专利名称：面板、形成面板的方法、薄膜晶体管和显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管面板及其制造方法。
背景技术：
诸如液晶显示器(IXD)或有机发光显示器(OLED)的平板显示器通常包括多个像素。像素以矩阵形式布置在诸如玻璃或塑料的绝缘基底上。每个像素包括成对的场发生电极和设置在每对场发生电极之间的电光有源层，例如液晶分子或发光层。像素电极(S卩，成对的场发生电极中的一个电极)可以连接到开关元件，开关元件将电信号传输到像素电极。电光有源层将电信号转换为光信号，从而显示图像。在平板显示器中，多个薄膜晶体管(TFT)通常用于开关元件。每个TFT通常包括接收开关信号的栅电极、接收数据信号的源电极和将数据信号输出到像素电极的漏电极。TFT 包括设置在源电极和漏电极之间的半导体层。通常，已经使用非晶硅层作为半导体层。近来，需要具有高质量(例如，高驱动速度)的TFT来实现具有大尺寸和高分辨率的特征的显示装置。因此，可以使用氧化物半导体层来代替非晶硅层。通常，沉积多个层，然后例如使用掩模通过光刻工艺进行图案化，由此制造TFT。如果使用氧化物半导体层制造TFT，则氧化物半导体层会由于随后的图案化工艺而被损坏，由此导致TFT劣化。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT可以具有损坏减小的氧化物半导体层。本发明的示例性实施例提供了一种TFT及其制造方法，以防止掩模数量增加。本发明的示例性实施例提供了一种可以减少制造时间并降低制造成本的TFT及其制造方法。本发明的附加特征将在下面的说明书中进行说明，并部分地根据说明书将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。本发明的示例性实施例提供了一种薄膜晶体管(TFT)面板，其中，在减少光刻工艺数量的情况下，可以减小或防止对TFT的氧化物半导体层的损坏。本发明的附加特征将在下面的说明书中进行说明，并部分地根据说明书将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。本发明的示例性实施例公开了一种包括薄膜晶体管的面板。所述面板包括基底； 光阻挡层，位于所述基底上；第一保护膜，位于所述光阻挡层上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上；绝缘层；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁，所述第一保护膜包括第二侧壁。所述第一电极包括第三侧壁，所述第二电极包括第四侧壁，并且所述第二电极与所述第一电极隔开。所述氧化物半导体层设置在所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上。所述绝缘层设置在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁和所述第四侧壁上。所述第四电极连接到所述第二电极。所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一些部分沿基本相同的线设置。本发明的示例性实施例还公开了一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法。所述方法包括在基底上形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成第一保护膜；在所述第一保护膜上形成彼此隔开的第一电极和第二电极；在所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上及在所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层；形成与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上的第三电极；在所述绝缘层上形成连接到所述第二电极的第四电极。使用单个掩模形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述第一电极和所述第二电极。本发明的示例性实施例还公开了一种包括薄膜晶体管的面板。所述面板包括基底；光阻挡层，位于所述基底上；第一保护膜，位于所述光阻挡层上；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜上；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开并位于所述氧化物半导体层上；绝缘层；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置并位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁，所述第一保护膜包括第二侧壁。所述氧化物半导体层包括第三侧壁。所述第一电极包括第四侧壁，所述第二电极包括第五侧壁。所述绝缘层设置在所述第一电极、所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁、所述第四侧壁和所述第五侧壁上。所述第四电极连接到所述第二电极。所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第三侧壁的至少一些部分沿基本相同的线设置。本发明的示例性实施例还公开了一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法。所述方法包括在基底上形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成第一保护膜；在所述第一保护膜上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成彼此隔开的第一电极和第二电极；在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层；形成与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上的第三电极；在所述绝缘层上形成第四电极。