专利名称：薄膜晶体管基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及能够应用于诸如液晶显示器的显示器件的薄膜晶体管基板，尤其涉及采用激光使有源层结晶的薄膜晶体管。
背景技术：
薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示器的显示器件的开关装置。薄膜晶体管包括栅极、有源层、以及源极和漏扱，并且根据电极的设置可以分为交错结构 ^staggered structure)禾[!共面结构、copianar structure; 0在交错结构中，栅极和源/漏极针对有源层的朝上和朝下设置，而在共面结构中， 栅极和源/漏极设置于同一平面上。根据形成沟道的方法，交错结构的薄膜晶体管可以分为背沟道刻蚀(back channel etched :BCE)型薄膜晶体管和刻蚀阻挡(etch stopper :ES)型薄膜晶体管。在背沟道刻蚀型薄膜晶体管中，半导体层的沟道区在形成源极和漏极的刻蚀エ艺期间被刻蚀，在这种情况下，可能发生有源层被过度刻蚀的问题。另ー方面，在刻蚀阻挡型薄膜晶体管中，由于在半导体层上形成刻蚀阻挡，因此在形成源极和漏极的刻蚀エ艺期间不会对半导体层的沟道区进行刻蚀，因而不必担心有源层会被过度刻蚀。同吋，在刻蚀阻挡型薄膜晶体管的制造中，提供了ー种利用激光使有源层结晶的方法。下面将參照附图来描述根据相关技术的刻蚀阻挡型薄膜晶体管(下文称为“薄膜晶体管”)。图Ia到图Ie是示出根据相关技术通过利用激光使有源层结晶来制造薄膜晶体管基板的エ艺步骤的截面视图。首先，如图Ia所示，栅极20形成在基板10上，并且栅绝缘膜25形成在基板的包括栅极20的整个表面上。接着，如图Ib所示，在将有源层30a、刻蚀阻挡层40a和热传递层45依次沉积在栅绝缘层25上之后，用激光照射以使有源层30a結晶。热传递层45吸收激光的能量井向有源层30a传递所吸收的能量。更具体的，由于在激光直接照射有源层30a的情况下，有源层30a不能很好的吸收能量，所以利用易于吸收激光能量的金属材料来向有源层30a传递能量。刻蚀阻挡层40a能够在后面的刻蚀エ艺期间作为阻挡，并且也能够防止构成热传递层的金属和构成有源层30a的硅材料在激光照射期间发生反应。接着，如图Ic所示，在热传递层45被去除之后，对刻蚀阻挡层40a进行构图以形成预定的刻蚀阻挡40。
接着，如图Id所示，欧姆接触层50a和源/漏极层60a被依次沉积在基板的包括刻蚀阻挡40的整个表面上。然后，如图Ie所示，对源/漏极层60a进行构图以形成源极62和漏极64，并以源极62和漏极64作为掩模对有源层30a和欧姆接触层50a进行刻蚀以形成预定图案的欧姆接触层50和有源层30。由于在源极62的左侧区域和漏极64的右侧区域没有形成刻蚀阻挡40，因此欧姆接触层50a和有源层30a —起被刻蚀。然而，由于在源极62和漏极64之间的沟道区形成有刻蚀阻挡40，因此只有欧姆接触层50a被刻蚀。但是，根据相关技术的前述薄膜晶体管有如下的问题如果在图Ib的エ艺期间照射激光，栅极20会产生很强的应力，因此在栅极20上形成的栅绝缘膜25会出现裂纹。为了解决上述问题，可以以较薄的厚度形成栅极20。然而，在这种情况下，会发生栅极20的电阻増大，并且薄膜晶体管的电流特性可能恶化的问题。
发明内容
因此，本发明致カ于基本消除由于相关技术的限制和缺点而导致的ー个或更多个问题的ー种薄膜晶体管基板及其制造方法。本发明的ー个优点是提供ー种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中，栅极以较薄的厚度形成，以防止当激光照射时栅极上所形成的栅绝缘膜出现裂纹，并在不増加栅极电阻的情况下改善薄膜晶体管的电流特性。本发明的其它优点及特征将在以下的说明书中部分地进行阐述，并且对于本领域的普通技术人员来说在研究下文后将部分地变得明显，或者可以通过本发明的实践来了解。