发光器件封装和照明系统的制作方法

专利名称：发光器件封装和照明系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光器件封装和照明系统。
背景技术：
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。该p_n结二 极管能够通过组合元素周期表中的III-V族元素而形成。通过调节化合物半导体的组成 比，LED能够呈现各种颜色。当将正向电压施加给LED时，η层的电子与ρ层的空穴结合，从而可以产生与导带 和价带之间的能隙相对应的能量。此能量主要被实现为热或光，并且LED以光的形式发出能量。为了提高LED的光的质量，必须增加LED芯片的效率，并且必须减少包围芯片的封 装的损坏。因此，封装的横向表面和底表面可以包括包含具有高反射率的Ag基材料的反射 层(镜)。然而，根据现有技术，平面镜仅在最初方向中反射光，并且没有漫射或者散射 (diffract)光。因此，平面镜不能够用于提取密封材料和空气之间的边界表面处的光。另外，根据现有技术，为了保持反射层的反射率，必须涂覆覆盖层(capping layer)。然而，覆盖层的折射率与覆盖层的厚度成指数反比。

发明内容
本发明提供发光器件封装和照明系统，其能够散射或者漫射光，同时保持其反射率。发光器件封装包括下底座(sub-mount)，该下底座包括空腔；发光器件芯片，发 光器件芯片在空腔中；电极，该电极被电气地连接到发光器件芯片；反射层，该反射层被形 成在空腔上；电介质图案，该电介质图案在反射层上；以及密封材料，该密封材料在空腔 中。根据实施例，发光器件封装包括下底座，该下底座包括空腔；发光器件芯片，发 光器件芯片在空腔中；电极，该电极被电气地连接到发光器件芯片；反射层，该反射层被形 成在空腔上；第二电介质层，该第二电介质层在反射层上；以及密封材料，该密封材料在空 腔中。根据实施例，照明系统包括基板，和发光模块，该发光模块包括被安装在基板上 的发光器件封装。


图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的截面图；图2至图5是示出根据第一实施例的制造发光器件封装的工艺的截面图6是示出根据第二实施例的发光器件封装的截面图；图7是示出根据第三实施例的发光器件封装的截面图；图8是示出根据第四实施例的发光器件封装的截面图；图9是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及图10是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施例方式在下文中，将会参考附图来描述根据实施例的发光器件封装和照明系统。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)被称为在另一层或者衬底“上” 时，它能够直接地在其它的层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当 层被称为在另一层的“下方”时，它能够直接地位于其它层的下方，并且也可以存在一个或 者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之 间仅有层，或者也可以存在一个或者多个中间层。(实施例)图1是示出根据第一实施例的发光器件封装200的截面图。根据第一实施例的发光器件封装200包括下底座210，该下底座210包含空腔C ； 发光器件芯片100，该发光器件芯片100被形成在下底座210上；反射层220，该反射层220 被形成在空腔C的横向表面上；电介质图案M0，该电介质图案240被形成在反射层220上； 以及密封材料250，该密封材料250被填充在空腔C中。电介质图案240可以具有不同于密封材料250的折射率的折射率。例如，电介质 图案240可以具有大于或者小于密封材料250的折射率的折射率。随着密封材料250和电 介质图案240之间的折射率中的差被增加，电介质图案240处的光的漫射被增加。因此，能 够降低其中由于在空气和密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引 入光的可能性，从而能够提高最终光提取效率。例如，如果密封材料250可以包括硅(Si)胶，那么电介质图案240可以具有大约 1. 4或者更小的折射率，或者可以具有大约1. 4或者更大的折射率，但是实施例不限于此。电介质图案240可以具有大约50nm至大约3000nm的图案周期，以散射或者漫射光。电介质图案240可以包括氧化物、氮化物、以及氟化物基电介质物质中的至少一 个，但是实施例不限于此。密封材料250可以包括荧光材料，但是实施例不限于此。例如，尽管蓝光、绿光、以 及UV发光器件没有要求具有荧光材料，但是白光发光器件可以包括包含荧光材料的密封 材料。同时，如果要求具有荧光材料，在执行封装工艺之前，可以在芯片工艺中将荧光材 料层形成在发光器件芯片100上。例如，通过共形涂覆(conformal coating)工艺，发光器 件芯片100可以在其上被提供有具有均勻的厚度的荧光材料层(未示出)。通过封装工艺， 具有荧光材料层的发光器件芯片100可以被附接到下底座210。