专利名称：一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法
技术领域：
本发明涉及太阳能应用技术领域，具体涉及一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法。
背景技术：
非晶硅薄膜太阳电池作为第三代太阳电池，由于其价格低、无污染、弱光响应好等诸多优势，在太阳能领域里受到了人们越来越多的关注。但是由于转换效率低，安装相同瓦数的电池占地面积要比晶硅大很多，在土地日益稀缺的今天该缺点显得尤为突出。如何提高非晶硅太阳电池单位面积上的发电量就成为现在亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可提高组件发电量的非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法。本发明的技术解决方案是一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，电池组件是按TCO玻璃层、非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列，制备方法包括以下步骤
a.选取TCO玻璃，进行激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，对非晶硅层进行激光划
刻；
b.SPUTTER工艺腔室压强控制在(1 1. 5) *10_6mbar，AZO靶材与电池基板间距80 90mm,通入纯度4N5以上的Ar气体，流量为300 350slh，溅射AZO膜，膜厚500 600nm ；
c.激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿，电池后铺PVB胶，厚度为0. 6 0. 8mm，叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；
d.在钢化玻璃一侧沉积AZO膜层，膜厚500 600nm，激光划刻AZO层；
e.送入PECVD沉积非晶硅层，沉积顺序依次为η层、i层和ρ层，η层厚度30 50nm， i层厚度200 300nm，ρ层厚度10 20nm，激光划刻非晶硅层；
f.沉积TCO层，厚度700 800nm，激光划刻TCO层，使其与非晶硅、AZO层形成电路导通，在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；
TCO上方使用聚酰亚胺PI透明基片进行封装，两块电池引线串联后引入接线盒。本发明的技术效果是它可有效提高非晶硅太阳电池单位面积上的发电量，使其应用的范围更加广泛。
具体实施例方式一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，属于太阳能领域。该方法是在制备完第一块非晶硅薄膜太阳电池之后，在背板钢化玻璃后倒序沉积另一块非晶硅电池，两块电池的电极并联后引至组件上方的接线盒，背侧电池受光面与前侧太阳电池相反，从而使整个电池模组达到双面可发电的效果，提高了非晶硅电池单位面积上的发电量。包括以下步骤
a.选取透光率超过90%以上的TCO玻璃，进行第一次激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，而后对非晶硅层进行第二次激光划刻；
b.SPUTTER工艺腔室压强控制在(1 1. 5) *10_6mbar，AZO靶材与电池基板间距80 90mm,通入纯度4N5以上的Ar气体，流量为300 350slh，溅射AZO膜，膜厚500 600nm ；
c.激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿，电池后铺PVB胶，厚度为0. 6 0. 8mm，叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；
d.在钢化玻璃一侧利用溅射工艺沉积AZO膜层，膜厚500 600nm，激光划刻AZO层；
e.送入PECVD沉积非晶硅层，沉积顺序依次为η层、i层和ρ层，η层厚度30 50nm， i层厚度200 300nm，ρ层厚度10 20nm，激光划刻非晶硅层；
f.利用LPCVD技术沉积TCO层，厚度700 800nm。激光划刻TCO层，使其与非晶硅、 AZO层形成电路导通。在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；
g.TCO上方使用透光率为90% 93%的聚酰亚胺PI透明基片进行封装； 两块电池引线串联后引入接线盒，接线盒焊接于整个电池组件的上沿。该方法是在制备完第一块非晶硅薄膜太阳电池之后，在背板钢化玻璃后倒序沉积另一块非晶硅电池，两块电池的电极并联后引至组件上方的接线盒，背侧电池受光面与前侧太阳电池相反，从而使整个电池模组达到双面可发电的效果，提高了非晶硅电池单位面积上的发电量，同时也使其应用的范围更加广泛。实施例1
选取透光率超过90%以上的TCO玻璃，进行第一次激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，而后对非晶硅层进行第二次激光划刻；
SPUTTER工艺腔室压强控制在l*l(r6ml3ar，AZO靶材与电池基板间距80mm，通入纯度4N5 以上的Ar气体，流量为300slh，溅射AZO膜，膜厚550nm ；激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿，电池后铺PVB胶，厚度为0. 76mm,叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；
在钢化玻璃一侧利用溅射工艺沉积AZO膜层，膜厚560nm，激光划刻AZO层；送入PECVD 沉积非晶硅层，沉积顺序依次为η层、i层和ρ层，η层厚度30nm，i层厚度200nm，ρ层厚度 15nm,激光划刻非晶硅层；利用LPCVD技术沉积TCO层，厚度750nm。激光划刻TCO层，使其与非晶硅、AZO层形成电路导通。在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；
TCO上方使用透光率为90%的聚酰亚胺PI透明基片进行封装；两块电池引线串联后引入接线盒，接线盒焊接于整个电池组件的上沿。实施例2
选取透光率超过90%以上的TCO玻璃，进行第一次激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，而后对非晶硅层进行第二次激光划刻；
SPUTTER工艺腔室压强控制在1. 5*10_6mbar，AZO靶材与电池基板间距90mm，通入纯度4N5以上的Ar气体，流量为350slh，溅射AZO膜，膜厚600nm ；激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿， 电池后铺PVB胶，厚度为0. 76mm,叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；
在钢化玻璃一侧利用溅射工艺沉积AZO膜层，膜厚600nm，激光划刻AZO层；送入PECVD 沉积非晶硅层，沉积顺序依次为η层、i层和ρ层，η层厚度50nm，i层厚度300nm，ρ层厚度 20nm,激光划刻非晶硅层；利用LPCVD技术沉积TCO层，厚度800nm。激光划刻TCO层，使其与非晶硅、AZO层形成电路导通。在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；
TCO上方使用透光率为93%的聚酰亚胺PI透明基片进行封装；两块电池引线串联后引入接线盒，接线盒焊接于整个电池组件的上沿。
权利要求
1.一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，其特征在于，电池组件是按TCO玻璃层、 非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列，制备方法包括以下步骤a、选取TCO玻璃，进行激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，对非晶硅层进行激光划刻；b、SPUTTER工艺腔室压强控制在(1 1.5)*l(T6mbar，AZ0靶材与电池基板间距80 90mm,通入纯度4N5以上的Ar气体，流量为300 350slh，溅射AZO膜，膜厚500 600nm ；c、激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿，电池后铺PVB胶，厚度为0. 6 0. 8mm，叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；d、在钢化玻璃一侧沉积AZO膜层，膜厚500 600nm，激光划刻AZO层；e、送入PECVD沉积非晶硅层，沉积顺序依次为η层、i层和ρ层，η层厚度30 50nm， i层厚度200 300nm，ρ层厚度10 20nm，激光划刻非晶硅层；f、沉积TCO层，厚度700 800nm，激光划刻TCO层，使其与非晶硅、AZO层形成电路导通，在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；g、TCO上方使用聚酰亚胺PI透明基片进行封装，两块电池引线串联后引入接线盒。
2.如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤a 中选取TCO玻璃透光率超过90%。
3.如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤g 中的聚酰亚胺PI透明基片透光率为90% 93%。
全文摘要
一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池组件是按TCO玻璃层、非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列。它可有效提高非晶硅太阳电池单位面积上的发电量，使其应用的范围更加广泛。
文档编号H01L31/20GK102339910SQ20111029767
公开日2012年2月1日 申请日期2011年9月27日 优先权日2011年9月27日
发明者李鹏, 林宏达, 王恩忠, 甄雁卉, 薛泳波 申请人:牡丹江旭阳太阳能科技有限公司