发光二极管封装结构的制作方法

文档序号:7157044阅读:187来源:国知局
专利名称:发光二极管封装结构的制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源,因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃,发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。现有技术中,在进行发光二极管封装时,通常采用金线作为发光二极管晶片与基板电极之间的焊接线,实现发光二极管晶片与基板的电连接。但是,金线会有吸光现象,金会吸收波长小于580nm的光,从而会造成发光二极管封装结构的光取出效率低
发明内容
·有鉴于此,有必要提供一种能够提高光取出效率的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构,其包括基座及设置在该基座上的发光二极管晶片。该基座上形成有电极,该发光二极管晶片上形成有晶片电极,该晶片电极通过焊线与基座上的电极连接。所述晶片电极以及焊线的材料为银。上述的发光二极管封装结构的发光二极管晶片的晶片电极以及焊线都采用银材料,降低了成本,而且银材料的焊线能够减少光线的吸收,银材料的晶片电极能够增强发光二极管晶片的表面光反射,从而提高能够提高发光二极管封装结构的光取出效率。


图I为本发明的发光二极管封装结构的剖面示意图。图2为图I中的发光二极管封装结构的晶片电极放大示意图。主要元件符号说明
极管封装结构~[
基座_10
夏极管晶片
封装层_30_
焊线_40_
顶面_u_
底面_12
蓉置杯
第一电极_14
第二电极晶片电极
丽层—2 Τ
防氧化层
如下具体实施方式
将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。请参阅图I,本发明一较佳实施方式提供的一种发光二极管封装结构100包括基座10、设置在该基座10中的发光二极管晶片20以及包覆该发光二极管晶片20的封装层30。所述基座10包括顶面11以及底面12,基座10从顶面11向底面12方向开设形成一容置杯13,该容置杯13的内表面为倾斜面,该倾斜面自顶面11向底面12方向延伸并沿容置杯13的径向向内倾斜,使整个容置杯13上宽下窄,呈一漏斗状。优选地,容置杯13内表面还涂敷有反光材料。基座10还包括有第一电极14以及第二电极15,该第一电极14和第二电极15彼此分离,其一端分别形成在容置杯13的底面,另一端分别从基座10的端面延伸到基座10的底面12上,用于与外部电路连接。
所述发光二极管晶片20设置在容置杯13的底面。该发光二极管晶片20的表面上形成有两个晶片电极21。该晶片电极21的材料为银。发光二极管晶片20通过两个焊线40与基座10电连接,该焊线40的材料为银。其中,该两个焊线40 —端分别连接在晶片电极21上,另一端分别连接基座10的第一电极14和第二电极15。传统的发光二极管晶片20的晶片电极21的材料为金,但是如果使用银材料的焊线40与金材料的晶片电极21连接会产生微电池效应,此效应源于金银在瞬间接触时,金功函数和银功函数的差距会产生电位差,在此瞬间如同电池一样,为了电位平衡会有电洞产生于银材料的焊线40与金材料的晶片电极21结合点的表面,使该表面易氧化而有黑化现象。因此焊线40与晶片电极21均采用银材料可避免黑化现象的发生。另外晶片电极21为银材料,还会使发光二极管晶片20的表面光反射增加,增强正向光强度。请参阅图2,所述晶片电极21与发光二极管晶片20接触的底面形成有一阻挡层211,该阻挡层211的材料采用钨或者镍。在高温回焊(25(T40(TC )时,可能会有银向发光二极管晶片20的磊晶层扩散现象,因此可利用所述阻挡层211,能够防止银的扩散。晶片电极21的顶面上还形成有一防氧化层212,该防氧化层212的材料采用钯。该防氧化层212用于防止晶片电极21氧化。所述封装层30填充在基座10的容置杯13中,并且包覆发光二极管晶片20。该封装层30用于保护发光二极管晶片20免受灰尘、水气等影响。在本实施方式中,该封装层30为一透明封胶树脂,其内部还包含有荧光粉。相较于现有技术,本发明的发光二极管封装结构的发光二极管晶片的晶片电极以及焊线都采用银材料,降低了成本,而且银材料的焊线能够减少光线的吸收,银材料的晶片电极能够增强发光~■极管晶片的表面光反射,从而提闻能够提闻发光~■极管封装结构的光取出效率。可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构,其包括基座及设置在该基座上的发光二极管晶片,该基座上形成有电极,该发光二极管晶片上形成有晶片电极,该晶片电极通过焊线与基座上的电极连接,其特征在于所述晶片电极以及焊线的材料为银。
2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述晶片电极与发光二极管晶片接触的底面形成有一阻挡层,该阻挡层的材料采用钨或者镍。
3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述晶片电极的顶面形成有一防氧化层,该防氧化层的材料采用钯。
4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述基座上开设形成一容置杯,所述发光二极管晶片设置在容置杯的底面。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述容置杯的内表面为倾斜面,该倾斜面自基座顶面向基座底面方向延伸并沿容置杯的径向向内倾斜。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述基座的电极包括第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极彼此分离,其一端分别形成在容置杯的底面,另一端分别从基座的端面延伸到基座的底面上。
7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述容置杯中还填充有一封装层,该封装层为一透明封胶树脂,其内部包含有荧光粉。
全文摘要
一种发光二极管封装结构,其包括基座及设置在该基座上的发光二极管晶片。该基座上形成有电极,该发光二极管晶片上形成有晶片电极,该晶片电极通过焊线与基座上的电极连接。所述晶片电极以及焊线的材料为银。本发明的发光二极管封装结构的发光二极管晶片的晶片电极以及焊线都采用银材料,降低了成本,而且银材料的焊线能够减少光线的吸收,银材料的晶片电极能够增强发光二极管晶片的表面光反射,从而提高能够提高发光二极管封装结构的光取出效率。
文档编号H01L33/48GK102956791SQ20111023766
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月18日 优先权日2011年8月18日
发明者洪梓健, 张忠民, 徐智鹏 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
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