半导体激光装置和光装置的制作方法

专利名称：半导体激光装置和光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体激光装置和光装置，特别涉及包括载置半导体激光元件的基座 (base)部和安装于基座部的密封用部件的半导体激光装置和光装置。
背景技术：
目前，半导体激光元件广泛用作光盘系统和光通信系统等的光源。例如，出射波长约780nm的激光的红外半导体激光元件，作为CD再现用光源而实用化，出射波长约650nm 的激光的红色半导体激光元件，作为DVD的记录/再现用光源而实用化。此外，出射波长约 405nm的激光的蓝紫色半导体激光元件，作为蓝光光盘的光源而实用化。为实现这样的光源装置，目前已知有包括载置半导体激光元件的基座部和安装于基座部的密封用部件的半导体激光装置。例如在日本特开平9-205251号公报和日本特开 2009-152330号公报中公开了这种半导体激光装置。在日本特开平9-205251号公报中公开了一种半导体激光器的塑料封装装置，包括由形成有凸缘面的树脂成型品构成的头部；隔着(通过，借助于)Si基台(submoimt)安装于固定在头部的安装板上的半导体激光元件；和覆盖半导体激光器元件的周围的树脂制的透明盖部。此外，该半导体激光器的塑料封装装置中，透明盖部的开口端部通过含有环氧树脂类材料的粘接剂与头部的凸缘面接合，由此半导体激光器元件以在由头部和透明盖部包围的封装体(package)内被气密密封的方式构成。此外，在日本特开2009-152330号公报中公开了一种半导体装置，在金属制的封装体和金属制的盖部的内部搭载有半导体激光元件，其中，该封装体具有从前表面贯穿 (延续)到上表面的一个开口部，该盖部的侧截面形成大致L形状，用两个面将封装体的开口部密封。在该日本特开2009-152330号公报所记载的半导体装置中，通过电阻熔接将封装体和盖部接合。然而，在日本特开平9-205251号公报公开的半导体激光器的塑料封装装置中，在头部与透明盖部的接合中使用环氧树脂类粘接剂。这种粘接剂特别是在固化前的状态下， 含有较多有机气体等挥发性的气体成分，由于使用这种粘接剂，所以会产生大量的上述挥发性气体。而且，在封装体内充满大量挥发性气体的状态下，特别是在使出射振荡波长短且高能量的激光的蓝紫色半导体激光元件动作的情况下，挥发性气体由于被从激光出射端面出射的激光激励并在激光出射端面附近分解，导致可能在激光出射端面形成附着物。在该情况下，由于附着物吸收激光而引起激光出射端面温度上升，存在半导体元件劣化的问题。此外，在日本特开2009-152330号公报中公开的半导体装置中，在封装体和盖部均由金属制的情况下，能够通过电阻熔接将封装体和盖部接合，但是在封装体和盖部中的某一方由金属以外的材料形成的情况下，则不能通过熔接来接合。当激光元件为蓝紫色半导体激光元件时，在使用上述日本特开平9-205251号公报中记载的环氧树脂类粘接剂来接合封装体和盖部的情况下，能够认为因从粘接剂挥发出的挥发性气体，可能会导致在激光出射端面形成附着物。从而，由于附着物吸收激光引起激光出射端面温度上升，所以存在半导体元件劣化的问题。

发明内容
为了实现上述目的，本发明的第一方面的半导体激光装置，包括半导体激光元件；和将半导体激光元件密封的封装体，其中，封装体包括具有设置在上表面和一个侧面的开口部的凹状的基座部；和覆盖开口部的密封用部件，密封用部件通过密封剂安装于基座部的接合区域。在该发明的第一方面的半导体激光装置中，如上所述，由于通过密封剂使开口部被密封用部件覆盖，所以能够通过密封用部件更容易地对上表面和一个侧面的两个面开口的凹状的基座部进行密封。由此，能够抑制封装体内部的半导体激光元件劣化。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选密封剂由难以产生挥发成分的材料构成，其中该挥发成分是导致附着于半导体激光元件的激光出射端面的附着物的产生的成分。另外，作为在激光出射端面形成附着物的原因的物质，是有机气体、硅氧烷等挥发性气体。根据这样的结构，由于上述挥发成分不侵入封装体内，所以能够抑制在激光出射端面形成附着物。由此，能够抑制半导体激光元件的劣化。特别是，在具备氮化物类半导体激光元件的半导体激光装置中，在激光元件的激光出射端面易形成挥发性气体产生的附着物，所以使用本发明的密封剂是有效的。 在上述结构中，优选密封剂由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成。这里，乙烯-聚乙烯醇共聚物是遮断外部气体的气障性优异的树脂材料，所以能够抑制存在于半导体激光装置的外部(大气中)的低分子硅氧烷、挥发性的有机气态等透过密封剂浸入封装体内。进而，由于从乙烯-聚乙烯醇共聚物难以产生上述挥发成分，所以在激光出射端面形成附着物的情况得以抑制。其结果是，能够可靠地抑制半导体激光元件的劣化。另外，作为难以产生在激光出射端面形成附着物的挥发成分的材料，使用上述乙烯-聚乙烯醇共聚物，这一结构是本发明人充分研讨后得到的结果。在上述密封剂由难以产生在激光元件的激光出射端面形成附着物的挥发成分的材料构成的结构中，优选密封剂由氟类树脂构成。由于从氟类树脂难以产生上述挥发成分， 所以在激光出射端面形成附着物的情况得以抑制。其结果是，能够可靠地抑制半导体激光元件的劣化。另外，作为难以产生在激光出射端面形成附着物的挥发成分的材料，使用上述氟类树脂，这一结构是本发明人充分研讨后得到的结果。在该情况下，优选氟类树脂是氟类润滑脂。氟类润滑脂是膏状，由于也能够容易地填充在小的间隙中，所以能够可靠地无间隙地对封装体内部进行密封。其结果是，能够可靠地抑制半导体激光元件的劣化。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选密封用部件具有覆盖基座部的上表面的第一部分；和覆盖基座部的一个侧面的第二部分，密封用部件一体形成有第一部分和第二部分。根据这种结构，能够以单一的部件对上表面和一个侧面的两个面开口的凹状的基座部进行密封，所以与分别用密封用部件对上述两个面进行密封的情况相比，能够简化制造工艺。在上述密封用部件的第一部分和第二部分一体形成的结构中，优选密封用部件具有透光性。根据这种结构，能够使从半导体激光元件出射的光透射至外部的“窗用部件”兼用作密封用部件，所以能够简化封装体的结构。在上述密封用部件的第一部分和第二部分一体形成的结构中，优选封装体还包括使从半导体激光元件出射的光向外部透射的窗用部件，密封用部件还具有贯通第二部分的孔部，窗用部件以密封第二部分的孔部的方式，通过密封剂安装于第二部分。根据这种结构，即使在设置有窗用部件的情况下，也在第二部分与窗用部件的接合中使用本发明的“密封剂”，所以能够可靠地抑制有机气体、硅氧烷等的挥发性气体侵入封装体内。在该情况下，优选窗用部件通过密封剂接合在第二部分的与安装于基座部的一侧相反的一侧的表面。根据这种结构，能够使密封用部件的安装于基座部一侧(封装体内部的密封空间侧)的表面为没有突出物的平坦的表面，所以能够容易地将密封用部件安装于凹状的基座部。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选密封剂以在整个接合区域不存在间隙的方式设置。根据这种结构，能够通过无间隙地设置的密封剂，将封装体的密封空间与封装体的外部可靠地隔离。由此，能够可靠地抑制半导体激光元件的劣化。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选密封用部件使用固定部件固定于基座部。根据这种结构，能够使用密封剂以外的固定部件将密封用部件可靠地固定于基座部。由此，能够容易地抑制密封用部件由于意外的振动或冲击而从基座部脱落的情况。在使用固定部件将上述密封用部件固定的机构中，优选固定部件包括粘接剂，粘接剂设置于接合区域的外侧。根据这种结构，即使在粘接剂产生挥发性的有机气体的情况下，也能够容易地抑制挥发性的有机气体浸透密封空间(封装体内部)。在使用固定部件将上述密封用部件固定的机构中，优选固定部件包括形成于密封用部件的第一嵌合部；和形成于基座部的第二嵌合部，密封用部件的第一嵌合部与基座部的第二嵌合部嵌合，由此密封用部件被固定于基座部。根据这种结构，能够容易地将密封用部件固定于基座部。在该情况下，优选第一嵌合部与第二嵌合部在从接合区域离开的位置相互嵌合。 根据这种结构，在将密封用部件安装于基座部时，抑制密封剂延伸至第一嵌合部与第二嵌合部的嵌合部分。由此，由于在第一嵌合部与第二嵌合部的嵌合部分不存在密封剂，所以能够可靠地进行第一嵌合部与第二嵌合部的嵌合。其结果是，能够可靠地抑制密封用部件由于意外的振动或冲击而从基座部脱落。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选基座部和密封用部件为树脂制。根据这种结构，与金属部件相比，即使使用具有可塑性的比较柔软的树脂制的基座部和密封用部件，也能够通过密封剂可靠地密封封装体。由此，与由金属部件构成的半导体激光装置相比，能够获得更加轻量化的半导体激光装置。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选密封用部件由金属箔、在表面形成有气障层的硅树脂或在表面形成有气障层的热可塑性氟树脂中的任一种构成。另外，在本发明中，所谓气障层，是指由气体透过性比硅树脂和热可塑性氟树脂低的材料构成的层。根据这种结构，在由金属箔构成密封用部件的情况下，能够由树脂以外的加工性丰富且低成本的材料容易地形成密封用部件。此外，在由硅树脂或热可塑性氟树脂等的树脂构成密封用部件的情况下，通过气障层，能够抑制存在于半导体激光装置的外部的低分子硅氧烷、挥发性的有机气体等透过密封用部件的树脂中而侵入封装体内。
