专利名称：有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光器件制造过程中图案形成的方法，具体涉及有机发光器件金属引线和阳极图案同时形成的方法。
背景技术：
现有有机发光器件的四种图案分别由四道光刻形成，它们制程的先后顺序为金属引线图案、透明导电阳极图案、底层像素绝缘层、阴极隔离柱，前两种图案的用两道光刻制程，第一道光刻制程玻璃清洗、UV、光刻胶涂布、预烘、冷板、金属引线图案模板曝光、显影、金属蚀刻、剥膜；第二道光刻制程玻璃清洗、UV、光刻胶涂布、预烘、冷板、透明导电薄膜图案模板曝光、显影、透明导电氧化膜蚀刻、剥膜。由于现有有机发光器件的前两种图案用两道光刻制程形成，制程复杂，并且现有制程中的蚀刻方法都是用酸液蚀刻，酸液用量大，污染大且成本高。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的缺点，本发明的目的在于提供一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，简化了流程、提高了生产效率、降低了成本同时减少了污染。为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，步骤如下步骤1 先将待洗的玻璃基板用中性或碱性清洗剂、毛刷或超声波的方式清洗该玻璃基板表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 80-110°C，时间0. 5-3分钟，紫外光照射能量为10-50J/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该加热和紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. 0-2. 5mm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为90-125°C烘箱预烘90-180秒；步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21-22°C，放置时间为 30-60 秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为30-150mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为1. 0-1. 2um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. 0-1. 2um ；步骤8 对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. l-13Pa时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. l-13Pa时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0. 6-1. 2um厚度的光刻胶，射频发生器功率为300-5000W， 电极距离为10-60_，处理时间为20-120秒；步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到 0. 1-13 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到 0. l-13Pa时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8- 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒。所述直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为l_400Pa。所述步骤8中，通入的反应气体是预设比例Cl2和&的混合气体。所述步骤9中，通入的反应气体是预设比例He和仏的混合气体。所述步骤10中，通入的反应气体是预设比例SF6和&的混合气体。所述步骤11中，通入的反应气体是预设比例He和仏的混合气体。由于有机发光器件金属引线图案和阳极图案用一道光刻步骤同时形成，所以简化了流程、提高了生产效率、降低了成本；由于金属膜和透明导电氧化膜蚀亥IJ、部份光刻胶蚀刻、金属膜蚀刻、光刻胶灰化这几个步骤均采用干刻，所以去掉了高成本的反应酸液、剥膜液和去离子水，减少了污染同时降低了成本。
具体实施例方式下面结合具体实施方式
对本发明作更详细的说明。实施例1步骤1 先将待洗的玻璃基板用中性清洗剂清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 80°C，时间3分钟，紫外光照射能量为lOJ/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. Omm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为90°C烘箱预烘180秒；步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21°C，放置时间为60秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为30mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为l.Oum，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. Oum ；步骤8 对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. IPa时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于8 之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为300W，电极距离为10mm，处理时间为120秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例Cl2和&的混合气体；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. IPa时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于8 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0. 6um厚度的光刻胶，射频发生器功率为300W，电极距离为10mm， 处理时间为120秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. IPa 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为300W，电极距离为10mm，处理时间为120秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例SF6和&的混合气体；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. IPa 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为300W，电极距离为10mm，处理时间为120秒。上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。上述步骤中，直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为lOI^a。实施例2步骤1 先将待洗的玻璃基板用碱性清洗剂清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 900C，时间2分钟，紫外光照射能量为25J/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. 2mm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为100°C烘箱预烘150秒；步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21°C，放置时间为60秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为70mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；
步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为1. lum，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. Ium ；步骤8 对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到5 时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于14 之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为2000W，电极距离为25mm，处理时间为80秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例Cl2和A的混合气体；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到5 时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于14 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0. Sum厚度的光刻胶，射频发生器功率为2000W，电极距离为25mm，处理时间为80秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体；步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到5 时， 通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于14 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为2000W，电极距离为25mm，处理时间为80秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例SF6和&的混合气体；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到5 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于14 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为2000W，电极距离为25mm，处理时间为80秒。上述步骤中通入的反应气体是预设比例Cl2和&的混合气体。上述步骤中，直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为150Pa。实施例3步骤1 先将待洗的玻璃基板用毛刷清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 100°C，时间1分钟，紫外光照射能量为40J/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. 