本发明的这些目的和其它优点可以通过书面的说明书及权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如这里所具体实施和广泛描述的，ー种薄膜晶体管基板包括选通线和数据线，该选通线和数据线设置在基板上， 彼此交叉；栅扱，该栅极在选通线下方与选通线连接；有源层，该有源层形成在栅极上；刻蚀阻挡，该刻蚀阻挡形成在有源层上；欧姆接触层，该欧姆接触层形成在刻蚀阻挡上；源极和漏扱，该源极和漏极形成在欧姆接触层上；以及像素电极，该像素电极与漏极连接。在本发明的另ー个方面，ー种薄膜晶体管基板的制造方法包括以下步骤在基板上形成栅极，并在栅极上形成选通线；在选通线上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成有源层，并在有源层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成热传递层，并通过激光照射使有源层结晶；在利用热传递层作为掩模对刻蚀阻挡层进行刻蚀之后，去除热传递层；在基板的包括刻蚀阻挡层的整个表面上形成欧姆接触层，并在欧姆接触层上形成源/漏极层；对有源层、刻蚀阻挡层、欧姆接触层和源/漏极层进行构图，来形成预定图案的有源层、刻蚀阻挡、欧姆接触层、源极和漏极；以及当在基板的包括源极和漏极的整个表面上形成钝化膜之后，形成与漏极相连接的像素电极。应该理解，对本发明的前述概述和以下详述都是示例性和解释性的，并_在提供对所要求保护的本发明的进ー步的解释。
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进ー步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的(多个)实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中图Ia到图Ie是示出根据相关技术通过利用激光使有源层结晶来制造薄膜晶体管基板的エ艺步骤的截面视图；图加是示出根据本发明第一实施方式的薄膜晶体管基板的平面视图，以及图2b 是沿图加的I-I线截取的截面视图；图3a到31是示出根据本发明第一实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法的エ艺步骤的截面视图；图如是示出根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管基板的平面视图，以及图4b 是沿图如的I-I线截取的截面视图；以及图fe到证是示出根据本发明第二实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法的エ艺步骤的截面视图。
具体实施例方式下面将详细描述本发明的示例性实施方式，在附图中例示出了本发明的示例性实施方式的示例。尽可能地在全部附图中用相同的标号代表相同或类似部件。图加是示出根据本发明第一实施方式的薄膜晶体管基板的平面视图，以及图2b 是沿图加的I-I线截取的截面视图。如图加所示，选通线120和数据线170形成在基板100上，彼此交叉。栅极110连接至选通线120。栅极110与选通线120形成于不同的层，更具体的， 栅极110形成在选通线120的下面。源极172连接至数据线170，漏极174被形成为与源极172相対，并且与源极172 间隔开预定的间隔。源极172从数据线170分叉出。由于在源极172和漏极174彼此间隔开的沟道区形成有刻蚀阻挡150，因此防止了形成于刻蚀阻挡150下方的有源层被刻蚀。像素电极190连接至漏极174。像素电极190通过预设的接触孔H与漏极174连接。将參照图2b来描述根据本发明第一实施方式的薄膜晶体管基板的截面结构。栅极110形成在基板100上，并且选通线120形成在栅极110上。选通线120形成在栅极110
