专利名称：固态摄像器件及其制造方法和电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及背侧照射型固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电
子装置。
背景技术：
对于固态摄像器件，相关技术提出了用于提高光电转换效率或提高对入射光的敏感度的背侧照射型固态摄像器件(参见日本未审查专利公开No. 2005-347707和 No. 2005-353631)。在该背侧照射型固态摄像器件中，在半导体基板上形成作为光电转换单元的光电二极管，在半导体基板的前表面侧上形成像素晶体管和构成信号电路的布线层等，且光从半导体基板的后表面侧入射。在背侧照射型固态摄像器件中，形成在半导体基板的前表面侧上的多层布线的一部分设置为焊盘电极，通过将外部端子连接到焊盘电极而向多层布线提供期望电势。在此情况下，引线接合(wiring bonding)从半导体基板的后表面侧起连接到由多层布线的一部分构成的焊盘电极。图6是表示相关技术中的背侧照射型固态摄像器件100的主要部分的示意性剖视图。特别地，图6所示的示意性剖视图示出了包括焊盘区域127的区域，焊盘区域127形成在背侧照射型固态摄像器件的后表面侧的外围区域中。背侧照射型固态摄像器件100包括摄像区域103和外围电路部分，在摄像区域103 中，用作光电转换器的光电二极管PD和包括多个像素晶体管(M0S晶体管)的多个像素形成在硅基板112上。此外，焊盘区域127形成在外围区域中。构成像素的像素晶体管(未图示)形成在硅基板112的前表面侧上。此外，包括布线IM 3M(在图6中，为三个层，它们构成多层结构)的布线层113经由层间绝缘膜114形成在硅基板112的前表面侧。例如， 布线IM 3M是由诸如Cu、Al等金属材料形成。此外，第三层布线3M是由Al布线形成，且焊盘电极1 形成在焊盘区域127中。例如，支撑基板116通过位于布线层113前表面侧的粘合剂层115接合到硅基板。另一方面，防反射膜118、滤色器层119和片上透镜120以对应于摄像区域103的方式形成在硅基板112的后表面侧。在焊盘区域127中形成开口 123，开口 123使与布线层113中的布线3M相连接的焊盘电极IM露出。在形成构成片上透镜120的有机材料之后，在进行片上透镜120的成形过程的同时形成开口 123，从而开口 123形成为使焊盘电极IM从基板122的后表面露出。此外，当焊盘电极1 与外部端子相连接时，引线接合1 (例如，薄的Au布线，即所谓的接合引线)与在焊盘区域127的开口 123内露出的焊盘电极IM相连接。由此，通过外部端子提供期望电势。然而，如上所述，背侧照射型固态摄像器件具有如下结构，S卩，在该结构中，在制造固态摄像器件时，通过粘合剂层将支撑基板接合到布线层的上部。由于构成布线层的层间绝缘层或粘合剂层是脆弱的层，所以在电极焊盘中进行接合时所施加的力容易在层间绝缘膜或粘合剂层中产生诸如破裂等的损坏。此外，在电极焊盘是由铝构成的情况下，存在难以进行电极焊盘与接合引线之间的合金化的问题，从而不能获得接合强度。此外，当电极焊盘是由铝构成时，还会发生如下问题，S卩，开口形成期间所采用的氟类溶液在电极焊盘中产生了氟腐蚀，并使电极焊盘失去光泽而变黑，或者在切割 (dicing)期间，水产生了电池效应(battery effect)，从而使电极焊盘失去光泽。此外，由于用于形成焊盘区域中的开口及形成片上透镜形状的刻蚀是通过同一过程的干式刻蚀进行的，所以难以实现片上透镜的形状优化。并且，由于用于使电极焊盘在硅基板的后表面侧露出的开口形成为贯穿硅基板，所以存在开口过深以及焊盘尺寸增大的问题。
发明内容
鉴于此，期望提供一种在背侧照射型固态摄像器件中形成能够实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件及其制造方法。此外，还期望提供一种采用该固态摄像器件的电子
