大于0 2。当电缆平放时，一个或多个第一导体组的绝缘导体可全部布置在单个平面内。此外，当电缆平放时，一个或多个第二导体组可包括具有多个以堆叠方式排列的绝缘导体的第二导体组。一个或多个第一导体组可适合于至少IGbps (S卩，约O. 5GHz)、最多至如25Gbps (约12. 5GHz)或更高的最大数据传输速率，或例如至少IGHz的最大信号频率，并且一个或多个第二导体组可适合于例如小于IGbps (约O. 5GHz)或小于O. 5Gbps (约250MHz)的最大数据传输速率，或例如小于IGHz或O. 5GHz的最大信号频率。一个或多个第一导体组可适合于至少3Gbps (约I. 5GHz)的最大数据传输速率。此类电缆可以与设置在电缆的第一末端处的第一端接元件结合。第一端接元件可以包括基板和基板上的多条导电路径，所述多条导电路径具有布置在第一端接元件的第一末端上的各自的第一端接垫。第一导体组和第二导体组的屏蔽导体可以用有序布置方式在第一端接元件的第一末端处连接至第一端接垫的各自部件，该布置方式与电缆中屏蔽导体的布置方式匹配。多条导电路径可具有布置在第一端接元件的第二末端上的各自的第二端接垫，所述第二端接垫与第一末端上的第一端接垫的布置方式不同。适合于电力传输和/或低速数据传输的导体组可包括未必需要彼此屏蔽、未必需要相关联的接地线或排扰线、并且可无需具有指定阻抗的绝缘导体组或单独的绝缘导体。将所述导体组一起并入具有高速信号对的电缆中的有益效果在于它们可在一个步骤中对准和端接。这与常规电缆不同，常规电缆需要处置若干线组而不与(例如)双切换卡自动对准。正如混合信号线电缆本身，用于低速信号和高速信号两者的同时剥离和端接过程(至单个双切换卡上的线性阵列或线性接触点阵列)是特别有利的。图33c_f是可整合混合信号线特征的示例性屏蔽电缆12802a、12802b、12802c和12802d的正面剖视图。所述实施例中的每一者优选地包括如本文中别处所论述的具有合适覆盖部分和压紧部分的两个相对的屏蔽膜，以及分组成适合于高速数据传输的导体组(参见导体组12804a)的一些屏蔽导体，以及分组成适合于低速数据传输或电力传输的导体组(参见导体组12804b、12804c)的一些屏蔽导体。每个实施例还优选地包括一条或多条排扰线12812。将高速导体组12804a示出为双芯同轴对，但如本文中别处所论述，其他构型也是可能的。将较低速绝缘导体示出为比高速绝缘导体小(具有较小的直径或横向尺寸)，这是因为较低速绝缘导体可无需具有受控的阻抗。在可供选择的实施例中，与同一电缆中的高速导体相比，在低速导体周围具有较大的绝缘材料厚度可为必要的或有利的。然而，由于空间通常非常珍贵，故通常需要使绝缘材料厚度尽可能小。还注意到，与给定电缆中的高速线相比，低速线的线规和镀层可以是不同的。在图33c-f中，高速和低速绝缘导体全部布置在单个平面内。在此类构型中，将多个低速绝缘导体一起分组于单个组中(如导体组12804b中)以维持尽可能小的电缆宽度可为有利的。当将低速绝缘导体分组时，无需为了使电缆保持基本上平坦的构型而将导体设置在完全相同的几何平面内。举例而言，图33g的屏蔽电缆12902利用一起堆叠在紧凑空间内 的低速绝缘导体以形成导体组12904b，电缆12902还包括高速导体组12904a和12904c。以此方式堆叠低速绝缘导体有助于提供紧凑和狭窄的电缆宽度，但可能不提供在批量端接后使导体以有序线性方式排列(用于与接端接元件上的线性接触点阵列配对)的优势。如所示出，电缆12902还包括相对的屏蔽膜12908和排扰线12912。在涉及不同数量的低速绝缘导体的可供选择的实施例中，也可使用低速绝缘导体的堆叠布置，例如图33h的组12904d-h中所示出。混合信号线屏蔽电缆的另一个方面涉及与电缆一起使用的端接元件。具体地讲，端接元件基板上的导体路径可被构造为将低速信号从端接元件的一个末端(如，电缆的端接末端)上的一种布置重新路由至该元件的相对末端(如，用于连接器的配对末端)上的不同布置。例如，该不同布置可包括在一个末端上的相对于端接元件的另一个末端的接·触点或导体路径的不同顺序。该元件的端接末端上的布置可受到控制，以匹配电缆中的导体的顺序或布置，而该元件的相对末端上的布置可受到控制，以匹配与电缆的布置不同的电路板或连接器布置。重新路由可以通过利用任何合适的技术而实现，包括在示例性实施例中使用与多层电路板构造结合的一条或多条通路以使给定的导电路径从印刷电路板中的第一层过渡到至少第二层，并随后任选地过渡回到第一层。一些实例在图34a和34b的俯视图中示出。在图34a中，电缆组件13001a包括连接到端接元件13020 (例如双切换卡或电路板)的屏蔽电缆13002，端接元件13020具有基板以及在其上形成的导电路径(包括如接触垫)。电缆13002包括适合于高速数据通信的导体组13004a(如，呈双芯同轴对的形式)。电缆13002还包括边带，该边带包括适合于低速数据传输和/或电力传输的导体组13004b，在该实施例中导体组13004b具有四个绝缘导体。在电缆13002已被批量端接之后，各种导体组的导体的导体末端在元件的第一末端31020a处连接(如，通过焊接)到端接元件13020上的导电路径的对应末端(如，接触垫)。将对应于电缆的边带的导电路径的接触垫或其他末端标记为13019a、13019b、13019c、13019d，并且它们以从端接元件13020的顶部至底部的顺序布置(虽然与高速导体相关联的其他接触垫在第一末端13020a上存在于边带接触垫的上方和下方)。在图中仅示意性地示出的用于边带接触垫13019a-d的导电路径按需要利用元件13020的通路和/或其他图案化层来将接触垫13019a连接到元件的第二末端13020b上的接触垫13021a，并且将接触垫13019b连接到元件的第二末端13020b上的接触垫13021b，并且将接触垫13019c连接到元件的第二末端13020b上的接触垫13021c，并且将接触垫13019d连接到元件的第二末端13020b上的接触垫13021d。通过这种方式，端接元件上的导体路径被构造为将来自导体组13004b的低速信号从端接元件的一个末端13020a上的一种布置(a-b-c-d)重新路由至该元件的相对末端13020b上的不同布置(d-a-c-b)。图34b示出了可供选择的电缆组件13001b的俯视图，并且类似的附图标号用于识别相同或类似的部分。在图34b中，电缆13002被批量端接并连接到在设计上类似于图34a的端接元件13020的端接元件13022。与元件13020类似，元件13022包括对应于电缆13002的边带的导电路径的接触垫或其他末端，将所述接触垫标记为13023a、13023b、13023c、13023d，并且它们以从端接元件13022的顶部至底部的顺序布置(虽然与电缆的高速导体相关联的其他接触垫在元件13022的第一末端13022a上存在于边带接触垫的上方和下方)。再次在该图中仅示意性地示出用于边带接触垫13023a-d的导电路径。它们按需要利用元件13022的通路和/或其他图案化层来将接触垫13023a连接到元件的第二末端13022b上的接触垫13025a，并且将接触垫13023b连接到元件的第二末端13022b上的接触垫13025b，并且将接触垫13023c连接到元件的第二末端13022b上的接触垫13025c，并且将接触垫13023d连接到元件的第二末端13022b上的接触垫13025d。通过这种方式，端接元件上的导体路径被构造为将来自导体组3004b的低速信号从端接元件的一个末端13022a上的一种布置(a-b-c-d)重新路由至该元件的相对末端13022b上的不同布置(a-c-b_d)。图34a和34b的电缆组件彼此类似，在两种情况下，端接元件跨越用于其他低速信号的其他导电路径而非跨越用于高速信号的任何导电路径来物理地重新路由用于低速信号的导电路径。就这一点而言，为了维持高品质的高速信号，跨越高速信号路径路由低速信号通常不是所期望的。