专利名称：发光二极管及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体照明领域，特别涉及一种发光二极管及该发光二极管的制造方法。
背景技术：
发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种场合之中，并大有取代传统光源的趋势。现有的发光二极管通常包括一基板、设于基板上表面的两电极、设于其中一电极上的一 LED芯片及封装于所述电极及LED芯片上的一封装体。该两电极伸出至该封装体的相对两侧并延伸至基板的下表面，以便于该发光二极管与电路板贴装。这种发光二极管在安装在电路板上时，一般只能使基板朝向电路板安装，安装方式单一，安装适应性较差。
发明内容
因此，有必要提供一种适应多种安装方式的发光二极管及该发光二极管的制造方法。—种发光二极管，包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极，以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片，该第一电极包括一第一主体部及自该第一主体部向外延伸的若干第一支撑电极，该第二电极包括一第二主体部及自该第二主体部向外延伸的若干第二支撑电极，所述第一支撑电极及第二支撑电极均外露出于该基座的外侧，至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的相对侧，且至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的同侧。一种发光二极管的制造方法，包括步骤
提供一导电的基板，于该基板上形成间隔设置的若干第一电极及若干第二电，该第一电极包括一第一主体部及自该第一主体部向外延伸的若干第一支撑电极，该第二电极包括一第二主体部及自该第二主体部向外延伸的若干第二支撑电极，相邻的一第一电极与一第二电极的至少一第一支撑电极与一第二支撑电极沿相反的方向延伸，及至少一第一支撑电极及一第二支撑电极沿相同的方向延伸；
在该基板上形成一基座层；
提供若干发光芯片，并使每一发光芯片的两极分别与相邻的一第一电极及一第二电极电极连接；
于每一发光芯片上形成一封装层，该封装层覆盖该发光芯片及与该发光芯片连接的一第一电极及第二电极；
对该基座层及基板进行切割，使该基座层成为若干个基座，且每一基座上形成一独立的所述第一电极及一独立的所述第二电极，所述第一电极及第二电极的第一支撑电极及第二支撑电极均外露出于该基座的外侧，每一基座上的第一电极的至少一第一支撑电极与该基座上的第二电极的至少一第二支撑电极外露于该基座的相对两侧，及每一基座上的第一电极的至少一第一支撑电极与该基座上的第二电极的至少一第二支撑电极外露于该基座的同侧。本发明中的发光二极管在安装时，其第一电极的一第一支撑电极可以与该第二电极的任意一第二支撑电极组对以适应不同的安装方式及安装姿势的要求，因此，相对于现有技术中的发光二极管，本发明中的发光二极管的安装方式及安装姿势变化多样，具有较强安装适应性。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明第一实施例中的发光二极管的俯视图。
图2为图1中的发光二极管沿I1-1I处的剖视图。
图3为图1中的发光二极管沿II1-1II处的剖视图。
图4为图1中的发光二极管沿IV-1V处的剖视图。
图5为图1中的发光二极管的仰视图。
图6为本发明第二实施例中的发光二极管的结构示意图。
图7为图6中的发光二极管的仰视图。
图8为本发明第三实施例中的发光二极管的俯视图。
图9示出了本发明中的发光二极管的制造方法的第一个步骤。图10示出了本发明中的发光二极管的制造方法的第二个步骤。图11示出了本发明中的发光二极管的制造方法的第三个步骤。图12示出了本发明中的发光二极管的制造方法的第四个步骤。
主要元件符号说明
100、100a、IOOb发光二极管10、IOa基座101凹槽102外侧面103内侧面104、104a内底面105、105a外底面20,20a第一电极201,201a第一主体部202,202a第一支撑电极203第一外部电极30、30a第二电极301,301a第二主体部302、302a第二支撑电极303第二外部电极40发光芯片50封装体60基板61外框62第一电极列63第二电极列64镂空区70基座层如下具体实施方式
将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施例方式图1至图5示出了本发明第一实施例中的发光二极管100，该发光二极管100包括一基座10、嵌设于该基座10上的一第一电极20、一第二电极30,及与所述第一、第二电极20,30电连接的一发光芯片40。该基座10大致呈长方体状，其中部设有一倒梯形台状的凹槽101，该基座10包括四外侧面102、四内侧面103、一内底面104及一外底面105。所述四内侧面103围绕该凹槽101及发光芯片40，该内底面104位于该凹槽101的底部。该基座10由具有反射性的材 料制成，如环氧树脂，娃树脂或聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide, PPA)等,所述四外侧面102分别朝向该基座10的四侧。