的一端。栅绝缘膜130形成在基板的包括选通线120的整个表面上。有源层140形成在栅绝缘膜130上。尽管有源层140在栅极110上方与栅极110 交叠，但有源层140不与选通线120交叠。接着，如图北所示，对受光照的光刻胶层200a进行显影以形成光刻胶图案200。如果光刻胶层200a被显影，对应于半色调掩模250的非透光区251的光刻胶层原样保留，对应于半色调掩模250的半透光区253的光刻胶层部分地保留，对应于半色调掩模250的透光区255的光刻胶层被完全去除。接着，如图3c所示，利用光刻胶图案200作为掩模对栅极层1 IOa和选通线层120a 进行刻蚀。結果，形成栅极110图案。然后，如图3d所示，对光刻胶图案200进行灰化。結果，光刻胶图案200的宽度和高度减小，因此仅有对应于半色调掩模250的非透光区251的部分得以保留。接着，如图3e所示，在利用灰化的光刻胶图案200作为掩模对选通线120a进行另外的刻蚀之后，光刻胶图案被剥除。結果，形成选通线120图案。如上所述，可以通过基于图3a到图加的半色调掩模エ艺(第一掩模エ艺)以不同的图案在基板100上形成栅极110和选通线120。然而，本发明不限于上述エ艺，并且在通过掩模エ艺在基板100上对栅极110进行构图之后，可以通过另外的掩模エ艺对选通线 120进行构图。在本说明书中，“掩模エ艺”表示一系列エ艺，该一系列エ艺包括沉积用于图案的材料层，在该材料层上沉积光刻胶层，通过利用掩模对光刻胶层进行曝光和显影来形成光刻胶图案，通过利用光刻胶图案对材料层进行刻蚀来形成预定图案，以及剥除光刻胶图案。接着，如图3f所示，在选通线120上形成栅绝缘膜130，在栅绝缘膜130上形成有源层140a，并且在有源层140a上形成刻蚀阻挡层150a。如图3g所示，在刻蚀阻挡层150a上形成热传递层300之后，通过激光照射使有源层140a结晶。可以将红外激光用做激光。由于有源层140a最后是以预定图案形成的，因此不要求通过照射激光应当将有源层140a完全結晶，而是考虑到最后的图案仅将有源层140a的预定区域結晶。因此，考虑到有源层140a的结晶区域而对用于向有源层140a传递激光的能量的热传递层300进行构图。此外，如果将激光照射到选通线120，由于选通线120产生的应力，在选通线120上形成的栅绝缘膜130中可能会出现裂纹，因此要求不将激光照射到选通线120上。因此，优选的将热传递层300构图为不与选通线120交叠。如上所述，根据本发明，由于考虑栅极110的位置而将红外激光照射到栅极110， 栅极Iio较薄的形成，以防止形成在栅极110上的栅绝缘膜130中出现裂纹。由于红外激光没有照射到选通线120，因此选通线120较厚的形成，以防止栅极110的电阻増大。利用前述的掩模エ艺(第二掩模エ艺)可以进行对热传递层300构图的エ艺，以考虑有源层140a的结晶区域而不与选通线120交叠。热传递层300可以由金属制成，该金属例如为钼。接着，如图池所示，在去除热传递层300之后，对刻蚀阻挡层150a进行构图，以形成预定的刻蚀阻挡150。可以利用前述的掩模エ艺(第三掩模エ艺)对刻蚀阻挡150进行构图。接着，如图3i所示，在基板的包括刻蚀阻挡150的整个表面上形成欧姆接触层 160a,并且在欧姆接触层160a上形成源极172和漏极174。通过利用前述掩模ェ艺(第四掩模ェ艺)可以对源极172和漏极174进行构图， 以彼此间隔开预定的间隔。
接着，如图3j所示，利用源极172和漏极174作为掩模对有源层140a和欧姆接触层160a进行刻蚀。在这种情况下，尽管欧姆接触层160a和有源层140a在没有形成刻蚀阻挡150的区域一起被刻蚀，但是在形成有刻蚀阻挡150的沟道区仅欧姆接触层160a被刻蚀，由此形成预定的欧姆接触层160图案和预定的有源层140图案。接着，如图3k所示，在基板的包括源极172和漏极174的整个表面上形成钝化膜 180，并在钝化膜中形成接触孔H，以露出漏极174。可以利用前述掩模エ艺(第五掩模エ艺)进行在钝化膜180中形成接触孔H的エ艺。接着，如图31所示，在钝化膜180上形成像素电极190。对像素电极190进行构图，以使像素电极190通过接触孔H与漏极174相连接，可以利用前述掩模エ艺(第六掩模エ艺)进行形成像素电极190的图案的エ艺。同时，应注意的是，通过包括一次半色调掩模エ艺的总共六个掩模エ艺来制造根据本发明的第一实施方式的薄膜晶体管基板。掩模エ艺的问题在于普遍需要昂贵的掩模， 使成本増加，并且エ艺步骤复杂，使生产率降低。以下将对根据本发明另ー实施方式的能够减少掩模エ艺次数的薄膜晶体管基板以及其制造方法进行描述。图如是示出根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管基板的平面视图，以及图4b 是沿图如的I-I线截取的截面视图。