在上述密封用部件由金属箔、硅树脂或热可塑性氟树脂的任一种构成的结构中， 优选密封用部件由Al的金属箔构成，密封剂由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成，密封剂延伸至密封用部件的与基座部接合的一侧的接合区域以外的表面上。根据这种结构，能够通过设置在密封用部件的密封剂提高金属箔的强度(刚性)，所以即使使用廉价的Al的金属箔，也能够容易地构成具有规定的刚性的密封用部件。在上述密封用部件由金属箔、硅树脂或热可塑性氟树脂的任一种构成的结构中， 优选在密封用部件的与基座部接合的一侧的表面上形成有气障层，气障层与密封剂接触。 根据这种结构，由于在密封用部件与基座部的接合区域中，在密封用部件与密封剂之间存在气障层，所以能够进一步抑制存在于半导体激光装置的外部的低分子硅氧烷、挥发性的有机气体等侵入封装体内。其结果是，能够抑制半导体激光元件的劣化。在上述第一方面的半导体激光装置中，优选半导体激光元件是氮化物类半导体激光元件。这样，在振荡波长短且要求高输出的氮化物类半导体激光元件中，由于在半导体激光元件的激光出射端面容易形成附着物，所以使用上述本发明的“密封剂”，在抑制氮化物类半导体激光元件劣化这一方面非常有效。在本发明的第二方面的光装置中，优选具备半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体的半导体装置；和控制半导体激光装置的出射光的光学系统，其中，封装体具备具有设置在上表面和一个侧面的开口部的凹状的基座部；和覆盖开口部的密封用部件，密封用部件通过密封剂安装于基座部的接合区域。在本发明的第二方面的光装置中，如上所述，由于通过密封剂使开口部被密封用部件覆盖，所以能够获得通过密封用部件容易地对上表面和一个侧面的两个面开口的凹状的基座部进行密封的半导体激光装置。由此，能够获得搭载有抑制半导体激光元件劣化的半导体激光装置的光装置。


图1是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的基座部和密封用部件分离的状态的分解立体图。图2是表示本发明的第一实施方式的半导体激光装置的密封用部件安装于基座部的状态的立体图。图3是本发明的第一实施方式的半导体激光装置的卸下密封用部件后的状态的上表面图。图4是本发明的第一实施方式的半导体激光装置的沿着宽度方向的中心线的纵截面图。图5是表示从激光的出射方向观看本发明的第一实施方式的半导体激光装置时的正面图。图6是用于说明本发明的第一实施方式的半导体激光装置的制造工艺的上表面图。图7是用于说明本发明的第一实施方式的半导体激光装置的制造工艺的上表面图。图8是表示本发明的第二实施方式的半导体激光装置中基座部和密封用部件分离的状态的分解立体图。图9是本发明的第二实施方式的半导体激光装置的沿着宽度方向的中心线的纵截面图。图10是用于说明本发明的第二实施方式的半导体激光装置的制造工艺的立体图。图11是用于说明本发明的第二实施方式的半导体激光装置的制造工艺的立体图。图12是用于说明本发明的第二实施方式的半导体激光装置的制造工艺的立体图。图13是表示本发明的第三实施方式的半导体激光装置的基座部和密封用部件分离的状态的分解立体图。图14是表示本发明的第四实施方式的半导体激光装置的密封用部件安装于基座部的状态的立体图。图15是用于说明本发明的第四实施方式的半导体激光装置的制造工艺的截面图。图16是用于说明本发明的第四实施方式的半导体激光装置的制造工艺的截面图。图17是表示本发明的第五实施方式的半导体激光装置的基座部和密封用部件分离的状态的分解立体图。图18是表示本发明的第五实施方式的半导体激光装置的沿着宽度方向的中心线的纵截面图。图19是表示从激光的出射方向观看本发明的第五实施方式的半导体激光装置时的截面图。图20是本发明的第六实施方式的三波长半导体激光装置的卸下密封用部件后的状态的上表面图。图21是表示从激光的出射方向观看本发明的第六实施方式的三波长半导体激光装置时的正面图。图22是表示本发明的第七实施方式的光拾取装置的结构的概略图。图23是本发明的第八实施方式的具备光拾取装置的光盘装置的结构图。图M是表示从激光的出射方向观看本发明的第九实施方式的RGB三波长半导体激光装置时的正面图。图25是本发明的第九实施方式的具备RGB三波长半导体激光装置的投影仪装置的结构图。图沈是本发明的第十实施方式的投影仪装置的结构图。图27是表示本发明的第十实施方式的投影仪装置中控制部按时间序列发送信号的状态的时序图。
具体实施例方式下面，基于附图来说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)首先，参照图1 图5，对本发明的第一实施方式的半导体激光装置100的结构进行说明。另外，在图2中，为了显示被密封在封装体内的半导体激光元件及其周边的状况， 将一部分附图标记省略。本发明的第一实施方式的半导体激光装置100，如图1和图2所示，由具有约 405nm的振荡波长的蓝紫色半导体激光元件20和密封蓝紫色半导体激光元件20的封装体 50构成。封装体50包括安装蓝紫色半导体激光元件20的基座部10 ；和安装于基座部10， 从上方(C2侧)和前方(Al侧)两个方向覆盖蓝紫色半导体激光元件20的密封用部件30。 其中，蓝紫色半导体激光元件20是本发明的“半导体激光元件”的一例。如图1所示，基座部10具有平板状的基座主体10a，该基座主体IOa由聚酰胺树脂形成，具有厚度tl(c方向)。此外，在平板状的基座主体IOa的前方部分(Al侧)的约一半的区域，形成有向下方(Cl侧)以厚度tl的约一半的深度凹陷的凹部10b。此外，在基座主体IOa的前侧(Al侧)的前壁部10c，设置有在宽度方向(B方向)的中央部具有宽度W3(参照图3)的大致矩形状的开口部10d。因此，在凹部IOb配置有在上表面IOi侧开口的大致矩形状的开口部IOe ；和在前方开口的开口部10d。此外，凹部IOb具有前壁部 IOc ；从前壁部IOc的两侧端部向后方(A2方向)大致平行地延伸的一对侧壁部IOf ；将侧壁部IOf的后方侧(A2侧)的端部连接的内壁部IOg ；和在下部连接上述前壁部10c、一对侧壁部IOf和内壁部IOg的底面。另外，前壁部IOc是本发明的“一个侧面”的一例。此外，如图1和图3所示，在基座部10，金属制的由引线框架构成的引线端子11、 12和13按照在相互绝缘的状态下在基座主体IOa中从前方(Al侧)贯通至后方(A2侧) 的方式配置。此外，俯视时，引线端子11贯通基座主体IOa的大致中心(B方向)，并且在引线端子11的宽度方向(B方向)的外侧(B2侧和Bl侧)分别配置有引线端子12和13。 此外，引线端子11、12和13的延伸到各自的后方(A2方向)的后端区域IlaUh和13a分别从基座主体IOa的后方(A2侧)的后壁部IOh (参照图3)露出。此夕卜，如图1和图3所示，引线端子11、12和13的前方(Al侧)的前端区域lib、 12b和1 分别从基座主体IOa的内壁部IOg露出，前端区域lib 1 均配置在凹部IOb 的底面上。此外，引线端子11的前端区域lib在凹部IOb的底面上沿着B方向扩展。此外，如图3所示，在引线端子11 一体形成有与前端区域lib连接的一对散热部 lid。一对散热部Ild以引线端子11为中心，在B方向的两侧大致对称地配置。此外，散热部Ild从前端区域lib起延伸，并且从基座主体IOa的侧面起在Bl方向(B2方向)上贯通，露出在基座部10的外部。因此，在封装体50内动作的蓝紫色半导体激光元件20发出的热，传递到基台(submoimt) 40、前端区域lib和两侧的散热部lld，向半导体激光装置100 的外部散出。此外，密封用部件30由具有透光性的硅树脂形成。如图1所示，密封用部件30 — 体化地包括厚度为t2 (C方向)且宽度为Wl (B方向)的平板状的顶面部30a;和与顶面部 30a的一侧(Al侧)的端部连接，向下方(Cl方向)延伸的厚度为t2且宽度为W2(W2彡Wl) 的平板状的前表面部30b。此外，顶面部30a和前表面部30b在相互大致正交的状态下一体形成，由此密封用部件30的A方向的侧截面具有大致L形状。此外，前表面部30b的宽度 W2比基座部10的开口部IOd的B方向的开口长度W3(参照图3)大。此外，顶面部30a和前表面部30b分别是本发明的“第一部分”和“第二部分”的一例。这里，如图1 图5所示，以包围开口部IOe和IOd的周围的方式，以规定厚度涂布密封剂15来连续覆盖基座主体IOa的上表面IOi的开口部IOe的周边区域(内壁部IOg 的附近区域、一对侧壁部IOf和前壁部IOc的各自的上表面)和前表面(前壁部IOc的外侧面(Al侧))的开口部IOd的周边区域上。在使顶面部30a和前表面部30b的内表面30c 的外缘部附近与密封剂15紧贴的状态下，密封用部件30安装于基座部10。S卩，基座主体 IOa的开口部IOe被顶面部30a覆盖，并且基座主体IOa的开口部IOd被前表面部30b覆盖。由此，开口部IOd和IOe被密封用部件30完全封闭(堵塞)，通过封装体50将蓝紫色半导体激光元件20密封。另外，密封剂15使用氟类润滑脂(润滑油，grease)，该氟类润滑脂是由将聚四氟乙烯(CF2)n)的微粒作为增长剂混入到作为氟类油的全氟聚醚(perfluoropolyether)中而得的膏状的混合物构成的。这里，全氟聚醚由用以下的化学式表示的物质的单体或组合构成。即，全氟聚醚由 Rf (OCF2CF2)nF、Rf (0 CF2CF2CF2)nF、Rf (0 CF(CF3) CF2)nF(这里，Rf 表示 C3F5或C3F7),或者Rf (OCF2CF2)nF(这里，Rf表示C2F5或C3F7)的单体或组合构成。这样，作为密封剂15，使用不产生挥发成分等的材料或难以产生挥发成分等的材料。由此，在半导体激光装置100中，在封装体50的内部的光出射端面20a不产生或难以产生挥发成分的附着物等。此外，如图4和图5所示，在密封用部件30的内表面30c上和外表面30d上，连续形成有厚度约为0. Ιμπι的由SW2构成的气障层31。此外，如图2所示，在将密封用部件30安装于基座部10的状态下，进一步通过环氧树脂类的粘接剂16固定密封用部件30。具体而言，粘接剂16设置在密封用部件30的顶面部30a的后方(A2侧)的端面附近和前表面部30b的侧方(Bi、B2侧)的端面附近。