根据实施例，包含氧化物层或者氮化物层的绝缘层290可以被插入在反射层220 和发光芯片100之间，从而防止反射层220与发光器件芯片100发生电气短路。绝缘层290可以被形成为比反射层220更高，并且可以被插入在电介质图案240和发光器件芯片100 之间，但是实施例不限于此。图6是示出根据第二实施例的发光器件封装202的截面图。根据第二实施例，类似于图5的发光器件封装200，发光器件封装202可以包括第 二电介质层230，该第二电介质层230被形成在反射层220上，并且电介质图案240可以被 形成在第二电介质层230上，从而能够增加电介质图案240的光的折射，并且能够防止反射 层220被氧化。根据实施例的发光器件封装，包括电介质图案MO的反射层220可以被引入LED 封装，从而反射层220能够漫射光，同时保持其的本征折射。因此，能够降低其中由于在空 气和密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入(re-introduced)光 的可能性，从而能够提高最终光提取效率。在下文中，将会参考图2至图5描述根据第一实施例的制造发光器件封装200的 方法。虽然根据制造发光器件封装200的方法，其工艺步骤的序列受到限制，但是可以以不 同于下面将要描述的工艺步骤的序列来进行配置。如图2中所示，在制备下底座210之后，通过移除下底座210的一部分可以形成空 腔C。下底座210可以进行隔离工艺。下底座210可以包括具有近似于发光芯片的材料的热膨胀系数以及优秀的导热 性的材料。例如，下底座210可以包括硅材料、合成树脂材料、或者金属材料。例如，下底 座210可以包括Si，但是实施例不限于此。下底座210可以包括PCB或者低温共烧陶瓷 (LTCC)。接下来，如图3中所示，第一和第二电极层(未示出)可以被形成在下底座210上。 第一和第二电极层被相互电气地隔离，以将电力提供到发光器件芯片100并且将从发光器 件芯片100发射的热散发到外部。另外，下底座210可以在其中被设置有器件，从而以齐纳 二极管的形式防止ESD，但是实施例不限于此。另外，第一和第二电极层可以被形成在下底座210的底表面上。在这样的情况下， 第一和第二电极层可以通过导通孔而被电气地连接到发光器件芯片100。反射层220可以被形成在下底座210的空腔C的横向表面上。通过涂覆具有高的 反射率的Ag基化合物或者Ag可以形成反射层220，但是实施例不限于此。接下来，电介质图案240可以被形成在反射层220上。例如，为了形成电介质图案M0，第一电介质层(未示出)可以被形成在反射层 220上。其后，通过对第一电介质层执行干法蚀刻工艺或者湿法蚀刻工艺可以形成电介质图 案M0，但是实施例不限于此。另外，为了形成电介质图案M0，掩模图案(未示出)可以被形成在反射层220上。 然后，在掩模图案中，在反射层220上形成电介质图案240之后，掩模图案可以被剥离。电介质图案240具有大约50nm至大约3000nm的图案周期，以散射或者漫射光。电介质图案240可以包括氧化物、氮化物、以及氟化物基电介质物质中的至少一 个，但是实施例不限于此。基于根据实施例的发光器件封装，包括电介质图案MO的反射层220可以被引入 LED封装，从而反射层220能够漫射光，同时保持其的本征折射。因此，能够降低其中由于在空气和密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能性，从而 能够提高最终光提取效率。接下来，发光器件芯片100可以被附接到下底座210。图4是示出根据实施例的发光器件芯片100的放大图。发光器件芯片100可以包括从由GaN、GaAs、GaAsP、以及GaP组成的组中选择的材 料。例如，发光器件芯片100可以包括GaN、InGaN, InGaAlP、或者AlGaAs，但是实施例不限 于此。发光器件芯片100可以是垂直型发光器件芯片，但是实施例不限于此。换言之，发 光器件芯片100可以是横向型芯片或者倒装芯片。发光器件芯片100可以包括发光结构110，该发光结构110包括第二导电半导体层 116、有源层114、以及第一导电半导体层112。在下文中，将会参考图4描述发光器件芯片100的制造工艺。首先，制备第一衬底(未示出)。第一衬底可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例 如，第一衬底可以包括从由蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO, Si、GaP、InP、Ge、以及 Ga2O3组成的组中选择的至少一个。凹凸结构可以被形成在第一衬底上，但是实施例不限于 此。通过湿法清洁工艺可以移除存在于第一衬底的表面上的杂质。其后，包括第二导电半导体层116、有源层114、以及第一导电半导体层112的发光 结构110可以被形成在第一衬底上。第一导电半导体层112可以包括被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导 体。如果第一导电半导体层112是N型半导体，那么第一导电掺杂物可以包括Si、Ge、Sn、 %、或者Te作为N型掺杂物，但是实施例不限于此。