柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置的制作方法

专利名称：柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有挠性的柔性半导体装置及其制造方法。更详细而言，本发明涉及一种能够作为TFT使用的柔性半导体装置及其制造方法。此外，本发明涉及一种使用了这种柔性半导体装置的图像显示装置。
背景技术：
伴随着信息终端的普及，作为计算机用的显示器，对平板显示器的需求不断升高。 而且，伴随着信息化的进一步发展，将以往由纸介质提供的信息进行电子化的机会增力Π。尤其是最近作为薄且轻、能够轻便地用手搬运的移动用显示介质，对电子书或数字书的需求不断升高(专利文献1等)。通常，在平板显示器中，使用液晶、有机EL(有机场致发光)、及利用了电泳等的元件来形成显示介质。在所述显示介质中，为了确保画面亮度的均勻性和画面切换速度等，而使用有源驱动元件(TFT元件)来作为图像驱动元件的技术逐渐成为主流。例如，在通常的计算机显示器中，在基板上形成所述TFT元件，将液晶、有机EL元件等密封。在此，在TFT元件中主要可以使用a-Si (非晶硅)、p_Si (多晶硅)等的半导体。 对这些Si半导体(根据需要也可以是金属膜)进行多层化，并将源极、漏极、栅极电极依次形成在基板上，由此来制造TFT元件。由于这种使用了 Si材料的TFT元件的形成中包括高温度的工序，因此作为基板材料，应考虑必须使用能耐受高工序温度的材料这样的限制。因此，实际上作为基板，需要使用由耐热性优异的材质构成的基板，例如玻璃基板。需要说明的是，虽然可以使用石英基板，但造价高，且当显示器的大型化时在经济性方面存在问题。因此，作为形成TFT元件的基板，通常使用玻璃基板。然而，在利用这种现有已知的玻璃基板来构成上述的薄型显示器时，该显示器成为重且缺乏柔软性、因落下的冲击而具有破裂可能性的产品。在玻璃基板上形成TFT元件所导致的这些特征在伴随着信息化的进展而满足对轻便的便携用薄型显示器的需求时不优选。因此，为了满足对轻量且薄型的显示器的需求，从基板的柔性化、轻量化等的观点出发，进行了将TFT元件形成在树脂基板(即，塑料基板)上的柔性半导体装置的开发。例如，在专利文献2中公开了如下的技术在通过与现有大致相同的工艺在支承体(例如玻璃基板)上制作了 TFT之后，将TFT从玻璃基板剥离而转印到树脂基板(即，塑料基板)上。 在这种技术中，首先，在玻璃基板上形成TFT元件，将其经由丙烯酸树脂等密封层而粘接于树脂基板，然后，通过剥离玻璃基板，而将TFT元件转印到树脂基板上。在使用了转印法的柔性半导体装置的制造中，支承体(例如玻璃基板)的剥离工序成为问题。即，在从树脂基板剥离支承体的工序中，例如需要进行使支承体与TFT的密接性下降的处理，或在支承体与TFT之间形成剥离层而进行物理性或化学性地除去该剥离层的处理等。因而，在柔性半导体装置的制造中会导致工序的烦杂，会出现生产性的问题。
在先技术文献专利文献专利文献1日本特开2007-67263号公报专利文献2日本特开2004-297084号公报

发明内容
发明要解决的课题在柔性半导体装置的制造中，还提出了不将TFT向树脂基板(塑料基板)转印，而直接形成在树脂基板上的方法。这种情况下，不需要转印后的支承体(例如玻璃基板)的剥离工序，因此能够简单地制造柔性半导体装置。然而，由于丙烯酸树脂等的树脂基板的耐热性低，因此在形成TFT时，存在必须将工艺温度抑制得较低这样的制约。因此，直接形成在树脂基板上的TFT比通过转印形成的 TFT的性能差。例如，为了提高移动度等半导体特性而优选对半导体材料进行加热处理，但是在树脂基板上直接形成TFT时，工艺温度受限制，因此难以进行这种加热处理。而且，为了降低栅极电压，作为栅极绝缘膜，优选使用虽然比有机绝缘膜薄但绝缘耐压高、而且介电常数也高的无机氧化物，不过，这样的无机氧化物致密且化学性稳定，因此关于难以加工(例如激光孔加工等)这样的生产技术上的问题，改善的余地大。尤其是在大画面用的柔性半导体装置中，该问题更加显著。此外，在柔性半导体装置的制造中，半导体层的形成位置重要，其精度不良时，无法得到所希望的TFT性能，进而，在柔性半导体装置的制造成品率方面会产生问题。另外，柔性半导体装置将多个层层叠而形成，所以要求抑制各个层发生位置错动的情况，因而，要求提高层间的密接性。本申请发明者针对上述的柔性半导体装置的课题，不固守现有技术的思路，而是在新的方向上进行应对，进行了解决上述课题的尝试。本发明鉴于上述情况而作出，其主要目的在于提供一种生产性优异的柔性半导体装置的制造方法，而且，伴随于此，提供一种高性能的柔性半导体装置。用于解决课题的手段
为了解决上述课题，在本发明中，提供一种柔性半导体装置的制造方法，包括准备金属箔的工序㈧；在金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)；在绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对金属箔的一部分进行蚀刻，而从该金属箔形成源极电极及漏极电极的工序 ⑶；使用源极电极及漏极电极作为提部构件，而在位于源极电极与漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以及以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序 (F)，在工序(F)中，使树脂膜层的一部分向源极电极与漏极电极之间的间隙嵌合。
本发明的制造方法在源极电极与漏极电极之间形成“间隙”，并利用该“间隙”而良好地制造柔性半导体装置。更具体而言，使用隔着通过金属箔的蚀刻所得到的“间隙”而配置的源极电极及漏极电极作为提部构件，以收纳于该间隙的方式形成半导体层。在本说明书中使用的“柔性半导体装置”的“柔性”这一用语实质上是指半导体装置具有能够弯曲的挠性。并且，本发明所说的“柔性半导体装置”在鉴于其具有的结构等时， 可以称为“柔性半导体设备”或“柔性半导体元件”。另外，在本说明书中使用的“提部构件”由“bank(提坝)”由来，实质上表示具有进行半导体层的原料·材料的“定位”的功能的构件。并且，提部构件中的“间隙”是要实现这种“定位”而通过金属箔的蚀刻所设置的，因而，应该注意到并非表示因制造过程等引起而不可避免或偶然形成的伤痕·凹陷·间隙等。在某优选的形态下，在工序⑶中，源极电极与漏极电极所构成的面中的隔开“间隙”对置的端面形成为倾斜面。例如，通过实施光刻和蚀刻而将上述对置的端面形成为倾斜面。更具体而言，以“间隙”所构成的形状成为锥形形状的方式通过湿式蚀刻将源极电极及漏极电极的端面形成为倾斜面。在工序(F)的树脂膜层的形成中，例如通过将树脂膜粘合在绝缘层上来进行，此时使树脂膜的一部分与“间隙”嵌合。若列举一例的话，使用树脂膜层前驱体，将其粘合在形成有绝缘层的支承基板上时，将树脂膜层前驱体的一部分以埋入“位于支承基板上的源极电极与漏极电极之间的间隙”的方式按压并粘合。这种树脂膜层的形成可以通过辊对辊方法来进行。关于栅极电极的形成，可以在除去了支承基板之后，在绝缘层中的成为栅极绝缘膜的部位的表面上形成栅极电极。或者在使用金属基材作为支承基板的情况下，也可以在工序(F)之后，通过对该金属基材进行构图来形成栅极电极。在某优选的形态中，使用陶瓷基材或金属基材作为支承基板。这种情况下，可以对半导体层及/或栅极绝缘膜积极地实施加热处理。关于半导体层的加热处理，可以在工序 (E)之后，对支承基板上的半导体层实施加热处理。优选的是，在工序(E)与工序(F)之间， 通过对“由陶瓷基材或金属基材构成的支承基板”上的半导体层进行激光照射而对半导体层进行退火处理。通过这种处理，而使半导体层的膜质或特性变化，由此，能够实现半导体特性的提高(例如，通过“膜质的变化”，能够实现半导体层的结晶度的提高)。需要说明的是，在本说明书中使用的“退火处理”这一用语实质上表示例如以“结晶状态”、“结晶度”及 /或“移动度”等的提高或特性稳定化为目的的加热处理。而且，关于绝缘层的加热处理， 在工序(B)之后对栅极绝缘膜实施加热处理。优选的是，通过对栅极绝缘膜(绝缘层)进行激光照射而对绝缘层进行退火处理。这种绝缘层的处理既可以在工序(D)与工序(E)之间实施，也可以在工序(E)与工序(F)之间实施。即，可以对栅极绝缘膜直接实施加热处理 (尤其是退火处理)，或者在半导体层的加热时，也可以利用半导体层产生的热量来对绝缘膜进行加热(尤其是退火处理)。进而言之，可以在工序(B)与工序(C)之间的后面对绝缘层进行加热处理，即，可以对金属箔上的绝缘层直接实施加热处理。在另一优选的方式下，在工序(B)中，包括栅极绝缘膜的绝缘层由无机材料形成。 例如，包括栅极绝缘膜的绝缘层可以通过溶胶凝胶法形成，或者也可以通过成为金属箔的阀金属的局部的阳极氧化来形成绝缘层。
在本发明中，也提供一种能够通过上述制造方法得到的柔性半导体装置。所述本发明的柔性半导体装置具有栅极电极；设置在栅极电极上，且具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在绝缘层上，且由金属箔构成的源极电极及漏极电极，在源极电极与漏极电极之间存在间隙，由此，隔开所述间隙而配置的源极电极及漏极电极成为提部构件，半导体层以收纳于间隙的方式形成，在绝缘层上以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式形成树脂膜层，在该树脂膜层设有与间隙嵌合的突起部。本发明的柔性半导体装置的一个特征是在源极电极的端面与漏极电极的端面之间形成间隙部，并以收容于该间隙部的方式形成半导体层(即，以收纳在相互分隔的源极电极与漏极电极之间的方式形成半导体层)。这里，“由隔开间隙配置的源极电极及漏极电极构成的提部构件”如上述那样是由为了实现材料的“定位”而设置的电极要素构成的构件，尤其是由作为半导体层材料的“定位”发挥功能的两种电极要素构成的构件。换言之，本发明的柔性半导体装置在源极电极及漏极电极这两种提部电极之间收容半导体层而构成。所述提部构件中的“间隙部”优选具有锥形形状，源极电极与漏极电极所构成的面中的隔开间隙对置的端面成为倾斜面(更具体而言，间隙自身成为锥形形状，其结果是，源极电极及漏极电极的端面倾斜)。在本发明的柔性半导体装置中，以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式将具有挠性的树脂膜层形成在绝缘层上，但树脂膜层具有与“源极电极和漏极电极之间的间隙”嵌合的突起部。更具体而言，“树脂膜层的突起部”与“间隙”互补地嵌合。即，“树脂膜层的突起部”和“源极电极与漏极电极之间的间隙”具有互补的形状，树脂膜层的突起部以填满间隙(半导体层的填充区域以外的间隙部)的方式设置。本发明的柔性半导体装置中的半导体层可以含有硅或含有氧化物半导体(例如 ZnO 或 InGaZnO)。在本发明的柔性半导体装置中，栅极绝缘膜由无机材料构成。优选的是，包括栅极绝缘膜的绝缘层可以通过对金属箔进行局部氧化而得到。这种情况下，金属箔含有阀金属， 栅极绝缘膜或绝缘层可以成为该阀金属的阳极氧化膜。在另一形态下，栅极绝缘膜或绝缘层成为由溶胶凝胶法得到的氧化膜。在本发明中，也提供一种使用了上述柔性半导体装置的图像显示装置。所述图像显示装置具有柔性半导体装置；以及由形成在柔性半导体装置上的多个像素构成的图像显示部，在柔性半导体装置的源极电极与漏极电极之间存在间隙，由此，隔开间隙配置的源极电极及漏极电极成为提部构件，在间隙形成有柔性半导体装置的半导体层，在柔性半导体装置的树脂膜层设有与间隙嵌合的突起部。发明效果
