专利名称：一种物理发泡射频同轴电缆结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种物理发泡射频同轴电缆的结构。二、背景技术射频同轴电缆是一种常用的微波信号传输线，它具有频带宽、电性能优越、可弯折、使用方便等优点，被广泛用于仪器仪表、微波通信及武器系统中。射频同轴电缆结构稳定、抗干扰能力强，传输模式为TEM波，没有明显的下限截止频率，是一种宽带传输线。在射频同轴电缆中，内导体、绝缘介质和外导体三部分组成了电缆的基本结构，传输回路也是由这三部分组成的，三者的材料和尺寸决定了电缆的传输性能和其它电气性能。传统FEP 发泡绝缘射频同轴电缆的结构如图一，传统FEP发泡绝缘射频同轴电缆的结构传统FEP 发泡绝缘射频同轴电缆的结构包括如图一铜内导体1、FEP发泡绝缘2、铝腹膜3、金属圆线编织4和FEP护套5依次缠绕。由于绝缘介质膨胀会使电缆的线性长度及截面尺寸发生变化，尤其是实心的介质材料，热膨胀时产生的力量很大，会使编织结构的外导体尺寸变大，从而改变了同轴电缆的传输特性，由于现在对于高温下和比较严酷的环境条件下使用的移动通信设备和高频传输设备需求越来越多，传统FEP发泡绝缘射频同轴电缆的结构设计已经不能满足更为严格的需求，只能用于电性能要求不是很高的通信设备中，因此终上所述现有技术存在的最大缺陷是1.采用90%编织密度加铝腹膜的设计，屏蔽指标只有 70 - 80dB,屏蔽效率较低。2、采用铝腹膜做中间层，使电缆耐高温性能差，耐温只有85°C，并且铝腹膜的抗拉强度也较低，因此使电缆存在耐温性能差和抗拉强度低的设计缺陷。三、实用新型内容本实用新型为了解决上述背景技术中的不足之处，提供一种物理发泡射频同轴电缆结构，此结构具有传输损耗小、重量轻、耐高温、抗拉强度大、温度相位稳定、屏蔽效率高等特点，大大提高了传输性能。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为一种物理发泡射频同轴电缆结构，包括铜内导体，所述的铜内导体上依次缠绕有FEP发泡绝缘、金属编织层和FEP护套，其特征在于所述的FEP发泡绝缘与金属编织层之间设置有铜带绕包和聚酰亚胺薄膜。所述的铜带绕包设置在聚酰亚胺薄膜上。与现有技术相比，本实用新型具有的优点和效果如下1、采用镀银铜带搭盖绕包加镀银铜线编织的外导体结构，不仅提高了屏蔽效率， 可达IOOdB,而且增加了电缆温度相位稳定性。在绝缘体受温度变化膨胀或收缩时，外导体会随着绝缘体的变化而发生变化，从而导致相位的不稳定，铜带绕包层可以很好地保证外导体尺寸在温度变化时保持稳定，从而得到很好的温度相位稳定性。2.采用聚酰亚胺薄膜做中间层，大大提高了抗张强度，可达到170Mpa，同时聚酰亚胺薄膜长期使用温度范围在一 200 200°C之间，使电缆的具备更好的耐高温性。本实用新型大大提高了电缆的各项电性能指标，是一款新型具有传输损耗小、重量轻、耐高温、抗拉强度大、温度相位稳定、屏蔽效率高等特点，大大提高了传输性能。
[0014]图1为本现有技术的结构示意图；图2为本实用新型的结构示意图。五具体实施方式
参见图2 —种物理发泡射频同轴电缆结构，包括铜内导体1，铜内导体1上依次缠绕有FEP发泡绝缘2、金属编织层4和FEP护套5，FEP发泡绝缘2与金属编织层4之间设置有铜带绕包6和聚酰亚胺薄膜7，铜带绕包6设置在聚酰亚胺薄膜7上。本实用新型是这样来实现的，第一层采用铜内导体导体性能较好，使用温度高， 耐温200°C时铜线外表层必须镀银，银镀层应牢固、致密；第二层是FEP物理发泡绝缘层 采用FEP物理发泡绝缘，介电常数大为降低，发泡度越大，介电常数越低，电缆损耗越小，故传输性能越好；第三层是铜带绕包结构，采用镀银铜带搭盖绕包加镀银铜线编织的外导体结构，铜带绕包层可以很好地保证外导体尺寸在温度变化时保持稳定，从而得到很好的温度相位稳定性，同时铜带绕包层加金属圆线编织结构使屏蔽效率提升，屏蔽指标达100 dB。 第四层采用聚酰亚胺薄膜做中间层聚酰亚胺是综合性能最佳的有机高分子材料之一，耐高温达200°C，无明显熔点，高绝缘性能，因此使电缆具备优良的机械性能，抗张强度可在 170Mpa以上，第五层是金属圆线编织一方面起到导体的作用，另一方面防止外界干扰，耐高温电缆可用镀银线编织；第六层是FEP护套是耐磨损、柔软和不吸潮的材料，是射频同轴电缆的外保护。上述结构组合在一起形成本实用新型一种射频同轴电缆的结构，与相应的组成件配合使用。此电缆结构设计是对传统FEP发泡绝缘射频同轴电缆的结构的改进和优化，具备更好的传输性能和机械性能。因此是一种可以广泛的应用于航空航天、军事装备、通信设备、移动设备的FEP物理发泡绝缘射频同轴电缆。
权利要求1.一种物理发泡射频同轴电缆结构，包括铜内导体(1)，所述的铜内导体(1)上依次缠绕有FEP发泡绝缘(2)、金属编织层(4)和FEP护套(5)，其特征在于所述的FEP发泡绝缘 (2)与金属编织层(4)之间设置有铜带绕包(6)和聚酰亚胺薄膜(7)。
2.根据权利要求1所述的一种物理发泡射频同轴电缆结构，其特征在于所述的铜带绕包(6 )设置在聚酰亚胺薄膜(7 )上。
专利摘要本实用新型涉及一种物理发泡射频同轴电缆结构。传统设计采用90%编织密度加铝腹膜的设计，屏蔽指标中有70–80dB，屏蔽效率较低；耐温性能差和抗拉强度低，传统设计采用铝腹膜做中间层，使电缆耐高温性能差，耐温只有85℃，并且铝腹膜的抗拉强度也较低。一种物理发泡射频同轴电缆结构，包括铜内导体，所述的铜内导体上依次缠绕有FEP发泡绝缘、金属编织层和FEP护套，其特征在于所述的FEP发泡绝缘与金属编织层之间设置有铜带绕包和聚酰亚胺薄膜，所述的铜带绕包设置在聚酰亚胺薄膜上。本实用新型大大提高了电缆的各项电性能指标，具有传输损耗小、重量轻、耐高温、抗拉强度大、温度相位稳定、屏蔽效率高等特点，大大提高了传输性能。
文档编号H01P3/06GK201994396SQ20112011530
公开日2011年9月28日 申请日期2011年4月19日 优先权日2011年4月19日
发明者于瑞, 武向文, 顾涛 申请人:西安富士达线缆有限公司