第一导电半导体层112可以包括具有^^#￡^7(0彡χ彡1,0 ^ y ^ 1， O ^ x+y ^ 1)的组成式的半导体材料。第一导电半导体层112 可以包括从由 GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN, AlInN, AlGaAs、InGaAs, AlInGaAs, GaP、AlGaP, InGaP, AlInGaP,以及 hP 组成的组中选择 的至少一个。第一导电半导体层112可以包括通过CVD、MBE、溅射、或者HVPE形成的N型GaN 层。另外，通过将包括诸如硅的η型杂质的硅烷(SiH4)气体、三甲基镓(TMGa)气体、氨气 (NH3)、以及氮气(N2)注入腔室中，能够形成第一导电半导体层112。利用通过第一导电半 导体层112注入的电子和通过第二导电半导体层116注入的空穴的复合，有源层114发射 具有基于有源层(发光层)114的本征能带而确定的能量的光。有源层114可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或量子点结 构中的至少一个。例如，通过注入TMGa气体、NH3气体、N2气体以及三甲基铟(TMIn)气体， 能够将有源层114制备为MQW结构，但本实施例不限于此。有源层114可以具有阱层/势垒层的成对结构，所述阱层/势垒层包括hGaN/ GaN、InGaN/InGaN, GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)、AlGaAs、以及 GaP(InGaP)/ AlGaP中的至少一种，但本实施例不限于此。该阱层可以包括具有比势垒层的带隙更低的带 隙的材料。
在有源层140上和/或下方可以形成有导电包覆层(未示出)。该导电包覆层可 以包括具有比有源层220的带隙更高的带隙的AKiaN基半导体。第二导电半导体层116可以包括被掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半 导体。例如，第二导电半导体层116可以包括具有 χ≤1，0≤y≤1， O ≤ x+y ≤ 1)的组成式的半导体材料。详细地，第二导电半导体层116可以包括从由GaN、 AlN、AlGaN、InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP,以及 AlGaInP 组成的组 中选择的一个。如果第二导电半导体层116是P型半导体层，则该第二导电掺杂物包括诸 如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等的P型掺杂物。第二导电半导体层116能够被制备为单层或多层， 但实施例不限于此。第二导电半导体层116可以包括通过将包括ρ型杂质(例如，Mg)的^tCp2Mg) {Mg (C2H5C5H4)2I气体、TMGa气体、NH3气体、以及N2气体注入腔室中而形成的ρ型GaN层，但 实施例不限于此。根据该实施例，第一导电半导体层112可以包括N型半导体层，并且第二导电半 导体层116可以包括P型半导体层，但本实施例不限于此。另外，在第二导电半导体层116 上，能够形成有其极性与第二导电半导体层116的极性相反的的半导体层，例如N型半导体 层(未示出)。因此，发光结构110可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及 P-N-P结结构中的一个。其后，第二电极层120可以被形成在第二导电半导体层116上。第二电极层120可以包括欧姆层(未示出)、反射层(未示出)、粘附层(未示出)、 以及导电支撑衬底(未示出)。例如，第二电极层120可以包括欧姆层，并且欧姆层可以与发光结构110发生欧姆 接触，以将电力平滑地提供到发光结构110。另外，通过将单金属、或者金属合金、以及金属 氧化物以多层进行堆叠，可以形成第二电极层120。例如，欧姆层可以包括从由ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡 氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、AZO (铝锌 氧化物)、ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、IZON (IZO氮化物)、AGZO (Al-Ga ZnO)、 IGZO (In-Ga ZnO)、ZnO、IrOx, RuOx, NiO、RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、 Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf组成的组中选择的至少一个，但是实施例 不限于此。另外，第二电极层120可以包括反射层，以发射从发光结构110入射的光，从而能 够提高光提取效率。例如，反射层可以包括包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及 Hf、或