直ο本发明的实施例提供了一种固态摄像器件，所述固态摄像器件包括基板、布线层、 基电极焊盘部、开口以及埋入电极焊盘层。在所述基板中形成多个像素，所述像素包括光电转换器。所述布线层包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧。所述基电极焊盘部包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分。所述开口从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部。所述埋入电极焊盘层通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。在本实施例中，所述埋入电极焊盘层形成在到达所述基电极焊盘部的所述开口中。由此，在位于所述基板的后表面侧的所述基电极焊盘部中，减少了由所述开口所导致的台阶。此外，在位于所述基板的后表面侧的所述埋入电极焊盘层的上表面处实现外部端子的连接。本发明的另一实施例提供了一种固态摄像器件的制造方法。首先，在基板上形成多个像素，所述像素包括光电转换器。接着，经由层间绝缘膜在所述基板的前表面侧形成布线层，所述布线层包括多个布线。接着，在所述基板的后表面侧形成基板保护膜。接着，形成开口，所述开口从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达基电极焊盘部，所述基电极焊盘部包括所述布线层中的所述布线的一部分。接着，通过化学镀膜法形成埋入到所述开口的电极焊盘层。在本发明的固态摄像器件的上述制造方法中，由于通过化学镀膜法在所述开口中埋入金属材料，所以能够容易地形成所述埋入电极焊盘层。此外，由于将所述埋入电极焊盘层形成为埋入所述开口中，所以在位于所述基板的后表面侧的所述基电极焊盘部中，减小
4了由所述开口所导致的台阶。本发明的又一实施例提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述固态摄像器件、聚集光并将所述光入射到所述固态摄像器件上的光学透镜、及对输出自所述固态摄像器件的输出信号进行处理的信号处理电路。根据本发明的上述各实施例，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。此外，能够获得由于采用上述固态摄像器件而提高了图像质量的电子装置。
图1是表示本发明第一实施例的固态摄像器件的整体结构的示意性结构图。图2是表示本发明第一实施例的固态摄像器件的主要部分的示意性剖面结构图。图3A 图3C是表示本发明第一实施例的固态摄像器件的制造方法的示意性过程图。图4A 图4C是表示本发明第一实施例的固态摄像器件的制造方法的示意性过程图。图5是表示本发明第二实施例的电子装置的示意性结构图。图6是表示相关技术中的固态摄像器件的主要部分的示意性结构图。
具体实施例方式以下将参照图1 5说明本发明实施例的固态摄像器件及电子装置的示例。以下顺序说明本发明的实施例。此外，本发明不限于以下实施例。1、第一实施例背侧照射型CMOS固态摄像器件。1-1、整体结构1-2、主要部分的结构1-3、制造方法2、第二实施例电子装置1、第一实施例背侧照射型CMOS固态摄像器件以下将说明本发明第一实施例的固态摄像器件。通过背侧照射型CMOS固态摄像器件举例说明了本实施例。1-1、整体结构在说明本实施例的固态摄像器件1的主要部分的结构之前，首先说明固态摄像器件1的整体结构。图1是表示本实施例的固态摄像器件1的整体结构的示意性结构图。如图1所示，固态摄像器件1包括位于基板11上的摄像区域3、垂直驱动电路4、 列信号处理电路5、水平驱动电路6、输出电路7及控制电路8等，像素区域3包括多个像素 2，基板11是由硅形成。像素2包括光感测部和多个MOS晶体管，光感测部包括光电二极管，光电二极管根据所接收光的量产生信号电荷，MOS晶体管用于读取和传输信号电荷。