如图如所示，选通线120和数据线170形成在基板100上，彼此交叉。栅极110连接至选通线120，并且形成在选通线120下面。源极172连接至数据线170，漏极174被形成为与源极172相対，并且与源极172 隔开预定的间隔。源极172从数据线170分叉出。刻蚀阻挡150形成于源极172和漏极174彼此间隔开的沟道区。刻蚀阻挡150形成在源极172和漏极174的下方，刻蚀阻挡150的宽度W与源极 172和漏极174的宽度相同。此外，由于刻蚀阻挡150设置有第一接触孔Hl和第二接触孔 H2，刻蚀阻挡150下面的有源层通过第一接触孔Hl和第二接触孔H2而露出来。參照稍后将描述的截面结构和エ艺步骤，可更易于理解刻蚀阻挡150的这种结构。像素电极190连接至漏极174。像素电极190通过第三接触孔H3与漏极174连接。将參照图4b描述根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管基板的截面结构。栅极 110形成在基板100上，并且选通线120形成在栅极110上。选通线120形成于栅极110的
一立面。栅绝缘膜130形成在基板的包括选通线120的整个表面上，并且有源层140形成在栅绝缘膜130上。尽管有源层140在栅极110上方与栅极110交叠，但有源层140不与选通线120交叠。刻蚀阻挡150形成在有源层140上。由于刻蚀阻挡150设置有第一接触孔Hl和第二接触孔H2，有源层140的预定区域通过第一接触孔Hl和第二接触孔H2露出。欧姆接触层160形成在刻蚀阻挡150上。在沟道区不形成欧姆接触层160，并且欧姆接触层160通过第一接触孔Hl和第二接触孔H2与有源层140相连接。源极172和漏极174形成在欧姆接触层160之上。源极172形成在通过第一接触孔Hl与有源层140相连接的欧姆接触层160上，并且漏极174形成在通过第二接触孔H2 与有源层140相连接的欧姆接触层160上。在平面结构中，源极172和漏极174的整个图案与欧姆接触层160的图案相同。此外，除了有源层140额外地形成在源极172和漏极174之间的沟道区之外，有源层140以与欧姆接触层160的图案相同的图案来形成。钝化膜180形成在源极172和漏极174上。由于钝化膜180设置有第三接触孔 H3，因此漏极174的预定区域通过第三接触孔H3而露出。钝化膜180可以由无机膜或有机膜的单层膜制成，或者可以由无机膜和/或有机膜的多层膜制成。通过第三接触孔H3与漏极174连接的像素电极190形成在钝化膜180上。以与第一实施方式相同的方式，在本发明的第二实施方式中，由于栅极110较薄地形成，选通线120作为与栅极层110不同的层较厚地形成，因此可以解决在激光照射期间栅绝缘膜130中出现裂纹的问题，并且可以降低栅极110的电阻。下面将描述根据本发明第二实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法。图fe到证是示出根据本发明第二实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法的エ艺步骤的截面视图，并与图如的I-I线的截面对应。首先，如图fe所示，在基板100上对栅极110进行构图，并且在栅极110上对选通线120进行构图。可以用与根据第一实施方式的方法相同的方法形成栅极110和选通线120。换句话说，可以利用如图3a至图加所示的半色调掩模エ艺(第一掩模エ艺)对栅极110和选通线120进行构图。接着，如图恥所示，在选通线120上形成栅绝缘膜130，在栅绝缘膜130上形成有源层140a，并且在有源层140a上形成刻蚀阻挡层150a。如图5c所示，在刻蚀阻挡层150a上形成热传递层300之后，通过激光照射使有源层140a结晶。以与第一实施方式相同的方式，不要求有源层140a应当完全結晶，而是考虑到最后的图案仅将有源层140a的预定区域結晶。因此，考虑到有源层140a的结晶区域，对热传递层300进行构图。此外，要求激光不应当照射到选通线120上，以防止栅绝缘膜130中出现裂纹。因此，热传递层300被构图为不与选通线120交叠。此外，如同将从以下エ艺了解到的一祥，热传递层300用作用于形成刻蚀阻挡图案的掩模。为此，热传递层300被构图为具有第一狭縫hi和第二狭縫h2。如上所述，尽管热传递层300设置有第一狭縫hi和第二狭縫h2，但是如果适当控制狭缝hi和h2的尺寸， 激光的能量可以被传递到狭缝hi和h2下方的有源层140a，因此，在有源层140a的结晶方面是没有问题的。可以通过使用金属(如钼)的前述掩模ェ艺(第二掩模ェ艺)形成前述热传递层 300。