所述内侧面103及内底面104均为光滑可反光的镜面，所述内侧面103自该内底面104边缘向外倾斜延伸。该凹槽101中收容有封装所述第一、第二电极20、30及发光芯片40的封装体50。该封装体50为耐高温的透光材料，如环氧树脂等，该封装体50内掺杂有至少一种荧光粉，在其他的实施列中，还可以于该发光芯片40的表面设置突光粉层。该第一电极20及第二电极30均嵌设于该基座40的内底面104中。该第一电极20大致呈T形，其包括位于中部的一矩形的第一主体部201及自该第一主体部201的三个侧边向外延伸的三个第一支撑电极202。该主体部201的另一侧边朝向该第二电极30，该第一主体部201的厚度大于所述第一支撑电极202的厚度，该第一主体部201自该底壁104呈倒梯形台状延伸至该基座10的外底面105，并在该底面105处外露。所述三个第一支撑电极202分别贯穿该基座10的三个外侧面102并朝向该基座10的三侧。该第二电极30与该第一电极20的结构相似，同样包括一自该基座10的底壁104呈倒梯形台状延伸至该外底面105的第二主体部301及自该第二主体部301向外延伸且贯穿该基座10的内侧面103及内侧面103的三个第二支撑电极302，其不同之处在于，该第二主体部301的面积小于该第一主体部201的面积。该第一电极20的其中第一支撑电极202与该第二电极30的其中一第二支撑电极302沿X轴分别向相反的方向延伸且外露于该基座10的相对侧,该第一电极20的另外两第一支撑电极202沿Y轴分别向相反的方向延伸，该第二电极30的另外两第二支撑电极302沿Y轴分别向相反的方向延伸，即该第一电极20的另外两第一支撑电极202与第二电极30的另外两第二支撑电极302两两外露于该基座10的同侧。该发光芯片40固定于该第一电极20的第一主体部201上,该发光芯片40的两个电极通过打线的方式分别与该第一电极20的第一主体部201及该第二电极30的第二主体部301电连接。在其他的实施例中，该发光芯片40还可以通过倒装式或共晶的方式与该第一电极20及该第二电极30电连接。该发光二极管100在安装时,其第一电极20的一第一支撑电极202或第一主体部201可以与该第二电极30的第二主体部301或任意一第二支撑电极302组对以适应不同的安装方式及安装姿势的要求，例如，该第一电极20的第一主体部201与该第二电极30的第二主体部301组对可以使该发光二极管100实现正面安装，位于同一外侧面102上的第一电极20的一第一支撑电极202与第二电极30的一第二支撑电极302组对可以使该发光二极管100实现侧安装，因此，相对于现有技术中的发光二极管，本发明中的发光二极管100的安装方式及安装姿势变化多样，具有较强安装适应性。图6及图7示出了本发明第二实施例中的发光二极管100a，其与第一实施例中的发光二极管100结构类似，不同之处在于，本实施例中，该第一电极20a的第一主体部201a及第一支撑电极202a均自该基座IOa的内底面104a延伸至其外底面105a，该第二电极30a的第二主体部301a及第二支撑电极302a也均自该基座IOa的内底面104a延伸至其外底面105a，如此，可增加该第一电极20a及第二电极30a的电流导通面积。图8示出了本发明第三实施中的发光二极管100b，其与第一实施例中的发光二极管100结构类似，不同之处在于，本实施例中，其基座10同一外侧面102上一第一支撑电极202及一第二支撑电极302外侧分别形成有一第一外部电极203及一第二外部电极303。该第一外部电极203的面积大于该第一支撑电极202的截面积，该第二外部电极303的面积大于该第二支撑电极302的截面积。如此，可增加该第一电极20及第二电极30的电流导通面积。在其他的实施例中，该第一电极20的其他第一支撑电极202上均可形成一第一外 部电极203，该第二电极30的其他第二支撑电极302上均可形成一第二外部电极303。下面以第一实施例中发光二极管100为例对本发明中的发光二极管的制造方法进行说明，请参阅图9至12，本发明发光二极管的制造方法主要包括如下步骤
请参照图9，提供一导电的基板60。该基板60由金属制成，如铜、铝等。该基板60呈一平坦的矩形，其通过蚀刻分别形成一外框61、若干列位于该外框61内的第一电极列62及若干列第二电极列63。所述第一电极列62与第二电极列63的列数相等且第一电极列62与第二电极列63间隔交替排列。所述第一电极列62与第二电极列63之间、第一电极列62与该外框61之间及该第二电极列63与该外框61之间均形成镂空区64。与该外框61相邻的一第一电极列62中的第一电极20与相邻的一第二电极列63中的第二电极30 间隔相对。远离该外框61的每一第一电极列62中的第一电极20与相邻的一第二电极列63中
的第二电极30--间隔相对，远离该外框61的每一第一电极列62中的每一第一电极20的