此外，粘接剂16在各个部位形成于从基座部10的外表面到密封用部件30的外表面，设置在密封剂15的外侧(凹部IOb的外侧)。由此，防止粘接剂16散发的挥发性的有机气体通过密封剂15浸透到封装体50内。另外，粘接剂16为本发明的“固定方法”的一例。此外，在引线端子11的前端区域lib的上表面大致中央，隔着基台40安装有蓝紫色半导体激光元件20。该蓝紫色半导体激光元件20具有约250 μ m以上约400 μ m以下的共振器长(A方向)，并且具有约100 μ m以上约200 μ m以下的元件宽(B方向)。此外，蓝紫色半导体激光元件20具有约100 μ m的厚度。此外，如图5所示，在蓝紫色半导体激光元件20中，在η型GaN基板21的上表面上形成有由Si掺杂的η型AKiaN构成的η型覆盖(clad，复合)层22。在η型覆盖层22 的上表面上形成有活性层23，该活性层23具有将由h组成高的InGaN构成的量子阱层和由GaN构成的障壁层交替叠层构成的MQW结构。在活性层23的上表面上形成有由Mg掺杂的ρ型AWaN构成的ρ型覆盖层24。此外，在ρ型覆盖层M形成有沿着与图5的纸面垂直的方向(图3的A方向)延伸的具有约1. 5 μ m的宽度的脊部(凸部)25。此外，在ρ型覆盖层M的脊部25以外的上表面和脊部25的两侧面，形成有由SW2构成的电流阻挡层26。此外，在ρ型覆盖层M的脊部25和电流阻挡层沈的上表面上，形成有由Au等构成的ρ侧电极27。此外，在η型GaN基板21的下表面上的大致整个区域中，从接近η型GaN基板21的一侧起形成有按Al层、Pt层和Au层的顺序叠层而成的η侧电极观。此外，在蓝紫色半导体激光元件20的光出射端面20a(参照图幻形成有低反射率的电介质多层膜。此外，在光反射端面20b (参照图幻形成有高反射率的电介质多层膜。这里，上述的光出射端面20a 和光反射端面20b，根据相对于形成在蓝紫色半导体激光元件20中的一对共振器端面，按照从各个端面出射的激光的光强度的大小关系来区分。即，出射的激光的光强度相对大的一方的端面是光出射端面20a。而相对小的一方的端面是光反射端面20b。另外，光反射端面20b是本发明的“激光出射端面”的一例。上述蓝紫色半导体激光元件20的η侧电极28和形成在基台40的上表面上的焊盘电极41通过导电性粘接层(未图示)接合。由此，蓝紫色半导体激光元件20通过上置结(jimction-up)方式接合在基台40上(参照图5)。此外，基台40的下表面通过由Au-Sn 焊锡构成的导电性粘接层5与引线端子11的前端区域lib的表面(上表面)接合。此时， 蓝紫色半导体激光元件20的光出射端面20a，按照与基台40的Al侧的端面40a、引线端子 11的前端区域lib的前表面和基座部10的凹部IOb的前壁部IOh在同一面上一致的方式配置(参照图3)。此外，如图1所示，由Au等构成的金属线91的一端与ρ侧电极27线接合(wire bonding)，金属线91的另一端与引线端子12的前端区域12b连接。此外，在基台40的后方(A2侧)配置有平板状的显示器用PD (发光二极管)42。 此外，显示器用PD42具有在作为受光面的上表面4 侧(C2侧)形成的ρ型区域42b和在下面侧(Cl侧)形成的η型区域42c。下面侧的η型区域42c与引线端子11的上表面接
I=I O此外，由Au等构成的金属线92的一端与显示器用PD42的上表面4 接合，金属线92的另一端与引线端子13的前端区域1 连接。这样，构成第一实施方式的半导体激光装置100。接着，参照图1 图7，说明第一实施方式的半导体激光装置100的制造工艺。首先，如图6所示，通过蚀刻由铁、铜等的带状的薄板构成的金属板而将散热部 Ild与前端区域lib —体形成的引线端子11，和配置在引线端子11的两侧的引线端子12 以及13，形成在横向(B方向)反复进行图案形成的引线框(lead frame) 1050此时，各引线端子12和13，在通过沿着横向(B方向)延伸的连结部101和102连结的状态下进行图案形成。此外，各散热部Ild在通过沿着横向延伸的连结部103连结的状态下进行图案形成。然后，如图7所示，将包括贯通有一组引线端子11 13贯通的基座主体IOa和使各端子的前端区域lib 13b露出于底面上的凹部IOb的基座部10 (参照图1)，使用树脂成型装置成型于引线框105。此时，基座主体IOa的各引线端子11 13的前端区域lib 13b以一同配置在凹部IOb内的方式被模塑成型。另一方面，使以约10比1的比例混合硅树脂和固化剂而成的固化前的硅树脂流入具有规定形状的模具(模型，铸型，未图示)。在约150°C的温度条件下加热约30分钟使其固化。由此，密封用部件30的顶面部30a和前表面部30b (参照图1)成型。然后，从模具中取出密封用部件30，在通过无油泵成为减压状态的炉内，在约 240°C的温度条件下加热两天，将硅树脂中含有的低分子硅氧烷(Siloxane)除去。然后，利用真空蒸镀法，在密封用部件30的顶面部30a和前表面部30b的各自的表面(内表面30c和外表面30d)上形成由SiO2构成的气障层31(参照图幻。这样，形成密封用部件30。此外，使用规定的制造工艺，制作蓝紫色半导体激光元件20、显示器(monitor，监视)用PD42和基台40。在形成于基台40的一个表面上的焊盘电极41上，使用导电性粘接层(未图示)接合蓝紫色半导体激光元件20的芯片。此时蓝紫色半导体激光元件20的η 侧电极观侧与焊盘电极41接合。然后，如图7所示，通过导电性粘接层5 (参照图幻，将基台40接合在引线端子11 的前端区域llb(参照图3)的上表面大致中央(横向)的上表面上。此时，未接合蓝紫色半导体激光元件20的基台40的下表面侧与前端区域lib的上表面接合。接着，在基台40 的后方且在引线端子11的前端区域lib与前壁部IOc之间的区域上，使用导电性粘接层 (未图示)接合显示器用PD42的η型区域42c。此时，显示器用PD42的η型区域42c侧与引线端子11接合。然后，如图1所示，使用金属线91将蓝紫色半导体激光元件20的ρ侧电极27与引线端子12的前端区域12b连接。此外，使用金属线92将显示器用PD42的ρ型区域42b 与引线端子13的前端区域1 连接。另外，图7中省略了金属线91和92的记载。然后，如图7所示，通过沿着分离线180和190切断，将连结部101、102和103切断除去。然后，如图1所示，以包围基座部10的开口部IOe和IOd的周围的方式，涂布密封剂15来连续覆盖在基座主体IOa的上表面IOi的开口部IOe的周边区域(内壁部IOg的附近区域、一对侧壁部IOf和前壁部IOc的各上表面)和前表面(前壁部IOc的外侧面(Al 侧))的开口部IOd的周边区域上。在该状态下，在使密封用部件30的内表面30c的外缘部附近与密封剂15紧贴的状态下安装于基座部10。最后，将粘接剂16贴附固定在密封用部件30与基座部10的接合部位的外侧的表面。这样，形成半导体激光装置100(参照图2)。如上所述，由于通过密封剂15由密封用部件30覆盖开口部IOe和10d，所以能够利用密封用部件30容易地密封上表面IOi侧和前壁部IOc侧这两个面开口的凹状的基座部10。因此，能够抑制封装体50内部的蓝紫色半导体激光元件20的劣化。此外，通过密封剂15将密封用部件30安装于基座部10，由此不会增加制造成本，能够使用现有的制造设备容易地制造半导体激光装置100。此外，通过将难以产生作为光出射端面20a的附着物的原因的挥发成分的氟类润滑脂用作密封剂15，作为光出射端面20a的附着物的原因的有机气体和硅氧烷等挥发性气体难以浸入封装体50内，所以在光出射端面20a形成附着物的情况得到抑制。由此，能够抑制由基座部10和密封用部件30密封的蓝紫色半导体激光元件20劣化。此外，氟类润滑脂是膏状，即使是细小的间隙也能够容易地填充，所以能够无间隙地密封封装体50。由此， 能够可靠地抑制蓝紫色半导体激光元件20的劣化。特别是对于具备因激光出射端面(光出射端面20a)的附着物而使元件容易劣化的蓝紫色半导体激光元件20的半导体激光装置 100，使用由氟类润滑脂构成的密封剂15是有效的。这里，为了确认使用氟类润滑脂作为密封剂15的有用性，进行了以下的实验。首先，将蓝紫色半导体激光元件20安装于具有5. 6mm的直径(外径)的金属制的杆部(棒状部，stem)(基座部)，并且在金属制的帽部(带玻璃窗)的内侧面附着约3mg的氟类润滑脂的状态下，将帽部盖上进行密封。另外，所用的氟类润滑脂分别使用Dow Corning Toray(東 > ·夕·々- 一二 >夕.、)公司制的“HP-300”和ULVAC公司制的“Super Z-300”。在70°C的条件下，从蓝紫色半导体激光元件20利用APC(Aut0 Power Control，自动功率控制)将调整为IOmW的输出的激光出射350小时，进行动作试验。其结果是在经过350小时后，各个附着有氟类润滑脂的半导体激光装置的动作电流没有发生显著的变化。另外，作为比较例，使用在帽部的内侧面附着硅类润滑脂进行密封的半导体激光装置，进行了动作试验。 另外，所用的硅类润滑脂分别使用Dow Corning Toray公司制的“FS高真空用润滑脂”和 “HIGHVACUUMGREASE”。在比较例的情况下，在激光元件的动作后经过20 50小时后，得到动作电流值上升为初始值的1. 5倍的结果。根据该结果可确认，用于密封剂15的氟类润滑脂是难以产生在激光出射面形成附着物的挥发成分的材料，对抑制在光出射端面20a形成附着物等是有用的。此外，为了确认使用硅树脂作为密封用部件30的有用性，进行了以下的实验。首先，通过具有Imm厚度的板状的由聚二甲硅氧烷(polydimethylsiloxane)构成的硅树脂 (信越化学制KE-106)形成密封用部件30，将其与光出射端面20a隔开Imm的距离配置。 接着，在70°C的条件下，从蓝紫色半导体激光元件20利用APC(Aut0 Power Control，自动功率控制)将调整为IOmW的输出的激光对上述光透射部35照射1000小时。其结果是确认密封用部件30的透射率不发生变化。