接着，如图5d所示，在利用热传递层300作为掩模对热传递层300下方的刻蚀阻挡层150a进行刻蚀之后，热传递层300被去除。結果，形成具有对应于第一狭縫hi的第一接触孔Hl和对应于第二狭縫h2的第二接触孔H2的刻蚀阻挡层150a。接着，如图ぉ所示，在基板的包括刻蚀阻挡150a的整个表面上形成欧姆接触层 160a之后，在欧姆接触层160a上形成源/漏极层170a，并在源/漏极层170a上形成光刻胶层200a，通过采用半色调掩模250将光照射到光刻胶层200a上。半色调掩模250包括光不能透过的非透光区251、光部分地透过的半透光区253和光完全透过的透光区255。接着，如图5f所示，对受光照的光刻胶层200a进行显影，以形成光刻胶图案200。如果光刻胶层200a被显影，对应于半色调掩模250的非透光区251的光刻胶层原样保留，对应于半色调掩模250的半透光区253的光刻胶层部分地保留，对应于半色调掩模 250的透光区255的光刻胶层被完全被去除。接着，如图5g所示，利用光刻胶图案200作为掩模对有源层140a、刻蚀阻挡层 150a、欧姆接触层160a和源/漏极层170a进行刻蚀。結果，形成有源层140图案和刻蚀阻挡150图案。然后，如图证所示，对光刻胶图案200进行灰化。結果，光刻胶图案200的宽度和高度减小，因此仅有对应于半色调掩模250的非透光区251的部分得以保留。接着，如图5i所示，在利用灰化的光刻胶图案200作为掩模对源/漏极层170a和欧姆接触层160a进行另外的刻蚀之后，光刻胶图案200被剥除。結果，形成欧姆接触层160 图案、源极172图案和漏极174图案。如上所述，可以通过基于图k到图5i的半色调掩模エ艺(第三掩模エ艺)对有源层140、刻蚀阻挡150、欧姆接触层160、源极172和漏极174进行构图。接着，如图5j所示，在基板的包括源极172和漏极174的整个表面上形成钝化膜 180，并且在钝化膜180中形成第三接触孔H3，以露出漏极174。可以利用前述掩模エ艺(第四掩模エ艺)进行在钝化膜180中形成第三接触孔H3 的エ艺。接着，如图证所示，在钝化膜180上形成像素电极190。对像素电极190进行构图，以使像素电极190通过第三接触孔H3与漏极174相连接，利用前述掩模エ艺(第五掩模エ艺)进行形成像素电极190的图案的エ艺。应注意的是，通过包括两次半色调掩模エ艺的总共五个掩模エ艺来制造根据本发明的第二实施方式的薄膜晶体管基板。在这种情况下，与第一实施方式相比，减少了一次掩模エ艺，因此可以降低成本并提高生产率。另外，根据本发明的第二实施方式，由于利用半色调掩模对有源层140、刻蚀阻挡 150、欧姆接触层160、源极172和漏极174进行构图，可以使薄膜晶体管的整个区域最小化， 因此可以增大显示器的开ロ率。如上所述，根据本发明，能够获得以下有益效果。由于栅极和选通线形成为彼此不同的各自的层，受激光照射的栅极以较薄的厚度形成，不受激光照射的选通线以较厚的厚度形成，因此可以防止在激光照射期间在栅绝缘膜中出现裂纹，并且可以防止栅极的电阻増大。
此外，由于将向有源层传递激光的能量的热传递层用作掩模用于形成刻蚀阻挡图案，因此可以减少掩模エ艺的次数，由此可以降低成本并可以提高生产率。对于本领域技术人员而言很明显，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明_在涵盖本发明的落入所附权利要求及其等同物范围内的这些修改和变化。
权利要求
