专利名称：芯片封装结构及方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装技术，尤其是一种兼具电磁干扰屏蔽和散热功能的芯片封装结构及方法。
背景技术：
通常，芯片封装结构采用金属屏蔽盖罩住芯片封装结构以防电磁干扰。然而，这种芯片封装结构之芯片在产生不必要的热能时，大部分的热能只能通过封装所述芯片的封胶体进行热传导，而这种方式大幅限制了散热效率，当所述芯片因长时间而产生大量能量时，所述封胶体将无法及时传导热能，导致热能滞留于所述芯片，而造成所述芯片的有源表面的电路可能烧毁。
发明内容
有鉴于此，需提供一种兼具电磁干扰屏蔽和散热功能的芯片封装结构及方法。本发明一种实施方式中的芯片封装结构包括基板、芯片、导热柱、封胶体及屏蔽层。所述芯片电性连接于所述基板，所述导热柱设置于芯片之背离所述基板的一侧，所述封胶体封装所述芯片及所述导热柱，并使所述导热柱之一端裸露于所述封胶体外部，所述屏蔽层覆盖于所述封胶体并与所述导热柱之裸露端相接触。优选地，所述芯片设有多个贯穿所述芯片的散热通孔，并包括多个连接部，所述散热通孔内壁涂布导热材料，所述连接部位于所述芯片之背离所述基板的一侧，并连接于所述散热通孔及所述导热柱之间。优选地，所述芯片包括金属层，所述金属层设置于所述芯片之邻近所述基板的一侦牝所述散热通孔连接于所述导热柱和所述金属层之间，以使所述芯片产生的热量经由所述金属层、所述散热通孔及所述导热柱传导至所述屏蔽层而进行散热。优选地，所述基板包括间隔垫层，并设有多个贯穿所述基板的接地通孔，所述接地通孔电性连接所述间隔垫层以使所述间隔垫层接地。优选地，所述间隔垫层位于所述基板之邻近所述芯片的一侧，利用粘合剂将所述金属层固定并电性连接于所述间隔垫层，以使所述金属层接地。优选地，所述金属层的材质为金、镍金合金或者铜，所述粘合剂由导电材料制成。优选地，所述屏蔽层经由所述导热柱、所述散热通孔、所述金属层及所述间隔垫层实现接地。优选地，所述导热柱的材质为铜、锡等导热材料。优选地，还包括保护层，所述保护层由绝缘材料制成并喷涂于所述屏蔽层的表面。发明一种实施方式中的芯片封装方法，包括步骤提供基板；提供多个芯片，每个芯片固定并电性连接于所述基板；设置多个导热柱于每个芯片之背离所述基板的一侧；利用封胶体封装所述芯片及所述导热柱以形成封装体，研磨所述封装体以使所述导热柱之一端裸露于所述封胶体外部，并切割所述封胶体以形成单个芯片封装结构；形成屏蔽层于所述封胶体的外表面并与所述导热柱之裸露端相接触。优选地，还包括设置多个连接部于所述散热通孔和所述导热柱之间，所述连接部由导电材料制成并电性连接于所述散热通孔及所述导热柱。优选地，还包括将粘合剂设置于所述间隔垫层以使所述间隔垫层固定并电性连接于所述金属层，所述基板包括第一焊垫，所述芯片包括第三焊垫，利用连接线电性连接于所述第三焊垫与所述第一焊垫之间以将所述芯片电性连接于所述基板。相较于现有技术，本发明之芯片设有导热柱和金属层，导热柱通过连接部和散热通孔电性连接于金属层，利用粘合剂将金属层固定并电性连接于间隔垫层，而间隔垫层通过接地通孔接地，从而使得导热柱接地。导热柱裸露于 封胶体以电性连接于屏蔽层，以防止电磁干扰。另外，芯片在发热过程中，可通过导热柱进行散热。因此，本发明之芯片封装结构不仅具有电磁干扰屏蔽功能，而且具有散热功能。
图1是本发明的芯片封装结构的剖视示意图。图2为本发明的芯片封装方法的流程示意图。主要元件符号说明芯片封装结构100基板10第一表面11第二表面12第一焊垫13第二焊垫14间隔垫层15接地通孔16导电膜17芯片20第一侧面21第二侧面22第三焊垫23金属层24散热通孔26连接部27导热柱28粘合剂30连接线40封胶体50屏蔽层60保护层70如下具体实施方式
将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施例方式图1是本发明的芯片封装结构100的剖视示意图，本发明的芯片封装结构100包括基板10、芯片20、多个连接线40、封胶体50、屏蔽层60及保护层70。基板10包括第一表面11、与第一表面11相对的第二表面12、多个第一焊垫13、多个第二焊垫14及间隔垫层15，并设有多个接地通孔16。间隔垫层15和所述第一焊垫13均设于第一表面11，所述第二焊垫14设于第二表面12。所述第二焊垫14用于将芯片封装结构100通过焊接方式安装于电路板上。在本实施方式中，第一焊垫13、第二焊垫14及间隔垫层15均为导电材料，且均通过电镀方式生成。所述接地通孔16贯穿第一表面11和第二表面12,所述接地通孔16内壁涂布导电膜17，以使所述第二焊垫14和间隔垫层15电性连接，从而使间隔垫层15接地。在本实施方式中，导电膜17可以为铝、铜、铬、锡、金、银、镍或者含有上述元素的合金。 芯片20固定安装于基板10上，包括背离所述基板10的第一侧面21、与所述基板10相对的第二侧面22、多个第三焊垫23、金属层24、多个连接部27及多个导热柱28，并设有多个散热通孔26。