作为比较例，在以相同的条件对具有Imm厚度的由 PMMA (透明丙烯酸树脂)形成的光透射部照射激光的情况下，激光的照射区域劣化而成为不透明，透射率急剧减少。根据该结果确认了使用硅树脂作为密封用部件30的有用性。此外，在密封用部件30 —体形成有覆盖基座部10的上表面IOi的顶面部30a和覆盖基座部10的前壁部IOc的前表面部30b。由此，能够用单一的密封用部件30将上表面 IOi和前壁部IOc这两个面开口的凹状的基座部10密封，所以与分别用密封用部件密封上述的两个面的情况相比较，能够使半导体激光装置100的制造工艺简化。此外，密封用部件30具有透光性，所以能够使密封用部件30兼用作将从蓝紫色半导体激光元件20出射的光向外部透过的窗用部件，所以能够使封装体50的结构简化。此外，设置密封剂15使得沿着基座部10与密封用部件30的接合区域(开口部 IOe的周边区域(内壁部IOg的附近区域、一对侧壁部IOf和前壁部IOc的各上表面)和前表面(前壁部IOc的外侧面)的开口部IOd的周边区域)没有间隙。由此，通过无间隙地设置的密封剂15，能够将封装体50的密封空间与封装体50的外部可靠地隔离。由此，能够可靠地抑制蓝紫色半导体激光元件20劣化。此外，除了密封剂15，还使用粘接剂16将密封用部件30固定于基座部10。由此， 能够可靠地固定在基座部10，所以能够容易地抑制起因于意外的振动、冲击而导致的密封用部件30从基座部10脱落的情况。此外，粘接剂16设置在将基座部10和密封用部件30通过密封剂15接合的区域的外侧。由此，即使在粘接剂16散发挥发性的有机气体的情况下，也能够容易地抑制挥发性的有机气体浸透密封空间(封装体50内部)。此外，基座部10和密封用部件30均为树脂制。这样，与金属部件相比较，即使在使用具有可塑性且比较柔软的树脂制的基座部10和密封用部件30的情况下，也能够通过密封剂15可靠地密封封装体50。由此，与由金属部件构成的半导体激光装置相比较，能够得到更轻量化的半导体激光装置100。此外，作为密封用部件30，使用在内表面30c上和外表面30d上形成有气障层31 的硅树脂。这里，构成密封用部件30的硅树脂，由于非结晶结构而具有高气体透过性，所以存在于半导体激光装置100的外部(大气中)的低分子硅氧烷、挥发性的有机气体，可能会透过硅树脂中浸入密封有蓝紫色半导体激光元件20的封装体50内。因此，通过在密封用部件30的表面形成气障层31，能够抑制存在于半导体激光装置100的外部的低分子硅氧烷、挥发性的有机气体等透过密封用部件30的硅树脂中而浸入封装体50内。另外，气障层 31具有几十nm的厚度即可。此外，密封用部件30在通过密封剂15与基座部10接合的内表面30c上形成有气障层31，气障层31与密封剂15接触。由此，在密封用部件30与基座部10的接合区域中， 由于在密封用部件30与密封剂15之间设置有气障层31，所以能够进一步抑制存在于半导体激光装置100的外部的低分子硅氧烷、挥发性的有机气体等浸入封装体50内部。其结果是，蓝紫色半导体激光元件20的劣化能够进一步得到抑制。此外，在封装体50的内部密封有蓝紫色半导体激光元件20。这样，在振荡波长短且要求高输出的氮化物类半导体激光元件中，在半导体激光元件的激光出射端面容易形成附着物，所以使用密封剂15在抑制蓝紫色半导体激光元件20劣化的方面是非常有效的。(第二实施方式)接着，说明本发明的第二实施方式的半导体激光装置200。在该半导体激光装置 200中，如图8所示，与第一实施方式的不同之处在于，光透射部235形成在前表面(Al侧)、 密封用部件230由铝箔构成，对此情况进行说明。另外，在图中对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记来图示。另外，铝箔是本发明的“金属箔”的一例。在半导体激光装置200中，密封用部件230使用具有约50 μ m的厚度t2的铝箔形成。此外，如图9所示，在密封用部件230的前表面部230b的大致中央部，设置有在厚度方向上贯通密封用部件230的一个孔部234。以从前表面部230b的外侧(Al侧)覆盖孔部234的方式设置有由硅树脂构成的具有透光性的光透射部235。此外，在光透射部235 的表面(Al侧和A2侧)上，形成有由Al2O3构成的电介质膜32。电介质膜32不仅具有作为气障层的功能，还具有反射防止层的作用。此外，光透过层235通过涂布在孔部234的周围具有约0. Imm厚度的密封剂17贴附于前表面部230b。另外，作为密封剂17，使用作为由乙烯-聚乙烯醇(ethylene-polyvinyl alcohol)共聚物构成的树脂(EV0H树脂)的Eval (注册商标)。EVOH树脂是气体障壁性优良的材料，主要作为多层膜用于食品包装材料等。因此，密封用部件230的孔部234被通过密封剂17安装的光透射部235完全堵塞。另外，半导体激光装置200的其他结构与第一实施方式相同。接着，对半导体激光装置200的制造工艺进行说明。首先，如图1所示，在具有约 50 μ m厚度的铝箔233的规定区域中隔开规定的间隔形成多个孔部234。然后，如图11所示，在铝箔233的上表面233a上的各个孔部234的周围，圆环状地涂布密封剂17。此时，在加热到约220°C的铝箔233的上表面233a上，以约0. 2mm的厚度涂布由 Eval (可乐丽制Eval F104B)构成的密封剂17。在通过加热使密封剂17熔融的状态下，形成电介质膜32，并且以覆盖孔部234上的方式压接而形成为大致圆板状的光透射部235。 然后，通过冷却铝箔233，用密封剂17将光透射部235贴附于铝箔233(参照图11)。然后，如图12所示，以将密封用部件230在平面上展开的形状切割铝箔233。然后，以光透射部235成为外侧的方式将前表面部230b这部分折曲至与顶面部230a垂直的方向上。由此，密封用部件230形成如图8所示的形状。然后，将密封用部件230安装于基座部10，以代替第一实施方式的制造工艺中将密封用部件30安装于基座部10的工序。另外，其他工序与第一实施方式的制造工艺相同。 这样，形成半导体激光装置200(参照图9)。在第二实施方式中，如上所述，由铝箔233构成密封用部件230。由此，能够由树脂以外的富有加工性且低成本的材料容易地形成密封用部件230。此外，光透射部235被以将前表面部230b的孔部234密封的方式通过密封剂17 安装于前表面部230b。由此，即使在设置有光透射部235的情况下，也将密封剂17用于前表面部230b与光透射部235的接合，所以能够可靠地抑制有机气体、硅氧烷等挥发性气体浸入封装体50内部。此外，光透射部235通过密封剂17安装于密封用部件230(前表面部230b)。艮口， 通过使用密封剂17，光透射部235和密封用部件230，不使用丙烯酸树脂类粘接剂、环氧树脂类粘接剂等粘接剂而进行接合，所以密封在封装体50内的蓝紫色半导体激光元件20不会暴露在上述粘接剂散发的有机气体中。因此，能够有效地抑制蓝紫色半导体激光元件20 劣化。此外，能够使密封用部件230的安装于基座部10的一侧(封装体50内部的密封空间侧)的表面为没有突出物的平坦的表面，所以能够容易地将密封用部件230安装于凹状的基座部10。这里，为了确认使用EVOH树脂(Eval)作为密封剂17的有用性，进行了以下的实验。首先，将蓝紫色半导体激光元件20安装于具有9mm的直径(外径)的金属制的杆部 (基座部)，并且在金属制的帽部(带玻璃窗)的内侧面掺入切割成约5mg的Eval (可乐丽制EvalF104B)的颗粒(pellet)的状态下，将帽部盖上进行密封。在70°C的条件下，从蓝紫色半导体激光元件20利用APC将调整为IOmW的输出的激光出射250小时，进行了动作试验。其结果是在经过250小时后，半导体激光装置的动作电流没有发生显著的变化。另外，作为比较例，进行了在没有掺入Eval的状态下密封的半导体激光装置的动作试验。与经过250小时后的比较例相比，也未观察到动作电流中有显著的差异。根据该结果可确认， 从Eval极难以产生有机气体等，确认了使用EVOH树脂作为密封剂17的有用性。(第三实施方式)参照图13，对第三实施方式进行说明。在该第三实施方式的半导体激光装置300 中，使用第二实施方式中所用的密封剂17(可乐丽制Eval F104B)代替第一实施方式中所用的密封剂15，除此以外，与第一实施方式相同。另外，在图中对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记来图示。此外，在半导体激光装置300的制造工艺中，代替半导体激光装置100的制造工艺中将密封用部件30安装于基座部10的工序，通过以下工序将密封用部件30安装于基座部。即，在将基座部10加热至约220°C的状态下，将密封剂17 (参照图13)涂布在开口部 IOd和IOe的周边区域上。在通过加热使密封剂17熔融的状态下，将密封用部件30与基座部10热压接。然后，通过冷却基座部10，将密封用部件30安装于基座部10。此外，其他工序与第一实施方式的制造工艺相同。这样，形成半导体激光装置300。另外，第三实施方式的效果与第一实施方式相同。(第四实施方式)接着，对第四实施方式进行说明。在该第四实施方式的半导体激光装置400中，将使用密封剂17的密封用部件430安装于基座部10，除此以外，与第二实施方式相同。另外， 在图中对与第二实施方式相同的结构赋予相同的附图标记来图示。在半导体激光装置400中，如图14所示，将密封用部件430与基座部10通过密封剂17接合。此时，以约0. 2mm的厚度将密封剂17不仅涂布在密封用部件430与基座部10 的接合部位，而且涂布在密封用部件430的背面(内表面)上的大致全部区域。另外，图14 中通过部分省略涂布在密封用部件430的背面上的密封剂17的图示，来图示封装体50内部。另外，半导体激光装置400的其他结构与第一实施方式相同。接着，对半导体激光装置400的制造工艺进行说明。首先，在将具有约0. 17μπι厚度的片状的铝箔233(参照图10)加热至220°C的状态下，在背面233b(参照图10)上的整个面以约0. 