专利名称：Ⅲ族氮化物增强型hemt器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种增强型高电子迁移率晶体管(Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor，E-mode HEMT)，尤其涉及一种III族氮化物增强型HEMT器件。
背景技术：
当HEMT器件采用III族氮化物半导体时，由于压电极化和自发极化效应，在异质结构上(Heterostructure)，如AlGaN/GaN，能够形成高浓度的二维电子气。另外，HEMT器件采用III族氮化物半导体，能够获得很高的绝缘击穿电场强度以及良好的耐高温特性。具有异质结构的III族氮化物半导体的HEMT，不仅可以作为高频器件使用，而且适用于高电压、大电流的功率开关器件。应用到大功率开关电路中时，为了电路的设计简单和安全方面考虑，一般要求开关器件具有常关特性即需要器件为增强型器件(E-M0DE)。现有的III族氮化物半导体E-MODE HEMT器件作为高频器件或者高压大功率开关器件使用时，漏电极输出电流往往跟不上栅极控制信号的变化，会出现导通瞬态延迟大的情况，此即为III族氮化物半导体E-MODE HEMT器件的“电流崩塌现象”，严重影响着器件的实用性。现有的比较公认的对“电流崩塌现象”的解释是“虚栅模型”。“虚栅模型”认为在器件关断态时，有电子注入到半导体表面，从而被表面态或缺陷捕获形成一带负电荷的虚栅，带负电荷的虚栅由于静电感应会降低栅漏、栅源连接区的沟道电子，当器件从关断态向导通态转变时，栅下的沟道虽然可以很快积累大量的电子，但是虚栅电荷却不能及时释放，虚栅下的沟道电子浓度较低，所以漏端输出电流较小，只有当虚栅电荷充分释放后，漏端电流才能恢复到直流状态的水平。目前，常用的抑制“电流崩塌”的方法有对半导体进行表面处理，降低表面态或界面态密度；通过场板结构降低栅电极靠近漏电极一端的电场强度，降低电子被表面态和缺陷捕获的概率，抑制电流崩塌。但前述抑制电流崩塌的方法在大电流、大电压的情况下效果并不理想。
发明内容
本发明的目的在于提出一种III族氮化物E-MODE HEMT器件，该器件具有叠层双栅结构，是通过等离子体对栅下区域的处理实现的增强型器件，其藉由副栅和主栅的相互配合对沟道中二维电子气进行调控，使E-MODE HEMT(Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor，增强型高电子迁移率晶体管)漏端输出电流可以跟得上栅电压的变化，从而在根本上抑制“电流崩塌效应”。为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案
一种III族氮化物E-MODE HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述E-MODE HEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中所述主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触， 且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；
所述介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在所述源电极和漏电极之间； 所述副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。所述源电极和漏电极分别与电源的低电位和高电位连接。优选的，所述等离子体处理区是第二半导体内的局部区域经F (氟)等离子体处理后所形成的带负电的固定电荷区。更进一步的讲，所述等离子体处理区是通过反应离子刻蚀(RIE)或感应耦合等离子体刻蚀(ICP)等工艺对异质结进行F等离子体处理，从而在第二半导体内形成带负电的固定电荷区，并将其所对应的沟道内二维电子气耗尽。所述第一半导体和第二半导体均采用III族氮化物半导体。所述副栅的两侧边缘分别向源电极和漏电极方向延伸，或者，也可以是所述副栅仅有一侧边缘向相应的源电极或漏电极方向延伸。 在所述HEMT器件工作时，所述主栅和副栅分别由一控制信号控制，且在所述HEMT 器件处理导通状态时，所述副栅控制信号的电位高于主栅控制信号的电位。
图1是本发明叠层双栅E-MODE HEMT的剖面结构示意图； 图加是普通E-MODE HEMT器件的局部结构示意图2b是本发明叠层双栅E-MODE HEMT器件的局部结构示意图； 图3是本发明一较佳实施方式中E-MODE HEMT器件的结构示意图，其中副栅向漏和源电极方向各有延伸；
图4是本发明另一较佳实施方式中E-MODE HEMT器件的结构示意图，其中副栅仅向漏电极方向有延伸。
具体实施例方式参阅图2a，普通E-MODE HEMT器件(以AlGaN/GaN器件为例)电流崩塌现象的原因是在器件关断状态下，在栅金属4两侧AWaN层3与绝缘介质7界面处会积累负电荷，形成界面负电荷积累区21，由于静电感应作用，这些负电荷又会减少甚至完全耗尽下方沟道区的二维电子气，形成沟道耗尽区22。当栅极电压上升，器件从关断态向导通态转换时，栅极下方二维电子气受栅压控制而上升，栅极下方沟道导通，但是界面电荷积累区的负电荷由于处于较深能级不能及时释出，因此下方沟道内的二维电子气还是较少，所以器件不能完全导通，随着时间增加，界面电荷积累区的负电荷逐渐从深能级释放出来，其下方沟道内电子浓度上升，器件渐渐向完全导通转变，根据目前研究结果，负电荷从深能级释放出来的时间达到微秒 秒的量级。