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在本发明的制造方法中，由于使用隔开间隙配置的源极电极及漏极电极作为提部构件，而能够良好地配置半导体层。尤其是使“隔开间隙配置的源极电极及漏极电极”作为 “定位”用的提部(bank)发挥功能，因此能够在所希望的位置比较容易地形成半导体层。具体而言，(I)通过薄膜形成法或印刷法来形成半导体层时，半导体材料堆积于“间隙”，能够将该堆积物利用为半导体层，因此能有效地进行半导体层形成的定位。而且，(II)在半导体层原料为膏状·液体状时，向“间隙”供给的半导体原料被保持成不会从“间隙”向外流出， 因此在“间隙”的位置处，有助于半导体层形成。这里，关于(II)，在半导体层的形成时，能够将液状的半导体原料积存于“间隙”，因此间隙不仅作为“定位”用的提部发挥功能，而且也作为“积存”用的提部发挥功能。在本发明的制造方法中，作为定位提部发挥功能的源极电极及漏极电极可以直接作为TFT的“源极电极”及“漏极电极”而利用为柔性半导体装置的结构要素。这表示无需将良好地有助于半导体形成的提部构件最终除去或剥离，因而，能够以简便的工艺来制作 TFT元件，能提高生产性。另外，在本发明的制造方法中，相对于如此作为提部构件发挥功能的源极电极与漏极电极之间的间隙，使树脂膜层的一部分嵌入，因此能够得到树脂膜层的剥离防止效果。 这是因为“树脂膜层的突起部”和“间隙”成为互补的嵌合状态的缘故，由于这种结构的特征，而能够提高树脂膜层的密接性。换言之，在本发明中，由于作为提部构件发挥功能的“隔开间隙配置的源极电极及漏极电极”，能够实现层叠结构的密接性的提高。“层叠结构的提高的密接性”在辊对辊方法等对柔性半导体施加弯曲的状态时成为特别有利的效果。即，即使在能引起这种层叠结构的剥离的制造条件下，也能有效地防止剥离，因此在该点上，能提高生产性。得到的柔性半导体装置由于牢固地保持层叠结构，因此不易发生“剥离”引起的性能下降等。柔性半导体装置弯曲使用的情况多，但在本发明的柔性半导体装置中，由于作为提部构件发挥功能的“隔开间隙配置的源极电极及漏极电极”，而能良好地防止剥离，因此能实现弯曲特别强的柔性半导体装置。此外，在本发明中，由于为柔性半导体装置且利用金属箔或支承基板(尤其是由陶瓷基材或金属基材等构成的支承基板)，能够对栅极绝缘膜及/或半导体层进行加热处理(尤其优选的是退火处理)，能够提高它们的特性。即，能够有效地提高得到的柔性半导体装置的性能。


图1 (a)是示意性地表示本发明的实施方式的柔性半导体装置100的结构的立体剖视图，(b)是用于说明间隙50周边的晶体管结构的俯视图。图2(a) (d)是用于说明本发明的实施方式的柔性半导体装置100的制造工序的工序剖视图。图3(a) (c)是用于说明本发明的实施方式的柔性半导体装置100的制造工序的工序剖视图。图4是表示确定半导体层形成位置的作为定位用提部构件发挥功能的“间隙”的形态的示意图。
图5(a)是示意性地表示掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100的结构的立体剖视图，(b)是表示掩模形态的本发明的特征即“自动匹配成一致”的形态的示意图，(c)是用于说明间隙50周边的晶体管结构的俯视图。图6(a) (d)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100 的制造工序的工序剖视图。图7(a) (c)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100 的制造工序的工序剖视图。图8(a)及(b)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100 的制造工序的工序剖视图。图9是用于说明源极电极及漏极电极的倾斜面供给于光照射时的优点的示意图 (掩模形态的本发明)。图10(a) (d)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100’ 的制造工序的工序剖视图。图11 (a) (c)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100’ 的制造工序的工序剖视图。图12(a)及(b)是用于说明掩模形态的本发明的实施方式的柔性半导体装置100’ 的制造工序的工序剖视图。图13是表示本发明的实施方式的图像显示装置的驱动电路90的电路图。图14(a)是表示图像显示装置的驱动电路由柔性半导体装置100构成的层叠结构体200的一例的剖视图，及(b)是表示掩模形态的本发明的实施方式的层叠结构体200的一例的剖视图。图15A(a)是表示层叠结构体200的层101的俯视图，及(b)是表示掩模形态的层叠结构体200的层101的俯视图。图15B(a)是表示层叠结构体200的层102的俯视图，及(b)是表示掩模形态的层叠结构体200的层102的俯视图。图15C(a)是表示层叠结构体200的层103的俯视图，及(b)是表示掩模形态的层叠结构体200的层103的俯视图。图15D(a)是表示层叠结构体200的层104的俯视图，及(b)是表示掩模形态的层叠结构体200的层104的俯视图。图15E(a)是表示层叠结构体200的层105的俯视图，及(b)是表示掩模形态的层叠结构体200的层105的俯视图。图16(a)是沿着线VII-VII的层叠结构体200的剖视图，及(b)是沿着线XI-XI 的层叠结构体200的剖视图。图17(a)是沿着线VIII-VIII的层叠结构体200的剖视图，及(b)是沿着线 XII-XII的层叠结构体200的剖视图。图18是示意性地表示本发明的图像显示装置的剖视图。图19是示意性地表示具备滤色器的本发明的图像显示装置的形态的剖视图。图20(a) (e)是示意性地表示本发明的像素显示装置的制造工序的工序剖视图。
图21 (a) (d)是示意性地表示具备滤色器的本发明的图像显示装置的制造工序的工序剖视图。图22是表示利用辊对辊(roll to roll)方法来制造柔性半导体装置100的形态的示意图。图23(a)是将卷绕于辊230的层叠结构体110的局部放大表示的剖视图，及(b) 是掩模形态的本发明的实施方式的所述层叠结构体110的剖视图。图M是表示柔性半导体装置的产品适用例(电视图像显示部)的示意图。图25是表示柔性半导体装置的产品适用例(便携电话的图像显示部)的示意图。图沈是表示柔性半导体装置的产品适用例(移动式个人计算机或笔记本式个人计算机的图像显示部)的示意图。图27是表示柔性半导体装置的产品适用例(数码相机的图像显示部)的示意图。图观是表示柔性半导体装置的产品适用例(摄像放像机的图像显示部)的示意图。图四是表示柔性半导体装置的产品适用例(电子书的图像显示部)的示意图。
具体实施例方式以下，参照附图，说明本发明的实施方式。在以下的附图中，为了简化说明，实质上具有同一功能的结构要素由同一参照符号表示。而且，各图中的尺寸关系(长度、宽度、厚度等)并未反映实际的尺寸关系。本说明书中说明的“方向”(尤其是本发明的制造工序中的“方向”)是以绝缘层 10与半导体层20的位置关系为基准的方向，为了简便起见，以图中的上下方向进行说明。 基本上对应于各图的上下方向，以绝缘层10为基准而形成半导体层20的一侧为“上方向”， 以绝缘层10为基准而未形成半导体层20的一侧为“下方向”。《将具有间隙的源极·漏极电极使用为煶部构件的形杰的本发明》参照图1(a)及(b)，说明本发明的实施方式的柔性半导体装置100。图1 (a)是示意性地表示本发明的柔性半导体装置100的结构的立体图。而且，图1 (b)是表示柔性半导体装置100的源极30s、沟道22 00)、漏极30d的关系的图。本实施方式的柔性半导体装置100是具有挠性的半导体装置。如图所示，所述柔性半导体装置100包括具有作为栅极绝缘膜IOg的部位的绝缘层10 ；由金属箔70构成的源极电极30s及漏极电极30d。源极电极30s及漏极电极30d形成在绝缘层10上。在源极电极30s与漏极电极30d之间存在有间隙50。在本实施方式的结构中，隔开间隙50配置的源极电极30s及漏极电极30d作为提部构件发挥功能。即，间隙50在半导体层形成时，作为确定半导体层形成位置的定位用提部(positioning bank)发挥功能。 并且，在半导体原料成为液体的情况下，间隙50也作为积存用提部(storage bank)发挥功能。如图所示，半导体层20以填埋间隙50的至少一部分的方式形成。在图1(a)中， 以透过半导体层20而能看见间隙50的形状的方式来表现。并且，在绝缘层10上，以覆盖半导体层20、源极电极30s及漏极电极30d的方式形成树脂膜层60。在此，为了便于理解地表示间隙50，而树脂膜层60由虚线(双点划线)来表示。