然而，在一些情形中，在具有适当屏蔽(如，多层电路板和充分屏蔽层)的情况下，可以如图34c中示出的高速信号路径中的有限信号降级为代价来实现这一结果。在那里，已批量端接的屏蔽电缆13102连接到端接元件13120。电缆13102包括适合于高速数据通信的导体组13104a (如，呈双芯同轴对的形式)。电缆13102还包括边带，该边带包括适合于低速数据传输和/或电力传输的导体组13104b，在该实施例中导体组 13004b具有一个绝缘导体。在电缆13102已被批量端接之后，各种导体组的导体的导体末端在元件的第一末端13120a处连接(如，通过焊接)到端接元件13120上的导电路径的对应末端(如，接触垫)。将与对应于电缆的边带的导电路径的接触垫或其他末端标记为13119a，并且其经布置为紧接在用于导体组13104a的中间者的接触垫上方(从图34c的角度)。在该图中仅示意性地示出的用于边带接触垫13119a的导电路径按需要利用元件13120的通路和/或其他图案化层来将接触垫13119a连接到元件的第二末端13120b上的接触垫13121a。通过这种方式，端接元件上的导体路径被构造为将来自导体组13104b的低速信号从端接元件的一个末端13120a上的一种布置(紧接在导体组13104a的中间者的上方)重新路由至该元件的相对末端13120b上的不同布置(紧接在用于导体组13104a的中间者的接触垫下方)。制造了具有图33c中的电缆12802a的一般设计的混合信号线屏蔽电缆。如图33c中所示，该电缆包括四个高速双芯同轴导体组和设置在该电缆中间的一个低速导体组。将30线规(AWG)的镀银线用于双芯同轴导体组中的高速信号线、并将30线规(AWG)的镀锡线用于低速导体组中的低速信号线，以此来制造该电缆。用于高速线的绝缘材料的外径(OD)为约O. 028英寸，并且用于低速线的绝缘材料的OD为约O. 022英寸。如图33c中所示出，沿着电缆的每个边缘还包括排扰线。批量剥离该电缆，并且将各个线末端焊接至微型SAS相容双切换卡上的对应接触点。在该实施例中，将双切换卡上的所有导电路径从双切换卡的电缆末端路由至相对(连接器)末端而不彼此相交，使得接触垫构型在双切换卡的两个末端上为相同的。在图34d中示出所得的端接电缆组件的照片。现在参见图35a和35b，其分别以透视图和剖视图示出了根据本发明的示例性实施例的电缆构造。一般来讲，带状电缆20102包括一个或多个导体组20104。每一个导体组20104包括两个或更多个沿着电缆20102的长度从一端延伸至另一端的导体(如，线)20106。每个导体20106沿着电缆的长度被第一电介质20108包围。导体20106固定到第一膜20110和第二膜20112上，其中第一膜和第二膜从电缆20102的一端延伸至另一端并设置在电缆20102的相对侧上。沿着电缆20102的长度在每一个导体组20104的导体106的第一电介质20108之间保持一致的间距20114。第二电介质20116设置在间距20114内。电介质20116可以包括气隙/空隙和/或某些其他材料。可以使导体组20104的构件之间的间距20114足够一致，使得电缆20102具有与标准包裹双芯同轴电缆相同或比标准包裹双芯同轴电缆更佳的电特性，以及更易于端接并具有更好的端接信号完整性。膜20110、20112可以包括屏蔽材料，例如金属箔，并且膜20110、20112可以适形地成形基本上为围绕导体组20104。在示出的实例中，膜20110、20112被压紧在一起以形成沿着导体组20104外侧和/或之间的电缆20102的纵长方向延伸的平坦部分20118。在平坦部分29118中，膜20110、20112基本上围绕导体组20104，如，围绕导体组20104的周边，除了膜20110、20112彼此连接的(如，绝缘体和/或粘合剂的)小层部分。例如，屏蔽膜的覆盖部分可以总共包围任何指定的导体组的周边的至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。虽然此处(和本文其他地方)示出的膜20110、20112可为单独块的膜，但本领域的技术人员将会知道，膜20110、20112也可以替代地由单一薄片的膜形成，如，在纵向路径/线路周围折叠，以便包围导体组20104。电缆20102还可以包括另外的结构，例如一条或多条排扰线20120。排扰线20120 可以沿着电缆20102的长度连续地或在离散的位置处电连接到屏蔽膜20110、20112。通常排扰线20102在电缆的一端或两端处提供使屏蔽材料电端接(如，接地)的便利接入。排扰线20120还可以被构造用于在膜20110、20112之间提供一定程度的直流耦合，如，在膜20110、20112均包括屏蔽材料的情况下。现在参见图35a_e，这些剖面图示出了多种替代电缆构造布置方式，其中相同的附图标号可以用于表示其他图中类似的元件。在图35c中，电缆20202可以具有与图35a-b中所示类似的构造，然而，只有一个膜20110适形地成形于导体组周围，以形成压紧/平坦部分20204。另一个膜20112在电缆20202的一侧上是基本上平坦的。该电缆20202 (以及图35d-e中的电缆20212和20222)使用间隙20114中的空气作为第一电介质20108之间的第二电介质，因此第一电介质20108相靠近的最接近点之间没有示出明确的第二电介质材料20116。另外，在这些替代布置方式中，没有示出排扰线，但如本文其他地方所述，它们可适于包括排扰线。在图35d和35e中，电缆布置方式20212和20222可以具有与此前所述类似的构造，但此处的两个膜均被构造为沿着电缆20212、20222的外表面基本上平坦。在电缆20212中，导体组20104之间具有空隙/间隙20214。如本文所述，这些间隙20214比导体组20104的构件之间的间隙114大，但该电缆构型不一定受到这样的限制。除了该间隙20214，图35e的电缆20222还包括设置在导体组20104之间的间隙20214中和/或设置在导体组20104外侧(如导体组20104与电缆的纵向边缘之间)的支承件/隔离物20224。支承件20224可以固定连接(如粘合)到膜20110、20112，并帮助提供结构硬度和/或调整电缆20222的电性能。支承件20224可以根据需要包括电介质、绝缘和/或屏蔽材料的任何组合，以便调节电缆20222的机械和电性能。支承件20224在此处示出为具有圆形横截面，但也可以被构造为具有替代横截面形状，例如椭圆形和矩形。支承件20224可以单独形成，然后在电缆建造期间与导体组104—起铺设。在其他变型形式中，可以将支承件20224作为膜110、112的一部分形成和/或以液体形式(如，热熔胶)与电缆20222 —起装配。上文所述的电缆构造20102、20202、20212、20222可以包括未示出的其他结构。例如，除了信号线、排扰线和地线，电缆还可以包括一条或多条另外的绝缘线，有时称为边带。边带可以用于传输电力或任何其他所关注的信号。边带线(以及排扰线)可以包封在膜110、20112内和/或可以设置在膜20110、20112的外侧，如，夹在膜与另外的材料层之间。上文所述的变型形式可以根据所得电缆的所需成本、信号完整性和机械性能使用材料和物理构型的多种组合。一个考虑因素是设置在导体组20104之间的间隙20114中的第二电介质材料20116的选择。在导体组包括差分对，一条为地线、一条为信号线和/或携带两种干扰信号的情况下，该第二电介质可能尤其需要关注。例如，将气隙20114用作第二电介质可以导致低介电常数和低损耗。使用气隙20114还可以具有其他优点，如低成本、低重量以及增强的电缆柔韧性。然而，可能需要精细加工，以确保形成气隙20114的导体间距沿着电缆长度保持一致。现在参见图35f，导体组104的剖视图标识了保持导体20106之间恒定的介电常数所要关注的参数。一般来讲，导体组20104的介电常数可能对导体组20104的导体相靠近 的最接近点之间的电介质材料很敏感，在此处用尺寸20300表示。