2mm的厚度涂布密封剂17。然后，形成孔部234 (参照图10)，并且与第二实施方式同样地，通过密封剂17将光透射部235贴附于铝箔233后，制作如图12所示的具有平面形状的密封用部件430。另外，通过冷却使涂布在背面233b上的密封剂17也固化，所以在形成为板状的密封用部件430产生规定大小的刚性。然后，代替半导体激光装置200的制造工艺中将密封用部件230安装于基座部10 的工序，通过以下工序将密封用部件430安装于基座部10。S卩，在将基座部10加热至约 220°C的状态下，将未折曲的状态下的密封用部件430与基座部10的上表面热压接，并且在沿着前壁部IOc折曲密封用部件430的同时与前壁部IOc的前表面热压接。另外，在密封用部件430，密封剂17因周围的热而开始熔融，所以铝箔233成为可变形的状态。然后，通过冷却基座部10，将密封用部件430安装于基座部10。另外，其他工序与第二实施方式的制造工艺相同。这样，形成半导体激光装置400。在第四实施方式中，由Eval构成的密封剂17整体性地形成在密封用部件430的背面233b上，所以即使铝箔233的厚度较小时，也能够提高物理强度(刚性)。由此，能够降低材料成本。此外，通过提高刚性，能够防止制造工序上的不必要的变形。进而，制造工序上的处理也变得容易。另外，其他效果与第一实施方式相同。(第五实施方式)参照图17 图19，对第五实施方式进行说明。在该第五实施方式的半导体激光装置500中，与第一实施方式的不同之处在于，将设置有嵌合爪530a 530c的密封用部件 530安装于基座部10，对此情况进行说明。另外，在图中对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记来图示。在半导体激光装置500中，如图17所示，嵌合爪530a、530b和530c与密封用部件 530 —体形成。嵌合爪530a具有从前表面部30b的Cl侧的端部起向内侧(A2方向)突出成凸状，且前端部进一步向上方(C2方向)突出成楔状的形状。嵌合爪530b和530c具有从顶面部30a的B方向的各端部起向下方(Cl方向)若干延伸，且前端部向内侧(Bi侧和 B2侧)突出成楔状的形状。
此外，如图17 图19所示，在基座部10形成有嵌合槽部510a、510b和510c。嵌合槽部510a(参照图18)形成在基座部10的下表面IOj的前壁部IOc (Al侧)附近区域， 呈大致V字槽状凹陷。嵌合槽部510b和510c (参照图19)分别形成在凹部IOb的侧壁部 IOf的外表面，呈大致V字槽状凹陷。此外，与第一实施方式同样，密封用部件530通过密封剂15安装于基座主体10a。 进而，在第五实施方式中，如图18所示，嵌合爪530a嵌入嵌合槽部510a，并且如图19所示， 嵌合爪530b和530c分别嵌入嵌合槽部510b和510c。由此，密封用部件530固定在基座部 10。此时，嵌合爪530a (530b、530c)与嵌合槽部510a (510b、510c)在离开基座部10与密封用部件530通过密封剂15接合的接合区域的位置上相互嵌合。另外，嵌合爪530a、530b和 530c是本发明的“固定部件”和“第一嵌合部”的一个例子，嵌合槽部510a、510b和510c是本发明的“固定部件”和“第二嵌合部”的一个例子。另外，半导体激光装置500的其他结构与第一实施方式相同。另外，关于半导体激光装置500的制造工艺，除了以下几个方面，其他与第一实施方式的制造工艺大致相同将具有嵌合爪530a、530b和530c的密封用部件530模塑成型的方面；将具有嵌合槽部510a、510b和510c的基座部10模塑成型的方面；和以嵌合爪530a、 530b和530c分别与嵌合槽部510a、510b和510c嵌合的方式将密封用部件530安装于基座部10的方面。在第五实施方式中，如上所述，除密封剂15以外，还通过使嵌合爪530a、530b和 530c分别与嵌合槽部510a、510b和510c嵌合，将密封用部件530安装于基座部10。由此， 通过嵌合爪530a、530b和530c与嵌合槽部510a、510b和510c的嵌合(三个位置)，能够将密封用部件530可靠地固定在基座部10。其结果是能够容易地抑制起因于意外的振动或冲击而使密封用部件530从基座部10脱落的情况。此外，嵌合爪530a (530b、530c)与嵌合槽部510a (510b、510c)，在离开基座部10与密封用部件530通过密封剂15接合的接合区域的位置上相互嵌合。由此，在将密封用部件 530安装于基座部10时，能够抑制密封剂15溢出到嵌合爪530a(530b、530c)与嵌合槽部 510a(510b、510c)的嵌合部分的情况。由此，密封剂15不存在于嵌合爪530a (530b、530c) 与嵌合槽部510a(510b、510c)的嵌合部分，所以能够可靠地进行嵌合。其结果是能够可靠地抑制起因于意外的振动或冲击而使密封用部件530从基座部10脱落的情况。另外，其他效果与第一实施方式相同。(第六实施方式)参照图20和图21，对第六实施方式进行说明。在该第六实施方式的三波长半导体激光装置600中，与第一实施方式的不同之处在于，搭载有出射相互不同波长的激光的多个半导体激光 元件，对此情况进行说明。另外，在图中对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记来图示。在本发明的第六实施方式的三波长半导体激光装置600中，如图20所示，与蓝紫色半导体激光元件20相邻，将具有约650nm的振荡波长的红色半导体激光元件70和具有约780nm的振荡波长的红外半导体激光元件80形成为一片(单片)的二波长半导体激光元件60接合在基台40的表面上。此外，三波长半导体激光装置600是本发明的“半导体激光装置”的一个例子。此外，二波长半导体激光元件60、红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80分别是本发明的“半导体激光元件”的一个例子。另外，上述半导体激光元件接合在焊盘电极41的前方(Al侧)的上表面的规定区域，并且显示器用PD42与后方(A2侧)的上表面的规定区域接合。此外，与第一实施方式的半导体激光装置100相比，基座部10的基座主体IOa的截面沿着宽度方向(B方向)延伸，形成为具有宽度W61(W61 >W1)。因此，上表面IOi的开口部IOe也沿着B 方向延伸。此外，设置在前壁部IOc的大致中央的开口部10d，在B方向上具有开口长度W63(W63 > W3)。另外，前壁部IOc是本发明的“一个侧面”的一个例子。此外，如图20所示，在基座部10，由金属制的引线框构成的引线端子11、612、613、 614和615，在相互绝缘的状态下以贯通基座主体IOa的方式配置在同一平面上。此外，引线端子11和引线端子612 615的各自的前方(Al侧)的前端区域lib 和前端区域612b 615b，分别从基座主体IOa的内壁部IOg露出，并且配置在凹部IOb的底面上。此外，在前端区域lib的大致中央，蓝紫色半导体激光元件20和二波长半导体激光元件60沿着B方向排列固定。此外，如图21所示，在二波长半导体激光元件60中，红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80隔着具有规定槽宽度的凹部65形成在公用的η型GaAs基板71的表面上。 具体而言，在红色半导体激光元件70中，在η型GaAs基板71的上表面上形成有由 AlGaInP构成的η型覆盖层72。在η型覆盖层72的上表面上形成具有由GaInP构成的量子阱层和由AlGaInP构成的障壁层交替叠层构成的MQW结构的活性层73。在活性层73的上表面上形成有由AlGaInP构成的ρ型覆盖层74。此外，在红外半导体激光元件80中，在η 型GaAs基板71的上表面上形成有由AlGaAs构成的η型覆盖层82。在η型覆盖层82的上表面上形成具有由Al组成较低的AlGaAs构成的量子阱层和由Al组成较高的AlGaAs构成的障壁层交替叠层构成的MQW结构的活性层83。在活性层83的上表面上形成有由AlGaAs 构成的P型覆盖层84。此外，形成有由SiO2构成的电流阻挡层86，该电流阻挡层86覆盖ρ型覆盖层74 的脊部75以外的上表面和脊部75的两侧面、及ρ型覆盖层84的脊部85以外的上表面和脊部85的两侧面。此外，在脊部75、脊部85和电流阻挡层86的上表面上，分别形成有将具有约200nm厚度的Pt层和具有约3 μ m厚度的Au层叠层而成的ρ侧电极77和87。此外，在η型GaAs基板71的下表面上形成有从η型GaAs基板71起按从近到远依次叠层有AuGe层、Ni层和Au层的η侧电极78。此外，η侧电极78设置为红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80共用的η侧电极。此外，红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80的光出射端面70a和80a，以同处在与光出射端面20a相同一侧(Al 侧)的方式配置。另外，光出射端面70a和80a是本发明的“激光出射端面”的一个例子。此外，如图20所示，金属线691的一端与ρ侧电极27线接合，金属线691的另一端与引线端子614的前端区域614b连接。金属线692的一端与ρ侧电极77线接合，金属线 692的另一端与引线端子613的前端区域613b连接。此外，金属线693的一端与ρ侧电极 87线接合，金属线693的另一端与引线端子612的前端区域612b连接。此外，金属线694 的一端与显示器用PD42的ρ型区域42b线接合，金属线694的另一端与引线端子615的前端区域615b连接。
此外，对于密封用部件630，相对于第一实施方式的密封用部件30 (参照图1)，顶面部630a和前表面部630b的截面沿着宽度方向(B方向)延伸，因此具有与基座部10相同的宽度W61。此外，在第六实施方式中，密封用部件630由具有透光性的热可塑性氟树脂形成。 此外，如图21所示，在密封用部件630的内表面630c上和外表面630d上连续形成有具有约0. Ιμπι厚度的由SiO2构成的气障层31。另外，三波长半导体激光装置600的其他结构与第一实施方式相同。