所述第三焊垫23、所述连接部27和所述导热柱28位于第一侧面21，所述金属层24位于第二侧面22。利用连接线40电性连接于第三焊垫23与第一焊垫13之间以将芯片20电性连接于基板10。在本实施方式中，连接线40的材质为金、铜、铝或者其他导电材料。所述金属层24设置于所述芯片20之邻近所述基板10的一侧，并利用粘合剂30将金属层24固定并电性连接于间隔垫层15。在本实施方式中，金属层24的材质为金、镍金合金或者铜，且所述金属层24通过电镀方式生成。在本实施方式中，粘合剂30由导电材料制成，如银胶。所述散热通孔26贯穿第一侧面21和第二侧面22以分别连接连接部27和金属层24，以使所述芯片20产生的热量经由所述金属层24、散热通孔26、连接部27及所述导热柱28传导而出以实现散热。在本实施方式中，连接部27由导电材料制成。所述散热通孔26内壁涂布导热材料，并电性连接所述连接部27和金属层24。在本实施方式中，导电材料可以为招、铜、铬、锡、金、银、镍或者含有上述元素的合金。导热柱28固定并电性连接于连接部27。在本实施方式中，导热柱28的材质为铜、锡等导热材料，且通过电镀或者焊接的方式固定于连接部27。当芯片20在工作过程中发热时，其热量可通过导热柱28进行传导以进行散热。另外，导热柱28电性连接于连接部27以实现接地，具体而言，由于芯片20设有电性连接连接部27和金属层24的散热通孔26，金属层24与间隔垫层15之间设有具有导电特性的粘合剂30以及间隔垫层15通过接地通孔16电性连接至第二焊垫14以实现接地，因此,导热柱28接地。封胶体50包覆连接线40、芯片20的第一侧面21、导热柱28以及基板10以将芯片20封装成封装体结构，并使导热柱28之远离所述芯片20的端面裸露于封胶体50外部。在本实施方式中，封胶体50为黑胶。屏蔽层60设置于封胶体50的外表面和基板10的侧边，以防电磁干扰。屏蔽层60与导热柱28之裸露端相接触，使得芯片20所产生的热通过导热柱28传导至屏蔽层60，以提高芯片封装结构100的散热能力。所述屏蔽层60经由导热柱28、散热通孔26、金属层24及间隔垫层15实现接地。屏蔽层60与所述第一焊垫13相隔一定的距离，即屏蔽层60与所述第一焊垫13之间绝缘，从而有效避免屏蔽层60在焊接过程中的粘锡问题，即避免芯片封装结构100在焊接的过程中的粘锡问题。在其它实施方式中，屏蔽层60也可只设置于封胶体50的外表面并与导热柱28电性连接而不覆盖基板10的侧边。在本实施方式中，屏蔽层60为金属层或其它能防电磁干扰的屏蔽材料。在本实施方式中，屏蔽层60通过化学气相沉积、化学电镀、电解电镀、喷涂、印刷或者溅渡的方式形成。保护层70喷涂于屏蔽层60的外表面，从而防止芯片封装结构100与相邻的其它零件发生短路，同时避免了屏蔽层60在焊接过程中的粘锡问题。在本实施方式中，保护层70为透明绝缘材料。因芯片封装结构100本身具有屏蔽层60，即不需在电路板上安装屏蔽盖就能防电磁干扰，从而减少了电路板的尺寸，即缩小了产品体积并节约了成本。 图2为本发明的芯片封装方法的流程示意图。步骤210 :提供基板10。在本实施方式中，基板10包括第一表面11、与第一表面11相对的第二表面12、多个第一焊垫13、多个第二焊垫14及间隔垫层15，并设有多个接地通孔16。间隔垫层15和所述第一焊垫13均位于第一表面11，所述第二焊垫14位于第二表面12，所述接地通孔16贯穿第一表面11和第二表面12以电性连接所述第二焊垫14和间隔垫层15，以使间隔垫层15接地。步骤211 :提供芯片20。在本实施方式中，芯片20包括背离所述基板10的第一侧面21、与所述基板10相对的第二侧面22、多个第三焊垫23及金属层24，并设有多个散热通孔26，所述第三焊垫23位于第一侧面21以及所述金属层24位于第二侧面22。所述散热通孔26贯穿第一侧面21和第二侧面22以连接金属层24。步骤212 :设置多个连接部27、多个导热柱28于芯片20之背离所述基板10的一侦U。在本实施方式中，所述连接部27和所述导热柱28位于第一侧面21，所述连接部27由导电材料制成并连接于散热通孔26，导热柱28固定于连接部27。当芯片20在工作过程中发热时，其热量可通过导热柱28进行传导以进行散热。由于芯片20设有电性连接连接部27和金属层24的散热通孔26，金属层24与间隔垫层15之间设有具有导电特性的粘合剂30以及间隔垫层15通过接地通孔16电性连接至第二焊垫14以实现接地，因此，导热柱28接地。步骤213 :将芯片20固定并电性连接于基板10。在本实施方式中，利用粘合剂30将芯片20之金属层24固定并电性连接于间隔垫层15，利用连接线40电性连接于第三焊垫23与第一焊垫13之间以将芯片20电性连接于第一焊垫13。步骤214 :利用封胶体50封装所述芯片20和所述导热柱28以形成封装体。在本实施方式中，封胶体50覆盖连接线40、芯片20的第一侧面21和导热柱28以及基板10的第一侧面21。