因此，可以通过使电介质20108的厚度20302保持一致并使间隙20114 (可以是气隙或填充有另一种电介质材料，例如图35a中所示的电介质20116)的尺寸保持一致来保持恒定的介电常数。为了确保电性能沿着电缆的长度保持一致，可能有利的是严格控制导体20106和导电膜20110、20112的涂层的几何形状。对于电线涂层而言，这可以涉及在导体20106(如实心线)上精确涂覆均匀厚度的绝缘体/电介质材料20108以及确保导体20106在涂层20108内完全居中。可以根据电缆所需的具体特性增大或减小涂层20108的厚度。在某些情况下，没有涂层的导体可以提供最佳性能(如，介电常数、更易于端接和几何形状控制)，但对于某些应用而言，行业标准要求使用最小厚度的内层绝缘。涂层20108也可以是有益的，因为与裸线相比，它能够更好地粘合到电介质基板材料20110、20112。无论如何，上文所述的多个实施例还可以包括没有绝缘厚度的构造。可以用与装配电缆不同的方法/机械在导体20106上形成/涂覆电介质20108。因此，在最终的电缆组件中，严格控制间隙20114 (如，电介质20108相靠近的最接近点)的尺寸变化可能是确保保持恒定介电常数所主要关心的问题。取决于使用的组装方法和设备，可通过控制导体20106之间的中心线距离304 (如间距)得到类似的结果。该一致性可以取决于保持导体106的外径尺寸20306的严格程度，以及电介质厚度20302在各处的一致性(如，导体20106在电介质20108内的同心度)。然而，因为在导体20106的最靠近区域处介电效应最强，所以如果可至少在接近相邻电介质20108的最靠近区域处控制厚度20302，那么通过集中控制间隙尺寸20114可以在最终的组件中获得一致的结果。构造的信号完整性(如，阻抗和偏差)可不仅取决于信号导体20106相对于彼此设置的精确性/ 一致性，而且取决于导体106相对于接地层设置的精确性。如图35f所示，膜20110和20112包括各自的屏蔽层和电介质层20308、20310。在这种情况下，屏蔽层20308可以充当接地层，因此严格地控制沿着电缆长度的尺寸20312可以是有利的。在该实例中，所示尺寸20312相对于顶部膜20110和底部膜20112是相同的，但在某些布置方式(如，膜20110、20112使用不同的电介质20310厚度/常数，或膜20110、20112中的一者没有电介质层20310)中这些距离可以是不对称的。制备如图35f所示电缆的一个挑战可能是，当将绝缘导体20106、20108附接到导电膜20110、20112时，要严格控制距离20312 (和/或等效的导体与接地层距离)。现在参见图35g-h，这些框图示出了根据本发明实施例在制造过程中如何使导体与接地层距离保持一致的实例。在该实例中，膜(以举例的方式，它被称为膜20112)包括屏蔽层20308和电介质层20310，如此前所述。为了有助于确保一致的导体与接地层距离(如，图35h中所见的距离20312)，膜20112将多层涂布膜用作基底(如，层20308和20310)。将一种已知且受控厚度的可变形材料20320 (如，热熔粘合剂)设置在可变形程度较小的膜基底20308、20310上。当将绝缘线20106,20108压入表面中时，可变形材料20320发生变形，直到线20106、20108被下压至由可变形材料20320的厚度控制的深度，如图35h所示。材料20320、20310、20308的实例可以包括设置在聚酯背衬20308或20310上的热熔体20320，其中层20308、20310中的另一者包括屏蔽材料。作为另外一种选择或除此之外，可以用工具部件将绝缘线20106、20108压至膜20112内受控深度。在上文所述的一些实施例中，在导体的中间平面处，绝缘导体20106、20108之间存在气隙20114。这可以用于多种终端应用，包括差分线对之间、地线与信号线之间(GS)和 /或受干扰对象与干扰源信号线之间。接地导体与信号导体之间的气隙20114可以具有与就差分线所述类似的有益效果，如，更薄的构造和更低的介电常数。对于差分对的两条线而言，气隙20114可以将线分开，这导致较少的耦合，从而使构造比没有间隙时更薄(提供更大的柔韧性、更低的成本和更小的串扰)。另外，因为在差分对导体相靠近的最接近线处，差分对导体之间存在高场，所以该位置的较低电容有助于构造具有有效的介电常数。现在参见图36a，图20400示出了根据本发明实施例的构造的分析。在图36b中，框图包括根据本发明实例的导体组的几何特征，讨论图36a时将参考该特征。一般来讲，图20400示出了用不同电缆间距20304、绝缘/电介质厚度20302和电缆厚度20402 (后者可除去外部屏蔽层20308的厚度)获得的不同介电常数。该分析假定26AWG的差分对导体组20104、100欧姆的阻抗，以及用于绝缘体/电介质20108和电介质层20310的实心聚烯烃。点20404和20406为用8密耳厚绝缘体在分别为56和40密耳的厚度20302下获得的结果。点20408和20410为用I密耳厚绝缘体在分别为48和38密耳的厚度20302下获得的结果。点20412为用4. 5密耳厚绝缘体在42密耳厚度20302下获得的结果。从图20400中可以看出，线周围的绝缘体较薄往往会降低有效介电常数。如果绝缘体非常薄，那么由于线之间的高场，较密的间距往往会降低介电常数。然而，如果绝缘体较厚，较大的间距会在线周围提供更多的空气，并且会降低有效介电常数。对于会互相干扰的两条信号线而言，气隙是限制它们之间的电容串扰的有效结构。如果气隙足够，信号线之间可以不需要地线，这可以节省成本。可以通过在绝缘导体之间加入气隙来降低图20400中所示的介电损耗和介电常数。图400显示，由于这些间隙而导致的降低程度与在线周围使用泡沫绝缘体的常规构造所达到的降低程度处于相同数量级(如聚烯烃材料为I. 6-1. 8)。也可以将泡沫内层绝缘体20108与本文所述的构造结合使用，从而得到甚至更低的介电常数和更低的介电损耗。另夕卜，背衬电介质20310可以部分地或全部为泡沫。使用设计的气隙20114而不是泡沫的潜在有益效果是，沿着导体20106或不同导体20106之间的泡沫可能是不一致的，这会导致介电常数变动和传播延迟，从而使偏差和阻抗变化增大。通过使用实心绝缘体20108和精确间隙20114，有效介电常数可更易于控制，并且又使包括阻抗、偏差、衰减损耗、插入损耗等在内的电性能保持一致。图36g_37e的剖视图可以代表多种屏蔽电缆或电缆的部分。参见图36g，屏蔽电缆21402c具有单个导体组21404c，该导体组具有两个被电介质间隙20114c分开的绝缘导体21406c。如果需要，可以将电缆21402c制成包括多个在电缆21402c的整个宽度上间隔开并沿着电缆的长度延伸的导体组21404c。绝缘导体21406c大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴构型。图36g的双轴电缆构型可以用于差分对电路布置方式或单端电路布置方式。两个屏蔽膜21408c设置在导体组21404c的相对侧上。电缆21402c包括覆盖区域21414c和压紧区域21418c。在电缆20102c的覆盖区域21414c中，屏蔽膜21408c包括覆盖导体组21404c的覆盖部分21407c。在横截面中，覆盖部分21407c组合起来基本上围绕导体组21404c。在电缆21402c的压紧区域21418c中，屏蔽膜21408c包括在导体组21404c每一侧上的压紧部分21409c。 任选的粘合剂层21410c可以设置在屏蔽膜21408c之间。屏蔽电缆21402c还包括类似于接地导体21412的任选的接地导体21412c，其可以包括地线或排扰线。接地导体21412c与绝缘导体21406c间隔开，并且以与绝缘导体基本上相同的方向延伸。导体组21404c和接地导体21412c可以被布置成使得它们大致位于平面内。