所述第四电极连接到所述第二电极。使用单个掩模形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极。本发明的示例性实施例还公开了一种包括薄膜晶体管的面板。所述面板包括基底；第一保护膜，位于所述基底上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上；氧化物半导体层，位于所述第一电极和所述第二电极上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，以暴露所述第一保护膜的一部分。所述氧化物半导体层设置在所述第一保护膜的被暴露的部分上。所述第四电极连接到所述第二电极。所述第一保护膜包括不透明氧化硅、不透明氮化硅，或者包括不透明氧化硅和不透明氮化硅两者。本发明的示例性实施例还公开了一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法。所述方法包括在基底上形成第一保护膜；在所述第一保护膜上形成第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，以暴露所述第一保护膜的一部分；在所述第一电极、所述第二电极和所述第一保护膜的被暴露的部分上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第三电极； 在所述绝缘层上形成第四电极，所述第四电极连接到所述第二电极。通过控制氮气或氧气的分压将所述第一保护膜形成为是不透明的。本发明的示例性实施例还公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括基底； 光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁；第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上且彼此隔开，所述第一电极包括第三侧壁，所述第二电极包括第四侧壁；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上且位于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极、所述第二电极、所述第一例壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁和所述第四侧壁上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上。所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一些部分沿基本相同的线设置。本发明的示例性实施例还公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括基底； 光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁；第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜上，所述氧化物半导体层包括第三侧壁；第一电极和第二电极彼此隔开且位于所述氧化物半导体层上，所述第一电极包括第四侧壁，所述第二电极包括第五侧壁；绝缘层，位于所述第一电极、所述第二电极以及所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁、所述第四侧壁和所述第五侧壁上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上。所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第三侧壁的至少一些部分沿基本相同的线设置。本发明的示例性实施例还公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括基底； 第一保护膜，位于所述基底上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，以暴露所述第一保护膜的一部分；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的被暴露的部分上，且位于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上。所述第一保护膜包括不透明氧化硅、不透明氮化硅，或者包括不透明氧化硅和不透明氮化硅两者。应当理解的是，以上概括性描述和以下详细描述是示例性的和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本发明的进一步说明。
附图对本发明的实施例进行举例说明，并与描述一起来解释本发明的原理，包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入到本说明书中，并构成本说明书的一部分。图1是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)面板的平面图。图2A和图2B是分别沿图1中的IIA-IIA'线和IIB-IIB'线截取的剖视图。图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图IOA和图IlA以及图3B、图4B、图 5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图IOB和图IlB是分别示出用于制造图2A和图2B中的TFT面板的步骤的剖视图。图12是根据本发明示例性实施例的在图2中由虚线‘ ”圈出的区域的放大详细示图。图13A和图13B是根据本发明另一示例性实施例的TFT面板的剖视图。图14A和图14B是根据本发明另一示例性实施例的TFT面板的剖视图。图15是根据本发明另一示例性实施例的TFT面板的平面图。图16A和图16B是分别沿图15中的XVIA-XVIA'线和XVIB-XVIB'线截取的剖视图。图17是根据本发明另一示例性实施例的TFT面板的平面图。图18A和图18B是分别沿图17中的XVIIIA-XVIIIA'线和XVIIIB-XVIIIB'线截取的剖视图。图19A、图20A、图21A和图22A以及图19B、图20B、图21B和图22B是分别示出用于制造图18A和图18B中的TFT面板的步骤的剖视图。