此外，多个像素2在基板11上规则地布置成二维阵列。摄像区域3包括规则地布置成二维阵列的像素2。此外，摄像区域3包括有效像素区域和黑基准像素区域，有效像素区域真正地接收光，并能够存储由光电转换产生的信号电荷，黑基准像素区域用于输出形成在有效像素区域外围并成为黑电平基准的光学黑体 (optical black)0控制电路8基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟等产生作为垂直驱动电路 4、列信号处理电路5和水平驱动电路6的操作基准的时钟信号或控制信号。此外，控制电路8中所产生的时钟信号或控制信号等也输入到垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等。例如，垂直驱动电路4包括移位寄存器，其以行为单位在垂直方向顺序选择性地扫描像素区域3中的各个像素2。此外，基于各个像素2的光电转换元件中所产生的信号电荷，垂直驱动电路4通过垂直信号线9向列信号处理电路5提供像素信号。例如，列信号处理电路5设置在像素2的各行处，并通过来自各个像素行处的黑基准像素区域(形成在有效像素区域的外围，未图示)的信号对输出自像素2的一行信号进行诸如噪声移除或信号放大等信号处理。在列信号处理电路5和水平信号线10之间，水平选择开关(未图示)安装在列信号处理电路5的输出级中。例如，水平驱动电路6包括移位寄存器，其通过顺序输出水平扫描脉冲来顺序选择各个列信号处理电路5，并将来自列信号处理电路5的像素信号输出至水平信号线10。输出电路7对通过水平信号线10顺序提供自列信号处理电路5的像素信号执行信号处理，并输出处理后的信号。1-2、主要部分的结构图2表示本发明实施例的固态摄像器件1的主要部分的示意性剖面结构。图2示出了摄像区域3中的剖面及形成在摄像区域3的外围中的焊盘区域27。如图2所示，本实施例的固态摄像器件1包括基板12及形成在基板12的前表面侧上的布线13。此外，固态摄像器件1包括支撑基板16，其经由粘合剂层15粘合到与布线层13的基板侧相对的一侧的表面。此外，基板保护膜17、防反射膜18、滤色器层19及片上透镜20设置在基板12的作为光入射侧的后表面侧，且埋入电极焊盘层21设置在焊盘区域 27中，埋入电极焊盘层21形成为埋入开口 23 (其贯穿基板12)中。基板12是由硅半导体构成，且例如具有2000nm 6000nm的厚度。如上所述，包括光电转换器及多个像素晶体管(未图示)的多个像素2形成在基板12的摄像区域3中。 光电转换器是由光电二极管PD构成，其根据从基板12的后表面侧入射的光的量产生信号电荷。此外，通过像素晶体管读取光电二极管PD处产生的信号电荷，并将其作为像素信号输出。此外，尽管图2中未示出，但在基板12中也形成了包括垂直驱动电路4及水平驱动电路6的外围电路。布线层13形成在与基板12的光输入侧相对的表面侧处，且包括布线IM 3M，布线IM 3M是多个层经由层间绝缘膜14层叠(在图2中，为三层)而形成。所需布线之间或布线IM 3M与像素晶体管(未图示)之间通过接触部(未图示)相连接。由此，通过布线13驱动各个像素的像素晶体管。此外，通过作为最上层(图2中的下层)的第三布线 3M在焊盘区域27中形成基电极焊盘部M。例如，可采用诸如铝(Al)或铜(Cu)等金属材料作为构成布线层13的布线IM 3M的组成材料。在本实施例中，第二层之前的布线IM 和2M是由铜形成，第三层布线3M(在布线3M中形成有基电极焊盘部24)是由铝形成。例如，可采用诸如钨或铜等金属材料作为用于布线之间或布线与像素晶体管之间连接的接触部的组成材料。此外，在图2中，第三层布线3M仅作为基电极焊盘部M而被示出。然而， 布线3M也可用作其它区域中的普通布线。基板保护膜17是由SW2构成，并形成在基板12的后表面上。基板保护膜17是如下层，即，该层形成为用于保护基板12的后表面，使得当通过化学镀膜法(electroless plating)形成下述埋入电极焊盘层21时，没有金属材料沉积在基板12的后表面侧。