如图36g的剖视图所示，屏蔽膜21408c的覆盖部分21407c之间具有最大间距D ；屏蔽膜21408c的压紧部分21409c之间具有最小间距dl ;并且绝缘导体21406c之间的屏蔽膜21408c之间具有最小间距d2。在图36g中，示出的粘合剂层21410c设置在电缆20102c的压紧区域21418c中的屏蔽膜21408c的压紧部分21409c之间，并设置在电缆21402c的覆盖区域21414c中的屏蔽膜21408c的覆盖部分21407c与绝缘导体21406c之间。在该布置方式中，粘合剂层21410c将电缆的21402c的压紧区域21418c中的屏蔽膜21408c的压紧部分21409c粘合在一起，并且还在电缆21402c的覆盖区域21414c中将屏蔽膜21408c的覆盖部分21407c粘合到绝缘导体21406c。图36h的屏蔽电缆21402d与图36g的电缆21402c类似，其中类似的元件用类似的附图标号标记，不同的是在电缆21402d中，任选的粘合剂层21410d不存在于电缆的覆盖区域21414c中的屏蔽膜21408c的覆盖部分21407c与绝缘导体21406c之间。在该布置方式中，粘合剂层21410d将电缆的压紧区域21418c中的屏蔽膜21408c的压紧部分21409c粘合在一起，但不在电缆21402d的覆盖区域21414c中将屏蔽膜21408c的覆盖部分21407c粘合到绝缘导体1406c。现在参见图37a，我们看到屏蔽电缆21402e的横截面图在多个方面都与图36g的屏蔽电缆21402c类似。电缆21402e包括单个导体组21404e，其具有两个被沿着电缆21402e的长度延伸的电介质间隙20114e分开的绝缘导体21406e。可以将电缆21402e制成具有多个在电缆21402e的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆21402e的长度延伸的导体组21404e。绝缘导体21406e被有效地布置成双绞式电缆布置方式，从而使绝缘导体21406e互相扭绞并沿着电缆21402e的长度延伸。在图37b中，示出的另一个屏蔽电缆21402f也在多个方面类似于图36g的屏蔽电缆21402c。电缆21402f包括单个导体组21404f，该导体组具有四个沿着电缆21402f的长度延伸的绝缘导体21406f，其中相对的导体被间隙20114f分开。可以将电缆21402f制成具有多个在电缆21402f的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆21402f的长度延伸的导体组21404f。绝缘导体1406f被有效地布置成四芯电缆布置方式，这样当绝缘导体1406f沿着电缆21402f的长度延伸时，绝缘导体21406f可以互相扭绞，也可以不互相扭绞。屏蔽电缆的其他实施例可以包括大致布置在单个平面内的多个间隔开的导体组21404、21404e或21404f，或者它们的组合。任选地，屏蔽电缆可以包括多个接地导体21412，所述多个接地导体与导体组的绝缘导体间隔开并且大致在与导体组的绝缘导体相同的方向上延伸。在某些构型中，导体组和接地导体可以大致布置在单个平面内。图37c示出此类屏蔽电缆的示例性实施例。参见图37c，屏蔽电缆20102g包括大致布置在平面内的多个间隔开的导体组 21404、21404g。导体组21404g包括单个绝缘导体，但另外也可以类似于导体组21404的形式形成。屏蔽电缆21402g还包括设置在导体组21404、21404g之间并且位于屏蔽电缆21402g的两侧或边缘处的任选的接地导体21412。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜21408设置在电缆21402g的相对侧上，并且被布置为使得在横截面中，电缆21402g包括覆盖区域21424和压紧区域21428。在电缆的覆盖区域21424中，在横截面中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜21408的覆盖部分21417基本上围绕每一个导体组21404、21404g。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜21408的压紧部分21419在每一个导体组21404g的两侧上形成压紧区域21428。屏蔽膜21408围绕接地导体21412设置。任选的粘合剂层21410设置在屏蔽膜21408之间并且在每一个导体组21404、21404c两侧上的压紧区域21428中将屏蔽膜21408的压紧部分21419彼此粘合。屏蔽电缆21402g包括同轴电缆布置方式(导体组21404g)和双轴电缆布置方式(导体组21404)的组合，并且因此可以被称为混合电缆布置方式。可以将一个、两个或更多个屏蔽电缆端接到端接元件，如印刷电路板、双切换卡等。因为绝缘导体和接地导体可以大致布置在单个平面内，所以本发明所公开的屏蔽电缆能很好地适于整体剥离(即，从绝缘导体上同时剥离屏蔽膜和绝缘体)和批量端接(即，同时端接绝缘导体和接地导体的已剥离端)，这使得能够进行更加自动化的电缆组装过程。这是本发明所公开的屏蔽电缆中的至少一些屏蔽电缆的优点。例如，绝缘导体和接地导体的已剥离端可以(例如)被端接到接触导电路径或印刷电路板上的其他元件。在其他情况下，绝缘导体和接地导体的已剥离端可以被端接到任何合适的端接装置的任何合适的单个接触元件，例如，电连接器的电触点。在图38a_38d中，示出了将屏蔽电缆21502端接到印刷电路板或其他端接元件21514的示例性端接方法。该端接方法可以是批量端接方法，并且包括剥离(在图38a-38b中示出)、对齐(在图38c中示出)和端接(在图38d中示出)这些步骤。当形成可以通常采用本文所示和/或所述的任何电缆形式的屏蔽电缆21502时，屏蔽电缆21502的导体组21504、21504a (后者具有电介质间隙21520)、绝缘导体21506和接地导体21512的布置方式可以与印刷电路板21514上的接触元件1516的布置方式匹配，这可以消除对齐或端接过程中屏蔽电缆21502的端部的任何显著操作。在图38a所示的步骤中，移除屏蔽膜21508的端部21508a。可以使用任何合适的方法，例如机械剥离或激光剥离。该步骤使绝缘导体21506和接地导体21512的端部暴露。在一个方面，整体剥离屏蔽膜21508的端部21508a是可能的，这是因为它们形成了与绝缘导体21506的绝缘体分离的整体连接层。从绝缘导体21506移除屏蔽膜21508可以防止这些位置出现电短路，并且也能够独立地移动绝缘导体1506和接地导体21512的暴露端部。在图38b所示的步骤中，移除绝缘导体21506的绝缘体的端部21506a。可以使用任何合适的方法，例如机械剥离或激光剥离。该步骤使绝缘导体21506的导体的端部暴露。在图38c所示的步骤中，将屏蔽电缆21502与印刷电路板21514对齐，使得屏蔽电缆21502的绝缘导体21506的导体的端部和接地导体21512的端部与印刷电路板21514上的接触元件21516对齐。在图38d所示的步骤中，屏蔽电缆21502的绝缘导体21506的导体的端部和接地导体21512的端部被端接到印刷电路板21514上的接触元件21516。举例来说，可使用的合适的端接方法的实例包括软焊、焊接、卷曲、机械夹持和粘合性粘合。图39a_39c为三个示例性屏蔽电缆的剖视图，示出了屏蔽电缆中的接地导体的布置方式的实例。屏蔽电缆的一个方面是屏蔽件的正确接地，此类接地可以用多种方法实现。