具体实施例方式现在将参照附图在下文中更充分地描述本发明的示例性实施例。本发明的示例性实施例提供了厚度和尺寸的各种标号，但应当理解的是，在没有要求保护它们的情况下，本发明的范围不应当由它们来限制。另外，相同的标号始终表示相同的元件。应当理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上，或者直接连接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。应当理解的是，当至少两个元件或层被称作“沿基本相同的线设置”或者“沿基本相同的线布置或对准”时，在这两个层的边界或接触表面处，两个层的侧壁的端部之间的距离小于或等于1 μ m。应当理解的是，“显示区域”指用于显示图像的区域。显示区域包括TFT和像素电极。应当理解的是，“非显示区域”指不用于显示图像的区域。栅极焊盘和数据焊盘形成在非显示区域中。 在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。图1是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)面板1的平面图。图2A是沿图1中的IIA-IIA'线截取的剖视图，图2B是沿图1中的IIB-IIB'线截取的剖视图。虽然在图1中仅示出了 TFT面板1的连接到单个TFT、单条栅极线和单条数据线的单个像素。 TFT面板1可以具有连接到多个TFT、多条栅极线和多条数据线的多个像素，并且根据本发明示例性实施例，多个像素可以以矩阵形式设置在TFT面板1上。此外，像素可以具有各种结构。例如，每个像素可以包括一个以上的TFT和一个以上的像素电极。参照图1和图2A，具有侧壁的光阻挡层115形成在绝缘基底110上。绝缘基底110 可以由玻璃、塑料或其它适当的绝缘材料制成。光阻挡层115可以包括不透明无机材料或不透明有机材料。例如，不透明无机材
10料可以包括铬、氧化铬和它们的组合中的至少一种。不透明有机材料可以包括碳黑、氧化钛 (TiO2)、颜料和它们的组合中的至少一种以及有机光敏树脂。光阻挡层115防止光进入氧化物半导体层140 (如下详细描述)，由此减少在氧化物半导体层140中产生的漏电流。具有侧壁的第一保护膜135形成在光阻挡层115上。第一保护膜135可以包括氧化硅(SiOx)。第一保护膜135保护氧化物半导体层140免受外部杂质的影响。另外，第一保护膜135通过接触氧化物半导体层140来稳定氧化物半导体层140的界面特性，从而提高TFT的性能。当光阻挡层115由铬形成时，第一保护膜135可以使TFT的源电极和漏电极与光阻挡层115电绝缘。包括源电极152的数据线150和漏电极156形成在第一保护膜135上。沿纵向方向或列方向延伸的数据线150传输数据信号。数据线150包括从数据线150突出的源电极 152。数据焊盘IM形成在数据线150的端部处。诸如数据驱动电路的驱动电路向数据焊盘1 施加驱动信号。漏电极156与源电极152隔开，氧化物半导体层140设置在它们之间。数据线150和漏电极156可以由包括Ni、Ti、Ag、Cu、Mo、Al、Nb、Au、Ta、它们的合
金和它们的组合中的至少一者的单层或双层形成。当氧化物半导体层140与Al、Cu、Ag或它们的合金直接接触时，数据线150和漏电极156可以由双层结构或三层结构形成，以提高氧化物半导体层140与数据线150和漏电极156之间的接触性能。例如，双层结构可以由Al/M0、Al/Ti、Al/Ta、Al/Ni、Al/TiNx、Al/ Co、Cu/CuMn、Cu/Ti、Cu/TiN 或 Cu/TiOx 形成。例如，三层结构可以由 Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、 Co/Al/Co、Ti/Al/Ti、TiNx/Al/Ti、CuMn/Cu/CuMn、Ti/Cu/Ti, TiNx/Cu/TiNx 或 Ti0x/Cu/Ti0x 形成。这里，第一保护膜135可以与光阻挡层115叠置。换言之，第一保护膜135和光阻挡层115可以具有彼此基本相同的图案。第一保护膜135和光阻挡层115的沿相同方向设置的侧壁沿基本相同的线设置。氧化物半导体层140形成在源电极152的一部分、漏电极156的一部分以及第一保护膜135的在源电极152和漏电极156之间暴露的部分上。氧化物半导体层140可以包括由式AxBxOx和式AxBxCxOx表示的一种或多种化合物。 这里,A可以为In、&i、Ga、Hf或Cd ；B可以为&1、6&、511或h ；C可以为Sn、Si、Cd、Ga、h或 Hf ;0为原子氧。每个χ独立地为非零整数，A、B和C彼此不同。例如，氧化物半导体层140 可以包括以下化合物中的一种或多种 JnaiOJnfeiOJnSnO、SiSnO、(kiSnO、(;aaiO、(;aaiSnO、 GaInZnO, HfInZnO, HfZnSnO和&i0。氧化物半导体的有效载流子迁移率可以是非晶硅的有效载流子迁移率的一至两百倍，由此使得TFT的驱动速度增大。沟道区形成在氧化物半导体层140的位于源电极152和漏电极156之间的部分中。栅极绝缘层130形成在氧化物半导体层140、数据线150、漏电极156、光阻挡层 115的侧壁和第一保护膜135的侧壁上。栅极绝缘层130可以包括由各种绝缘材料制成的多层。例如，栅极绝缘层130可以包括氮化硅断队)、氧化硅(SiOx)或氧氮化硅(SiON)。 对于包括多层的栅极绝缘层130的示例，栅极绝缘层130可以包括接触氧化物半导体层140 的下层为SiOx和上层为SiNx的双层结构。多条栅极线120和多条存储电极线1 形成在栅极绝缘层130上。栅极线120沿横向方向延伸。每条栅极线120包括从栅极线120垂直地突出的栅电极122。栅极焊盘124 形成在接收栅极信号的栅极线120的端部处。存储电极线1 可以接收预设电压，并与栅极线120平行延伸。每条存储电极线 126包括与像素电极172的多个部分叠置的存储电极127，以形成存储电容器。