1.ー种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括选通线和数据线，该选通线和数据线设置在基板上，彼此交叉； 栅极，该栅极在所述选通线下方与所述选通线连接； 有源层，该有源层形成在所述栅极上； 刻蚀阻挡，该刻蚀阻挡形成在所述有源层上； 欧姆接触层，该欧姆接触层形成在所述刻蚀阻挡上； 源极和漏扱，该源极和漏极形成在所述欧姆接触层上；以及像素电极，该像素电极与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极被形成为具有比所述选通线的厚度薄的厚度。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述有源层被形成为与所述选通线不交叠。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述刻蚀阻挡设置有第一接触孔和第二接触孔以露出所述有源层的预定区域，并且所述欧姆接触层通过所述第一接触孔和所述第二接触孔与所述有源层连接。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述刻蚀阻挡被形成为具有与所述源极和漏极宽度相同的宽度。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述欧姆接触层被形成为与所述源极和漏极的图案相同的图案。
7.ー种薄膜晶体管基板的制造方法，该方法包括以下步骤 在基板上形成栅极，并在所述栅极上形成选通线；在所述选通线上形成栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜上形成有源层，并在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成热传递层，并通过激光照射使所述有源层结晶； 在利用所述热传递层作为掩模对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀之后，去除所述热传递层； 在所述基板的包括所述刻蚀阻挡层的整个表面上形成欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上形成源/漏极层；对所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述欧姆接触层和所述源/漏极层进行构图，来形成预定图案的所述有源层、刻蚀阻挡、所述欧姆接触层、源极和漏极；以及当在所述基板的包括所述源极和所述漏极的整个表面上形成钝化膜之后，形成与所述漏极相连接的像素电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述热传递层被形成为与所述选通线不交叠。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述热传递层被构图为具有第一狭缝和第二狭縫，并且利用所述热传递层作为掩模对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀的步骤包括形成具有对应于所述第一狭缝的第一接触孔和对应于所述第二狭缝的第二接触孔的刻蚀阻挡层。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，利用半色调掩模ェ艺进行形成预定图案的所述有源层、所述刻蚀阻挡、所述欧姆接触层、所述源极和所述漏极的步骤。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中该薄膜晶体管包括选通线和数据线，该选通线和数据线设置在基板上，彼此交叉；栅极，该栅极在所述选通线下方与所述选通线连接；有源层，该有源层形成在所述栅极上；刻蚀阻挡，该刻蚀阻挡形成在所述有源层上；欧姆接触层，该欧姆接触层形成在所述刻蚀阻挡上；源极和漏极，该源极和漏极形成在所述欧姆接触层上；以及像素电极，该像素电极与所述漏极连接。本发明可以防止在激光照射期间在栅绝缘膜中出现裂纹，并且可以防止栅极电阻的增大。
文档编号H01L21/77GK102569307SQ20111039692
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月2日 优先权日2010年12月6日
发明者金杞泰 申请人:乐金显示有限公司