专利名称：一种大功率led模组的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED照明领域，尤其是大功率的LED技术领域，具体是一种大功率 LED模组的封装结构。
背景技术：
在世界提倡节源环保的同时，在照明领域正悄悄的进行了一次革命，就是用LED 光源代替传统光源，在节能和环保上又一次质的飞跃。但是LED应用照明上，LED的特点是光谱集中，除可见光能量外，其它全部变为热量(目前的光效，大概80%左右为热量)；而传统光源会有更多的红外/紫外能量，发热少。所以，采用LED作为光源，散热为主要的解决难题，特别是在大功率几十瓦的LED灯上。针对大功几十瓦LED应用，常用的方法是用IW 大功率晶片封装成IW的LED灯珠，然后通过多颗的灯珠串并联在一起，然后组成大功率几十瓦的应用。这样，虽在散热上能得到很好的解决，但是在灯具的体积上遇到极大的挑战， 往往体积要求比较高的灯具上就难以实现。
实用新型内容针对上述问题，本实用新型旨在提供一种可减小灯具面积同时能简化结构降低成本的大功率LED模组的封装结构。为实现该技术目的，本实用新型的方案是一种大功率LED模组的封装结构，包括芯片和基板，所述芯片封装在基板上，芯片由正负电极和PN结构成，所述P结正极结在顶层，N结负极在第二层，第二层的右边留缺口接该负电极，第三层为绝缘层，所述顶层、第二层、第三层顺序层叠；至少一个以上的芯片同放在同一导体上，封装成面光源模组。作为优选，所述封装结构采用COB板上芯片封装成LED模组。本实用新型采用方案中的芯片的结构特性，通过特殊的结构，把几颗以及几十颗芯片封装成一颗大功率LED模组，使原本原理结构复杂的多颗灯珠多光源大体积于一体的应用变成小体积，多晶的面光源，性能提高的同时又能有效降低系列成本及简化灯具设计。
图1为传统的芯片结构图；图2为本实用新型的芯片结构图；图3为传统的封装结构图；图4为本实用新型的封装结构图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型，并与传统的封装对比，对本实用新型做进一步详细说明。如图1、2所示，LED晶片原理与普通二极管原理差别不大，都是正负极(‘ + ’ ‘_’)和PN结，本实用新型的芯片A结构，P结1 ‘ + ’极11结在顶层，N结2 ‘_’极21在第二层， 右边留缺口接电极，第三层为绝缘层3，所以底层4是不导电的。而传统芯片，第一层为N结材料2，顶端接‘-’极电极21，第二层为P结1材料，而把第三层设为‘ + ’极电极11，故第三层底层为导电层。故此，本新型的芯片的底层是绝缘层的，可以多颗同放在同一导体上，而传统芯片的底层是导电的，不能多颗放在同一导体上。②封装利用本新型的底层绝缘，把多颗芯片A直接封装在LED的基板B上，从而封装成低热阻的模组(如图3所示)。而传统芯片A底层是导电，所以在封装时要加上一绝缘支架C，然后再封装在基板B上，因为加一层绝缘支架，从而导致LED内热阻加大，容易使封装模组芯片散热不良(如图4所示)。所以传统芯片的散热问题，导致不能多颗芯片封装在基板。③光源模组本新型的芯片封装热阻小，热量易传输，从而可以多芯封装成一个面光源大功率模组，体积较小，散热设备要求低。 传统芯片，因热阻过大等问题，不易多芯封装成面光源模组，只能通过封装成小功率灯珠， 然后通过灯珠的串并联，做成一多点光源大功率模组，体积较大，散热设备要求高。本应用更有效的解决大功率LED小体积应用的封装技术。其封装成的大功率模组后相关特点主要如下1、本新型芯片的特殊结构，通过COB封装成LED模组，板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。LED模组的热阻很小，与传统对比可降低40%，降低散热要求。2、可以直接封装成多晶面光源，光源的色均勻性和光通亮均勻性得以显著提高。3、光源体积小，安装简易，简化灯具设计，有效降低配套和使用成本。4、多晶面光，单位面积内亮度高。以上所述仅为本新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。
权利要求1.一种大功率LED模组的封装结构，包括芯片和基板，所述芯片封装在基板上，芯片由正负电极和PN结构成，其特征在于所述P结正极结在顶层，N结负极在第二层，第二层的右边留缺口接该负电极，第三层为绝缘层，所述顶层、第二层、第三层顺序层叠；至少一个以上的芯片同放在同一导体上，封装成面光源模组。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构采用COB板上芯片封装成LED模组。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率LED模组的封装结构，包括芯片和基板，所述芯片封装在基板上，芯片由正负电极和PN结构成，所述P结正极结在顶层，N结负极在第二层，第二层的右边留缺口接该负电极，第三层为绝缘层，所述顶层、第二层、第三层顺序层叠；至少一个以上的芯片同放在同一导体上，封装成面光源模组。本实用新型采用方案中的芯片的结构特性，通过特殊的结构，把几颗以及几十颗芯片封装成一颗大功率LED模组，使原本原理结构复杂的多颗灯珠多光源大体积于一体的应用变成小体积，多晶的面光源，性能提高的同时又能有效降低系列成本及简化灯具设计。
文档编号H01L33/36GK202231051SQ20112034704
公开日2012年5月23日 申请日期2011年9月15日 优先权日2011年9月15日
发明者靳涛 申请人:深圳市北高智电子有限公司