在一些情况下，给定接地导体可以与屏蔽膜中的至少一个电接触，使得将给定接地导体接地也可以使一个或多个屏蔽膜接地。此类接地导体也可以被称为“排扰线”。屏蔽膜与接地导体之间的电接触的特征可在于相对较低的直流电阻，如，小于10Ω、或小于2Ω或基本上为0Ω的直流电阻。在一些情况下，给定接地导体可以不与屏蔽膜电接触，但可以是电缆构造中的单独元件，它独立地端接到任何合适的端接元件的任何合适的单独的接触元件，例如印刷电路板、背板或其他装置的导电路径或其他接触元件。此类接地导体也可以称为“地线”。图39a示出了示例性的屏蔽电缆，其中接地导体设置在屏蔽膜的外部。图39b和图39c示出了这样的实施例，其中接地导体设置在屏蔽膜之间，并可以包含在导体组中。可以将一个或多个接地导体设置在屏蔽膜的外部、屏蔽膜之间或这二者的组合的任何合适的位置中。参见图39a，屏蔽电缆21602a包括沿着电缆21602a的长度延伸的单个导体组21604a。导体组21604a具有两个被电介质间隙21630分开的绝缘导体21606，即一对绝缘导体。可以将电缆21602a制成具有多个在电缆的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆的长度延伸的导体组21604a。设置在电缆相对侧上的两个屏蔽膜21608a包括覆盖部分21607a。在横截面中，覆盖部分21607a组合起来基本上围绕导体组21604a。任选的粘合剂层21610a设置在屏蔽膜21608a的压紧部分21609a之间，并且使屏蔽膜21608a在导体组21604a的两侧上彼此粘合。绝缘导体21606大致布置在单个平面内并有效地布置成双轴电缆构型，其可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽电缆21602a还包括多个设置在屏蔽膜21608a外部的接地导体21612。接地导体21612被设置在导体组21604a之上、之下和两侧上。任选地，电缆21602a包括围绕屏蔽膜21608a和接地导体21612的保护膜21620。保护膜21620包括保护层21621和将保护层21621粘合到屏蔽膜21608a和接地导体21612的粘合剂层21622。或者，可以使用外部导电屏蔽件(例如，导电编织物)和外部绝缘护套(未示出)围绕屏蔽膜21608a和接地导体21612。参见图39b，屏蔽电缆21602b包括沿着电缆21602b的长度延伸的单个导体组21604b。导体组21604b具有两个被电介质间隙21630分开的绝缘导体21606，即一对绝缘导体。可以将电缆21602b制成具有多个在电缆的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆的长度延伸的导体组21604b。两个屏蔽膜21608b设置在电缆21602b的相对侧上并且包括覆盖部分21607b。在横截面中，覆盖部分21607b组合起来基本上围绕导体组21604b。任选的粘合剂层21610b设置在屏蔽膜21608b的压紧部分21609b之间，并使屏蔽膜在导体组的两侧上彼此粘合。绝缘导体21606大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆21602b还包括设置在屏蔽膜vl608b之间的多个接地导体21612。接体导体21612中的两个被包括在导体组21604b中，并且接地导体21612中的两个与导体组21604b间隔开。参见图39c，屏蔽电缆21602c包括沿着电缆21602c的长度延伸的单个导体组21604c。导体组21604c具有两个被电介质间隙21630分开的绝缘导体21606，即一对绝缘导体。可以将电缆21602c制成具有多个在电缆的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆的长度延伸的导体组21604c。两个屏蔽膜21608c设置在电缆21602c的相对侧上并且包括覆盖部分21607c。在横截面中，覆盖部分21607c组合起来基本上围绕导体组21604c。任选的粘合剂层21610c设置在屏蔽膜21608c的压紧部分21609c之间，并使屏蔽膜21608c在导体组21604c的两侧上彼此粘合。绝缘导体21606大致布置在单个平面内并且有效地布置 成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆21602c还包括设置在屏蔽膜21608c之间的多个接地导体21612。所有接地导体21612均被包括在导体组21604c中。接地导体21612中的两个和绝缘导体21606大致布置在单个平面内。在图36c中，示出了示例性屏蔽电缆20902的横截面，其包括导体组20904中的两个绝缘导体，各个绝缘导体20906各自沿着电缆20902的长度延伸并被电介质/气隙20944分离。两个屏蔽膜20908设置在电缆20902的相对侧上并组合起来基本上围绕导体组20904。任选的粘合剂层20910设置在屏蔽膜20908的压紧部分20909之间并使屏蔽膜20908在电缆的压紧区域918中的导体组20904两侧上彼此粘合。绝缘导体906可以被大致布置在单个平面内并有效地布置成双轴电缆构型。双轴电缆构型可用于差分对电路布置方式或单端电路布置方式。屏蔽膜20908可以包括导电层908a和非导电聚合物层20908b，或者可以包括导电层908a，但没有非导电聚合物层20908b。在图中，示出的每个屏蔽膜的导电层20908a面向绝缘导体20906，但在可供选择的实施例中，屏蔽膜中的一个或两个可以具有颠倒的取向。屏蔽膜20908中的至少一个的覆盖部分20907包括与导体组20904的相应的末端导体20906基本上同心的同心部分20911。在电缆20902的过渡区域中，屏蔽膜20908的过渡部分20934在屏蔽膜20908的同心部分20911与压紧部分20909之间。过渡部分20934设置在导体组20904的两侧上，并且每个此类部分包括横截面过渡区域20934a。横截面过渡区域934a的总和优选地沿着导体20906的长度基本上相同。例如，横截面区域20934a的总和在Im长度内的变化可以为小于50%。另外，两个横截面过渡区域20934a可以基本上相同和/或基本上一致。过渡区域的这种构型有助于将每个导体20906 (单端端接)的特性阻抗以及差分阻抗均保持在所需范围内，例如在给定长度(例如，Im)内的目标阻抗值的5%-10%内。另外，过渡区域的这种构型可以将两个导体20906沿着其长度的至少一部分的偏差降至最低。当电缆为未折叠的平面构型时，每个屏蔽膜的横截面可以用在电缆20902的整个宽度上变化的曲率半径来表征。屏蔽膜20908的最大曲率半径可以出现在(例如)图36c中所示的电缆20902的压紧部分20909处或多导体电缆组20904的覆盖部分20907的中心点附近。在这些部分中，膜可以是大致平坦的，并且曲率半径可以是基本上无穷大。屏蔽膜20908的最小曲率半径可以出现在(例如)屏蔽膜20908的过渡部分20934处。在一些实施例中，屏蔽膜在电缆的整个宽度上的曲率半径为至少约50微米，即，曲率半径的大小在电缆的边缘之间沿着电缆宽度的任何点处都为不小于50微米。在一些实施例中，对于包括过渡部分的屏蔽膜而言，屏蔽膜的过渡部分的曲率半径相似地为至少约50微米。在未折叠的平面构型中，包括同心部分和过渡部分的屏蔽膜可用同心部分的曲率半径Rl和/或过渡部分的曲率半径rl来表征。图36c中示出了电缆20902的这些参数。在示例性的实施例中，Rl/rl为在2至15范围内。在图36d中示出了另一个示例性的屏蔽电缆21002，其包括具有两个被电介质/气隙1014分开的绝缘导体21006的导体组。在该实施例中，屏蔽膜21008具有不对称构型，相对于更对称的实施例，该图中的过渡部分的位置有所改变。在图36d中，屏蔽电缆21002具有屏蔽膜21008的压紧部分21009，其位于稍微偏离绝缘导体21006的对称平面的平面 内。因此，过渡区域21036具有相对于其他示出的实施例稍微偏移的位置和构型。然而，通过确保两个过渡区域21036的位置相对于对应的绝缘导体21006(如，相对于导体21006之间的垂直平面)基本上对称，并确保仔细控制过渡区域1036沿着屏蔽电缆21002的长度的构型，屏蔽电缆21002可以被构造为仍然能提供合格的电性能。