专利名称：一种sot23晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体管半导体领域，特别是一种S0T23晶体管。
背景技术：
SOT (Small Out-Line ^Transistor)小外形晶体管，S0T23为一种表面贴装的封装形式，其圆角R值关系到产品质量和生产效率。S0T23产品的圆角大小设计直接影响注塑工艺和产品电学性能参数。圆角设计值R增大能降低模具加工成本，减小塑封体与模具的粘附力，提高脱模性；但是圆角过大，会减小后工序打字编码面积，而且减小内置芯片到塑封体表面的距离，产品电性能参数下降。目前在S0T23 package (封装)圆角设计过程中， 普遍存在圆角R过小影响脱模和R过大导致上表面可印面积小、塑封料包容壁过薄而出现电参数达标难等问题。传统S0T23塑封体上、下表面圆角R = 0. 15 mm，上、下表面与侧面的连接圆角R = 0. 10 mm。在实际的生产过程中，由于传统圆角设计过小，在圆角处形成应力集中现象，塑封料与模具之间粘附力大。当整条框架上的塑封体从模具里面同时脱模时，总的脱模力过大，同时，在圆角处塑封料易脱离产品表面，粘在模具上，形成粘模现象。
实用新型内容本实用新型的目的在于针对现有技术存在的上述问题，提供一种减少模具与塑封体的粘附力，提高模具脱模性的S0T23晶体管。为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为一种S0T23晶体管，包括塑封体，所述塑封体上表面的4个角和下表面的4个角均为圆角，且圆角半径均为Rl = 0. 2 mm ；塑封体上表面与其侧面的4个连接角以及塑封体下表面与其侧面的4个连接角均为圆角，且圆角半径均为R2 = 0. 15 mm。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是本实用新型的S0T23晶体管，减少了模具与塑封体的粘附力，提高了模具脱模性，降低了 Chipped Package、Break Package、CRACK PACKAGE、Bent Strip 等缺陷率；每天只需清模一次，延长了生产时间；减小了加工难度，降低加工成本；经测试产品电性能参数良好，满足客户需求。
图1是S0T23晶体管主视图。图2是S0T23晶体管俯视图。图3是S0T23晶体管仰视图。其中，Rl-塑封体上、下表面圆角半径，R2-塑封体上、下表面与侧面的连接圆角半径。
具体实施方式
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以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。实施例1如图1、图2和图3所示，一种S0T23晶体管，包括塑封体，所述封体上表面与其侧面的4个连接角为圆角，且圆角半径均为R2 = 0. 15 mm，塑封体下表面与其侧面的4个连接角为圆角，且圆角半径均为R2 = 0.15 mm。塑封体上表面的4个角和塑封体下表面的4个角均为圆角，且圆角半径均为Rl = 0. 2 mm。经过大量的设计实验，上述圆角半径值是针对TOWA模机设计的S0T23产品的最佳值。经过测试，产品电性能参数良好，满足客户需求。本实用新型的S0T23晶体管，减少了模具与塑封体的粘附力，提高了模具脱模性；减小了加工难度，降低加工成本。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种S0T23晶体管，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体上表面的4个角和下表面的4个角均为圆角，且圆角半径均为Rl = 0. 2 mm ；塑封体上表面与其侧面的4个连接角以及塑封体下表面与其侧面的4个连接角均为圆角，且圆角半径均为R2 = 0. 15 mm。
专利摘要本实用新型涉及晶体管半导体领域，具体涉及一种SOT23晶体管。该SOT23晶体管包括塑封体，所述塑封体上表面的4个角和下表面的4个角均为圆角，且圆角半径均为R1＝0.2㎜；塑封体上表面与其侧面的4个连接角以及塑封体下表面与其侧面的4个连接角均为圆角，且圆角半径均为R2＝0.15㎜。本实用新型的SOT23晶体管，减少了模具与塑封体的粘附力，提高了模具脱模性，也减小了加工难度，降低了加工成本，而且产品电性能参数良好，满足客户需求。
文档编号H01L23/31GK202332822SQ20112047299
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日
发明者樊增勇, 罗天秀 申请人:成都先进功率半导体股份有限公司