从图示的形态可知，树脂膜层60的一部分成为与间隙50嵌合的突起部65。尤其是，“树脂膜层60的突起部65”与“间隙50”以具有互补的形状的方式相互嵌合。如此，通过使突起部65与间隙50相互嵌合，而能够提高“树脂膜层60”与“包括源极电极30s及漏极电极30d的结构体”的密接度。即，由于间隙50，而柔性半导体装置100的层叠结构的密接性提高。需要说明的是，栅极电极12隔着绝缘层10形成在半导体层20的相反侧的位置。 换言之，在绝缘层10中的成为栅极绝缘膜IOg的表面上设有栅极电极12。本实施方式的半导体层20通过使“间隙”作为提部发挥功能而得到。例如，在使用薄膜形成法或印刷法在间隙区域形成半导体层时，不管原料供给的些许变动，都向间隙50 堆积半导体材料，并利用该堆积物作为半导体层，因此间隙50作为确定半导体层形成位置的定位用提部能发挥功能(参照图4)。并且，例如在半导体层20由硅(Si)构成时，使液体硅向间隙50滴下而形成半导体层20，但间隙50也起到积存液体硅的作用。即，在半导体原料为膏状·液体状时，间隙50不仅作为半导体原料的“定位要素”发挥功能，而且也能作为具有保持半导体原料的作用的“积存要素”发挥功能。作为构成本实施方式的半导体层20的材料，除了上述的硅(Si)之外，可以使用各种材料，例如，既可以使用锗(Ge)等的半导体，也可以使用氧化物半导体。作为氧化物半导体，列举有例如SiO、SnO2, In2O3> TiO2等的单体的氧化物、或hfeiaiO、InSnO, InZnO, ZnMgO 等的复合氧化物。或者，根据需要可以使用化合物半导体(例如，GaN、SiC、ZnSe、CdS、GaAS 等)。而且，也可以使用有机半导体(例如戊省、聚3-己基噻吩、吓啉电介质、铜酞菁、C60)寸。本实施方式中的包括栅极绝缘膜IOg的绝缘层10由无机材料构成。例如，在半导体层20由硅(Si)构成时，栅极绝缘膜IOg可以由硅氧化膜(SiO2)或硅氮化膜形成。需要说明的是，栅极绝缘膜IOg也可以使用溶胶凝胶法来制作。而且，栅极绝缘膜IOg可以由通过对金属箔70进行阳极氧化而形成的氧化膜构成。本实施方式的间隙50周边的结构在从上方观察时，可以如图1(b)那样表示。在间隙50的栅极绝缘膜IOg上形成有半导体层20。在该半导体层20上，源极电极30s与漏极电极30d发生接触。栅极绝缘膜IOg及栅极电极12位于半导体层20的下表面(底面)。 因此，半导体层20中的位于源极电极30s与漏极电极30d之间的部位成为沟道区域22，通过这些要素来构筑晶体管(薄膜晶体管TFT)。本实施方式的树脂膜层60由具有挠性的树脂材料构成。尤其是树脂膜层60能作为用于对包括半导体层20的晶体管结构体进行支承的支承基材而发挥功能，也可以由在固化后具有挠性的热固化性树脂材料或热塑性树脂材料构成。作为这种树脂材料，可以列举出例如环氧树脂、聚酰亚胺(PI)树脂、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、聚苯硫醚(PPQ树脂、聚苯撑醚(PPE)树脂、PTFE等的氟系树脂、液晶聚合物、它们的复合物等。作为另外的方法，树脂膜层60也可以由含有聚硅氧烷等的有机无机混合材料构成。上述那样的树脂材料的尺寸稳定性的性质优异，作为本发明的柔性基材的材料而优选。接下来，参照图2(a) (d)及图3(a) (c)，说明本发明的柔性半导体装置100 的制造方法。需要说明的是，图2(a) (d)及图3(a) (c)是用于说明柔性半导体装置100的制造方法的工序剖视图。在本发明的制造方法的实施时，首先，实施工序(A)。S卩，如图2(a)所示，准备金属箔70。本实施方式的金属箔70例如可以由铜箔或铝箔构成。金属箔70的厚度例如为 0. 5μπι 100 μ m左右，优选为2 20 μ m左右。接下来，作为工序(B)，如图2(b)所示，在金属箔70的表面形成绝缘层10 (绝缘层10的厚度可以为30nm 2 μ m左右)。绝缘层10也包括成为栅极绝缘膜的部位(IOg)。 绝缘层10例如可以为氧化硅。这种情况下，可以形成通过例如TEOS等得到的氧化硅薄膜。具有作为栅极绝缘膜的部位的绝缘层10可以由无机材料构成。即，在使用树脂基材作为支承基板的柔性半导体装置中，虽然考虑使用有机绝缘膜作为栅极绝缘膜，但在本发明中，可以使用由无机材料构成的栅极绝缘膜，从而能够提高柔性半导体装置100的晶体管特性。其原因是，与由有机材料构成的栅极绝缘膜相比，由无机材料构成的栅极绝缘膜虽然厚度薄但绝缘耐压高，而且介电常数也高。在本发明的TFT结构中，由于在金属箔70 的表面形成绝缘层10，因此制作绝缘层10时的工艺上的制约少。因此，在本发明中，即使在柔性半导体装置的栅极绝缘膜的制作中，也能够容易地形成由无机材料构成的栅极绝缘膜。而且，在金属箔70上形成了绝缘层10之后，由于基底为金属箔70，因此也可以对该绝缘层10进行退火处理(热处理)，来提高膜质。此外，在金属箔70由铝构成时，也可以通过对该金属箔70的表面区域进行局部的阳极氧化，来形成绝缘层10(通过局部的阳极氧化形成的绝缘层的厚度可以为30nm 200nm左右)。铝的阳极氧化可以使用各种化成液简单地进行，由此，能够形成非常薄的致密的氧化覆膜。例如作为化成液，可以使用通过氨调整成为中性附近的PH的“酒石酸水溶液与乙二醇的混合溶液”。而且，通过阳极氧化能够形成绝缘层10的金属箔70不局限于铝，只要是具有良好的导电性且能够容易地形成致密的氧化物的金属即可，例如为阀金属 (valve metal)。作为这种阀金属，可以列举例如从铝、钽、铌、钛、铪、锆、钼及钨构成的组中选择的至少一种以上的金属或合金。顺便提一下，在利用阳极氧化时，具有即使金属箔70 的表面为复杂的形状也能够在表面以均勻的厚度来形成氧化膜这样的优点。而且，在阳极氧化的情况下，还具有能够制作出比氧化硅膜的介电常数高的栅极绝缘膜这样的优点。此外，金属箔70并不局限于阀金属(例如，铝)，只要是通过氧化而金属表面由氧化覆膜均勻地覆盖即可，因而，也可以由阀金属以外的金属构成。这种情况下，金属箔70的氧化方法可以取代阳极氧化，而使用热氧化(基于加热的表面氧化处理)或化学氧化(基于氧化剂的表面氧化处理)。作为另外的方法，绝缘层10也可以使用溶胶凝胶法形成(由溶胶凝胶法形成的绝缘层的厚度可以为IOOnm Ιμπι左右)。这种情况下，绝缘层10例如由氧化硅膜构成。列举利用溶胶凝胶法进行的氧化硅膜的作成方法的一例时，可以将四乙氧基硅烷(TEOS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)、乙醇、稀盐酸(0. Iwt % )的混合溶液在室温下搅拌2小时而调制出的胶态溶液(溶胶)利用旋涂法均勻地涂敷在金属箔上，在300°C下加热处理15分钟来制作。根据溶胶凝胶法，具有不仅能制作出硅氧化膜，而且能制作出铪氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜等高介电常数的栅极绝缘膜这样的优点。接下来，如图2(c)所示，在绝缘层10上形成支承基板72。即，实施本发明的制造方法的工序(C)。支承基板72可以是陶瓷基材(例如，氧化铝(A1203)、氧化锆(&0))、或金属基材(例如，SUS304等不锈钢基板)。需要说明的是，作为支承基板72，也可以使用树脂基材。若列举一例的话，通过将这种基材粘合于绝缘层10(根据需要而使用粘接剂)，而能够向绝缘层10上供给支承基板72。接下来，如图2 (d)所示，通过对金属箔70的一部分进行蚀刻，而从金属箔70形成源极电极30s及漏极电极30d。即，实施本发明的制造方法的工序(D)。这里，虽然进行金属箔70的蚀刻，但由于在绝缘层10的单面形成有支承基板72，因此也能通过支承基板72 来保持整体。换言之，即使进行金属箔70的蚀刻，也不会发生整体被切断而散开的情况。源极电极30s及漏极电极30d的形成可以通过例如光刻与蚀刻的组合来进行。详细情况如下所述。首先，在金属箔70整面上形成干膜或液状类型等的光致抗蚀剂材料。接着，使用对源极电极30s及漏极电极30d的形状及位置进行限定的形成了图案的光掩模进行图案曝光、显影。接着，以具有与源极电极30s及漏极电极30d对应的图案的光致抗蚀剂为掩模，将金属箔70浸渍在蚀刻液中，由此形成源极电极30s及漏极电极30d、以及位于两电极(30s 30d)之间的间隙50。最后将光致抗蚀剂除去，而完成“隔开间隙配置的源极电极及漏极电极”。这里，蚀刻液可以根据金属箔的种类而选择适当的蚀刻液来使用。若列举一例的话，在使用铜箔的情况下，可以使用氯化铁溶液或过氧化氢 硫酸溶液。在铝箔的情况下，可以使用磷酸、醋酸、硝酸的混合溶液。在本实施方式的结构中，源极电极30s及漏极电极30d的面中的隔开间隙50对置的端面50b成为倾斜面。换言之，如图2(d)所示，间隙50的周边由底面50a、壁面50b及上表面50c构成，壁面50b倾斜。壁面50b与上表面50c所构成的角度θ为钝角，例如为角度θ = 100° 170°左右，优选为110° 160°左右(参照图2(d))。需要说明的是，图 2(d)所示的间隙50的底面尺寸w优选为Ιμπι Imm左右，更优选为10 μ m 300 μ m左右。而且，图2 (d)所示的间隙50的高度 深度尺寸h优选为0. 5 μ m 100 μ m左右，更优选为 2 μ m ~ 20 μ m IxM。接下来，如图3 (a)所示，使用源极电极30s及漏极电极30d作为提部构件，在间隙 50处形成半导体层20。即，实施本发明的制造方法的工序(E)。在该工序(E)中，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为“定位”用的提部构件发挥功能，因此能够良好地形成半导体层20。具体而言，在间隙50的周边的作为底面50a的绝缘层10 (成为栅极绝缘膜IOg的部位)上形成半导体层20 (半导体层20的厚度可以为30nm 1 μ m左右，优选为50nm 300nm左右)。S卩，以收容于间隙50的方式形成半导体层20。例如，在利用薄膜形成法或印刷法来形成半导体层时，可以将供给的半导体材料堆积于间隙50，并利用该堆积物作为半导体层，因此间隙50起到确定半导体层形成的位置的作用(参照图4)。即，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为“定位”用的提部构件发挥功能。作为薄膜形成法，例如可以列举出真空蒸镀、溅射、等离子CVD等。而且，作为印刷法，可以列举出凸版印刷、凹版印刷、网板印刷、喷墨等。