在图36e中，示出了另外的示例性屏蔽电缆。这些图用于进一步说明电缆的压紧部分如何被构造用于电隔离屏蔽电缆的导体组。导体组可以与相邻的导体组电隔离(例如，用于使相邻的导体组之间的串扰最小)或者与屏蔽电缆的外部环境隔离(例如，用于使从屏蔽电缆逸出的电磁辐射最小并且使外部源带来的电磁干扰最小)。在这两种情况下，压紧部分可以包括用于实现电隔离的各种机械结构。举例来说，这些实例包括屏蔽膜非常靠近、屏蔽膜之间的高介电常数材料、直接或间接电接触屏蔽膜中的至少一个的接地导体、相邻的导体组之间的延伸距离、相邻的导体组之间的物理断裂、屏蔽膜彼此直接纵向、横向或既纵向又横向地间歇接触、以及导电粘合剂。图36e示出了屏蔽电缆21102的剖视图，其包括两个在电缆20102的整个宽度上间隔开并且沿着电缆的长度纵向延伸的导体组21104a、2104b。每一个导体组21104a、21104b具有两个被间隙21144分开的绝缘导体21106a、21106b。两个屏蔽膜21108设置在电缆21102的相对侧上。在横截面中，在电缆21102的覆盖区域21114中，屏蔽膜21108的覆盖部分21107基本上围绕导体组21104a、21104b。在电缆的压紧区域21118中，在导体组21104a、21104b的两侧上，屏蔽膜21108包括压紧部分21109。当电缆21102为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆21102中，屏蔽膜21108的压紧部分21109和绝缘导体21106大致布置在单个平面内。设置在导体组21104a、21104b之间的压紧部分21109被构造用于将导体组21104a、21104b彼此电隔离。当布置成大致平面的未折叠布置方式时，如图36e所示，导体组21104a中的第一绝缘导体21106a相对于导体组21104a中的第二绝缘导体21106b的高频电隔离基本上小于第一导体组21104a相对于第二导体组21104b的高频电隔离。如图36e的剖视图所示，电缆21102可以通过屏蔽膜21108的覆盖部分21107之间的最大间距D、屏蔽膜21108的覆盖部分21107之间的最小间距d2以及屏蔽膜21108的压紧部分21109之间的最小间距dl来表征。在一些实施例中，dl/D为小于O. 25或小于O. I。在一些实施例中，d2/D为大于O. 33。如图所示，屏蔽膜21108的压紧部分21109之间可以包括任选的粘合剂层。该粘合剂层可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层可以完全或部分地在电缆vll02的覆盖区域21114中延伸，如，在屏蔽膜21108的覆盖部分21107与绝缘导体21106a、21106b之间延伸。粘合剂层可以设置在屏蔽膜21108的覆盖部分21107上，并可以完全或部分地从导体组21104a、21104b —侧上的屏蔽膜21108的压紧部分21109延伸至导体组21104a、21104b另一侧上的屏蔽膜21108的压紧部分21109。屏蔽膜21108可以通过电缆21102的整个宽度上的曲率半径R和/或屏蔽膜的过渡部分21112的曲率半径r I和/或屏蔽膜的同心部分21111的曲率半径r2来表征。在过渡区域21136中，屏蔽膜21108的过渡部分21112可以被布置用于提供屏蔽膜21108的同心部分21111与屏蔽膜21108的压紧部分1109之间的逐渐过渡。屏蔽膜110 8的过渡部分21112从第一过渡点21121 (其为屏蔽膜1108的拐点并标志着同心部分21111的结束)延伸至第二过渡点21122 (在此处，屏蔽膜之间的间距超出压紧部分21109的最小间距dl预定的系数)。在一些实施例中，电缆21102包括至少一个屏蔽膜，其在整个电缆的宽度上具有至少约50微米的曲率半径R和/或屏蔽膜21102的过渡部分21112的最小曲率半径rl为至少约50微米。在一些实施例中，同心部分的最小曲率半径与过渡部分的最小曲率半径的比率r2/rl为在2至15范围内。在一些实施例中，屏蔽膜在整个电缆的宽度上的曲率半径R为至少约50微米和/或屏蔽膜的过渡部分中的最小曲率半径为至少50微米。在一些情况下，所述屏蔽电缆中的任何者的压紧区域都可以被构造为可以例如至少30°的角度α横向弯曲。压紧区域的这种横向柔韧性能够使屏蔽电缆折叠成任何合适的构型，例如，可用于圆形电缆的构型。在一些情况下，通过使用包括两个或更多个相对较薄的单独层的屏蔽膜来实现压紧区域的横向柔韧性。为了保证这些单独层尤其在弯曲条件下的完整性，优选地它们间的粘合保持不受损。压紧区域可以例如具有小于约O. 13_的最小厚度，加工或使用过程中热暴露之后单独层之间的粘合强度可以为至少17. 86g/mm (I磅/英寸)。在图36f中，示出了只有一个屏蔽膜21308的屏蔽电缆21302。将绝缘导体21306布置成两个导体组21304，每一个导体组只有一对被电介质/间隙21314分开的绝缘导体，但还可以想到如本文所述具有其他数量的绝缘导体的导体组。示出的屏蔽电缆21302包括在多个示例性位置中的接地导体21312，但如果需要，可以省略它们中的任何者或全部，或者可以包括另外的接地导体。接地导体21312在与导体组1304的绝缘导体21306基本上相同的方向上延伸，并设置在屏蔽膜21308与不用作屏蔽膜的载体膜21346之间。屏蔽膜21308的压紧部分21309中包括一个接地导体21312，导体组21304中的一个中包括三个接地导体21312。这三个接地导体21312中的一个设置在绝缘导体vl306与屏蔽膜21308之间，三个接地导体21312中的两个被布置成与导体组的绝缘导体21306大致共平面。除了信号线、排扰线和地线，为了使用者所限定的任何目的，本发明所公开电缆中的任何者还可以包括一条或多条通常为绝缘的单独的线。这些另外的线(例如)可以适合于电力传输或低速通信(如，小于IMHz),但不适用于高速通信(如大于IGHz),可以将它们统称为边带。边带线可用于传输电力信号、参考信号或任何其他所关注的信号。边带中的线通常彼此不直接或间接电接触，但在至少某些情况下，它们可能不彼此屏蔽。边带可以包括任何数量的线，例如2条或更多，或3条或更多，或5条或更多。本文所述的屏蔽电缆构型为实现至导体组和/或排扰线/地线的简化连接提供了机会，所述连接促进信号完整性、支持行业标准协议和/或允许对导体组和排扰线的批量端接。在覆盖区域中，导体组基本上被屏蔽膜包围，并且导体组通过压紧区域彼此分离。举例而言，这些电路构型可以提供电缆内的导体组之间的电缆内电隔离、提供电缆的导体组与外部环境之间的电缆外隔离、需要较少的排扰线和/或允许排扰线与导体组间隔开。如此前所示和/或所述，屏蔽膜可以包括同心区域、压紧区域和过渡区域，该过渡区域提供同心区域与压紧区域之间的逐渐过渡。同心区域、压紧区域和/或过渡区域的几何形状和一致性影响电缆的电特性。期望减小和/或控制这些区域的几何形状的不一致性所造成的影响。沿着电缆的长度保持基本上一致的几何形状(如，尺寸、形状、内含物和曲率半径)可以对电缆的电特性产生有利影响。至于过渡区域，可能有利的是减小这些区域的尺寸和/或控制这些区域的几何一致性。例如，可通过减小过渡区域的尺寸和/或沿着屏蔽电缆的长度仔细控制过渡区域的构型来实现过渡区域的影响的减小。通过减小过渡区域的尺寸可以减小电容偏差并且可以减小多个导体组之间所需的间距，从而减小导体组间距和/或增大导体组之间的电隔离。仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型有助于获得可预期的电性能和一致性，这可供高速传输线路使用，从而可以更可靠地传输电数据。当过渡部分的尺寸接近尺寸下限时，仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型是一个考虑因素。