3mm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为110°C烘箱预烘120秒；步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度22°C，放置时间为30秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为110mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为1. 15um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. 15um ；步骤8 对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到9 时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于20 之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为3500W，电极距离为40mm，处理时间为50秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例Cl2和&的混合气体；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到9 时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于20 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉1. Oum厚度的光刻胶，射频发生器功率为3500W，电极距离为40mm，处理时间为50秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体；步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到9 时， 通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于20 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为3500W，电极距离为40mm，处理时间为50秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例SF6和&的混合气体；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到9 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于20 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为3500W，电极距离为40mm，处理时间为50秒。上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。上述步骤中，直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为300Pa。实施例4步骤1 先将待洗的玻璃基板用超声波清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 110°C，时间0. 5分钟，紫外光照射能量为50J/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. 5mm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用用温度为125°C烘箱预烘90秒；步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度22°C，放置时间为30秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为150mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为1.2um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. 2um ；步骤8 对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到13 时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于26 之间，然后启动射频发生器， 射频发生器功率为5000W，电极距离为60mm，处理时间为20秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例Cl2和&的混合气体；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到13 时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于^1 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉1. 2um厚度的光刻胶，射频发生器功率为5000W，电极距离为60mm， 处理时间为20秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体；步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到13 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于^1 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为5000W，电极距离为60mm，处理时间为20秒；上述步骤中，通入的反应气体是预设比例SF6和&的混合气体；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到13 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于^1 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为5000W，电极距离为60mm，处理时间为20秒。上述步骤中，直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为400 ；通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。上述步骤中，直流偏压或交流射频设备的频率为13. 55MHZ，真空度为400Pa。
权利要求
1.一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，步骤如下步骤1 先将待洗的玻璃基板用中性清洗剂、碱性清洗剂、毛刷或超声波的方式清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2 接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为 80-110°C，时间0. 5-3分钟，紫外光照射能量为10-50J/cm2 ；步骤3 随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2. 0-2. 5mm的光刻胶层；步骤4 再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为90-125 烘箱预烘90-180秒； 步骤5 再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21-22°C，放置时间为30-60秒；步骤6 把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为30-150mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7 对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为 Oum，透明阳极图案光刻胶厚度为1. 0-1. 2um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1. 0-1. 2um ；步骤8:对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜， 具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. l-13Pa时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器， 射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；步骤9 对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到 0. l-13Pa时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0. 6-1. 2um厚度的光刻胶，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；步骤10 对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到0. l-13Pa 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8- 之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为 20-120 秒；步骤11 对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0. l-13Pa 时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8- 之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为 20-120 秒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述直流偏压或交流射频设备的频率为 13. 55MHZ，真空度为 l-400Pa。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤8中，通入的反应气体是预设比例CI2和A的混合气体。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤9中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤10中，通入的反应气体是预设比例SF6和A的混合气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤11中，通入的反应气体是预设比例He和&的混合气体。
全文摘要
一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，包括如下步骤清洗玻璃基板、用紫外光照射玻璃基板、光刻胶涂布、预烘、冷板、曝光、显影、蚀刻金属膜和透明导电氧化膜、蚀刻部份光刻胶、蚀刻金属膜、光刻胶灰化；由于有机发光器件金属引线图案和阳极图案用一道光刻步骤同时形成，所以简化了流程、提高了生产效率、降低了成本；由于金属膜和透明导电氧化膜蚀刻、部份光刻胶蚀刻、金属膜蚀刻、光刻胶灰化这几个步骤均采用干刻，所以去掉了高成本的反应酸液、剥膜液和去离子水，减少了污染同时降低了成本。
文档编号H01L51/56GK102237497SQ20111018251
公开日2011年11月9日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者任华进 申请人:彩虹(佛山)平板显示有限公司