栅极线120 和存储电极线1 可以包括银(Ag)或银合金、铜(Cu)或铜合金、钼(Mo)或钼合金、铬(Cr)、 钽(Ta)、钛(Ti)和它们的组合中的至少一种。根据示例性实施例，栅极线120和存储电极线1 可以包括由各种导电材料制成的多层。例如，它们可以包括诸如Al和Mo或者Ti和 Cu的双层结构。如图1和图2A所示，栅电极122的侧壁设置在氧化物半导体层140的侧壁的外侧。 栅电极122可以与氧化物半导体层140叠置。栅电极122的右侧壁和左侧壁部分地在第一保护膜135的右侧壁和左侧壁的内侧。栅电极122的上侧壁在第一保护膜135的侧壁的外面，由此使制造工艺稳定。第二保护膜160形成在栅极线120、栅电极122和栅极绝缘层130上。第二保护膜160可以包括510!￡工1队或诸如丙烯酸酯的有机材料。参照图1、图2A和图2B，第二保护膜160和栅极绝缘层130具有用于暴露漏电极156的一部分的漏电极接触孔162和用于暴露数据焊盘154的一部分的数据焊盘接触孔165。第二保护膜160具有用于暴露栅极焊盘 124的一部分的栅极焊盘接触孔163。像素电极172形成在第二保护膜160上。像素电极172电连接到漏电极156。像素电极172可以包括透明导电材料(例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))或反射金属 (例如，Al、Ag、Cr或它们的合金)。像素电极172从漏电极156接收数据信号。成对的像素电极和共电极彼此面对，并在它们之间产生电场。液晶显示装置包括位于像素和共电极之间的液晶分子。液晶分子由于产生的电场而取向，由此控制透光率。像素电极172在存储电极127处与存储电极线1 部分地叠置，从而形成存储电容器。存储电容器保持像素电极172和共电极之间的电压。栅极绝缘层130和第二保护膜 160可以设置在像素电极172和存储电极线1 之间。图3A至图IlB是示出根据本发明示例性实施例的用于制造图1、图2A和图2B中的TFT面板的步骤的剖视图。详细地说，图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图IOA 和图IlA是示出用于制造图2A中的TFT面板的步骤的示意图，图3B、图4B、图5B、图6B、图 7B、图8B、图9B、图IOB和图IlB是示出用于制造图2B中的TFT面板的步骤的示意图。参照图3A和图3B，光阻挡材料112、保护层132和数据传导层151形成在绝缘基底110的表面上。绝缘基底110可以包括玻璃或塑料。光阻挡材料112可以包括不透明的无机材料或不透明的有机光敏树脂。在一个实施例中，光阻挡材料112的厚度范围为大约500 A至5000 A。当光阻挡材料112包括诸如铬的无机材料时，可以利用溅射技术。当光阻挡材料112包括有机光敏树脂时，可以利用狭缝涂覆技术。保护层132可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)，并可以通过化学气相沉积 (CVD)或溅射技术形成。在一个实施例中，保护层口2的厚度可以在3OO A至5OOO A的范围内。通过溅射技术形成氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)可以在氧(O2)或氮(N2)的气氛中使用硅(Si)靶来执行。在这种情况下，可以通过调节氧(O2)或氮( )的分压来控制氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)膜的透光率。表 权利要求
1.一种包括薄膜晶体管的面板，所述面板包括 基底；光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁； 第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁； 第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上，所述第一电极包括第三侧壁，所述第二电极包括第四侧壁，并且所述第二电极与所述第一电极隔开；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上，并位于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极、所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁和所述第四侧壁上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，并位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上，所述第四电极连接到所述第二电极，其中，所述第一侧壁的至少一部分和所述第二侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
2.根据权利要求1所述的面板，其中，所述第三侧壁的至少一部分和所述第四侧壁的至少一部分与所述第二侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
3.根据权利要求2所述的面板，所述面板还包括 数据线，被构造为将数据信号传输到所述第一电极； 数据焊盘，连接到所述数据线的端部，其中，所述第一保护膜和所述光阻挡层设置在所述数据焊盘下方。
4.根据权利要求3所述的面板，其中，所述第一侧壁的至少一部分和所述第二侧壁的至少一部分与所述数据焊盘的侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
5.根据权利要求2所述的面板，其中，所述氧化物半导体层的至少一个侧壁设置在所述第二侧壁的内侧。
6.根据权利要求5所述的面板，其中，所述第三电极的侧壁设置在所述氧化物半导体层的所述至少一个侧壁和所述第二侧壁之间。
7.根据权利要求2所述的面板，所述面板还包括设置在所述绝缘层和所述第四电极之间的第二保护膜，所述第二保护膜包括滤色器。
8.根据权利要求2所述的面板，所述面板还包括 栅极线，被构造为将栅极信号传输到所述第三电极； 栅极焊盘，连接到所述栅极线的端部，接触辅助件，位于所述栅极焊盘上， 其中，所述接触辅助件与所述绝缘层接触。
9.根据权利要求8所述的面板，所述面板还包括与所述第三电极接触的透明膜。