电缆的电特性确定电缆对于高速信号传输的适用性。除了其他特性以外，电缆的 电特性包括特性阻抗、插入损耗、串扰、偏差、眼图张开度和抖动。电特性可取决于电缆的物理几何形状(如此前所述)，也可取决于电缆元件的材料性质。因此，通常期望的是沿着电缆长度保持基本上一致的物理几何形状和/或材料性质。例如，电缆的特性阻抗取决于电缆的物理几何形状和材料性质。如果电缆沿着其长度在物理和材料方面一致，则电缆的特性阻抗也将一致。然而，电缆的几何形状和/或材料性质的不一致性造成不一致的点处的阻抗失配。阻抗失配可造成使信号衰减且使电缆的插入损耗增加的反射。因此，沿着电缆长度维持物理几何形状和材料性质的某种一致性可改善电缆的衰减特性。本文所述示例性电缆的一些典型特性阻抗为(例如)50Ω、75Ω和100 Ω。在一些情况下，可以控制本文所述电缆的物理几何形状和材料性质，以使电缆的特性阻抗的变化为小于5%或小于10%。电缆(或其他元件)的插入损耗为可归因于该元件的信号功率的总损耗的特征。术语插入损耗通常与术语衰减可互换使用。有时将衰减定义为由元件造成的不包括阻抗失配损耗的全部损耗。因此，对于完美匹配的电路而言，插入损耗等于衰减。电缆的插入损耗包括反射损耗(归因于特性阻抗的失配的损耗)、耦合损耗(归因于串扰的损耗)、导体损耗(信号导体中的电阻损耗)、电介质损耗(电介质材料中的损耗)、福射损耗(归因于福射能的损耗)和谐振损耗(归因于电缆中的谐振的损耗)。插入损耗可用dB表示为插入损耗(“$)=，其中Ρτ是所传输的信号功率，Pe是所接收的信号功
^ R率。插入损耗取决于信号频率。对于具有可变长度的电缆或其他元件，插入损耗可按单位长度表示为(例如)dB/m。图40a和40b是本文所述屏蔽电缆在O至20GHz的频率范围内的插入损耗对频率的坐标图。所测试的电缆的长度为I米，具有30AWG导体的双轴组和100Ω的特性阻抗。图40为具有30AWG的镀银导体的电缆I的插入损耗(SDD12)的坐标图。图41为具有30AWG的镀锡导体的电缆2的插入损耗(SDD12)的坐标图。如图40和41所示，在5GHz的频率下，电缆2 (30AWG的镀锡导体)具有小于约_5dB/m或甚至小于约_4dB/m的插入损耗。在5GHz的频率下，电缆I (30AWG的镀银导体)具有小于约_5dB/m或小于约_4dB或甚至小于约_3dB/m的插入损耗。在O至20GHz的整个频率范围内，电缆2 (30AWG的镀锡导体)具有小于约-30dB/m或小于约-20dB/m或甚至小于约-15dB/m的插入损耗。在O至20GHz的整个频率范围内，电缆I (30AWG的镀银导体)具有小于约-20dB/m或甚至小于约-15dB/m或甚至小于约-10dB/m的插入损耗。所有其他因素不变的情况下，衰减与导体尺寸成反比。对于本发明中所描述的屏 蔽电缆，在5GHz的频率下，具有尺寸不小于24AWG的镀锡信号导体的电缆具有小于约_5dB/m或甚至小于约_4dB/m的插入损耗。在5GHz的频率下，具有尺寸不小于24AWG的镀银信号导体的电缆具有小于约_5dB/m、或小于约_4dB、或甚至小于约-3dB/m的插入损耗。在O至20GHz的整个频率范围内，具有尺寸不小于24AWG的镀锡信号导体的电缆具有小于约-25dB/m、或小于约-20dB/m、或甚至小于约-15dB/m的插入损耗。在O至20GHz的整个频率范围内，具有尺寸不小于24AWG的镀银信号导体的电缆具有小于约_20dB/m、或甚至小于约-15dB/m、或甚至小于约-10dB/m的插入损耗。覆盖部分和压紧部分有助于将电缆中的导体组彼此电隔离和/或将导体组与外部环境电隔离。本文所论述的屏蔽膜可以为导体组提供最接近的屏蔽，然而设置在这些最接近的屏蔽膜上方的额外辅助性屏蔽件可另外用于增加电缆内和/或电缆外隔离。与使用如本文中所描述的设置在电缆的一侧或多侧上的具有覆盖部分和压紧部分的一个或多个屏蔽膜相比，一些类型的电缆在各个导体组周围以螺旋方式包裹导电膜以作为最接近的屏蔽件或作为辅助性屏蔽件。在用于携带差分信号的双轴电缆的情况下，返回电流的路径沿着屏蔽件的相对侧。螺旋状包裹在屏蔽件中产生间隙，从而导致电流返回路径不连续。由于导体组的谐振，周期性的不连续性产生信号衰减。这种现象被称为“信号吸出”，并且可产生在对应于谐振频率的特定频度范围下出现的显著信号衰减。图42示出双轴电缆7200 (本文中称为电缆3)，其在导体组7205周围具有螺旋地包裹的膜7208以作为最接近的屏蔽件。图43示出具有本文此前所描述的电缆构型的电缆7300 (本文中称为电缆4)的横截面，该电缆包括具有30AWG导体7304的双轴导体组7305、两条32AWG排扰线7306以及在电缆7300的相对侧上的两个屏蔽膜7308。屏蔽膜7308包括基本上围绕导体组7305的覆盖部分7307和在导体组7305的任一侧上的压紧部分7309。电缆4具有镀银导体和聚烯烃绝缘体。图44的坐标图比较归因于电缆3的谐振的插入损耗与电缆4的插入损耗。归因于谐振的插入损耗在电缆3的插入损耗坐标图中在约IlGHz处达到峰值。相比之下，电缆4的插入损耗坐标图中不存在可观察到的归因于谐振的插入损耗。注意，在这些坐标图中，也存在归因于电缆的端接的衰减。
归因于电缆3的谐振的衰减可以通过标称信号衰减Nsa与归因于谐振的信号衰减Rsa之间的比率来表征，其中Nsa为连接谐振倾斜的峰值的线，而Rsa为谐振倾斜的谷值处的衰减。在IlGHz下，电缆3的Nsa与Rsa之间的比率为约-lldB/-35dB或约O. 3。相比之下，电缆4的Nsa/Rsa值为约I (其对应于归因于谐振的零衰减)或至少大于约O. 5。在I米(电缆5)、I. 5米(电缆6)和2米(电缆7)的三个不同长度下测试具有电缆4的横截面几何形状的电缆的插入损耗。图45中示出这些电缆的插入损耗坐标图。对于O至20GHz的频率范围未观察到谐振。(注意，20GHZ附近的轻微倾斜与端接相关而非谐振损耗。)如图46所示，替代使用螺旋地包裹的屏蔽件，一些类型的电缆7600在导体组7605周围包括纵向折叠的导电材料片或膜7608以形成最接近的屏蔽件。纵向折叠的屏蔽膜7606的末端7602可以重叠和/或该屏蔽膜的末端可用接缝密封。可以用一个或多个辅助性屏蔽件7609外包裹具有纵向折叠的最接近屏蔽件的电缆，从而防止重叠的边缘和/或接缝在弯曲电缆时分离。纵向折叠可以通过避免由螺旋地包裹屏蔽件造成的屏蔽件间隙的周 期性来减轻归因于谐振的信号衰减，然而，用于防止屏蔽件分离的外包裹使屏蔽件硬度增加。如本文中所描述的具有基本上围绕导体组的覆盖部分和位于导体组的每一侧上的压紧部分的电缆不依赖螺旋地包裹的最接近屏蔽件来对导体组进行电隔离，并且不依赖在导体组周围纵向折叠的最接近屏蔽件来对导体组进行电隔离。螺旋包裹和/或纵向折叠的屏蔽件可以用作或可以不用作在所描述的电缆外部的辅助性屏蔽件。串扰由邻近电信号所产生的磁场的不当影响造成。串扰(近端和远端)是针对电缆组件中的信号完整性的考虑因素。在电缆的传输末端处测量近端串扰。在电缆的接收末端处测量远端串扰。串扰为由于攻击者信号的不当耦合引起的出现在被抑制的信号中的噪声。电缆和/或端接区域中的信号线之间的紧密间距可易于受串扰影响。本文所述的电缆和连接器趋向于减小串扰。例如，如果屏蔽膜的同心部分、过渡部分和/或压紧部分组合起来形成尽可能完整的围绕导体组的屏蔽件，则电缆中的串扰可得以减小。在电缆中，如果屏蔽件之间存在任何间隙，然后使该间隙具有尽可能高的纵横比和/或通过在屏蔽件之间使用低阻抗或直接电接触，则串扰减小。例如，屏蔽件可直接接触、通过排扰线连接和/或通过(例如)导电粘合剂连接。在电缆的导体与连接器的端接处之间的电接触位点处，可通过增加接触点之间的间距(从而减小电感和电容耦合)来减小串扰。图47示出常规电缆的两个相邻导体组之间的远端串扰(FEXT)隔离，其中导体组被完全隔离，即，没有公共接地(样品1)，并示出图15a所示的屏蔽电缆2202的两个相邻导体组之间的FEXT隔离，其中屏蔽膜2208间隔开约O. 025mm (样品2)，两者的电缆长度均为约3m。生成这个数据的测试方法是本领域中熟知的。使用Agilent 8720ES50MHz - 20GHzS-Parameter Network Analyzer (参数网络分析仪)来产生所述数据。通过比较远端串扰图线，可以看到，常规电缆和屏蔽电缆2202提供了近似的远端串扰性能。具体来讲，通常认可的是，对于大多数应用而言，小于约_35dB的远端串扰是适用的。从图47中，可以容易看至IJ，对于所测试的构型，常规电缆和屏蔽电缆2202都提供了令人满意的电隔离性能。由于将屏蔽膜间隔开的能力导致的令人满意的电隔离性能结合增大的平行部分的强度是本发明优于常规电缆的方面。