第一支撑电极22与相邻的另一第二电极列63中对应的一第二电极30的一第二支撑电极302相连。每一第一电极列62中相邻两第一电极20的第一主体部201通过该相邻两第一电极20的第一支撑电极21相连，每一第二电极列63中相邻两第二电极30的第二主体部301通过该相邻两第二电极30的第二支撑电极302相连。与该外框61相邻的第一电极20的第一主体部201通过其第一支撑电极202与该外框61相连,与该外框61相邻的第二电极30的第二主体部301通过其第二支撑电极302与该外框61相连。在其他的实施列中，该基板60上的第一电极列62及第二电列63还可以通过冲压的方式形成。请参照图10，在该基板60上形成一基座层70，该基座层70由具有反射性的材料制成，如环氧树脂，娃树脂或聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide, PPA)等。该基座层70通过模铸的方式形成于该基板60上，该基座层70上形成若干凹槽101，每一第一电极20的第一主体部201与相邻的一第二电极30的第二主体部301刚好位于一该凹槽101的底部。请参照图11,于每一第一电极20的第一主体部201上设置一发光芯片40,并通过打线的方式将该发光芯片40的两极与该第一电极20的第一主体部201及相邻的一第二电极30的第二主体部301相连接。在其他的实施例中，该发光芯片40还可以通过倒安装等其他芯片安装的方式与所述第一电极20及第二电极30连接。
然后，通过注射或模铸的方式在该基座层70的每一凹槽101中形成一封装层50,该封装层50覆盖该发光芯片40，该封装层50中含有至少一种荧光粉。在其他的实施列中，也可以于该发光芯片40的表面形成一突光粉层。
请参照图12，对该基板60及基座层70进行横向及纵向切割，其中横向切割沿垂直于所述第一电极列62或第二电极列63的方向切割，即图12中A-A所示的方向，纵向切割沿平行于所述第一电极列62或第二电极列63的方向切割，即图12中B-B所示的方向。横向切割使每一第一电极列62中相邻两第一电极20之间的第一支撑电极202断开，每一第二电极列63中相邻两第二电极30之间的第二支撑电极302断开。纵向切割使每一第一电极20与相邻且间隔相对的一第二电极30形成两两相邻的电极对,且使该第一电极20的第一支撑电极202与相邻的另一第二电极30的第二支撑电极302之间断开。切割后，该基座层70被划分为若干个基座10，相邻的一第一电极20与一第二电极30所组成的电极对、连接于该电极对上的一发光芯片40及一基座10共同构成本发明第一实施例中的发光二极管100。同样的方法可用于制造本发明第二实施中发光二极管100a，如进一步在每一第一电极20的一第一支撑电极202及第二电极30的第二支撑电极302的外侧形分别形成所述第一外部电极203及第二外部电极303，则可制成本发明第三实施列中的发光二极管IOOb。
权利要求
1.一种发光二极管，包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极，以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片，其特征在于该第一电极包括一第一主体部及自该第一主体部向外延伸的若干第一支撑电极，该第二电极包括一第二主体部及自该第二主体部向外延伸的若干第二支撑电极，所述第一支撑电极及第二支撑电极均外露出于该基座的外侧，至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的相对侧，且至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的同侧。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该基座包括一内底面及一外底面，该第一电极的第一主体部及该第二电极的第二主体部均贯穿该内底面及外底面。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于该第一电极的第一支撑电极及该第二电极的第二支撑电极贯穿该内底面及外底面。
4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于该基座上设有一凹槽，该内底面位于该凹槽的底部，该发光芯片位于该凹槽中，该基座还包括若干外侧壁及若干内侧壁，所述内侧壁围绕该凹槽且自该内底面的边缘倾斜向外延伸，所述第一支撑电极及第二支撑电极贯穿所述外侧壁且外露于所述外侧壁。
5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于该第一电极的第一主体部的面积大于该第二电极的第二主体部的面积，该发光芯片固定于该第一主体部上，该发光芯片的两极分别与该第一主体部及第二主体部电连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于至少有一第一支撑电极于该基座的外侧形成一第一外部电极，至少有一第二支撑电极于该基座的外侧形成一第二外部电极， 该第一外部电极的面积大于该第一支撑电极的截面积，该第二外部电极的面积大于该第二支撑电极的截面积。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该基座的材料选自环氧树脂，硅树脂或聚邻苯二甲酰胺中的一种。