10.一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法，所述方法包括 在基底上形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成第一保护膜；在所述第一保护膜上形成彼此隔开的第一电极和第二电极；在所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上且在所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层； 形成与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上的第三电极； 在所述绝缘层上形成连接到所述第二电极的第四电极，其中，使用单个掩模形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述第一电极和所述第二电极。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用单个掩模形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述第一电极和所述第二电极的步骤包括在所述基底上形成光阻挡材料； 在所述光阻挡材料上形成保护层； 在所述保护层上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成光致抗蚀剂，并使用所述单个掩模将所述光致抗蚀剂图案化，以形成具有台阶部分的光致抗蚀剂图案，使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述光阻挡材料、所述保护层和所述第一导电层，以形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述第一电极和所述第二电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案的位于与所述第一电极和所述第二电极之间的区域对应的区域中的部分比所述光致抗蚀剂图案的位于与所述第一电极和所述第二电极对应的区域中的部分薄。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一电极和所述第二电极的步骤包括蚀刻所述第一导电层，以形成连接到所述第一电极的数据线和连接到所述数据线的端部的数据焊盘。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述第三电极的步骤包括 在所述绝缘层上形成第二导电层；将所述第二导电层图案化，以形成所述第三电极、栅极线和栅极焊盘，所述栅极线连接到所述第三电极，所述栅极焊盘连接到所述栅极线的端部。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第四电极的步骤包括 在所述第三电极和所述绝缘层上形成透明导电层；将所述透明导电层图案化，以形成所述第四电极和透明导电膜，所述透明导电膜与所述第三电极接触。
16.一种包括薄膜晶体管的面板，所述面板包括 基底；光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁； 第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁； 氧化物半导体层，位于所述第一保护膜上，所述氧化物半导体层包括第三侧壁； 第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，并位于所述氧化物半导体层上，所述第一电极包括第四侧壁，所述第二电极包括第五侧壁；绝缘层，位于所述第一电极、所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁、所述第四侧壁和所述第五侧壁上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，并位于所述绝缘层上，第四电极，位于所述绝缘层上，所述第四电极连接到所述第二电极， 其中，所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分和所述第三侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
17.根据权利要求16所述的面板，其中，所述第四侧壁的至少一部分和所述第五侧壁的至少一部分与所述第三侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
18.一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法，所述方法包括 在基底上形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成第一保护膜； 在所述第一保护膜上形成氧化物半导体层； 在所述氧化物半导体层上形成彼此隔开的第一电极和第二电极； 在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层； 形成与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上的第三电极； 在所述绝缘层上形成第四电极，所述第四电极连接到所述第二电极， 其中，使用单个掩模形成所述光阻挡层、所述第一保护膜、所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极。
19.一种包括薄膜晶体管的面板，所述面板包括 基底；第一保护膜，位于所述基底上；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述第一保护膜上，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，并暴露所述第一保护膜的一部分；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分、所述第一电极和所述第二电极上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上； 第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上； 第四电极，位于所述绝缘层上，所述第四电极连接到所述第二电极， 其中，所述第一保护膜包括不透明氧化硅、不透明氮化硅，或者包括不透明氧化硅和不透明氮化硅两者。
