专利名称：发光二极管的封装方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体结构的封装方法，尤其涉及一种发光二极管的封装方法。
技术背景
与传统光源相比，发光二极管具有无汞、体积小、光学特性佳等优点。随着发光二极管发光效率的不断提升，越来越多的发光二极管被用作光源。
发光二极管晶粒采用共晶结构固定时，其散热效率增加且寿命更长。常见的发光二极管封装过程中，先提供一具有电极结构及反射杯的封装基板，然后在封装基板上的反射杯内设置发光二极管晶粒，接着通过共晶技术使发光二极管晶粒与封装基板相结合固定，然后在发光二极管晶粒上方形成荧光粉层及覆盖层，以覆盖发光二极管晶粒。然而，采用共晶技术时需要在高温环境下进行，上述封装过程中，基板等封装结构在后续的高温环境下容易变质或黄化，进而影响发光二极管的封装品质和制程良率。
发明内容
本发明旨在提供一种能够提高封装品质和制程良率的发光二极管封装方法。
一种发光二极管封装方法，包括以下步骤提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架 '及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。
与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒在高温环境下通过共晶结合固定在导电架上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光~■极管封装体的品质，提闻制程良率。
图1至图5为本发明一实施例的发光二极管的封装方法的各步骤示意图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装方法，其包括步骤提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架 '及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，采用共晶技术固定发光二极管晶粒的温度高于310°C。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述基座包括一反射部和一承载部，该反射部和承载部分别位于所述导电架的上、下两侧，该反射部环绕该覆盖层， 该导电架的第一、第二电极穿设于反射部和承载部之间。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该第一电极及第二电极的远离发光二极管晶粒的端部伸出至基座之外。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述承载部包括一收容槽， 该收容槽贴合该覆盖层的下表面并收容该覆盖层。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述承载部还包括位于收容槽两侧并向上延伸的两贴合部，所述两贴合部相互对称，该两贴合部的上表面分别与第一电极的部分下表面、第二电极的部分下表面相贴合。
7.如权利要求3所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述反射部包括一收容空间，该收容空间将所述覆盖层收容在内。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该反射部的下表面分别与所述第一电极的部分上表面、第二电极部分的上表面相贴合。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该覆盖层包覆导电架第一电极和第二电极邻近发光二极管晶粒的端部。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该基座采用嵌入模压技术形成。
全文摘要
一种发光二极管封装方法，其包括步骤提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架；及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒在高温环境下通过共晶结合固定在导电架上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光二极管封装体的品质，提高制程良率。
文档编号H01L33/00GK103022275SQ20111028544
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月23日 优先权日2011年9月23日
发明者胡必强, 许时渊 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司