由此， 基板保护膜17形成为覆盖除形成有电极焊盘层21的区域之外的整个区域。通过一层或多层绝缘膜在摄像区域3中形成位于基板保护膜17上的防反射膜18。 例如，当防反射膜18形成为多层时，例如，能够将防反射膜18形成为三层结构，该三层结构具有依次形成在基板12的后表面侧上的氧化硅膜、氮化硅膜及氮氧化硅膜。在此情况下， 形成在第一层中的氧化硅膜可构成用作基板保护膜17的氧化硅膜。滤色器层19形成在摄像区域3中的各个像素2的上部，且例如，滤色器层19构成为使得诸如绿色、红色、蓝色、青色、黄色、黑色或白色等的光选择性地散布在各个像素2 中。各个像素2可采用传输不同颜色的滤色器层19，或者全部像素2可采用传输相同颜色的滤色器层19。可根据规格不同地选择滤色器层19中的颜色的组合。对于各个像素，片上透镜20形成在滤色器层19的上部，且片上透镜20的表面形成为凸面。通过片上透镜20聚集入射光，并使其有效地入射到各个像素2的光电二极管 PD。例如，可采用折射率为1. 0 1. 3的有机材料作为片上透镜20的组成材料。埋入电极焊盘层21是金属材料层构成，其通过化学镀膜法埋入开口 23中，开口 23 从基板12的后表面侧开始形成，直到到达形成在布线层13中的基电极焊盘部M。在本实施例中，埋入电极焊盘层21是由第一金属材料层21a、第二金属材料层21b及第三金属材料层21c的三层结构构成，第一金属材料层21a、第二金属材料层21b及第三金属材料层21c 通过化学镀膜法从基电极焊盘部M开始依次形成。在本实施例中，第一金属材料层21a是由Ni形成，第二金属材料层21b是由Pd形成，第三金属材料层21c是由Au形成。此外，埋入电极焊盘层21经由粘合剂层25形成在基电极焊盘部M的上部。形成在最上层(基板12的光入射表面侧)中的第三金属材料层21c的上表面形成为与基板保护膜17的表面基本齐平，且第三金属材料层21c的该表面形成为电极焊盘部。 即，第三金属材料层21c的表面与引线接合沈相连接，以连接到外部端子。此外，由SiO2构成的绝缘层22形成为在包围埋入电极焊盘层21的基板区域中包围埋入电极焊盘层21。通过绝缘层22，形成在基板12上的摄像区域3或外围区域形成为不与埋入电极焊盘层21电连接。1-3、制造方法接着，将说明本实施例的固态摄像器件1的制造方法。图3A 图4C表示图2所示的固态摄像器件1的制造过程。此处，与固态摄像器件的普通制造方法类似，在基板12的表面上形成布线层13之后，经由粘合剂层15将支撑基板16粘合到布线层13的上部并反转，并将基板12研磨至预定厚度。因此，从将基板12研磨至预定厚度的过程开始说明本发明的制造过程。此外，在图2的剖面结构图中，在基板12上预先形成有光电二极管PD和像素晶体管(未图示)。并且，在形成布线13之前，在包围形成有埋入电极焊盘层21的区域的区域中，从基板12的前
7表面侧开始向基板12的深度方向形成开口沟槽，并将诸如S^2或SiN等绝缘材料埋入到该开口沟槽，由此在基板12的焊盘区域27中形成绝缘层22。如图3A所示，在将基板12的后表面研磨至预定厚度之后，在基板12的后表面侧上形成由SiA构成的基板保护膜17。此后，在基板保护膜17的上部形成定位掩膜 (register mask)(未图示)，其中在该定位掩膜中的形成有埋入电极焊盘层21的区域中形成开口。此外，通过刻蚀移除基板保护膜17、基板12和层间绝缘膜14，直到到达形成在布线层中的基电极焊盘部M，由此形成使布线层13的基电极焊盘部M露出的开口 23。可采用诸如CF4/02、CF4, SF6/02等气体进行刻蚀，且根据所要刻蚀的材料改变气体。例如，CF4类气体用于刻蚀布线层13及基板保护膜17，SF6类气体用于刻蚀由硅构成的基板12。此外， 例如，可在40 V的处理室内进行刻蚀处理。此外，在形成开口 23的步骤中，由于由铝构成的基电极焊盘部M露出的原因，在基电极焊盘部M的表面上形成了自然氧化膜(未图示)。