传播延迟和偏差是电缆的额外电特性。传播延迟取决于电缆的速度系数，并且是信号从电缆的一个末端行进至电缆的相对末端所花费的时间量。在系统时序分析中，电缆的传播延迟可为重要考虑因素。相对于相邻的导体组。第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离是在约5至约15GHz的指定频率范围和I米的长度下的第一远端串扰Cl。第一导体组相对于相邻导体组的高频隔离是指定频率下的第二远端串扰C2。C2可比Cl低至少10dB。将电缆中的两个或更多个导体之间的传播延迟的差值称为偏差。通常需要在单端电路布置方式中所使用的电缆的导体之间以及用作差分对的导体之间具有低偏差。用于单端电路布置方式中的电缆的多个导体之间的偏差可影响总体系统时序。用于差分对电路布 置方式中的两个导体之间的偏差也是一个考虑因素。例如，具有不同长度(或不同速度系数)的差分对的导体可导致差分对的信号之间出现偏差。差分对偏差可增加插入损耗、阻抗失配和/或串扰和/或可导致较高的比特误差率和抖动。所述偏差使差分信号转化为可以被反射回到源的共模信号，降低已发送信号的强度，产生电磁辐射并且可以急剧增加比特误差率，特别是抖动。理想的是，一对传输线路将没有偏差，但是根据预期应用，高达所关注频率(例如，6GHz)的小于-25至-30dB的差分S-参数S⑶21或S⑶12的值(代表传输线路的一端与另一端的差分-共模转换)可能是可接受的。可以将电缆的偏差表示为每单位长度的电缆中的每米的导体的传播延迟的差值。对内偏差是双轴对内的偏差，而对间偏差是两个对之间的偏差。还存在两个单一同轴线或其他甚至非屏蔽的线的偏差。在高达约IOGbps的数据速率下，本文所述的屏蔽电缆可以实现小于约20皮秒/米(ps/m)或小于约10ps/m的偏差值。抖动是涉及降低信号品质的偏差、反射、图案依赖干扰、传播延迟和耦合噪声的复杂特性。一些标准已将抖动定义为受控的信号边缘相对于其标称值的时间偏差。在数字信号中，可将抖动视为当信号从一种逻辑状态切换至另一种逻辑状态时数字状态不确定的信号的部分。眼图是用于测量总体信号品质的有用工具，因为它包括系统和随机失真的效应。眼图可用于在逻辑状态转变过程中测量差分电压零点交叉处的抖动。通常，抖动测量是以时间为单位给出或作为单位间隔的百分比。眼的“张开度”反映了存在于信号中的衰减、抖动、噪声和串扰的水平。表I中提供了所测试的4种电缆类型的电规格。受试电缆中的两者Snl、Sn2包括边带，如，低频信号电缆。受试电缆中的两者Sn2、Ag2不包括边带。
权利要求
1.一种屏蔽电缆，包括 多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸，并且沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组具有以双轴构型布置的两个导体，所述导体中的每一个的尺寸为不大于24AWG ;和 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对侧上，每一个屏蔽膜均不包含使所述屏蔽膜定向以在所述电缆的两侧上覆盖所述导体组的纵向折叠，其中每一个导体组在OGHz至20GHz的频率范围内具有小于_20dB/m的插入损耗，并且由于所述导体组的谐振引起的插入损耗约为零。
2.根据权利要求I所述的电缆，还包括至少一条排扰线，其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分，其中对于至少一个导体组而言，所述排扰线和所述导体组的最接近导体之间的间距大于所述导体组的所述两个导体之间的中心至中心间距的O. 5倍。
3.根据权利要求I所述的电缆，其中每一个导体组的所述插入损耗为小于约_5dB/m、或小于约_4dB/m、或小于约-3dB/m。
4.根据权利要求I所述的电缆，其中所述电缆具有小于约20皮秒/米或小于约10皮秒/米的偏差。
5.根据权利要求I所述的电缆，其中所述电缆的特性阻抗在约I米的电缆长度上保持在目标特性阻抗的5-10%内。
6.一种屏蔽电缆，包括 多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸，并且沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，所述导体组中的每一个包括以双轴构型布置的两个导体，每一个导体的尺寸为不大于24AWG ;和 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对侧上，每一个屏蔽膜均不包含将所述屏蔽膜粘结到自身的接缝，其中每一个导体组在OGHz至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m，并且由于所述导体组的谐振损耗产生的插入损耗约为零。
7.根据权利要求6所述的电缆，还包括至少一条排扰线，其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分，其中对于至少一个导体组而言，所述排扰线和所述导体组的最接近导体之间的间距大于所述导体组的所述两个导体之间的中心至中心间距的O. 5倍。
8.根据权利要求7所述的电缆，其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为Cl1，并且VD为小于约O. 25。
9.根据权利要求7所述的电缆，其中每一个屏蔽膜单独地围绕不足每一个导体组的全部周边。
全文摘要
本发明公开了一种屏蔽电缆(2)，所述屏蔽电缆包括一个或多个导体组(4)，所述一个或多个导体组沿着所述电缆(2)的长度(L)延伸并且沿着所述电缆(2)的宽度(W)彼此间隔开，每一个导体组(4)具有一个或多个尺寸不大于24AWG的导体(6)，并且每一个导体组(4)在0至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于约-20dB/m；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(8)，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆(2)的相对侧上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)包括覆盖部分(7)和压紧部分(9)，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)的所述覆盖部分(7)组合起来基本上围绕每一个导体组(4)，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)的所述压紧部分(9)在每一个导体组(4)的每一侧上形成所述电缆(2)的压紧部分。
文档编号H01B7/08GK102870170SQ201080066562
公开日2013年1月9日 申请日期2010年12月16日 优先权日2010年8月31日
发明者道格拉斯·B·贡德尔 申请人:3M创新有限公司