8.一种发光二极管的制造方法，包括步骤提供一导电的基板，于该基板上形成间隔设置的若干第一电极及若干第二电，该第一电极包括一第一主体部及自该第一主体部向外延伸的若干第一支撑电极，该第二电极包括一第二主体部及自该第二主体部向外延伸的若干第二支撑电极，相邻的一第一电极与一第二电极的至少一第一支撑电极与一第二支撑电极沿相反的方向延伸，及至少一第一支撑电极及一第二支撑电极沿相同的方向延伸；在该基板上形成一基座层；提供若干发光芯片，并使每一发光芯片的两极分别与相邻的一第一电极及一第二电极电极连接；于每一发光芯片上形成一封装层，该封装层覆盖该发光芯片及与该发光芯片连接的一第一电极及第二电极；对该基座层及基板进行切割，使该基座层成为若干个基座，且每一基座上形成一独立的所述第一电极及一独立的所述第二电极，所述第一电极及第二电极的第一支撑电极及第二支撑电极均外露出于该基座的外侧，每一基座上的第一电极的至少一第一支撑电极与该基座上的第二电极的至少一第二支撑电极外露于该基座的相对两侧，及每一基座上的第一电极的至少一第一支撑电极与该基座上的第二电极的至少一第二支撑电极外露于该基座的同侧。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述第一电极及第二电极分别组成若干第一电极列及若干第二电列，所述第一电极列与第二电极列的列数相等且第一电极列与第二电极列间隔交替排列，每一第一电极列中的第一电极与相邻的一第二电极列中的第二电极一一间隔相对，每一第一电极列中的每一第一电极的第一支撑电极与相邻的另一第二电极列中对应的一第二电极的一第二支撑电极相连，每一第一电极列中相邻两第一电极的第一主体部通过该相邻两第一电极的第一支撑电极相连，每一第二电极列中相邻两第二电极的第二主体部通过该相邻两第二电极的第二支撑电极相连。
10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该切割包括横向切割及纵向切割，该横向切割沿垂直于所述第一电极列或第二电极列的方向切割，该纵向切割沿平行于所述第一电极列或第二电极列的方向切割，横向切割使每一第一电极列中相邻两第一电极之间的第一支撑电极断开以及使每一第二电极列中相邻两第二电极之间的第二支撑电极断开，纵向切割使每一第一电极与相邻且间隔相对的一第二电极形成两两相邻的电极对，且使该第一电极的第一支撑电极与相邻的另一第二电极的第二支撑电极之间断开。
11.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该第一电极列及第二电极列通过蚀刻或冲压的方式形成。
12.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该基座层由具有反射性的材料通过模铸的方式形成于该基板上。
13.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该基座层的材料选自环氧树脂，硅树脂或聚邻苯二甲酰胺中的一种。
14.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该基座层包括一内底面及与该内侧面相对的一外底面，该第一电极的第一主体部及该第二电极的第二主体部贯穿该内底面及外底面。
15.如权利要求14所述的发光二极管的制造方法,其特征在于该第一电极的第一支撑电极及该第二电极的第二支撑电极贯穿该内底面及外底面。
16.如权利要求15所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该基座层上设有若干凹槽，每一凹正对相邻的一第一电极及一第二电极电极连接，该内底面位于该凹槽底部，每一芯片位于对应的一凹槽中。
17.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于切割后使至少一第一支撑电极于该基座的外侧形成一与该第一支撑电极电连接的一第一外部电极，使至少一第二支撑电极于该基座的外侧形成一与该第二支撑电极电连接的一第二外部电极，该第一外部电极的面积大于该第一支撑电极的截面积，该第二外部电极的面积大于该第二支撑电极的截面积。
全文摘要
一种发光二极管，包括一基座、设于该基座上的一第一电极及一第二电极，以及与该第一电极及第二电极电连接的一发光芯片，该第一电极包括一第一主体部及自该第一主体部向外延伸的若干第一支撑电极，该第二电极包括一第二主体部及自该第二主体部向外延伸的若干第二支撑电极，所述第一支撑电极及第二支撑电极均外露出于该基座的外侧，至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的相对侧，且至少一第一支撑电极及一第二支撑电极外露于该基座的同侧。本发明中的发光二极管的安装方式及安装姿势变化多样，具有较强安装适应性。另外本发明还揭示了该发光二极管的制造方法。
文档编号H01L33/62GK103000783SQ20111027757
公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月19日 优先权日2011年9月19日
发明者陈滨全, 林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司