专利名称：新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术的制作方法
新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术技术领域
本发明关于一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其目的在于大幅增加太阳能电池电极导电性及太阳光穿透率，进而达到高效率之太阳能电池。
背景技术：
由于能源价格高涨，全球各地皆再寻求替代的绿色能源，薄膜太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。
目前，业界大多采用氧化锌当作太阳能电池的导电电极，但此方式仍有导电性差及透光性不好的缺点存在，其中造成太阳能电池未能有效充分利用太阳光，使太阳能电池效率降低且价格过高，无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
发明内容
本发明主要目的系一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，此技术方法于利用锌、氧、镓的化合物，由原本ZnO变成ZnO:Ga，以制造高导电性及高穿透性的太阳能电池，其目的在于能够使入射光能大量通过ZnO:Ga，并且能保有良好的导电性质，至少提升85%以上的导电性及穿透性，进而产生高效率太阳能电池。
一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其特征在于，包含了 一透明玻璃基板；一 ZnO:Ga透明导电层，位于该透明玻璃基板上；一P层半导体层，位于该ZnO:Ga透明导电层上；一本质半导体层，位于该P层半导体层上；一 N层半导体层，位于该本质半导体层上；一下透明导电层，位于该N层半导体层上；一外透明玻璃基板，位于该下透明导电层上。
其中，该透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
其中，该ZnO: Ga透明导电层，使用锌、氧、镓的化合物，由原本ZnO变成ZnO: Ga，以制造高导电性及高穿透性的太阳能电池，其目的在于能够使入射光能大量通过ZnO:Ga，并且能保有良好的导电性质，至少提升85%以上的导电性及穿透性，进而产生高效率太阳能电池。
其中，该P层半导体层，使用带电洞之半导体层。
其中，该本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升太阳能电池的效率。
其中，该N层半导体层，使用带电子之半导体层。
与传统氧化锌薄膜技术作比较，本发明具有的有效效益为本发明所使用的新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，包含了透明玻璃基板、ZnO:Ga透明导电层、 P层半导体层、本质半导体层、N层半导体层、下透明导电层及外透明玻璃基板。利用新型氧化锌參雜鎵制作的透明导电层，大幅提升入射太阳光进入太阳能电池中，，并且提升太阳能电池的导电性质，进而获得高效率太阳能电池，及降低生产成本达到符合市场需求的目的。
具体实施方式
兹将本发明配合附图，详细说明如下参照
图1，是本发明新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术的新型结构图，其中包含了透明玻璃基板1、ZnO:Ga透明导电层2、P层半导体层3、本质半导体层4、N层半导体层5、下透明导电层6及外透明玻璃基板7。
为了能够获得高导电性及高穿透性的太阳能电池，其堆栈依序如下ZnO:Ga透明导电层2、P层半导体层3、本质半导体层4及N层半导体层5。当太阳光照射在PN接面时， 会有部分原子得到能量，进而形成自由电子，而失去电子的原子将会形成电洞，通过P型及 N型半导体分别吸引电子与电洞，把正电及负电分离，因此在PN接面的两端形成一电位差， 接着在导电层上接上电路，使电子可以通过并在PN接面的另一端再次结合电子与电洞对， 即可利用导线将电能输出。
因此，本发明所使用的新型氧化锌參雜鎵透明导电层，其目的在大幅提升入射太阳光进入太阳能电池中，，并且提升太阳能电池的导电性质，进而获得高效率太阳能电池， 及降低生产成本达到符合市场需求的目的。
以上说明，对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解， 在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内，下面结合附图和实施例对本发明进一步说明第I图是本发明之新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术的新型结构图。主要组件符号说明 I…透明玻璃基板2…ZnO = Ga透明导电层3 "·ρ层半导体层4…本质半导体层5 "·Ν层半导体层6…下透明导电层7…外透明玻璃基板。
权利要求
1.本发明关于一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其目的在于大幅增加太阳能电池电极导电性及太阳光穿透率，进而达到高效率之太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根据权利要求1所述的一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其中该ZnO = Ga透明导电层，使用锌、氧、镓的化合物，由原本ZnO变成ZnO:Ga，以制造高导电性及高穿透性的太阳能电池，其目的在于能够使入射光能大量通过ZnO:Ga，并且能保有良好的导电性质，至少提升85%以上的导电性及穿透性，进而产生高效率太阳能电池。
4.根据权利要求1所述的一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其中该P层半导体层，使用带电洞之半导体层。
5.根据权利要求1所述的一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其中该本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升太阳能电池的效率。
6.根据权利要求1所述的一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，其中该N层半导体层，使用带电子之半导体层。
全文摘要
本发明主要目的系一种新型导电穿透氧化锌薄膜参杂镓之太阳能电池技术，此技术方法于利用锌、氧、镓的化合物，由原本ZnO变成ZnO:Ga，以制造高导电性及高穿透性的太阳能电池，其目的在于能够使入射光能大量通过ZnO:Ga，并且能保有良好的导电性质，至少提升85%以上的导电性及穿透性，进而产生高效率太阳能电池。
文档编号H01L31/0224GK103022165SQ20111028818
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月26日 优先权日2011年9月26日
发明者陈政宏, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司