20.根据权利要求19所述的面板，其中，所述第一保护膜包括第一侧壁，所述第一电极包括第二侧壁，所述第二电极包括第三侧壁，其中，所述第二侧壁的至少一部分和所述第三侧壁的至少一部分与所述第一侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
21.一种用于形成包括薄膜晶体管的面板的方法，所述方法包括 在基底上形成第一保护膜；在所述第一保护膜上形成第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，并暴露所述第一保护膜的一部分；在所述第一电极、所述第二电极和所述第一保护膜的被暴露的部分上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成第三电极；在所述绝缘层上形成第四电极，所述第四电极连接到所述第二电极， 其中，通过控制氮气或氧气的分压将所述第一保护膜形成为是不透明的。
22.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 基底；光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁； 第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁； 第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上且彼此隔开，所述第一电极包括第三侧壁，所述第二电极包括第四侧壁；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上且位于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极、所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁和所述第四侧壁上；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置且位于所述绝缘层上，其中，所述第一侧壁的至少一部分和所述第二侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
23.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 基底；光阻挡层，位于所述基底上，所述光阻挡层包括第一侧壁； 第一保护膜，位于所述光阻挡层上，所述第一保护膜包括第二侧壁； 氧化物半导体层，位于所述第一保护膜上，所述氧化物半导体层包括第三侧壁； 第一电极和第二电极，彼此隔开且位于所述氧化物半导体层上，所述第一电极包括第四侧壁，所述第二电极包括第五侧壁；绝缘层，位于所述第一电极、所述第二电极、所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁、所述第四侧壁和所述第五侧壁上，第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上， 其中，所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分和所述第三侧壁的至少一部分沿基本相同的线设置。
24.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 基底；第一保护膜，位于所述基底上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开，以暴露所述第一保护膜的一部分；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的被暴露的部分上，且位于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分上；绝缘层，位于所述氧化物半导体层、所述第一电极和所述第二电极上； 第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上， 其中，所述第一保护膜包括不透明氧化硅、不透明氮化硅，或者包括不透明氧化硅和不透明氮化硅两者。
25.—种显示面板，所述显示面板包括基底；光阻挡层，位于所述基底上； 第一保护膜，位于所述光阻挡层上；第一导电层，位于所述第一保护膜上，所述第一导电层包括第一导电线、从所述第一导电线突出的第一电极和与所述第一电极隔开的第二电极，由此暴露所述第一保护膜的一部分；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜、所述第一电极和所述第二电极上； 绝缘层，位于所述氧化物半导体层和所述第一导电层上； 第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上； 第四电极，连接到所述第二电极，其中，所述光阻挡层和所述第一保护膜具有基本相同的图案，除了所述第一保护膜的被暴露的部分之外，所述第一保护膜和所述第一导电层具有基本相同的图案。
全文摘要
本发明提供了一种面板、一种形成面板的方法、一种薄膜晶体管和一种显示面板。一种包括薄膜晶体管的面板包括基底；光阻挡层，位于所述基底上；第一保护膜，位于所述光阻挡层上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上；绝缘层；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁，所述第一保护膜包括第二侧壁。所述第一侧壁和所述第二侧壁沿基本相同的线设置。
文档编号H01L27/32GK102237373SQ20111012583
公开日2011年11月9日 申请日期2011年5月9日 优先权日2010年5月7日
发明者卞喜准, 朱迅, 李禹根, 李进元, 柳慧英 申请人:三星电子株式会社