另外，在构成半导体层20的材料为液体而向底面50a上供给液体材料时，该液体材料被保持在间隙50内，而不向间隙50外流出。即，这种情况下，间隙50起到保持液体的半导体材料的作用。因而，在半导体材料为液体 膏状的情况下，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为“定位”用提部构件发挥功能，也作为“积存”用的提部构件发挥功能。具体地例示半导体层的形成。在形成半导体层20作为硅层时，作为一例，使用喷墨等方法，将含环状硅烷化合物的溶液(例如环戊硅烷的甲苯溶液)涂敷在间隙50的底面 50a上，接着，在300°C下进行热处理，由此能够形成由非晶硅构成的半导体层20。在刚形成了半导体层之后，由于是在金属箔70上隔着绝缘层10设有半导体层20 的状态，因此能够对半导体层20进行退火处理。通过对半导体层20进行退火处理，而能够对半导体层20的膜质进行提高或改性。尤其在支承基板72为陶瓷基材或金属基材时由于耐热性优异，因此即使进行高温的退火处理，实质上也没有问题。而且，即使在支承基板72 由树脂基材构成的情况下，由于该支承基板72最终被除去，因此即使由树脂基材构成的支承基板72的膜质比较差，但只要作为支承基板发挥功能，就能够执行半导体层20的退火处理。在间隙50中形成了由非晶硅构成的半导体层20的情况下，在退火处理后，可以变化为多晶硅(例如，平均粒径为几百nm 2μπι左右)。而且，在半导体层20为多晶硅的情况下，通过退火处理能提高其结晶度。而且，由于半导体层20的膜质的变化，而半导体层 20的移动度提高，在退火的处理前和处理后，移动度明显有较大区别。这里，例示地简单说明硅半导体的结晶粒径与移动度的关系时，如下述那样。 a-Si(非晶硅)的移动度< 1.0(cm2/VS)。yC_Si(微晶硅)的移动度约为3 (cm2/VS)，其结晶粒径为10 20nm。pC-Si (多晶硅)的移动度约为100 (cm2/Vs)或10 300 (cm2/Vs) 左右，其结晶粒径为50nm 0.2μπι。因此，通过退火处理，使膜质从a_Si (非晶硅)变化成PC-Si(微晶硅)或pC-Si(多晶硅)时，移动度变化成几倍以上(几倍、几十倍、几百倍等)。需要说明的是，sC-Si (单晶硅)的移动度为例如600(cm2/Vs)以上。作为这里的退火处理，除了对形成有半导体层20的金属箔70的整体进行加热处理的方法之外，可以采用向间隙50照射激光而对半导体层20进行加热的方法。在照射激光进行退火处理时，例如可以为下述那样。若列举一例的话，可以将波长308nm的受激准分子激光(XeCl)以能量密度50mJ/cm2、脉冲宽度30纳秒进行100 200散粒照射。需要说明的是，具体的退火处理的条件可以综合地考量各种因子而适当决定。在半导体层20的加热处理时，也可以进行绝缘层10(尤其是栅极绝缘膜IOg)的加热处理。即，可以利用同一工序来执行半导体层20的退火处理和绝缘层10的退火处理。 由此，也能够使绝缘层10 (尤其是栅极绝缘膜IOg)的膜质变化。例如，在对半导体层进行加热时，因该热量而也能够将栅极绝缘膜IOg加热。在绝缘层10由在水蒸气中通过热氧化(湿氧化)而制作的氧化膜(SiO2)构成时，通过将绝缘层10加热，而能够减少该氧化膜 (SiO2)的电子陷阱能级。进一步说明时，湿氧化比干氧化的氧化速度大10倍左右，因此生产性良好而优选，但存在电子陷阱能级增多的倾向。另一方面，干氧化虽然电子陷阱能级的生成少，但空穴陷阱增多。因此，通过对湿氧化的氧化膜在氧气氛中进行加热处理，而能够生产性良好地得到电子陷阱及空穴陷阱都少的栅极氧化膜。紧接着半导体层20的形成(及其加热处理)，而形成树脂膜层60作为工序(F)。 即，如图3(b)所示，以覆盖源极·漏极电极30s · 30d及半导体层20的方式形成树脂膜层 60。由此，能得到膜层叠体(柔性基板结构体)110。在本发明中，在该树脂膜层60的形成中，将树脂膜60的一部分插入到间隙50中。S卩，以间隙部50由树脂膜材填充的方式形成CN 102598231 A
树脂膜层60。由此，在树脂膜层60能得到与间隙50嵌合的突起部65。并且，通过如此使突起部65与间隙50嵌合，能提高树脂膜层60与包括源极·漏极电极30s · 30d的晶体管结构体的密接性。这里，对间隙50进行限定的对置面的角度θ (参照图2(d))如本申请发明那样为钝角的情况下，与例如角度θ为直角的情况相比，容易将树脂膜60的一部分插入到间隙50 内，因而，容易形成突起部65与间隙50的嵌合而优选。在角度θ为钝角的情况下，与角度 θ为直角的情况相比，在形成半导体层20时，能够提高源极 漏极电极30s .30d的作为提部构件的功能。即，在半导体材料滴下到间隙50内时，即使滴下装置的位置精度差(或公差大)，但角度θ为钝角的结构能够增大承受的范围，因此能够提高形成的半导体层20的位置对合精度。树脂膜层60的形成方法并未受限定，可以采用例如将半固化的树脂膜粘合在绝缘层10上而使其固化的方法(也可以在树脂片的粘合面上涂敷粘接性材料)、或通过旋涂等将液体的树脂涂敷在绝缘层10上而使其固化的方法等。形成的树脂膜层60的厚度例如为4 IOOym左右。在粘合半固化的树脂膜的情况下，在粘合时通过对树脂膜进行加压而能够将树脂膜的一部分供应给“源极电极与漏极电极之间的间隙50”，由此，能够使树脂膜层的一部分与间隙50嵌合。需要说明的是，作为在粘合中使用的树脂膜，也可以使用“预先设置具有与间隙50的形状实质上互补的形状的凸部的树脂膜”。在树脂片的粘合面上涂敷了粘接性材料的情况下，树脂片部厚度可以为2 IOOym左右，粘接性材料部厚度可以为3 20μπι左右。粘合条件可以根据树脂膜材料、 粘接性材料的固化特性而适当决定。例如，使用将环氧树脂作为粘接性材料而涂敷(厚度 约ΙΟμπι)在聚酰亚胺膜(厚度约12.5 μ m)的粘合面上而成的树脂膜时，首先，对金属箔与树脂膜进行层叠而加热成60°C，在加压成3MPa的条件下进行临时压接。并且，在140°C、
下经过1小时，使粘接性材料完全固化。通过如此形成树脂膜层60，能够保护半导体层20，并且能够稳定地进行下一工序 (金属箔70的构图处理等)的处理或传送。在形成了树脂膜层60之后，从膜层叠体110除去支承基板72，接着，在栅极绝缘膜 IOg的表面形成栅极电极12。通过以上的工序，能够得到本发明的柔性半导体装置100。这里，在图3 (c)所示的结构中即使除去支承基板72，将来树脂膜60也能起到作为支承基材的作用。栅极电极12典型地可以由金属膏(例如，^Vg膏)形成。需要说明的是， 栅极电极12的形成可以利用网板印刷、凹版印刷、喷墨法等印刷法涂敷金属膏来执行，除此之外，也可以通过真空蒸镀、溅射、等离子CVD等的薄膜形成法、或镀敷法来执行。而且， 在支承基板72由金属基材(或导电性材料)构成时，也可以通过对该金属基材进行构图， 来形成栅极电极12。这里，在使用树脂基材作为支承基板的柔性半导体装置中，由于将薄膜晶体管等的异种材料层叠，因此层间界面处的粘接强度相对减小而粘接性成为问题。尤其是在金属层与有机物层的界面处容易产生剥离等。通常在金属的表面形成与塑料的亲和性高的硅烷耦合剂的层，虽然通常使用在粘接剂中具有多个极性基的环氧树脂，但在这些方法中，需要特定的材料的组合，材料选择的余地变窄。在材料组合的制约下，不仅需要满足电特性，而且需要满足制造工艺的耐热性、使用环境下的对环境稳定性，这使得设备开发日益困难。在
15层叠了异种材料时，考虑到因热膨胀的不匹配而界面产生变形的情况时，或者考虑到虽然每单位长度的不匹配相同但层叠体的面积变大而相应地变形的绝对值变大的情况时，上述的粘接性 剥离的问题在今后随着设备的大面积化而越发深刻，而且，在将层叠体弯曲成卷筒状的辊对辊方式中变得明显(在辊对辊方式中，层叠体上表面与下表面的变形的大小不同，容易产生粘接强度弱的界面处的剥离等课题)。关于该点，在本发明的柔性半导体装置 100中，通过树脂膜层60的突起部65与间隙50嵌合，来提高树脂膜层60与“包括源极 漏极电极30s · 30d的晶体管结构体”的密接性。在形成嵌合结构而提高异种材料界面的粘接性的情况下，嵌合结构的突起的尺寸和数量并未特别限定，尺寸越大，而且，数量越多，则效果越高。另一方面，当为了提高粘接性而另外形成嵌合结构时，形成晶体管或配线的部分的面积减少，成为不良情况。在本发明的柔性半导体装置100中，由于使用间隙50处的源极 漏极电极30(30s、30d)间的沟道部分作为嵌合结构，因此可以不用另外形成用于提高粘接性的嵌合结构。即，在本发明中，嵌合结构的突起部65(即，间隙50)的尺寸越大，而且，其个数越多，则越能够提高粘接性 密接性。本发明的嵌合结构的尺寸对应于晶体管结构体的尺寸，例如间隙部的底面为Iym Imm,高度为0. 5 μ m 100 μ m左右。而且，嵌合结构的面密度例如在使用于有机EL显示器的情况下，对应于析像度和画面尺寸来决定。若列举一例的话，在100英寸的电视中，在RGB 分别形成有两个晶体管的情况下，在NTSC(纵横的像素数为720X480)方式下约为580个 /平方英寸，在全高清(纵横的像素数为1920X1080)方式下约为3460个/平方英寸。《使用具有间隙的源极·漏极电极作为掩樽的形杰的本发明》本发明的提部构件可以使用为基于光固化的另一电极形成的“掩模”。具体而言， 使用通过金属箔的蚀刻而得到的“具有间隙的源极 漏极电极”作为掩模而实施光照射，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而能够形成栅极电极。这是在现有技术中的柔性半导体装置的设计上由于存在“需要考虑晶体管的寄生容量的影响，优选使所述寄生容量恒定且最小”这样的情况，因此对于该情况特别有利。以下，详细叙述掩模形态的本发明。使用提部构件作为“掩模”的形态的本发明的柔性半导体装置的制造方法的特征在于，包括准备金属箔的工序(A) ’ ；在金属箔上形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)，；对金属箔的一部分进行蚀刻，从所述金属箔形成源极电极及漏极电极的工序 (C)，；向绝缘层的主面中的形成半导体层的一侧的相反侧的主面供给光固化性的导电性膏，而形成光固化性导电性膏层的工序(D) ’ ；以及使用源极电极及漏极电极作为掩模，从形成有所述源极电极及漏极电极的一侧照射光，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而形成栅极电极的工序(E) ’。