者其合金中的至少一个的金属。另外，通过使用金属或者合金、以及诸如 ζο、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、 IGZ0、IGT0、AZ0、或者ATO透射导电材料可以将反射层以多重结构来形成。例如，反射层可 以具有 IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZ0/Ag/Ni、或者 AZ0/Ag/Ni 的堆叠结构。另外，如果第二电极层120包括粘附层，那么反射层可以用作粘附层，或者可以包 括阻挡金属或者结合金属。例如，粘附层可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、GaJru Bi、Cu、Ag、以 及化中的至少一个。另外，第二电极层120可以包括导电支撑衬底。导电支撑衬底支撑发光结构110，同时将电力提供到发光结构110。导电支撑衬底(未示出)可以包括金属、金属合金、或者 具有优秀的导电性的导电半导体材料。例如，导电支撑衬底可以包括从由Cu、Cu合金、Au、Ni、Mo、Cu_W、以及(包括Si、 Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、或者SiC)载流子晶圆组成的组中选择的至少一个。导电支撑衬底可以具有根据发光器件的设计而变化的厚度。例如，导电支撑衬底 可以具有处于大约30 μ m至大约500 μ m范围内的厚度。通过电化学金属沉积方案、镀方案、或者使用共晶金属的结合方案可以形成导电 支撑衬底。第一衬底被去除以暴露第一导电半导体层112。为了去除第一衬底，LL0(激光剥 离)方案或者CLO(化学剥离)方案可以被使用。另外，可以物理地研磨第一衬底，以将其 去除。通过使用被镀在发光器件芯片上的共晶金属或者聚合物粘合剂，可以将发光器件 芯片110附接到下底座210。例如，基于具有优秀的工艺性能的Ag导电环氧树脂(Agconductive印oxy)，通过 焊接可以将发光器件芯片100附接到下底座210。如果要求高的导热性，那么通过使用共晶 结合方案可以实现附接。另外，发光器件芯片100可以通过布线(未示出)而被电气地连接到第一电极层
和/或第二电极层。接下来，密封材料250可以被填充在如图4中所示的空腔C中。通过点胶(dispensing)方案、模制成型方案、传递成型方案、或者真空印刷方案 可以执行密封材料250的包封。密封材料250可以包括环氧密封材料或者硅密封材料，但是实施例不限于此。密封材料250可以具有不同于电介质图案MO的折射率。例如，密封材料250可 以具有大于或者小于电介质图案240的折射率。随着密封材料250和电介质图案240之间 的折射率中的差被增加，电介质图案240处的光的扩散被增加。因此，能够降低其中由于空 气与密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能性，从而能 够提高最终光提取效率。例如，如果密封材料250包括硅(Si)胶，那么电介质图案240可以具有大约1.4 或者更小的折射率，或者可以具有大约1. 4或者更大的折射率，但是实施例不限于此。密封材料250可以包括荧光材料，但是实施例不限于此。例如，尽管蓝光、绿光、以 及UV发光器件不要求具有荧光材料，但是白光发光器件可能包括包含荧光材料的密封材 料。如果密封材料250包括荧光材料，那么荧光材料可以包括主体材料和活性材料。 例如，可以相对于钇铝石榴石(YAG)的主体材料而使用Ce活性材料，并且可以相对于硅酸 盐基的主体材料而使用铕(Eu)活性材料，但是实施例不限于此。根据实施例，密封材料250的顶表面可以具有圆拱形和平面形。根据实施例的发光器件封装，包括电介质图案MO的反射层220被引入到LED封 装中，使得反射层220能够漫射光，同时保持其的本质折射。因此，能够降低其中由于在空 气和密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能性，从而能够提高最终光提取效率。图6是示出根据第二实施例的发光器件封装202的截面图。第二实施例采用第一实施例的技术特征。根据第二实施例，发光器件封装202包括第二电介质层230，该第二电介质层230 被形成在反射层220上，并且电介质图案240可以被形成在第二电介质层230上，使得能够 增加电介质图案MO的光的散射，并且能够防止反射层220被氧化。例如，在反射层220上形成第二电介质层230之后，通过蚀刻工艺或者剥离工艺， 可以将电介质图案240形成在第二电介质层230上。第二电介质层230可以包括与电介质图案240相同或者不同的材料。如果第二电 介质层230包括不同于电介质图案MO的材料，那么由于第二电介质层230和电介质图案 240之间的折射率中的差，可以增加电介质图案MO的光散射。图7是示出根据第三实施例的发光器件封装203的截面图。第三实施例可以采用第一或者第二实施例的技术特征。根据第三实施例的发光器件封装203包括下底座210，该下底座210包含空腔C ； 发光器件芯片100，该发光器件芯片100被形成在下底座210上；反射层220，该反射层220 被形成在空腔C的横向表面上；电介质层230，该电介质层230被形成在反射层220上；以 及密封材料250，该密封材料250被填充在空腔C中。