高电流取出效率led的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。所述的基底为P-GaN层。在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。由于采用上述技术方案，本发明利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
【专利说明】高电流取出效率LED
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片制造领域。
【背景技术】
[0002]现有技术中LED的构造，是在P型GaN上沉积电流阻挡层，然后在电流阻挡层上沉积电流扩展层和电极，这种结构会造成从电极下方发出的光被电极吸收的情况，从而导致现有技术中的LED的出光效率不高。
【发明内容】
[0003]本发明目的是增加电极下方的光反射能力，从而减少电极对光的吸收，提高出光效率。
[0004]为了达到以上以技术目的，本发明的技术方案为:一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。
[0005]优选地，所述的基底为P-GaN层。
[0006]优选地，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层Si02层正好覆盖在金属薄膜上，该层Si02的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。
[0007]由于采用上述技术方案，本发明利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]附图1为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0010]参见附图1所示，为根据本发明的高电流取出效率LED的结构示意图，它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。本实施例中的基底为P-GaN层，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。
[0011]参见附图2所示，为根据本发明的高电流取出效率LED的制造流程示意图。首先在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等制作成类似CBL——CBL=current blocking layer主要是为了让不能出光(或挡光)的地方(PN结)不发光，或叫提高电流有效注入的结构，然后沉积一层Si02层正好覆盖在金属薄膜上，该层Si02的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。
[0012]以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种高电流取出效率LED，其特征在于:它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。
2.根据权利要求1所述的高电流取出效率LED，其特征在于:所述的金属薄膜的反射率大于70%。
3.根据权利要求2所述的高电流取出效率LED，其特征在于:所述的金属薄膜选自银、铜、铑中的一种。
4.根据权利要求1所述的高电流取出效率LED，其特征在于:所述的基底为P-GaN层。
【文档编号】H01L33/46GK103824922SQ201110458418
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日
【发明者】魏臻 申请人:聚灿光电科技(苏州)有限公司