由此，在形成开口 23之后，通过进行磷酸处理(phosphorous acid treatment)移除形成在基电极焊盘部M表面中的自然氧化膜。例如，通过采用包括NaOH和Na2SO4的混合溶液，在50°C的处理温度下进行处理时间为180秒的磷酸处理。接着，如图;3B所示，由于进行锌酸盐处理(zincate treatment)而使基电极焊盘部M的表面锌化，从而在基电极焊盘部M的露出表面上形成粘合剂层25。优选地，进行两次用于形成粘合剂层25的锌酸盐处理。在第一次锌酸盐处理中，由于形成在由Al构成的基电极焊盘部M的表面上的Si颗粒是粗糙的，从而使在后续步骤中形成的埋入电极焊盘层21也是粗糙的，所以破坏了粘合度或连接度。通过进行第二次锌酸盐处理能够使形成在基电极焊盘部M的表面上的Si颗粒变得密集，因此能够以高精度形成粘合剂层25。例如，通过采用7g/L的氧化锌溶液进行处理时间为60秒的第一次和第二次锌酸盐处理。接着，如图3C所示，在形成有粘合剂层25的基电极焊盘部M的上部通过化学镀膜法沉积Ni，从而形成由Ni构成的第一金属材料层21a。例如，由Ni构成的第一金属材料层21a在开口 23中沉积成从开口 23的底部起具有7 8 μ m的膜厚度。例如，通过采用NiSO4和NaH2PA的混合溶液在85°C的处理温度下进行处理时间为 840秒的Ni的化学镀膜法。接着，如图4A所示，通过化学镀膜法在由Ni构成的第一金属材料层21a上沉积 Pd，从而形成由Pd构成的第二金属材料层21b。例如，由Pd构成的第二金属材料层21b在开口 23中沉积成具有0. 03 0. 1 μ m的膜厚度。由于形成了由Pd构成的第二金属材料层 21b的原因，能够防止由Ni构成的第一金属材料层21a与形成在第二金属材料层21b上部的由Au构成的第三金属材料层21c之间的相互扩散的发生。例如，通过采用金属Pd浓度为0. 8 1. 2 (g/L)且pH值为7. 3 7. 9的Pd (NH3) 2 (NO2) 2的氨溶液，在20°C 50°C的处理温度下进行处理时间为5 10分钟的Pd的化学镀膜法。在此情况下，沉积速率为0. 4 0. 8 ( μ m/hr)。此外，在本实施例中，采用了金属Pd浓度为1 (g/L)且pH值为7. 6的氨溶液。接着，如图4B所示，通过化学镀膜法在由Pd构成的第二金属材料层21b上沉积 Au，从而形成了由Au构成的第三金属材料层21c。例如，由Au构成的第三金属材料层21c 在开口 23中沉积为具有0. 1 0. 5μ m的膜厚度。通过采用金属Au浓度为1. 5 2. 5 (g/L)且PH值为4. 5 5.0的包含氰化金盐(gold cyanide salt)的溶液，在20°C 50°C 的处理温度下进行处理时间为5 10分钟的Au的化学镀膜法。在此情况下，沉积速率为 0.03 0.06(μπι/10π η)。此外，在本实施例中，采用了金属Au的浓度为2 (g/L)且pH值为4. 8的溶液。此外，将在图3C 4C所示过程至形成的第一、第二及第三金属材料层21a 21c 埋入到开口 23，从而形成埋入电极焊盘层21。此外，优选地，形成在顶部表面中的第三金属材料层21c形成为与基板保护膜17的表面基本上齐平。并且，形成在顶部表面的第三金属材料层成为与外部端子相连接的电极焊盘部观。此外，由于在基板12的后表面侧上形成了基板保护膜17，所以在通过化学镀膜法形成第一、第二及第三金属材料层21a 21c的过程中，在基板12的后表面侧形成有基板保护膜17。因此，在基板12的后表面侧上没有形成金属材料层的膜，且金属材料仅沉积在开口 23中。此后，如图4C所示，类似于普通制造方法，在摄像区域3中的基板保护膜17的上部形成防反射膜18、滤色器层19及片上透镜20。由此，完成了本实施例的固态摄像器件1。 在本实施例中，由于埋入电极焊盘层21在焊盘区域27中埋入到开口 23中，所以在基板12 的后表面中没有出现台阶。由此，在形成滤色器层19或片上透镜20时的涂覆有机材料的过程中，抑制了不平整涂敷。