掩模形态的本发明的制造方法的一个特征在于，使用通过金属箔的蚀刻而得到的电极作为掩模来实施光照射，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而形成另一电极。 更具体而言，使用通过金属箔的蚀刻而得到的源极电极及漏极电极作为掩模来实施光照射，由此，使设置在绝缘层的主面中的形成半导体层的一侧的相反侧的主面上的光固化性导电性膏层的一部分固化而形成栅极电极。由此，栅极电极的端面与源极电极的端面及漏极电极的端面自动匹配成一致。即，源极电极的一方的端面与栅极电极的一方的端面具有相互匹配或排列的位置关系，且漏极电极的一方的端面与栅极电极的另一方的端面具有相互匹配或排列的位置关系。在所述制造方法中，在工序(C)，之后，以收纳于源极电极与漏极电极之间的“间隙”的方式在绝缘层的主面上形成半导体层。并且，在半导体层的形成之后实施光照射的工序(E) ’时，经由半导体层进行光照射。即，朝向源极电极及漏极电极照射光，照射的光透过“在源极电极与漏极电极之间形成的半导体层”，由此使光固化性导电性膏层的一部分固化。如上述那样，在半导体层的形成中，优选使用源极电极及漏极电极作为提部构件， 并向所述源极电极与漏极电极之间的间隙供给半导体材料。在某一优选的形态中，在工序(C)，之前，在绝缘层上设置支承基板或形成这种支承基板的层。换言之，以与形成在金属箔上的绝缘层重叠的方式配置·形成了支承基板之后，对金属箔的一部分进行蚀刻，从所述金属箔形成源极电极及漏极电极。在源极电极及漏极电极的形成时，优选以源极电极与漏极电极所构成的面中的隔开“间隙”对置的端面成为倾斜面的方式对金属箔实施光刻和湿式蚀刻。更具体而言，以“间隙”所构成的形状成为锥形形状的方式通过湿式蚀刻将源极电极及漏极电极的端面形成为倾斜面。作为配置·形成在绝缘层上的支承基板，可以使用陶瓷基材或金属基材。这种情况下，可以对半导体层及/或栅极绝缘膜积极地实施加热处理。就半导体层的加热处理而言，可以对支承基板上的半导体层实施加热处理。优选对“由陶瓷基材或金属基材构成的支承基板”上的半导体层进行激光照射，由此对半导体层进行退火处理。通过这种处理，使半导体层的膜质或特性变化，由此，能够提高半导体特性(例如，通过“膜质的变化”，能够提高半导体层的结晶度)。需要说明的是，这里使用的“退火处理”这一用语如上述那样实质上表示例如以“结晶状态”、“结晶度”及/或“移动度”等的提高或特性稳定化为目的的加热处理。而且，就绝缘层的加热处理而言，在工序(B)’之后对栅极绝缘膜实施加热处理。优选的是，通过对栅极绝缘膜(绝缘层)进行激光照射来对绝缘层进行退火处理。在这种绝缘层的处理中，可以对栅极绝缘膜直接实施加热处理(尤其是退火处理)，或者在半导体层的加热时，也可以利用半导体层产生的热量来对绝缘膜进行加热(尤其是退火处理)。掩模形态的本发明的制造方法还可以包括以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序。所述树脂膜层的形成例如通过将树脂膜粘合在绝缘层上来进行，此时使树脂膜的一部分与“间隙”嵌合。若列举一例的话，使用树脂膜层前驱体，在将其粘合在形成有源极电极 漏极电极的支承基板上时，以树脂膜层前驱体的一部分埋入“位于支承基板上的源极电极与漏极电极之间的间隙”的方式按压并粘合。这种树脂膜层的形成可以通过辊对辊方法来进行。在掩模形态的本发明的另一优选的方式中，在工序(B)，中，包括栅极绝缘膜的绝缘层由无机材料形成。例如，既可以通过溶胶凝胶法来形成包括栅极绝缘膜的绝缘层，或者也可以通过成为金属箔的阀金属的局部的阳极氧化来形成绝缘层。在掩模形态中，也提供了能够通过上述制造方法得到的柔性半导体装置。所述掩模形态的本发明的柔性半导体装置具有
具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在绝缘层上且由金属箔构成的源极电极及漏极电极，在源极电极与漏极电极之间的间隙形成有半导体层，在绝缘层的主面中的形成有源极电极及漏极电极的一侧的相反侧的主面上形成有栅极电极，源极电极的一方的端面(或端部)与栅极电极的一方的端面(或端部)相互匹配设置，并且漏极电极的一方的端面(或端部)与栅极电极的另一方的端面(或端部)相互匹配设置。所述掩模形态的本发明的一个特征在于，相对于源极电极及漏极电极这双方的端面，栅极电极的端面以自动匹配成一致的方式形成。在本说明书中，“以自动匹配成一致的方式形成”表示栅极电极与源极电极 漏极电极以自调整(self-align)方式形成，表示相对于电极的形成位置不用采取特别的匹配措施，伴随着所述的电极形成而“栅极电极”与“源极电极·漏极电极”必然具有所希望的相对的位置关系的形态。更具体而言，在以自动匹配成一致的方式形成的栅极电极及源极电极·漏极电极中，栅极电极的一方的端面与源极电极的端面在柔性半导体装置的厚度方向上一致，且栅极电极的另一方的端面与漏极电极的端面在柔性半导体装置的厚度方向上一致。在上述掩模形态的本发明的某一优选的形态中，“ ‘源极电极的一方的端面’与‘绝缘层’的接点A”和“‘栅极电极的一方的端面’与‘绝缘层’的接点B”相互对置，并且“‘漏极电极的一方的端面’与‘绝缘层’的接点C”和“‘栅极电极的另一方的端面’与‘绝缘层’ 的接点D”相互对置。在掩模形态的本发明的柔性半导体装置中，源极电极与漏极电极之间的“间隙部” 优选具有锥形形状，因而，源极电极与漏极电极所构成的面中的隔开间隙对置的端面成为倾斜面(更具体而言，源极电极及漏极电极的端面以间隙成为锥形形状的方式倾斜)。在掩模形态的本发明的柔性半导体装置中，以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式将具有挠性的树脂膜层形成在绝缘层上，但树脂膜层具有与“源极电极和漏极电极之间的间隙”嵌合的突起部。更具体而言，“树脂膜层的突起部”与“间隙”互补地嵌合。 即，“树脂膜层的突起部”与“源极电极和漏极电极之间的间隙”具有彼此互补的形状，树脂膜层的突起部以塞满间隙(半导体层的填充区域以外的间隙部)的方式设置。掩模形态的柔性半导体装置的半导体层可以含有硅，或者也可以含有氧化物半导体(例如 ZnO 或 InGaZnO)。在掩模形态的本发明的柔性半导体装置中，栅极绝缘膜由无机材料构成。优选的是，包括栅极绝缘膜的绝缘层可以通过对金属箔进行局部氧化来得到。这种情况下，金属箔含有阀金属，栅极绝缘膜或绝缘层可以成为该阀金属的阳极氧化膜。在另一形态中，栅极绝缘膜或绝缘层成为通过溶胶凝胶法得到的氧化膜。通过基于掩模形态的本发明的特征而再提供一种本发明的制造方法。具体而言， 基于“使用通过金属箔的蚀刻而得到的电极作为掩模来实施光照射，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而形成另一电极”这样的本发明的本质特征，再提供一种制造方法。所述掩模形态的再一本发明的制造方法包括
准备金属箔的工序(A) ”；在金属箔上形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)，，；向绝缘层的主面中的形成栅极电极的一侧的相反侧的主面供给光固化性的导电性膏，形成光固化性导电性膏层的工序(C)”；对金属箔的一部分进行蚀刻，从该金属箔形成栅极电极的工序(D) ” ；以及使用栅极电极作为掩模，从形成有栅极电极的一侧照射光，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而形成源极电极及漏极电极的工序(E) ”。所述掩模形态的本发明的制造方法使用通过金属箔的蚀刻而得到的栅极电极作为掩模来实施光照射，由此，使光固化性导电性膏层的一部分固化而形成源极电极及漏极电极。更具体而言，使用通过金属箔的蚀刻而得到的栅极电极作为掩模来实施光照射，由此，使设置在绝缘层的主面中的形成栅极电极的一侧的相反侧的主面上的光固化性导电性膏层的一部分固化而形成源极电极及漏极电极。由此，源极电极的端面及漏极电极的端面与栅极电极的端面自动匹配成一致。该再一本发明的制造方法具有与上述的使用源极电极 漏极电极作为掩模的制造方法在实质上相同的形态。例如，在工序(E) ”之后，以收纳于源极电极与漏极电极之间的间隙的方式在绝缘层的主面上形成半导体层，但可以在所述半导体层的形成中使用源极电极及漏极电极作为“提部构件”，并向作为提部构件发挥功能的源极电极与漏极电极之间的间隙供给半导体材料。而且，所述本发明的制造方法还可以包括以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序。该树脂膜层的形成例如通过将树脂膜粘合在绝缘层上来进行，此时使树脂膜的一部分与“源极电极和漏极电极之间的间隙”嵌合。 若列举一例的话，使用树脂膜层前驱体，在将其粘合在形成有源极电极 漏极电极的支承基板上时，以树脂膜层前驱体的一部分埋入“位于支承基板上的源极电极与漏极电极之间的间隙”的方式按压并粘合。这种树脂膜层的形成可以通过辊对辊方法来进行。而且，在工序 (D) ”之前，可以在金属箔上设置支承基板，或者形成这种支承基板的层。换言之，在对金属箔配置·形成了支承基板之后，对金属箔的一部分进行蚀刻，从所述金属箔形成栅极电极。 作为支承基板，可以使用陶瓷基材或金属基材。也可以对半导体层及/或栅极绝缘膜实施加热处理(更优选退火处理)。在掩模形态的再一本发明的制造方法的工序(B)”中，也可以从无机材料形成包括栅极绝缘膜的绝缘层。例如，可以通过溶胶凝胶法来形成包括栅极绝缘膜的绝缘层，或者通过成为金属箔的阀金属的局部的阳极氧化来形成绝缘层。通过如此使用栅极电极作为掩模的制造方法得到的柔性半导体装置具有与上述的半导体装置同样的特征，其结果是，同样地被限定。即，通过使用栅极电极作为掩模的制造方法而得到的柔性半导体装置具有具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在绝缘层上且由金属箔构成的源极电极及漏极电极，在源极电极与漏极电极之间的间隙形成有半导体层，在绝缘层的主面中的形成有源极电极及漏极电极的一侧的相反侧的主面上形成有栅极电极，源极电极的一方的端面与栅极电极的一方的端面相互匹配设置，并且漏极电极的一方的端面与栅极电极的另一方的端面相互匹配设置(更具体而言，“源极电极 漏极电极与栅极电极以自动匹配成一致的方式形成”)。