为克服前述普通E-MODE HEMT器件的缺陷，本发明提出了一种具有叠层双栅结构的III族氮化物E-MODE HEMT器件，参阅图1，该器件的源电极8、漏电极9位于两侧，在靠近源极8—侧的第二半导体3 (如，AKiaN层)表面有一栅电极，称为主栅4，主栅下方有一经过等离子体处理的固定负电荷区6，主栅上方有一绝缘介质层7，绝缘介质层上方有另一栅电极，称为副栅5。如图1所示，副栅位于主栅的上方，在垂直投影面上与主栅两侧边缘有交叠，并且向源、漏电极有一定延伸。前述第一半导体2 (如GaN层)可设于一衬底1上。参阅图2b，在本发明叠层双栅E-MODE HEMT器件关断状态下，主栅偏置在阈值电压以下，副栅5’上加一足够高的正偏压，虽然主栅4’金属两侧第二半导体层与绝缘介质界面处同样会积累负电荷，可是由于副栅上足够高的正向偏置的作用，界面负电荷不能完全屏蔽副栅电场，存在足够的电场去感生沟道区内的二维电子气，而保持电荷积累区下方沟道23导通；当主栅电压上升，器件从关断态向导通态转变时，副栅电压保持不变，界面电荷积累区下方的沟道仍然导通，因此器件不会产生电流崩塌造成的延迟。而如果器件工作于开关方式，则本发明叠层双栅E-MODE HEMT器件的驱动方式可以采取对主栅与副栅分别加上同步的脉冲信号，副栅电压高于主栅电压，在器件从关断态向导通状转变时，副栅的高电压可以克服界面负电荷的屏蔽而在其下方强制感生出足够的二维电子气，避免了电流崩塌。值得注意的是，在关断态时，副栅的偏置可以独立于主栅，因此选择合适的关断态下副栅的偏置，器件可以获得较佳的击穿电压。以上对本发明技术方案进行了概述，为了使公众能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以基于AKiaN/GaN异质结的器件为例对本发明的技术方案作进一步的说明。参阅图3，作为本发明的一种较佳实施方式，该E-MODE HEMT具有第一半导体 13 (GaN)、和形成在第一半导体13上的第二半导体14(AWaN)。第一半导体13未进行特意掺杂。在第二半导体14中可以掺入η型杂质，也可以不进行掺杂。第二半导体14的带隙比第一半导体13的带隙更宽。第二半导体14的厚度约为15至30nm。第一半导体13和第二半导体14形成异质结构，在界面处形成二维电子气(2DEG)。该E-MODE HEMT具有按规定间隔距离分离配置的漏电极11和源电极12。漏电极 11与源电极12贯穿第二半导体14延伸到第一半导体13，与沟道中二维电子气相连接。漏电极11和源电极12是由多层金属(如:Ti/Al/Ti/Au或者Ti/Al/Ni/Au等)通过快速高温退火形成欧姆接触。该E-MODE HEMT具有等离子体处理区19，它是在第二半导体内部、主栅下方通过等离子体处理形成的固定负电荷区，可以将其所对应的沟道中的二维电子气耗尽。该E-MODE HEMT具有主、副双柵结构，主栅16制造在源电极和漏电极之间，靠近源极的一端，主栅16直接与第二半导体14表面接触，并形成肖特基接触。副栅18设置在介质层17 (如Si3N4)之上，在垂直方向上与主栅有交叠，并且向源、漏电极方向各有延伸(或者仅向漏电极或源电极方向延伸，图4所示为副栅仅向漏电极方向延伸的结构)。
权利要求
1.一种III族氮化物增强型HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述HEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中所述主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触， 且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；所述介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在所述源电极和漏电极之间；所述副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述源电极和漏电极分别与电源的低电位和高电位连接。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述等离子体处理区是第二半导体内的局部区域经氟等离子体处理后所形成的带负电的固定电荷区。
4.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体和第二半导体均采用III族氮化物半导体。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述副栅的两侧边缘分别向源电极和漏电极方向延伸。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述副栅仅有一侧边缘向相应的源电极或漏电极方向延伸。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，在所述HEMT器件工作时，所述主栅和副栅分别由一控制信号控制，且在所述HEMT器件处于导通状态时，所述副栅控制信号的电位高于主栅控制信号的电位。
全文摘要
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏电极之间；副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。
文档编号H01L29/778GK102427085SQ20111036699
公开日2012年4月25日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日
发明者于国浩, 张宝顺, 王越, 董志华, 蔡勇 申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所