专利名称：半导体封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种防止因热衰变色的半导体封装结构。
背景技术：
半导体封装的LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的半导体封装结构为了获得所需要的发光颜色，会在封装层内设置均匀的荧光粉。所述荧光粉吸收所述半导体晶粒(即所述LED芯片)发出的光线，会产生一种特定波长的激发光颜色，通过这些光颜色的混光作用，就能使所述半导体封装结构发出所需颜色的光线。但是，所述半导体封装结构发光所产生的高热，会使所述荧光粉材料产生热衰现象。所述热衰现象是由于发光光子的能量丧失，这与荧光粉的材料组成有相当大的关系。当热衰现象产生时，所述荧光粉激发光的波长也会随着改变，从而导致所述半导体封装结构的发光颜色改变，形成有色差的不佳情况，是目前半导体封装产业努力的课题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可避免色差的半导体封装结构。一种半导体封装结构，包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极。所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极，所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接，并产生一个第一波长光线。所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质，所述荧光粉产生一个第二波长激发光线，所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线，所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。上述的半导体封装结构中，由于所述封装层包括所述荧光粉以及所述光补偿物质，两者具有相反的热衰特性，当其中一种热衰特性因温度升高使激发光线波长增加时，另一种热衰特性则会因温度升高使激发光线波长减少，从而可以维持所述半导体封装结构的发光颜色，有效解决目前因为荧光粉热衰所导致的半导体封装结构变色问题。
图I是本发明半导体封装结构第一实施方式的剖视图。图2是本发明半导体封装结构第二实施方式的剖视图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种半导体封装结构，包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极，所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极，所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接，并产生一个第一波长光线，其特征在于所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质，所述荧光粉产生一个第二波长激发光线，所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线，所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。
2.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述两个电极左右对称设置具有不同的极性，其中一个电极的顶面设置所述半导体晶粒，所述半导体晶粒通过导电线分别与所述两个电极电性连接。
3.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述半导体晶粒为发光二极管。
4.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述荧光粉以及光补偿物质在所述封装层内均匀分布。
5.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述荧光粉在所述封装层内均匀分布，所述光补偿物质设置在所述封装层的表层上，并对应于所述封装结构的出光面。
6.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述封装层为透明材料，例如，环氧树脂(epoxy)、娃利康(silicon)或其相关混合物。
7.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述荧光粉为YAG荧光粉或TAG突光粉、娃酸盐(silicate)突光粉、氮化物(nitride)突光粉、氢气化物(oxy-hydrogen)荧光粉、硫化物(sulfides)荧光粉。
8.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述光补偿物质可以为；四氯铜双二乙基铵盐(C4H18N4CuCl4),其化学式结构为[(CH3-CH2) 2NH2]2CuC14。
9.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述荧光粉的热衰特性是随温度增加所述激发光线的波长增加，而所述光补偿物质的热衰特性是随温度增加所述激发光线的波长减少。
10.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述荧光粉的热衰特性是当温度增加所述激发光线的波长减少，而所述光补偿物质的热衰特性为当温度增加所述激发光线的波长增加。
11.如权利要求I所述的半导体封装结构，其特征在于所述半导体晶粒的第一波长光线配合所述荧光粉的第二波长激发光线以及所述光补偿物质的第三波长激发光线混光产生一个颜色光。
全文摘要
本发明提供一种半导体封装结构，包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极。所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极，所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接，并产生一个第一波长光线。所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质，所述荧光粉产生一个第二波长激发光线，所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线，所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。本发明藉由激发光线的热衰特性互补作用，避免所述半导体封装结构因热衰而变色。
文档编号H01L33/48GK102820402SQ201110151958
公开日2012年12月12日 申请日期2011年6月8日 优先权日2011年6月8日
发明者张耀祖 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司