接着，对密封用部件630的制造工艺进行说明。首先，将颗粒(具有约3 5mm左右的长度的圆柱状的粒子)状的热可塑性氟树脂在170°C的温度条件下加热并流入具有规定的形状的模具(未图示)后，通过除温使其固化。由此，密封用部件630的顶面部630a 和前表面部630b (参照图21)成型。然后，利用真空蒸镀法，在密封用部件630的顶面部630a和前表面部630b的各自的表面(内表面630c和外表面630d)上形成由SiO2构成的气障层31。这样，形成密封用部件630。另外，关于三波长半导体激光装置600的其他制造工艺，除了以下方面之外，其他与第一实施方式大致相同将蓝紫色半导体激光元件20和二波长半导体激光元件60在横向上(图21的B方向)排列的状态下接合在基台40上的方面；和使用热可塑性氟树脂形成密封用部件630之后，通过密封剂15将密封用部件630安装于基座部10，由此密封蓝紫色半导体激光元件20和二波长半导体激光元件60的方面。这里，为了确认使用热可塑性氟树脂作为密封用部件630的有用性，进行了以下的实验。首先，在仅将蓝紫色半导体激光元件20安装于具有9mm的直径(外径)的金属制的杆部(基座部)，并且在盖上金属制的帽部(带玻璃窗)进行密封时，在封装体内放入切割为2_X2_X0. Imm(纵X横X厚度)的尺寸的由四氟乙烯(tetrafluoroethylene)、 六氟丙烯和双氟亚乙烯(vinylidene fluoride)构成的热可塑性氟树脂(3M制THV500G) 进行密封。在70°C的条件下，从蓝紫色半导体激光元件20利用APC将调整为IOmW的输出的激光出射250小时，进行了动作试验。其结果是在经过250小时后，动作电流没有发生显著的变化。此外，在蓝紫色半导体激光元件20的激光出射端面没有形成从热可塑性氟树脂发出的挥发性气体导致的附着物。另外，作为比较例，在相同的封装体内放入切割为与上述相同尺寸的丙烯酸板进行密封后，进行了动作试验。在该情况下，140小时后动作电流开始上升，激光元件破损。此外，使用具有上述厚度(0. Imm)的热可塑性氟树脂(3M制THV500G)形成密封用部件630，将其与光出射端面20a隔开Imm的距离配置。接着，在70°C的条件下，从蓝紫色半导体激光元件20利用APC将调整为IOmW的输出的激光对上述光透射部35照射1000 小时，结果确认密封用部件630的透射率不发生变化。另外，作为比较例，在以相同的条件对具有Imm厚度的由PMMA(透明丙烯酸树脂)形成的光透射部照射激光的情况下，激光的照射区域劣化而成为不透明，透射率急剧减少。根据该结果能够确认，使用热可塑性氟树脂作为密封用部件630，在激光出射端面难以形成附着物，且对于蓝紫色激光的照射的透射率不易降低。因此，在使用它形成密封用部件630的三波长半导体激光装置600中，能够进一步抑制蓝紫色半导体激光元件20的劣化。此外，对于热可塑性氟树脂，来自热可塑性氟树脂的挥发性气体在激光出射端面不会形成附着物，所以无需进行在第一实施方式的密封用部件30的制造工艺中所进行的脱气处理。由此，能够容易地制造具备优良特性的三波长半导体激光装置600。另外，三波长半导体激光装置600的效果与第一实施方式相同。(第七实施方式) 参照图20和图22，对本发明的第七实施方式的光拾取装置700进行说明。另外， 光拾取装置700是本发明的“光装置”的一个例子。本发明的第七实施方式的光拾取装置700，如图22所示，包括三波长半导体激光装置600(参照图20)；对从三波长半导体激光装置600出射的激光进行调整的光学系统 720 ；和接受激光的光检测部730。此外，光学系统720具有偏光分束镜(PBS) 721、准直透镜722、光束扩展器723、 λ /4板724、物镜725、圆柱(cylindrical)透镜726和光轴修正元件727。此外，PBS721使从三波长半导体激光装置600出射的激光全透射并且将从光盘 735返回的激光全反射。准直透镜722将透过PBS721的来自三波长半导体激光装置600的激光变换为平行光。光束扩展器723由凹透镜、凸透镜和致动器(未图示)构成。致动器具有根据来自后述的伺服电路的伺服信号，通过改变凹透镜和凸透镜的距离，修正从三波长半导体激光装置600出射的激光的波面状态的功能。此外，λ /4板724将由准直透镜722变换为大致平行光的直线偏光的激光变换为圆偏光。此外，λ/4板724将从光盘735返回的圆偏光的激光变换为直线偏光。该情况下的直线偏光的偏光方向与从三波长半导体激光装置600出射的激光的直线偏光的方向正交。由此，从光盘735返回的激光被PBS721几乎全反射。物镜725将透过λ /4板724的激光集束(收束)到光盘735的表面(记录层)上。另外，物镜725能够通过物镜致动器 (未图示)，根据来自后述的伺服电路的伺服信号(跟踪伺服信号、聚焦伺服信号和倾斜伺服信号)，在聚焦方向、跟踪方向和倾斜方向上移动。此外，沿着被PBS721全反射的激光的光轴，配置有圆柱透镜726、光轴修正元件 727和光检测部730。圆柱透镜726对入射的激光施加像散作用。光轴修正元件727由衍射光栅(回折格子)构成，以透过圆柱透镜726的蓝紫色、红色和红外的各激光的0级衍射光的光斑在后述的光检测部730的检测区域上一致的方式配置。此外，光检测部730基于接收的激光的强度分布输出再现信号。这里，光检测部 730具有规定图案的检测区域，使得能够得到再现信号以及聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号。这样，构成具有三波长半导体激光装置600的光拾取装置700。在该光拾取装置700中，三波长半导体激光装置600通过在引线端子11与引线端子612 614之间分别独立地施加电压，能够从蓝紫色半导体激光元件20、红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80独立地出射蓝紫色、红色和红外激光。此外，从三波长半导体激光装置600出射的激光，如上所述，通过PBS721、准直透镜722、光束扩展器723、λ/4 板724、物镜725、圆柱透镜726和光轴修正元件727进行调整后，照射到光检测部730的检测区域上。这里，对记录在光盘735中的信息进行再现的情况下，能够进行控制使得从蓝紫色半导体激光元件20、红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80出射的各激光功率为一定，同时将激光照射到光盘735的记录层上，并且得到从光检测部730输出的再现信号。此外，能够根据同时输出的聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号，分别对光束扩展器723的致动器和驱动物镜725的物镜致动器进行反馈控制。此外，在将信息记录在光盘735中的情况下，基于应记录的信息，在控制从蓝紫色半导体激光元件20和红色半导体激光元件70 (红外半导体激光元件80)出射的激光功率的同时，将激光照射到光盘735上。由此，能够在光盘735的记录层中记录信息。此外，与上述同样，能够根据从光检测部730输出的聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号， 分别对光束扩展器723的致动器和驱动物镜725的物镜致动器进行反馈控制。这样，使用具备三波长半导体激光装置600的光拾取装置700，能够进行光盘735 的记录和再现。在第七实施方式中的光拾取装置700中，由于具有三波长半导体激光装置600，所以能够得到蓝紫色半导体激光元件20和二波长半导体激光元件60难以劣化，耐长时间使用的可靠性高的光拾取装置700。(第八实施方式)参照图22和图23，对本发明的第八实施方式的光盘装置800进行说明。另外，光盘装置800是本发明的“光装置”的一个例子。本发明的第八实施方式的光盘装置800，如图23所示，包括光拾取装置700、控制器801、激光驱动电路802、信号生成电路803、伺服电路804和光盘驱动电动机805。将基于应记录到光盘735中的信息生成的记录数据SLl输入控制器801。此外，控制器801构成为根据记录数据SLl和来自后述的信号生成电路803的信号SL5，向激光驱动电路802输出信号SL2，并且向伺服电路804输出信号SL7。此外，控制器801如后所述， 基于信号SL5输出再现数据SL10。此外，激光驱动电路802根据上述信号SL2，输出控制从光拾取装置700内的三波长半导体激光装置600出射的激光功率的信号SL3。S卩，三波长半导体激光装置600构成为被控制器801和激光驱动电路802驱动。在光拾取装置700中，如图23所示，将根据上述信号SL3被控制的激光照射到光盘735上。此外，从光拾取装置700内的光检测部730向信号生成电路803输出信号SL4。 此外，根据来自后述的伺服电路804的伺服信号SL8，控制光拾取装置700内的光学系统 720 (图22所示的光束扩展器723的致动器和驱动物镜725的物镜致动器)。信号生成电路803对从光拾取装置700输出的信号SL4进行放大和运算处理，向控制器801输出包含再现信号的第一输出信号SL5，并且向伺服电路804输出进行上述光拾取装置700的反馈控制和后述的光盘735的旋转控制的第二输出信号SL6。伺服电路804如图23所示，根据来自信号生成电路803和控制器801的第二输出信号SL6和信号SL7，输出对光拾取装置700内的光学系统720进行控制的伺服信号SL8和对光盘驱动电动机805进行控制的伺服信号SL9。此外，光盘驱动电动机805根据伺服信号 SL9，控制光盘735的旋转速度。这里，在对记录在光盘735中的信息进行再现的情况下，首先利用此处省略说明的识别光盘735的种类(CD、DVD、BD等)的装置，选择应照射的波长的激光。接着，从控制器801向激光驱动电路802输出信号SL2，使得应从光拾取装置700内的三波长半导体激光装置600出射的波长的激光强度为一定。