作为掩模形态的本发明的效果，可以列举“自调整效果”。即，在掩模形态的本发明的制造方法中，使用通过金属箔的蚀刻而得到的电极作为基于光固化进行的另一电极形成的掩模，因此所述电极的相互的位置关系必然满足所希望的关系。即，在掩模形态的本发明中，相对于电极的形成位置，不用采取特别的匹配措施，伴随着电极形成，“栅极电极”与“源极电极 漏极电极”满足所希望的相对的位置关系，构成TFT的电极进行自调整(即“自动匹配”)。更具体而言，栅极电极的一方的端面与源极电极的端面在柔性半导体装置的厚度方向上一致，并且栅极电极的另一方的端面与漏极电极的端面在柔性半导体装置的厚度方向上一致。换言之，在掩模形态的本发明中，栅极电极的端面自动匹配成与源极电极 漏极电极这双方的端面一致，柔性半导体装置具有自调整的栅极结构。因此，在掩模形态的本发明中，能够使形成在栅极电极与漏极电极的重叠部上的晶体管的寄生容量恒定且最小。尤其是在掩模形态的本发明中，也可以使用源极电极及漏极电极作为“掩模”，并使用隔开间隙配置的源极电极及漏极电极作为“提部构件”。即，可以不使用源极电极及漏极电极作为“掩模”，而如上述那样作为“半导体层形成的提部构件”而使用。并且，这样的电极最终可以作为TFT的“源极电极”及“漏极电极”而作为柔性半导体装置的结构要素来利用。这样的话，不需要最终除去或剥离有助于半导体形成的“提部构件”及有助于电极形成的“掩模”，因而，能够以简便的工艺来制作TFT元件，能提高生产性。接下来，参照图5(a) (c)，详细地说明掩模形态的本发明的柔性半导体装置100 的实施方式。图5(a)是示意性地表示掩模形态的柔性半导体装置100的结构的立体图。图 5(b)是表示掩模形态的特征即“自动匹配的一致”的形态的示意图。而且，图5(c)是表示柔性半导体装置100的源极30s、沟道22 00)、漏极30d的关系的图。掩模形态的本发明的柔性半导体装置100是具有挠性的半导体装置。如图所示， 所述柔性半导体装置100包括具有成为栅极绝缘膜IOg的部位的绝缘层10 ；由金属箔70 构成的源极电极30s及漏极电极30d。源极电极30s及漏极电极30d形成在绝缘层10上。在源极电极30s与漏极电极30d之间存在有间隙50。在本实施方式的结构中，隔开间隙50配置的源极电极30s及漏极电极30d作为“掩模”发挥功能，并作为“提部构件” 发挥功能。即，“隔开间隙50配置的源极电极30s及漏极电极30d”有助于栅极电极的形成位置，并作为确定半导体层的形成位置的定位用提部发挥功能。如图所示，半导体层20以填埋间隙50的至少一部分的方式形成。在图5(a)中， 以透过半导体层20能看见间隙50的形状的方式表现。在掩模形态的本发明的柔性半导体装置100的结构中，在绝缘层10的主面中的形成有源极电极30s及漏极电极30d的一侧的相反侧的主面a上形成有栅极电极12。并且， 相对于源极电极30s的端面31s及漏极电极30d的端面31d，栅极电极12的端面13以自动匹配成一致的方式形成。即，在掩模形态的本发明的柔性半导体装置100中，由于栅极电极被使用作为光照射时的“掩模”，从而栅极电极12与源极电极30s及漏极电极30d以自调整 (自动匹配)方式形成。这表示掩模形态的本发明的柔性半导体装置100具有自调整的栅极结构。即，栅极电极12的一方的端面(源极电极30s侧的端面)13与源极电极30s的端面31s在基板厚度方向(Z)上一致，而栅极电极12的另一方的端面(漏极电极30d侧的端面)13与漏极电极30d的端面31d在基板厚度方向(Z)上一致。更具体而言，如图5(b)所
20示，“ ‘源极电极的一方的端面’与‘绝缘层10’的接点A”和“ ‘栅极电极的一方的端面’与 ‘绝缘层10’的接点B”相互对置，并且“ ‘漏极电极的一方的端面’与‘绝缘层10’的接点C” 和“‘栅极电极的另一方的端面’与‘绝缘层10’的接点D”相互对置。在绝缘层10上，以覆盖半导体层20、源极电极30s及漏极电极30d的方式形成有树脂膜层(60)。在图5(a)中，为了便于理解地表示间隙50，而树脂膜层60由虚线(双点划线)表示。从图示的形态可知，树脂膜层60的一部分成为与间隙50嵌合的突起部65。 尤其是“树脂膜层60的突起部65”与“间隙50”以具有互补的形状的方式相互嵌合·接合。通过如此使突起部65与间隙50相互嵌合，而能够提高“树脂膜层60”与“包括源极电极30s及漏极电极30d的结构体”的密接度。即，由于间隙50，而柔性半导体装置100的层叠结构的密接性提高。掩模形态中的半导体层20能通过使“间隙50”作为提部发挥功能而得到。例如， 在使用薄膜形成法或印刷法而在间隙区域形成半导体层时，不管原料供给的些许变动，都向间隙50堆积半导体材料，并利用该堆积物作为半导体层，因此间隙50作为确定半导体层形成位置的“定位用提部(positioning bank)”能发挥功能(参照图4)。并且，例如在半导体层20由硅(Si)构成时，使液体硅向间隙50滴下而形成半导体层20，但间隙50也起到积存液体硅的作用。即，在半导体原料为膏状 液体状时，间隙50不仅作为半导体原料的“定位用提部”发挥功能，而且也能作为具有保持半导体原料的作用的“积存用提部(storage bank)”发挥功能。作为构成掩模形态的半导体层20的材料，除了上述的硅(Si)之外，可以使用各种材料，例如，既可以使用锗(Ge)等半导体，也可以使用氧化物半导体。作为氧化物半导体， 列举有例如&i0、SnO2, In2O3> TiO2等的单体的氧化物、或hfeiaiO、InSnO, InZnO, ZnMgO等的复合氧化物。或者，根据需要可以使用化合物半导体(例如，GaN, SiC、ZnSe, CdS、GaAs 等)。而且，也可以使用有机半导体(例如戊省、聚3-己基噻吩、吓啉电介质、铜酞菁、C60
寸J寸°掩模形态中的包括栅极绝缘膜IOg的绝缘层10由无机材料构成。例如，在半导体层20由硅(Si)构成时，栅极绝缘膜IOg可以由硅氧化膜(SiO2)或硅氮化膜形成。需要说明的是，栅极绝缘膜IOg也可以使用溶胶凝胶法来制作。而且，栅极绝缘膜IOg可以由通过对金属箔70进行阳极氧化而形成的氧化膜构成。掩模形态的间隙50周边的结构在从上方观察时，可以如图5(c)那样表示。在间隙50的栅极绝缘膜IOg上形成有半导体层20。在该半导体层20上，源极电极30s与漏极电极30d发生接触。栅极绝缘膜IOg及栅极电极12位于半导体层20的下表面(底面)。 因此，半导体层20中的位于源极电极30s与漏极电极30d之间的部位成为沟道区域22，通过这些要素来构筑晶体管(薄膜晶体管TFT)。这里，在掩模形态的本发明中，源极电极30s 的端面31s及漏极电极30d的端面31d与栅极电极的端面(图5(c)中未图示)一致地形成。掩模形态的树脂膜层60由具有挠性的树脂材料构成。进一步说明，树脂膜层60 能作为用于对包括半导体层20的晶体管结构体进行支承的支承基材而能发挥功能，也可以由在固化后具有挠性的热固化性树脂材料或热塑性树脂材料构成。作为这种树脂材料， 可以列举出例如环氧树脂、聚酰亚胺(PI)树脂、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、聚苯硫醚(PPQ树脂、聚苯撑醚(PPE)树脂、PTFE等的氟系树脂、液晶聚合物、它们的复合物等。作为另外的方法，树脂膜层60也可以由含有聚硅氧烷等的有机无机混合材料构成。上述那样的树脂材料的尺寸稳定性的性质优异，作为本发明的柔性半导体装置100中的柔性基材的材料而优选。接下来，参照图6(a) (d)、图7(a) (c)及图8(a) (b)，说明掩模形态的本发明的柔性半导体装置100的制造方法。需要说明的是，图6(a) (d)、图7(a) (c)及图8(a) (b)是用于说明柔性半导体装置100的制造方法的工序剖视图。在掩模形态的本发明的制造方法的实施时，首先，实施工序(A)’。即，如图6(a)所示，准备金属箔70。掩模形态的金属箔70例如可以由铜箔或铝箔构成。金属箔70的厚度例如为0. 5 100 μ m左右，优选为2 20 μ m。接下来，作为工序(B) ’，如图6 (b)所示，在金属箔70的表面形成绝缘层10 (绝缘层10的厚度可以为30nm 2 μ m左右)。绝缘层10也包括成为栅极绝缘膜的部位(IOg)。 绝缘层10例如可以为氧化硅。这种情况下，可以形成通过例如TEOS等得到的氧化硅薄膜。具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层10可以由无机材料构成。即，在使用树脂基材作为支承基板的柔性半导体装置中，虽然考虑使用有机绝缘膜作为栅极绝缘膜，但在本发明中，可以使用由无机材料构成的栅极绝缘膜，从而能够提高柔性半导体装置100的晶体管特性。其原因是，与由有机材料构成的栅极绝缘膜相比，由无机材料构成的栅极绝缘膜虽然厚度薄但绝缘耐压高，而且介电常数也高。在本发明的TFT结构中，由于在金属箔70 的表面形成绝缘层10，因此制作绝缘层10时的工艺上的制约少。因此，在本发明中，即使在柔性半导体装置的栅极绝缘膜的制作中，也能够容易地形成由无机材料构成的栅极绝缘膜。而且，在金属箔70上形成了绝缘层10之后，由于基底为金属箔70，因此也可以对该绝缘层10进行退火处理(热处理)，来提高膜质。此外，在金属箔70由铝构成时，也可以通过对该金属箔70的表面区域进行局部的阳极氧化，来形成绝缘层10(通过局部的阳极氧化形成的绝缘层的厚度可以为30nm 200nm左右)。铝的阳极氧化可以使用各种化成液简单地进行，由此，能够形成非常薄的致密的氧化覆膜。例如作为化成液，可以使用通过氨调整成为中性附近的PH的“酒石酸水溶液与乙二醇的混合溶液”。而且，通过阳极氧化能够形成绝缘层10的金属箔70不局限于铝，只要是具有良好的导电性且能够容易地形成致密的氧化物的金属即可，例如为阀金属 (valve metal)。作为这种阀金属，可以列举例如从铝、钽、铌、钛、铪、锆、钼及钨构成的组中选择的至少一种以上的金属或合金。顺便提一下，在利用阳极氧化时，具有即使金属箔70 的表面为复杂的形状也能够在表面以均勻的厚度来形成氧化膜这样的优点。