因此，能够在摄像区域3中高精度地形成滤色器层19及片上透镜20。此外，在如图6所示的相关技术的固态摄像器件100中，由于在与形成片上透镜20 的刻蚀过程相同的过程中形成焊盘区域127的开口 123，所以难以获得片上透镜120的形状优化。然而，在本实施例中，在形成片上透镜20的形状的刻蚀过程期间，先形成电极焊盘部观，且形成焊盘区域27中的开口 23的过程与形成片上透镜20的形状的过程彼此分开。因此，能够实现片上透镜20的形状优化。此外，由于埋入电极焊盘层21的顶部表面是由Au构成，所以在形成滤色器层19或片上透镜20时，焊盘层21没有受到湿式过程(wet process) 等的腐蚀。由此，能够避免相关技术中在由Al构成的电极焊盘部中出现的失去光泽问题或氟吸附问题。此外，在本实施例的固态摄像器件1中，由于能够通过化学镀膜法形成埋入金属焊盘层21，所以不需要形成电镀中所需要的晶种层(seed layer)，并能够容易地沉积金属材料。此外，在本实施例的固态摄像器件1中，由于与外部端子相连接的电极焊盘部观是由埋入电极焊盘层21的顶部表面上的由Au构成的第三金属材料层21c构成，所以在通过Au等的薄布线等进行引线接合的情况下，能够将相同的材料应用于接合。由此，能够以较低功率进行接合，并因此能容易地进行接合连接。此外，在本实施例的固态摄像器件1中，由于在开口 23中埋入了埋入电极焊盘层 21，所以在基板12的后表面侧处形成电极焊盘部观。由此，不需要将引线接合放入开口 23 中(然而，这在相关技术中是必需的)，且能够容易地实现引线接合与外部端子之间的连接。此外，能够减小电极焊盘部观的面积。并且，由于能够将引线接合沈与形成在基板12 前表面侧上的诸如布线13或粘合剂层15等脆弱层分开放置，因此能够减小引线接合时的开裂的发生。
在本实施例中，通过绝缘层22 (其是通过在基板12中形成开口沟槽并将绝缘材料埋入到开口沟槽中而形成)实现埋入电极焊盘层21与基板12间的绝缘。然而，本发明不限于此。例如，由于在形成开口 23 (其使基电极焊盘部M露出)之后形成覆盖开口 23的侧壁的绝缘膜的原因，能够保持埋入电极焊盘层21与基板12间的绝缘。在此情况下，在图 3A的过程后，在包括开口 23的侧壁及底部的基板12的表面上形成绝缘膜，并通过进行刻蚀只在开口 23的侧壁处保留绝缘膜。此外，在本实施例中，作为基电极焊盘部M的布线3M是由铝构成，然而布线3M也可由铜形成。类似于本实施例，即使在将由铜形成的布线用作基电极焊盘部M的情况下， 仍能够通过化学镀膜法进行埋入电极焊盘层21的形成。此外，在本实施例中，在埋入电极焊盘层21中，通过Au来形成用于构成电极焊盘部观(其与引线接合26相连接)的层。然而，除上述之外，该层也可由诸如Ag等具有稳定性质的金属材料形成。本发明的应用不限于用于检测可见光的入射光量的分布并将该分布成像为图像的固态摄像器件。即，本发明也可应用于将红外光、X射线、粒子等的入射量的分布成像为图像的固态摄像器件。此外，更广义地，本发明也可应用于包括诸如指纹检测传感器等用于检测诸如压力或静电容量等其它物理量并将它们成像为图像的固态摄像器件(物理量分布检测器件)的整个固态摄像器件。此外，本发明不限于以行为单位依次扫描像素部的各个单元像素并从各个单元像素中读取像素信号的固态摄像器件。本发明还可应用于X-Y地址型的固态摄像器件，X-Y地址型的固态摄像器件以像素为单位任意选择像素并以像素为单位从所选择的像素中读取信号。此外，上述固态摄像器件可以以形成为一个芯片的形式成形或形成为集成并封装有像素部、信号处理部及光学系统的具有摄像功能的模块形式。此外，本发明不限于应用于固态摄像器件，且还可应用于摄像器件。此处，摄像器件意味着诸如数码相机或摄像机等的相机系统，或诸如移动电话等具有摄像功能的电子装置。此外，摄像器件包括由安装在电子装置上的模块(相机模块)构成的摄像器件。2、第二实施例电子装置接着，将说明根据本发明第二实施例的电子装置。