进而，通过上面说明的光拾取装置700的三波长半导体激光装置600、光学系统720和光检测部730发挥作用，从光检测部730向信号生成电路803输出包含再现信号的信号SL4，信号生成电路803向控制器801输出包含再现信号的信号SL5。控制器801通过对信号SL5进行处理，将记录在光盘735中的再现信号抽出， 作为再现数据SLlO输出。利用该再现数据SL10，例如能够向显示器或麦克风输出记录在光盘735中的影像、声音等信息。此外，还基于来自光检测部730的信号SL4，进行各部的反馈控制。此外，在向光盘735记录信息的情况下，首先利用与上述同样的识别光盘735的种类的装置，选择应照射的波长的激光。接着，根据与所记录的信息对应的记录数据SL1，从控制器801向激光驱动电路802输出信号SL2。进而，通过上面说明的光拾取装置700的三波长半导体激光装置600、光学系统720和光检测部730发挥作用，将信息记录到光盘735 中，并且基于来自光检测部730的信号SL4，进行各部的反馈控制。这样，使用光盘装置800，能够对光盘735进行记录和再现。在第八实施方式的光盘装置800中，在光盘装置700的内部安装有三波长半导体激光装置600 (参照图22)，所以蓝紫色半导体激光元件20和二波长半导体激光元件60难以劣化，能够容易地获得耐长时间使用的可靠性高的光盘装置800。 (第九实施方式)参照图22、图24和图25，说明本发明的第九实施方式的投影仪装置900的结构。 另外，对在投影仪装置900中构成RGB三波长半导体激光装置605的各个半导体激光元件几乎同时点亮的例子进行说明。另外，RGB三波长半导体激光装置605是本发明的“半导体激光装置”的一例，投影仪900是本发明的“光装置”的一例。本发明的第九实施方式的投影仪装置900，如图25所示，包括RGB三波长半导体激光装置605 ；由多个光学部件构成的光学系统920 ；和控制RGB三波长半导体激光装置 605和光学系统920的控制部950。由此，从RGB三波长半导体激光装置605出射的激光， 通过光学系统920调制以后，投影到外部的屏幕990等上。此外，在RGB三波长半导体激光装置605中，如图24所示，具有约655nm的红色(R) 振荡波长的红色半导体激光元件670与二波长半导体激光元件650接合，该二波长半导体激光元件650单体形成有具有约530nm的绿色(G)振荡波长的绿色半导体激光元件660和具有约480nm的蓝色(B)振荡波长的蓝色半导体激光元件665。另外，二波长半导体激光元件650、绿色半导体激光元件660、蓝色半导体激光元件665和红色半导体激光元件670是本发明的“半导体激光元件”的一个例子。这里，RGB三波长半导体激光装置605在图21所示的三波长半导体激光装置600 中，设置有形成在η型GaAs基板71的上表面上的红色半导体激光元件670 (参照图24)来代替蓝紫色半导体激光元件20。此外，在RGB三波长半导体激光装置605中，设置有在η型 GaN基板21的下表面上单体形成有绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665的二波长半导体激光元件650 (参照图24)，来代替单体形成有红色半导体激光元件70和红外半导体激光元件80的二波长半导体激光元件60。此外，各个半导体激光元件通过焊盘电极 41接合到基台40的表面上。此外，如图24所示，红色半导体激光元件670通过与ρ侧电极677线接合的金属线691和引线端子614的前端区域614b (参照图20)连接。此外，蓝色半导体激光元件665 通过与P侧焊盘电极666线接合的金属线692和引线端子613的前端区域613b (参照图 20)连接。绿色半导体激光元件660通过与ρ侧焊盘电极661线接合的金属线693与引线端子612的前端区域612b (参照图20)连接。此外，以能够接收来自各个激光元件的光反射面的激光的方式形成的显示器用PD42，通过与ρ型区域42b线接合的金属线694和引线端子615的前端区域615b(参照图20)连接。此外，红色半导体激光元件670的η侧电极 678、二波长半导体激光元件650的η侧电极658和显示器用PD42的η型区域42c都经由基台40与引线端子11电连接。由此，在RGB三波长半导体激光装置605中，实现共阴极的接线。另外，RGB三波长半导体激光装置605的其他结构和制造工艺与三波长半导体激光装置600的情况相同。此外，如图25所示，在光学系统920中，从RGB三波长半导体激光装置605出射的激光，通过由凹透镜和凸透镜构成的发散角控制透镜922变换成具有规定光束直径的平行光后，入射到蝇眼积分器923。此外，在蝇眼积分器923中，由蝇眼形状的透镜组构成的两个蝇眼透镜相对设置。由此，对从发散角控制透镜922入射的光施加透镜作用，使得入射液晶面板929、933和940时的光量分布均勻。即，将透过蝇眼积分器923的光调整为能够具有与液晶面板929、933和940的尺寸对应的纵横比(例如16 9)的广度地入射。此外，透过蝇眼积分器923的光被聚光透镜924聚光。此外，透过聚光透镜924的光中仅红色光被二向色镜925反射，绿色光和蓝色光透过二向色镜925。然后，红色光在经过反射镜926并由透镜927平行化后，经由入射侧偏光板928入射到液晶面板929。该液晶面板929根据红色用的图像信号(R图像信号)进行驱动，由此对红色光进行调制。此外，在二向色镜930中，透过二向色镜925的光中仅绿色光被反射，蓝色光透过二向色镜930。然后，绿色光在由透镜931进行平行化以后经由入射侧偏光板932入射到液晶面板933中。该液晶面板933根据绿色用的图像信号(G图像信号)进行驱动，由此对绿色光进行调制。此外，透过二向色镜930的蓝色光，经过透镜934、反射镜935、透镜936和反射镜 937，进一步由透镜938进行平行化后，经由入射侧偏光板939入射到液晶面板940。该液晶面板940根据蓝色用的图像信号(B图像信号)进行驱动，由此对蓝色光进行调制。然后，通过液晶面板929、933和940调制的红色光、绿色光和蓝色光，在由二向 棱镜941合成后，经由出射侧偏光板942向投射镜943入射。此外，投射镜943内置有使投射光在被投射面(屏幕990)上成像的透镜组和用于使透镜组的一部分沿着光轴方向移动对投射图像的缩放和聚焦进行调整的致动器。此外，在投影仪装置900中，通过控制部950进行如下控制，即，将作为与红色半导体激光元件670的驱动有关的R信号、与绿色半导体激光元件660的驱动有关的G信号和与蓝色半导体激光元件665的驱动有关的B信号的稳定(定常)电压供给到RGB三波长半导体激光装置605的各激光元件。由此，RGB三波长半导体激光装置605的红色半导体激光元件670、绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665实质上同时振荡。此外，通过控制部950控制RGB三波长半导体激光装置605的红色半导体激光元件670、绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665各自的光的强度，控制投射到屏幕990上的像素的色相、亮度等。由此，通过控制部950将期望的图像投射到屏幕990上。由此，构成搭载有RGB三波长半导体激光装置605的投影仪装置900。(第十实施方式)参照图26和图27，说明本发明的第十实施方式的投影仪装置905的结构。另外， 对在投影仪装置905中构成RGB三波长半导体激光装置605的各个半导体激光元件按时序点亮的例子进行说明。本发明的第十实施方式的投影仪装置905如图26所示，包括RGB三波长半导体激光装置605、光学系统960和控制RGB三波长半导体激光装置605及光学系统960的控制部 951。由此，来自RGB三波长半导体激光装置605的激光在由光学系统960调制后，被投射到屏幕991等上。此外，在光学系统960中，从RGB三波长半导体激光装置605出射的激光分别由透镜962变换为平行光以后，入射到光导管964。光导管964的内面为镜面，激光在 光导管964的内面反复进行反射的同时在光导管964内行进。此时，通过光导管964内的多重反射作用，使从光导管964出射的各色的激光的强度分布均勻。此外，从光导管964出射的激光经由中继光学系统965，入射到数字微镜装置(DMD) 966。DMD966由配置成矩阵状的微小的反射镜组构成。此外，DMD966具有通过将各像素位置的光的反射方向切换到朝向投射镜980的第一方向A和从投射镜980偏离的第二方向 B来表现(调制)各像素的灰度等级的功能。入射到各像素位置的激光中的被反射到第一方向A上的光(ON光，投射光)，入射到投射镜980后被投射到被投射面(屏幕991)。此外， 被DMD966反射到第二方向B上的光(OFF光，非投射光)，不入射投射镜980而被光吸收体 967吸收。此外，在投影仪装置905中，通过由控制部951进行控制将脉冲电源供给到RGB三波长半导体激光装置605，使得对于RGB三波长半导体激光装置605的红色半导体激光元件 670、绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665按时间序列分割而对每一个元件进行周期性驱动。此外，通过控制部951，光学系统960的DMD966在与红色半导体激光元件 670、绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665的驱动状态同步的同时，根据各像素(R、G和B)的灰度等级对光进行调制。具体而言，如图27所示，与红色半导体激光元件670 (参照图26)的驱动有关的R 信号、与绿色半导体激光元件660 (参照图26)的驱动有关的G信号和与蓝色半导体激光元件665 (参照图26)的驱动有关的B信号，在以相互不重叠的方式按时间序列进行分割的状态下，通过控制部951 (参照图26)供给到RGB三波长半导体激光装置605的各激光元件。 