在根据第三实施例的发光器件封装203中，第二电介质层230可以被形成在反射 层220上。第二电介质层230可以具有不同于密封材料250的折射率的折射率。第二电介质层230可以包括氧化物、氮化物、以及氟化物中的至少一个。根据第三实施例的发光器件封装，包括电介质层230的反射层220被引入到LED 封装中，使得反射层220能够漫射光，同时保持其的本征折射。因此，能够降低其中由于在 空气和密封材料250之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能性，从而 能够提高最终光提取效率。图8是示出根据第四实施例的发光器件封装204的截面图。第四实施例可以采用第一至第三实施例的技术特征。在根据第四实施例的发光器件封装204中，在执行封装工艺之前，在芯片工艺中 荧光材料层252可以被形成在发光器件芯片100中。例如，通过共形涂覆工艺，可以在发光 器件芯片100上提供有具有均勻的厚度的荧光材料层252。通过封装工艺，具有荧光材料层 252的发光器件芯片100可以被附接到下底座210，但是实施例不限于此。根据实施例的发光器件封装以及根据实施例的发光器件封装的制造方法，包括电 介质图案240和/或电介质层230的反射层220被引入到LED封装中，使得发射层220能 够漫射光，同时保持其的本征折射。因此，能够降低其中由于在空气和密封材料250之间的 边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能性，从而能够提高最终光提取效率。根据另一实施例，根据第一至第四实施例的发光器件封装可以组成照明设备。例 如，发光器件封装可应用于诸如LED灯、LED街灯、以及LED光学器件的照明系统。例如，多个根据实施例的发光器件封装可以排列在基板上，并且包括导光板、棱镜 片、扩散片以及荧光片的光学构件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以 包括背光单元、照明单元、指示器、灯、或者街灯。图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元1100的透 视图。图9中所示的照明单元1100是照明系统的示例，并且实施例不限于此。参考图9，照明单元1100包括壳体1110、安装在壳体1110中的发光模块1130、以 及连接端子1120，该连接端子1120被安装在壳体1110中以接收来自于外部电源的电力。优选地，壳体1110包括具有优秀的散热性能的材料。例如，壳体1110包括金属材 料或者树脂材料。发光模块1130可以包括基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封 装 200。基板1132包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB(印刷电路 板)、MC (金属核)PCB、F (柔性)PCB、或者陶瓷PCB。另外，基板1132可以包括有效地反射光的材料。基板1132的表面能够涂有诸如 白色或者银色的预定的颜色，以有效地反射光。至少一个根据实施例的发光器件封装200能够被安装在基板1132上。每个发光 器件封装200可以包括至少一个LED (发光二极管)。LED可以包括发射具有红色、绿色、蓝 色或者白色的光的彩色LED，和发射UV光的UV (紫外线)LED。发光模块1130的LED能够进行不同的组合，以提供各种颜色和亮度。例如，能够 组合白光LED、红光LED、以及绿光LED以实现高显色指数(CRI)。连接端子1120被电气地连接到发光模块1130，以将电力提供给发光模块1130。参 考图9，连接端子1120具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如， 能够以插入外部电源的插头或者通过布线连接至外部电源的形式来制备连接端子1120。图10是示出根据实施例的背光单元1200的分解透视图。图10中所示的背光单 元1200是照明系统的示例，但是实施例不限于此。根据实施例的背光单元1200包括导光板1210 ；发光模块1M0，该发光模块1240 用于将光提供给导光板1210 ；反射构件1220，该发射组件1210被定位在导光板2110的下 方；以及底盖1230，该底盖1230用于在其中容纳导光板1210、发光模块1M0、以及反射构 件1220，但是实施例不限于此。导光板1210扩散光以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，通过使用 诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸 酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂能够制造导光板1210。发光模块1240将光提供给导光板1210的至少一个横向侧，并且用作包括背光单 元的显示装置的光源。发光模块1240能够与导光板1210相邻地定位，但是实施例不限于此。详细地， 发光模块1240包括基板1242和被安装在基板1242上的多个发光器件封装200，并且基板 1242能够与导光板1210相邻，但是实施例不限于此。