图5是表示本发明第二实施例的电子装置200的示意性结构图。本实施例的电子装置200是将上述本发明第一实施例的固态摄像器件1用作电子装置(相机)的情况下的示例。本实施例的电子装置200包括固态摄像器件1、光学透镜210、快门单元211、驱动电路212以及信号处理电路213。光学透镜210将来自物体的图像光(入射光)成像在固态摄像器件1的成像表面上。由此，以预定的时间间隔将信号电荷存储在固态摄像器件1中。快门单元211控制固态摄像器件1的光照时间间隔及光遮蔽时间间隔。驱动电路212提供驱动信号，所提供的驱动信号用于控制固态摄像器件1的传输操作和快门单元211的快门操作。通过提供自驱动电路212的驱动信号(时序信号)执行固态摄像器件1的信号传输。信号处理电路213执行各种信号处理。将经过信号处理的图
10像信号存储在诸如存储器等存储介质上，或输出到监视器。在本实施例的电子装置200中，能够实现稳定接合，且改善了固态摄像器件1中的片上透镜的形状优化，因此，提高了图像质量。应用有固态摄像器件1的电子装置200不限于相机。S卩，电子装置200能够应用于诸如数码相机及移动电话等中的移动器件的相机模块等摄像器件。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
1.一种固态摄像器件，其包括基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。
2.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述埋入电极焊盘层的至少顶部表面包括由化学镀膜法形成的包括Au或Ag的金属材料层。
3.如权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述埋入电极焊盘层包括由化学镀膜法形成的包括Ni的金属材料层。
4.如权利要求3所述的固态摄像器件，其中，所述埋入电极焊盘层从所述基电极焊盘部一侧起依次包括Ni层、Pd层及Au层。
5.一种固态摄像器件的制造方法，其包括在基板中形成多个像素，所述像素包括光电转换器；经由层间绝缘膜在所述基板的前表面侧形成布线层，所述布线层包括多个布线； 在所述基板的后表面侧形成基板保护膜；形成开口，所述开口从所述基板的所述后表面侧起贯穿所述基板并到达基电极焊盘部，所述基电极焊盘部包括所述布线层中的所述布线的一部分；以及通过化学镀膜法在所述开口中形成埋入电极焊盘层。
6.如权利要求5所述的固态摄像器件的制造方法，其还包括通过化学镀膜法由包括Au或細的金属材料层形成所述埋入电极焊盘层的至少顶部表
7.如权利要求6所述的固态摄像器件的制造方法，其还包括在形成所述埋入电极焊盘层之后，在所述基板的所述后表面侧形成片上透镜。
8.如权利要求5-7中任一权利要求所述的固态摄像器件的制造方法，其还包括 形成从所述基电极焊盘部一侧起依次包括M层、Pd层和Au层的所述埋入电极焊盘层。
9.一种电子装置，其包括 光学透镜；如前述权利要求1-4所述的固态摄像器件，在所述光学透镜中聚集的光入射到所述固态摄像器件中；以及信号处理电路，其对输出自所述固态摄像器件的输出信号进行处理。
全文摘要
本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电子装置。所述固态摄像器件包括基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。根据本发明，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。
文档编号H01L27/146GK102446934SQ20111030001
公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月30日 优先权日2010年10月7日
发明者尾崎裕司, 岩渊信, 柳田刚志, 荻田知治 申请人:索尼公司