此外，与该B信号、G信号和R信号同步地从控制部951分别向DMD966输出B图像信号、G 图像信号和R图像信号。由此，基于图27所示的时序图中的B信号，蓝色半导体激光元件665发出蓝色光， 并且在该时刻基于B图像信号，通过DMD966对蓝色光进行调制。此外，基于在B信号之后输出的G信号，绿色半导体激光元件660发出绿色光，并且在该时刻基于G图像信号，通过DMD966对绿色光进行调制。进而，基于在G信号之后输出的R信号，红色半导体激光元件 670发出红色光，并且在该时刻基于R图像信号，通过DMD966对红色光进行调制。然后，基于在R信号之后输出的B信号，蓝色半导体激光元件665发出蓝色光，并且在该时刻再次基于B图像信号，通过DMD966对蓝色光进行调制。通过反复进行上述的动作，基于B图像信号、G图像信号和R图像信号照射激光，从而将图像投射到被投射面(屏幕991)上。由此，构成搭载有RGB三波长半导体激光装置605的投影仪装置905。在第九实施方式和第十实施方式中的投影仪装置900和905中，在投影仪装置的内部安装有RGB三波长半导体激光装置605 (参照图24)，因此，红色半导体激光元件670、 绿色半导体激光元件660和蓝色半导体激光元件665难以劣化，能够容易地获得耐长时间使用的可靠性高的投影仪装置900和905。另外，在本次公开的实施方式的所有方面均是例示，而不应当认为是用来限制本发明。本发明的范围由权利要求的范围确定，而非由上述实施方式的说明确定，还包括在与权利要求的范围等同的含义和范围内的所有变更。例如，在第一 第十实施方式中，例示了使用由氟类树脂构成的氟类润滑脂或由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成的Eval (注册商标)作为本发明的“密封剂”，但是本发明并不限定于此。在本发明中，作为密封剂，例如能够使用由全氟聚醚和四氟乙烯构成的聚合物、 由六氟丙烯构成的聚合物和由偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)构成的聚合物等氟类有机物，或者聚乙烯醇、乙烯和单液型环氧类粘接剂。另外，在使用单液型环氧类粘接剂等的情况下，需要通过预先加热将挥发成分充分地除去。

此外，在第二和第四实施方式中，表示了由硅树脂构成光透射部235的结构的例子，但是在本发明中也可以使用在表面形成有气障层的热可塑性氟树脂或硼硅酸玻璃构成光透射部。另外，作为上述的气障层，除Al2O3以外，可以使用Si02、&02等电介质膜形成， 也可以使用乙烯-聚乙烯醇共聚物、聚乙烯醇等气体透过性低的树脂膜形成。另外，在形成于光透射部的气障层利用由A1203、ZrO2等形成的多层金属氧化膜构成的情况下，也能够对该金属氧化膜起到反射防止层的作用。此外，在第二和第四实施方式中，表示了使用铝箔构成密封用部件230的例子，但是在本发明中作为铝箔以外的金属箔，例如也可以使用Cu箔、锌白铜等Cu合金箔、Sn箔或不锈钢等形成密封用部件。此外，在第三实施方式的制造工艺中，表示了在将基座部10加热至220°C的状态下涂布密封剂17(Eval)的例子，但是在本发明中也可以在将Eval溶于溶剂中的状态下将溶剂与Eval的混合物涂布于基座部10之后，对基座部10进行加热来除去溶剂。此外，当在基座部10进行涂布时，通过预先对基座部10的表面进行氧气等离子体处理、UV臭氧处理而使树脂表面亲水性化，能够提高基座部10与密封剂(Eval) 17的附着力。此外，在第五实施方式中，表示了使密封用部件530与基座部10在三个部位相互嵌合进行固定的例子，但是在本发明中也可以在除了 3个以外的数量的部位相互嵌合。此夕卜，表示了在密封用部件侧设置有嵌合爪(凸部)，并且在基座部设置有嵌合槽部(凹部) 的情况，但是在本发明中也可以在密封用部件侧设置有嵌合槽部(凹部)，并且在基座部设置有嵌合爪(凸部)。此外，在使密封用部件530与基座部10嵌合后，也可以通过使用在第一实施方式中使用的粘接剂16，进行可靠地固定。
此外，在第一 第十实施方式中，表示了使用聚酰胺树脂形成基座部的例子，但是在本发明中也可以使用环氧树脂或聚苯硫醚(polyphenylene sulfide) 树脂等形成基座部。另外，由于与上述其他树脂相比聚酰胺树脂产生的挥发性气体较少，所以适于作为基座部用的模塑树脂材料。进而，当使用密封用部件进行密封时，优选将沸石、硅胶等的吸附剂与半导体激光元件一起，在加工成约0. 5mm以上约1. Omm以下的尺寸的状态下设置于封装体内。由此，能够吸附从基座部产生的挥发性气体成分，因此能够进一步提高激光元件的可靠性。
权利要求
1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括 半导体激光元件；和将所述半导体激光元件密封的封装体，其中，所述封装体包括具有设置在上表面和一个侧面的开口部的凹状的基座部；和覆盖所述开口部的密封用部件，所述密封用部件通过密封剂安装于所述基座部的接合区域。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述密封剂由难以产生挥发成分的材料构成，其中该挥发成分是导致附着于所述半导体激光元件的激光出射端面的附着物的产生的成分。
3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封剂由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成。
4.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封剂由氟类树脂构成。
5.如权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于 所述氟类树脂是氟类润滑脂。
6.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述密封用部件具有覆盖所述基座部的所述上表面的第一部分；和覆盖所述基座部的所述一个侧面的第二部分，所述密封用部件一体形成有所述第一部分和所述第二部分。
7.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封用部件具有透光性。
8.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于所述封装体还包括使从所述半导体激光元件出射的光向外部透射的窗用部件， 所述密封用部件还具有贯通所述第二部分的孔部，所述窗用部件以密封所述第二部分的所述孔部的方式，通过所述密封剂安装于所述第二部分。
9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于所述窗用部件通过所述密封剂接合在所述第二部分的与安装于所述基座部的一侧相反的一侧的表面。
10.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封剂以在整个所述接合区域不存在间隙的方式设置。
11.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封用部件使用固定部件固定于所述基座部。
12.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于 所述固定部件包括粘接剂，所述粘接剂设置于所述接合区域的外侧。
13.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于所述固定部件包括形成于所述密封用部件的第一嵌合部；和形成于所述基座部的第二嵌合部，所述密封用部件的所述第一嵌合部与所述基座部的所述第二嵌合部嵌合，由此所述密封用部件被固定于所述基座部。
14.如权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于所述第一嵌合部与所述第二嵌合部在从所述接合区域离开的位置相互嵌合。
15.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于 所述基座部和所述密封用部件为树脂制。
16.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述密封用部件由金属箔、在表面形成有气障层的硅树脂或在表面形成有气障层的热可塑性氟树脂中的任一种构成。
17.如权利要求16所述的半导体激光装置，其特征在于 所述密封用部件由Al的金属箔构成，所述密封剂由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成，所述密封剂延伸至所述密封用部件的与所述基座部接合的一侧的所述接合区域以外的表面上。
18.如权利要求16所述的半导体激光装置，其特征在于在所述密封用部件的与所述基座部接合的一侧的表面上形成有所述气障层， 所述气障层与所述密封剂接触。
19.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于 所述半导体激光元件是氮化物类半导体激光元件。
20.一种光装置，其特征在于，包括具备半导体激光元件和将所述半导体激光元件密封的封装体的半导体装置；和控制所述半导体激光装置的出射光的光学系统，其中，所述封装体具备具有设置在上表面和一个侧面的开口部的凹状的基座部；和覆盖所述开口部的密封用部件，所述密封用部件通过密封剂安装于所述基座部的接合区域。
全文摘要
本发明提供一种半导体激光装置和光装置。该半导体激光装置包括半导体激光元件和对半导体激光元件进行密封的封装体。而且，封装体包括在上表面和一个侧面具有开口部的凹状的基座部；和覆盖开口部的密封用部件，其中，密封用部件通过密封剂安装于基座部。
文档编号H01S5/22GK102244366SQ20111013474
公开日2011年11月16日 申请日期2011年5月16日 优先权日2010年5月14日
发明者林伸彦 申请人:三洋电机株式会社