在本实施方式中，封胶体50为黑胶。步骤215 :研磨封装体以使所述导热柱28之端面裸露于封胶体50外部。步骤216 :切割封装体以形成单个芯片封装结构。步骤217 :将屏蔽层60设置于封胶体50的外表面和基板10的侧边，以防电磁干扰。所述屏蔽层60与导热柱28之裸露端面相接触，使得芯片20所产生的热通过导热柱28传导至屏蔽层60，以提高芯片20的散热能力。在其它实施方式中，屏蔽层60也可只喷涂于封胶体50的外表面并与导热柱28电性连接而不覆盖基板10的侧边。步骤218 :将保护层70设置于屏蔽层60的外表面，以防止芯片封装结构100与相邻的其它零件发生短路，同时避免屏蔽层60在焊接过程中的粘锡问题。在本实施方式中，保护层70为透明绝缘材料。本发明之芯片20设有导热柱28和金属层24，导热柱28通过连接部27和散热通孔26电性连接于金属层24，利用粘合剂30将金属层24固定并电性连接于间隔垫层15，而间隔垫层15通过接地通孔16接地，从而使得导热柱28接地。导热柱28裸露于封胶体50以电性连接于屏蔽层60，以防止电磁干扰。另外，芯片20在发热过程中，可通过导热柱28 进行散热。因此，本发明之芯片封装结构100不仅具有电磁干扰屏蔽功能，而且具有散热功倉泛。
权利要求
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括 基板； 芯片，电性连接于所述基板； 导热柱，设置于芯片之背离所述基板的一侧； 封胶体，封装所述芯片及所述导热柱，并使所述导热柱之一端裸露于所述封胶体外部；以及 屏蔽层，覆盖于所述封胶体并与所述导热柱之裸露端相接触。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片设有多个贯穿所述芯片的散热通孔，并包括多个连接部，所述散热通孔内壁涂布导热材料，所述连接部位于所述芯片之背离所述基板的一侧，并连接于所述散热通孔及所述导热柱之间。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括金属层，所述金属层设置于所述芯片之邻近所述基板的一侧，所述散热通孔连接于所述导热柱和所述金属层之间，以使所述芯片产生的热量经由所述金属层、所述散热通孔及所述导热柱传导至所述屏蔽层而进行散热。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板包括间隔垫层，并设有多个贯穿所述基板的接地通孔，所述接地通孔电性连接所述间隔垫层以使所述间隔垫层接地。
5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述间隔垫层位于所述基板之邻近所述芯片的一侧，利用粘合剂将所述金属层固定并电性连接于所述间隔垫层，以使所述金属层接地。
6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属层的材质为金、镍金合金或者铜，所述粘合剂由导电材料制成。
7.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述屏蔽层经由所述导热柱、所述散热通孔、所述金属层及所述间隔垫层实现接地。
8.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导热柱的材质为铜、锡等导热材料。
9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括保护层，所述保护层由绝缘材料制成并喷涂于所述屏蔽层的表面。
10.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括下列步骤 提供基板； 提供多个芯片，每个芯片固定并电性连接于所述基板； 设置多个导热柱于每个芯片之背离所述基板的一侧； 利用封胶体封装所述芯片及所述导热柱以形成封装体，研磨所述封装体以使所述导热柱之一端裸露于所述封胶体外部，并切割所述封胶体以形成单个芯片封装结构；以及 形成屏蔽层于所述封胶体的外表面并与所述导热柱之裸露端相接触。
全文摘要
一种芯片封装结构，包括基板、芯片、导热柱、封胶体及屏蔽层。所述芯片电性连接于所述基板，所述导热柱设置于芯片之背离所述基板的一侧，所述封胶体封装所述芯片及所述导热柱，并使所述导热柱之一端裸露于所述封胶体外部，所述屏蔽层覆盖于所述封胶体并与所述导热柱之裸露端相接触。本发明还提供了一种芯片封装方法，将导热柱设置于所述芯片与所述屏蔽层之间并与所述屏蔽层接触。当所述芯片发热时，可通过所述导热柱将热量传导至所述屏蔽层进行散热。
文档编号H01L23/552GK103021972SQ20111028414
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月22日 优先权日2011年9月22日
发明者杨望来 申请人:国碁电子(中山)有限公司