而且，在阳极氧化的情况下，还具有能够制作出比氧化硅膜的介电常数高的栅极绝缘膜这样的优点。此外，金属箔70并不局限于阀金属(例如，铝)，只要是通过氧化而金属表面由氧化覆膜均勻地覆盖即可，因而，也可以由阀金属以外的金属构成。这种情况下，金属箔70的氧化方法可以取代阳极氧化，而使用热氧化(基于加热的表面氧化处理)或化学氧化(基于氧化剂的表面氧化处理)。作为另外的方法，绝缘层10也可以使用溶胶凝胶法形成(由溶胶凝胶法形成的绝缘层的厚度可以为IOOnm Ιμπι左右)。这种情况下，绝缘层10例如由氧化硅膜构成。列举利用溶胶凝胶法进行的氧化硅膜的作成方法的一例时，可以将四乙氧基硅烷(TEOS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)、乙醇、稀盐酸(0. Iwt % )的混合溶液在室温下搅拌2小时而调制出的胶态溶液(溶胶)利用旋涂法均勻地涂敷在金属箔上，在300°C下加热处理15分钟来制作。根据溶胶凝胶法，具有不仅能制作出硅氧化膜，而且能制作出铪氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜等高介电常数的栅极绝缘膜这样的优点。接下来，如图6(c)所示，在绝缘层10上形成支承基板72。支承基板72可以是陶瓷基材(例如，氧化铝(Al2O3)、氧化锆(&0))、或金属基材(例如，SUS304等不锈钢基板)。 需要说明的是，作为支承基板72，可以使用树脂基材。若列举一例的话，通过将这种基材粘合于绝缘层10 (根据需要而使用粘接剂)，而能够向绝缘层10上供给支承基板72。接下来，如图6 (d)所示，通过对金属箔70的一部分进行蚀刻，而从金属箔70形成源极电极30s及漏极电极30d。即，实施掩模形态的制造方法的工序(C)’。这里，虽然进行金属箔70的蚀刻，但由于在绝缘层10的单面形成有支承基板72，因此也能通过支承基板 72来保持整体。换言之，即使进行金属箔70的蚀刻，也不会发生整体被切断而散开的情况。源极电极30s及漏极电极30d的形成可以通过例如光刻与蚀刻的组合来进行。详细情况如下所述。首先，在金属箔70整面上形成干膜或液状类型等的光致抗蚀剂材料。接着，使用对源极电极30s及漏极电极30d的形状及位置进行限定的形成了图案的光掩模进行图案曝光、显影。接着，以具有与源极电极30s及漏极电极30d对应的图案的光致抗蚀剂为掩模，将金属箔70浸渍在蚀刻液中，由此形成源极电极30s及漏极电极30d、以及位于两电极(30s 30d)之间的间隙50。最后将光致抗蚀剂除去，而完成“隔开间隙配置的源极电极及漏极电极”。这里，蚀刻液可以根据金属箔的种类而选择适当的蚀刻液来使用。若列举一例的话，在使用铜箔的情况下，可以使用氯化铁溶液或过氧化氢 硫酸溶液。在铝箔的情况下，可以使用磷酸、醋酸、硝酸的混合溶液。在掩模形态中，源极电极30s及漏极电极30d的面中的隔开间隙50对置的端面 50b成为倾斜面。换言之，如图6(d)所示，间隙50的周边由底面50a、壁面50b及上表面 50c构成，壁面50b倾斜。壁面50b与上表面50c所构成的角度θ为钝角，例如为角度θ =100° 170°左右，优选为110° 160°左右(参照图6(d))。需要说明的是，图6(d) 所示的间隙50的底面尺寸w优选为1 μ m Imm左右，更优选为10 μ m 300 μ m左右。而且，图6(d)所示的间隙50的高度·深度尺寸h优选为0.5μπι IOOym左右，更优选为 2 μ m ~ 20 μ m ^"。接下来，如图7 (a)所示，使用源极电极30s及漏极电极30d作为提部构件，在间隙 50处形成半导体层20 (半导体层20的厚度为30nm Iym左右，优选为50nm 300nm左右)。在该半导体层的形成工序中，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为半导体原料·材料的定位用的提部构件发挥功能，因此能够良好地形成半导体层20。具体而言，在间隙50的周边的作为底面50a的绝缘层10 (成为栅极绝缘膜IOg的部位)上形成半导体层20。若使用另外的表现，则以收容于间隙50的方式形成半导体层 20。例如，在利用薄膜形成法或印刷法来形成半导体层时，可以将供给的半导体材料堆积于间隙50，并利用该堆积物作为半导体层，因此间隙50起到确定半导体层形成的位置的作用(参照图4)。即，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为“定位”用的提部构件发挥功能。作为薄膜形成法，例如可以列举出真空蒸镀、溅射、等离子CVD等。而且，作为印刷法，可以列举出凸版印刷、凹版印刷、网板印刷、喷墨等。另外，在构成半导体层20的材料为液体而向底面50a上供给液体材料时，该液体材料被保持在间隙50内，而不向间隙50外流出。即，这种情况下，间隙50起到保持液体的半导体材料的作用。因而，在半导体材料为液体 膏状的情况下，“隔开间隙50配置的源极电极及漏极电极”作为“定位”用提部构件发挥功能，也作为“积存”用的提部构件发挥功能。具体地例示半导体层的形成。在形成半导体层20作为硅层时，作为一例，使用喷墨等方法，将含环状硅烷化合物的溶液(例如环戊硅烷的甲苯溶液)涂敷在间隙50的底面 50a上，接着，在300°C下进行热处理，由此能够形成由非晶硅构成的半导体层20。在刚形成了半导体层之后，由于是在金属箔70上隔着绝缘层10设有半导体层20 的状态，因此能够对半导体层20进行退火处理。通过对半导体层20进行退火处理，而能够对半导体层20的膜质进行提高或改性。尤其在支承基板72为陶瓷基材或金属基材时由于耐热性优异，因此即使进行高温的退火处理，实质上也没有问题。而且，即使在支承基板72 由树脂基材构成的情况下，由于该支承基板72最终被除去，因此即使由树脂基材构成的支承基板72的膜质比较差，但只要作为支承基板发挥功能，就能够执行半导体层20的退火处理。在间隙50中形成了由非晶硅构成的半导体层20的情况下，在退火处理后，可以变化为多晶硅(例如，平均粒径为几百nm 2μπι左右)。而且，在半导体层20为多晶硅的情况下，通过退火处理能提高其结晶度。而且，由于半导体层20的膜质的变化，而半导体层 20的移动度提高，在退火的处理前和处理后，移动度明显有较大区别。这里，例示地简单说明硅半导体的结晶粒径与移动度的关系时，如下述那样。 a-Si(非晶硅)的移动度< 1.0(cm2/VS)。yC_Si(微晶硅)的移动度约为3 (cm2/VS)，其结晶粒径为10 20nm。pC-Si (多晶硅)的移动度约为100 (cm2/Vs)或10 300 (cm2/Vs) 左右，其结晶粒径为50nm 0.2μπι。因此，通过退火处理，使膜质从a_Si (非晶硅)变化成PC-Si(微晶硅)或pC-Si(多晶硅)时，移动度变化成几倍以上(几倍、几十倍、几百倍等)。需要说明的是，sC-Si (单晶硅)的移动度为例如600(cm2/Vs)以上。作为这里的退火处理，除了对形成有半导体层20的金属箔70的整体进行加热处理的方法之外，可以采用向间隙50照射激光而对半导体层20进行加热的方法。在照射激光进行退火处理时，例如可以为下述那样。若列举一例的话，可以将波长308nm的受激准分子激光(XeCl)以能量密度50mJ/cm2、脉冲宽度30纳秒进行100 200散粒照射。需要说明的是，具体的退火处理的条件可以综合地考量各种因子而适当决定。在半导体层20的加热处理时，也可以进行绝缘层10(尤其是栅极绝缘膜IOg)的加热处理。即，可以利用同一工序来执行半导体层20的退火处理和绝缘层10的退火处理。 由此，也能够使绝缘层10 (尤其是栅极绝缘膜IOg)的膜质变化。例如，在对半导体层进行加热时，因该热量而也能够将栅极绝缘膜IOg加热。在绝缘层10由在水蒸气中通过热氧化(湿氧化)而制作的氧化膜(SiO2)构成时，通过将绝缘层10加热，而能够减少该氧化膜 (SiO2)的电子陷阱能级。进一步说明时，湿氧化比干氧化的氧化速度大10倍左右，因此生产性良好而优选，但存在电子陷阱能级增多的倾向。另一方面，干氧化虽然电子陷阱能级的生成少，但空穴陷阱增多。因此，通过对湿氧化的氧化膜在氧气氛中进行加热处理，而能够生产性良好地得到电子陷阱及空穴陷阱都少的栅极氧化膜。紧接着半导体层20的形成(及其加热处理)，而形成树脂膜层60。S卩，如图7(b) 所示，以覆盖源极 漏极电极30s ·3(Μ及半导体层20的方式形成树脂膜层60 (例如，紫外线透过型的树脂膜层)。由此，能得到膜层叠体(柔性基板结构体)110。在本发明中，在该树脂膜层60的形成中，将树脂膜60的一部分插入到间隙50中。S卩，以间隙部50由树脂膜材填充的方式形成树脂膜层60。由此，在树脂膜层60能得到与间隙50嵌合的突起部 65。并且，通过如此使突起部65与间隙50嵌合，能提高树脂膜层60与包括源极·漏极电极30s · 30d的晶体管结构体的密接性。这里，对间隙50进行限定的对置面的角度θ (参照图6(d))为钝角的情况下，与例如角度θ为直角的情况相比，容易将树脂膜的一部分插入到间隙50内，因而，容易形成突起部65与间隙50的嵌合而优选。在角度θ为钝角的情况下，与角度θ为直角的情况相比，在形成半导体层20时，能够提高源极·漏极电极30s · 30d的作为提部构件的功能。 即，在半导体材料滴下到间隙50内时，即使滴下装置的位置精度差(或公差大)，但角度θ 为钝角的结构能够增大承受的范围，因此能够提高形成的半导体层20的位置对合精度。树脂膜层60的形成方法并未受限定，可以采用例如将半固化的树脂膜粘合在绝缘层10上而使其固化的方法(也可以在树脂片的粘合面上涂敷粘接性材料)、或通过旋涂等将液体的树脂涂敷在绝缘层10上而使其固化的方法等。形成的树脂膜层60的厚度例如为4 IOOym左右。在粘合半固化的树脂膜的情况下，在粘合时通过对树脂膜进行加压而能够将树脂膜的一部分供应给“源极电极与漏极电极之间的间隙50”，由此，能够使树脂膜层的一部分与间隙50嵌合。需要说明的是，作为在粘合中使用的树脂膜，也可以使用“预先设置具有与间隙50的形状实质上互补的形状的凸部的树脂膜”。在树脂片的粘合面上涂敷了粘接性材料的情况下，树脂片部厚度可以为2 IOOym左右，粘接性材料部厚度可以为3 20μπι左右。粘合条件可以根据树脂膜材料、 粘接性材料的固化特性而适当决定。