专利名称：太阳能级单晶硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种用于制备太阳能电池的单晶硅片。
背景技术：
目前单晶太阳能级硅片主要采用CZ法生长<100>晶向的圆棒，经过开方，将圆棒切割成横截面为四角带圆弧的准方形柱体，然后经过滚圆机砂轮滚圆，是原来生长势不均勻的圆棒毛胚获得均一的尺寸，一般磨削量为2-5mm，用这种准方棒进行线切割，即可获用于生产电池的单晶硅片。行业内普遍生产的为6英寸(直径约151mm)和8英寸(直径约 196mm)的圆棒，经过上述加工过程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角带圆弧的准方形硅片；125mmX125mm准方形硅片圆弧直径为150mm，156mmX 156mm准方形硅片圆弧直径为195mm。这种截面形状的太阳能及单晶硅片存在的缺点为硅棒的利用率不高，6英寸的利用率约83. 6%，8英寸的利用率约77%，主要损失在开方产生的边皮，边皮部分虽然可循环投炉使用，但回用越多生产成本越大。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种最大限度利用硅料的太阳能级单晶硅片。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于4，正多边形的最长对角线为150mm 455mm，所述的正多边形的各个角处设置有倒角。进一步，所述带倒角的边数大于4的正多边形硅片，对硅料的利用率更大。进一步，本实用新型所述的太阳能级单晶硅片的厚度在ΙΟΟμπι 200μπι。进一步，所述的正多边形为正六边形，最长对角线为150mm 300mm，正六边形的各个角处为30°的斜倒角或一定弧度的圆弧倒角，厚度为ΙΟΟμπι 180μπι。本实用新型的有益效果是与传统的准方形硅片相比，正多边形的边数越多，硅料的利用率越高，硅单晶的圆棒的圆弧倒角尺寸越大，则硅料的利用率越高。
以下结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
。现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。实施例一
3[0015]如图1所示的太阳能级单晶硅片，将8英寸(直径约196mm)的单晶硅圆棒经过线开方，开成边长为98mm的正六边形硅棒，将正六边形硅棒通过倒角机在六个角落处倒出6 个相同的30°的倒角，最长对角线为195mm，将此准正六边形硅棒进行线切割获得。此8英寸的单晶硅圆棒的利用率达82%，比传统的要高出5%。传统的是将8英寸的单晶硅圆棒开方成156mmX 156mm的方形柱，四角留有原来圆棒的毛胚，再将此毛胚滚磨倒直径为195mm 的标准圆弧，圆棒的利用率为77%。实施例二将8英寸(直径约196mm)的单晶硅圆棒经过线开方，开成截面延伸边长为IOOmm 的正6边形硅棒，六角留有少量原来圆棒的毛胚，将硅棒通过滚磨机将毛胚滚磨倒直径为 195mm的标准圆弧。将此准正6边形硅棒，进行线切割即获得准正6边形硅片。此8英寸的单晶硅圆棒的利用率达86%，比传统的要高出9%。实施例三将8英寸(直径约196mm)的单晶硅圆棒经过线开方，开成截面延伸边长为103mm 的正6边形硅棒，六角留有少量原来圆棒的毛胚，将硅棒通过滚磨机将毛胚滚磨倒直径为 195mm的标准圆弧。将此准正6边形硅棒，进行线切割即获得准正6边形硅片。此8英寸的单晶硅圆棒的利用率达90%，比传统的要高出13%。实施例四将6英寸(直径约151mm)的单晶硅圆棒经过线开方，开成截面延伸边长为78mm 的正6边形硅棒，六角留有少量原来圆棒的毛胚，将硅棒通过滚磨机将毛胚滚磨倒直径为 150mm的标准圆弧。将此准正6边形硅棒，进行线切割即获得准正6边形硅片。此6英寸的单晶硅圆棒的利用率达88%，比传统的要高出5%。传统的是将6英寸的单晶硅圆棒开方成截面为125mmX 25mm的方形柱，四角留有原来圆棒的毛胚，再将此毛胚滚磨倒直径为150mm 的标准圆弧，圆棒的利用率为83%。上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于4，其特征在于正多边形的最长对角线为150mm 455mm，所述的正多边形的各个角处设置有倒角。
2.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述的倒角为圆弧倒角。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述的硅晶片厚度为 ΙΟΟμ200 μ Hlo
4.根据权利要求3所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述的正多边形为正六边形，最长对角线为150mm 300mm，正六边形的各个角处为30°的斜倒角或一定弧度的圆弧倒角，厚度为100 μ m 180 μ m。
5.根据权利要求4所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述的正多边形为正六边形，最长对角线为195mm，正六边形的各个角处为30°的斜倒角，厚度为100 μ m 180 μ m。
6.根据权利要求4所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述的正多边形为正六边形，最长对角线195mm，正六边形的各个角处为一定弧度的圆弧倒角，厚度为100 μ m 180 μ m0
专利摘要本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种用于制备太阳能电池的单晶硅片，一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于4，正多边形的最长对角线为150mm～455mm，所述的正多边形的各个角处设置有倒角或圆弧，与传统的准方形硅片相比，正多边形的边数越多，硅料的利用率越高，硅单晶的圆棒的圆弧倒角尺寸越大，则硅料的利用率越高。
文档编号H01L31/0352GK202142545SQ20112005616
公开日2012年2月8日 申请日期2011年3月5日 优先权日2011年3月5日
发明者刘振淮, 陈雪, 黄振飞 申请人:常州天合光能有限公司