基板1242可以包括具有电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。另外，基板 1242还可以包括金属核PCB (MCPCB)、或柔性PCB (FPCB)，但是实施例不限于此。另外，发光器件封装200被布置在基板1242上，使得发光器件封装200的出光表面与导光板1210隔开预定距离。反射构件1220被布置在导光板1210的下方。反射构件1220将向下行进通过导 光板1210的底表面的光朝着导光板1210反射，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件 1220可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。底盖1230可以在其中容纳导光板1210、发光模块1M0、以及反射构件1220。为 此，底盖1230具有带有开口的上表面的盒形形状，但是实施例不限于此。通过使用金属材料或者树脂材料，通过按压工艺或者挤压工艺能够制造底盖 1230。根据实施例的发光器件封装和照明系统，包括电介质图案和/或电介质层的反射 层被引入到LED封装中，使得发射层能够扩散光，同时保持其的本征折射。因此，能够降低 其中由于在空气和密封材料之间的边界表面处出现的总反射而导致的重新引入光的可能 性，从而能够提高最终光提取效率。在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结 合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书 中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特 征、结构、或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例而实现这样的特征、结构或特性也 是本领域技术人员所能够想到的。虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域 的技术人员可以设计出将落入本发明原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加 具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题的组合布置的组成部件和/或 布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于 本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件封装，包括 下底座，所述下底座包括空腔；发光器件芯片，所述发光器件芯片在所述空腔中； 电极，所述电极被电气地连接到所述发光器件芯片； 反射层，所述反射层在所述空腔上； 电介质图案，所述电介质图案在所述反射层上；以及 密封材料，所述密封材料在所述空腔中。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述电介质图案具有与所述密封材料 的折射率不同的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述电介质图案具有50nm至3000nm的 范围内的周期。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述电介质图案包括氧化物、氮化物、 以及氟化物中的至少一个。
5.一种发光器件封装，包括 下底座，所述下底座包括空腔；发光器件芯片，所述发光器件芯片在所述空腔中； 电极，所述电极被电气地连接到所述发光器件芯片； 反射层，所述反射层在所述空腔上； 第二电介质层，所述第二电介质层在所述反射层上；以及 密封材料，所述密封材料在所述空腔中。
6.根据权利要求1或5所述的发光器件封装，其中，所述密封材料包括荧光材料。
7.根据权利要求1或5所述的发光器件封装，其中，所述发光器件芯片在其上被设置有 具有均勻的厚度的荧光层。
8.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中，所述第二电介质层具有与所述密封材 料的折射率不同的折射率。
9.根据权利要求5所述的发光器件封装，进一步包括在所述第二电介质层上的电介质 图案。
10.一种照明系统，包括 基板；和发光模块，所述发光模块包括根据权利要求1至5以及权利要求7至9中的任何一项 所述的、并且被安装在所述基板上的发光器件封装。
全文摘要
本发明公开了一种发光器件封装和照明系统。发光器件封装包括下底座，该下底座包括空腔；发光器件芯片，发光器件芯片被提供在空腔中；电极，该电极被电气地连接到发光芯片；反射层，该反射层被形成在空腔的表面上；电介质图案，该电介质图案在反射层上；以及密封材料，该密封材料被填充在空腔中。
文档编号H01L33/48GK102148317SQ20111003612
公开日2011年8月10日 申请日期2011年2月9日 优先权日2010年2月4日
发明者金鲜京 申请人:Lg伊诺特有限公司