例如，使用将环氧树脂作为粘接性材料而涂敷(厚度 约ΙΟμπι)在聚酰亚胺膜(厚度约12.5 μ m)的粘合面上而成的树脂膜时，首先，对金属箔与树脂膜进行层叠而加热成60°C，在加压成3MPa的条件下进行临时压接。并且，在140°C、 5MPa下经过1小时，使粘接性材料完全固化。通过如此形成树脂膜层60，能够保护半导体层20，并且能够稳定地进行下一工序 (金属箔70的构图处理等)的处理或传送。在形成了树脂膜层60之后，从膜层叠体110除去支承基板72。这里，在图7(b)所示的结构中即使除去支承基板72，树脂膜60也能起到作为支承基材的作用。紧接着支承基板72的除去，实施工序(D)’。S卩，如图7(c)所示，向包括栅极绝缘膜IOg的绝缘层10上赋予光固化性的导电性膏，形成光固化性导电性膏层11。更具体而言，向绝缘层10的主面中的形成半导体层20的一侧的相反侧的主面a供给光固化性的导电性膏，形成光固化性导电性膏层(导电性膏层11的厚度可以为50nm 20μπι左右)。使用的导电性膏既可以使用惯用的光固化性膏，也可以使用例如紫外线固化型的膏材料(例如，Ag膏)(具体而言“Ag膏”是IOnm至20um左右的Ag粒子，包括环氧丙烯酸酯树脂等可引发光致聚合的树脂及乙基纤维素(EC)等粘度调整用的溶剂)。导电性膏的赋予例如可以通过在绝缘层10上整面印刷来进行。需要说明的是，导电性膏层11的形成可以使用例如网板印刷、凹版印刷、喷墨法等印刷法，涂敷在栅极绝缘膜IOg的周围来执行。接下来，如图8 (a)所示，从树脂膜层60侧(未图示的基板结构体的背面侧)照射光(例如，UV光)62。S卩，实施工序(E)’。具体而言，如图所示，使用源极电极30s及漏极电极30d作为掩模，从形成有源极电极30s及漏极电极30d的一侧照射光。照射光62透过树脂膜层60，经由源极电极30s及漏极电极30d之间，使沟道部分的导电性膏层11固化。 通过所述导电性膏层的固化而形成栅极电极12。作为照射光62，使用透过树脂膜层60、栅极绝缘膜10及半导体层20并使导电性膏层11固化的波长的光。照射光的波长可以选择透过树脂膜层、栅极绝缘膜及半导体层并使导电膏固化的波长。若列举一例的话，在树脂膜层60由丙烯酸树脂(PMMA)或聚碳酸酯(PC)构成，栅极绝缘膜由硅氧化物构成，且半导体层20由InGaZnO构成时，能够使波长约436nm的光(所谓g线)透过，因此能够通过该光的照射来使光固化性的导电性膏层11固化。在所述光照射的工序中，以源极电极30s及漏极电极30d为掩模，使导电性膏层11 的一部分固化，因此能够使源极电极30s的端面31s与栅极电极12的端面13 —致，并且能够使漏极电极30d的端面31d与栅极电极12的端面13 —致。即，在该照射工序中，能够制作自调整的栅极结构。如上所述，通过使用源极电极·漏极电极作为掩模的光62的照射，而使栅极电极 12的端面13与源极·漏极电极的端面(31s · 31d)自动匹配成一致。然而，在现实的制造工艺中，由于光62的照射产生的热量，而导电性膏11的固化区域稍扩展，栅极电极12的端面13与源极·漏极电极的端面(31s · 31d)严格来说存在不一致的情况。但是，在本实施方式中，包括现实工艺中的这样稍扩展，而以自动匹配成一致的方式形成(通过自调整而形成)。或者，在光62的照射时，通过作为栅极电极12的掩模而发挥功能的源极·漏极电极30s · 30d而产生光62的衍射或散射，在导电性膏11的固化区域产生些许变化，而栅极电极12的端面13与源极·漏极电极的端面(31s · 31d)严格来说存在不一致的情况。即便在这种情况下，也包括现实工艺中的误差，以自动匹配成一致的方式形成(通过自调整而形成)。在掩模形态中，由于源极电极与漏极电极所构成的面中的隔开“间隙”对置的端面成为倾斜的面，而在工序(E) ’的光固化时提供优点。尤其在本发明中，“间隙”具有朝向光源侧变宽的正锥形形状，正是由于这种正锥形形状的“间隙”，而能起到如下的有利的效果。 例如，如图9(a)所示，在“间隙”为倒锥形形状时(即间隙具有朝向光源侧变窄的形状时)， 若曝光时的光垂直入射，则栅极电极12的形成部分比半导体层20减小，从而产生(对应于栅极电极而形成的)沟道部无法形成在半导体层的整面上的不良情况。这种情况下，将晶体管接通时的源极电极-漏极电极间的电阻变大。关于这一点，在本发明那样“间隙”为正锥形形状的情况下(图9(b))，半导体层部分20与栅极电极12 —致，不会产生这种不良情况。可是，这种情况在“间隙”为铅垂形状的情况下(图9(c))也同样。这里，假定曝光所使用的光从基板稍偏斜而入射时，在“间隙”为铅垂形状的情况下(图9(c))，入射光的一部分成为源极电极 漏极电极的阴影而入射光的一部分被电极遮挡，从而产生栅极电极12比半导体层部分20减小这样的不良情况，不过在正锥形形状的情况下(图9 (b))，即使入射光稍偏斜，也不会产生阴影，因此半导体层部分20与栅极电极12 —致而所述不良情况不会产生。由以上可知，本发明这样的正锥形形状的“间隙”在工序(E) ’的光固化时能起到有利的效果。紧接着光照射之后，如图8(b)所示，将导电性膏层11的未固化部分除去。通过以上的工序，能够得到掩模形态的本发明的柔性半导体装置100。需要说明的是，在掩模形态中，之后，可以以覆盖栅极电极12的方式在绝缘层10上形成树脂膜层(未图示)。根据这种发明，使用源极电极30s及漏极电极30d作为掩模，并使导电性膏层11 的一部分固化，而能够形成栅极电极12。因而，不使用容易产生误差的掩模对合就能够自动地决定栅极电极12、源极电极30s、漏极电极30d的位置关系。通过所述自调整的栅极结构，能够使三个电极间的重叠恒定且最小，其结果是，能够使形成在栅极电极12与漏极电极30d的重叠部上的晶体管的寄生容量恒定且最小。即，在掩模形态的本发明中，能够提高画质及其均勻性 可靠性的特性。需要说明的是，越成为大面积而掩模对合越困难，因此栅极·自调整的必要性越高。在上述的掩模形态的本发明的制造方法中，使用源极电极及漏极电极作为掩模而以自调整方式形成栅极电极，但在其相反的形态中，也可以使用栅极电极作为掩模而以自调整方式形成源极电极及漏极电极。以下，关于所述制造方法，参照图10(a) (d)、图 11(a) (c)及图12(a) (b)进行说明。图10(a) ⑷、图11(a) (c)及图12(a) (b)是用于说明柔性半导体装置100’的制造方法的工序剖视图。首先，如图10(a)所示，准备金属箔70。即，实施本发明的制造方法的工序(A) ”。 金属箔70例如可以由铜箔或铝箔构成。接下来，作为工序(B) ”，如图10(b)所示，在金属箔 70的表面形成绝缘层10。绝缘层10也包括成为栅极绝缘膜的部位(IOg)。接下来，如图10(c)所示，在绝缘层10上赋予光固化性的导电性膏而形成光固化性导电性膏层11。即，实施工序(C)”。具体而言，向绝缘层的主面中的形成栅极电极的一侧的相反侧的主面b供给光固化性的导电性膏，形成光固化性导电性膏层11。然后，如图 10(d)所示，在导电性膏层11上形成支承基板73。支承基板73例如可以为树脂基材。然而，作为支承基板73，如上述那样，也可以使用陶瓷基材或金属基材。接下来，如图11(a)所示，作为工序(D) ”，通过对金属箔70进行蚀刻，而形成栅极电极12。具体而言，通过对金属箔70实施光刻和湿式蚀刻，而形成栅极电极12。接下来， 如图1Kb)所示，从栅极电极侧照射光(例如，UV光)63。即，实施工序(E)，，。具体而言， 如图所示，使用栅极电极12作为掩模的一部分，并从形成栅极电极12的一侧朝向导电性膏层11照射光。由此，能够经由绝缘层10而向导电性膏层11的局部照射，能够使被照射到的层11固化。固化的部分成为源极电极30s及漏极电极30d。作为照射光63，使用透过绝缘层10而能够使导电性膏层11固化的波长的光。在该工序中，将栅极电极12作为掩模的一部分，而使导电性膏层11固化，因此能够使栅极电极12的端面13与源极电极30s的端面31s —致，并且能够使栅极电极12的端面13与漏极电极30d的端面31d —致。即，在该照射工序中，能够制作自调整的栅极结构。 需要说明的是，在该自调整的栅极结构中，由于光的衍射·散射等而在端面(13、31s、31d) 彼此的一致上可能会产生些许的误差，这一点与上述相同。接下来，如图11 (c)所示，以覆盖栅极电极12的方式在绝缘层10的表面形成了树脂膜层74之后，将支承基板73去除。接下来，如图12(a)所示，将导电性膏层11的未固化部分除去之后，使用源极电极30s及漏极电极30d作为提部构件，在两电极(30s*30d)之间形成半导体层20。然后，如图12(b)所示，形成覆盖半导体层20及源极 漏极电极(30s .30d) 的树脂膜层60。所述树脂膜层60的一部分成为进入到源极 漏极电极(30s .30d)的间隙 50内的嵌合部65。通过经由以上那样的工序，而能够得到柔性半导体装置100’。通过这样的制造方法，能够形成自调整的栅极结构。即，以栅极电极12的一部分为掩模，使导电性膏层11的一部分固化，而能够形成源极电极30s及漏极电极30d。因此， 不使用容易产生误差的掩模对合就能够自动地决定栅极电极12、源极电极30s、漏极电极 30d的位置关系。《才荅im牛糊線胃白■象祝-W》参照图13，说明将本发明的柔性半导体装置100搭载于图像显示装置的形态(顺便提一下，将柔性半导体装置100’搭载于图像显示装置的形态也相同)。图13所示的电路90是搭载于图像显示装置(这里为有机EL显示器)的驱动电路，这里表示图像显示装置的一像素的结构。该例的图像显示装置的各像素由两个晶体管(100AU00B)和一个电容器85的组合电路构成。该驱动电路包括开关用晶体管(以下，称为“Sw-Tr”)100A和驱动用晶体管(以下，称为“Dr-Tr”)100B，双方的晶体管(100A、100B)均由本发明的柔性半导体装置100构成。需要说明的是，也可以在柔性半导体装置100的结构体的局部形成电容器85。这种情况下，也可以利用本实施方式的绝缘层10作为电容器85的电介质层。进一步说明时，Sw-TrlOOA的栅极电极与选择线94连接。而且，Sw-TrlOOA的源极电极及漏极电极中的一方与数据线92连接，另一方与Dr-TrlOOB的栅极电极连接。而且， Dr-TrlOOB的源极电极及漏极电极中的一方与电源线93连接，另一方与显示部(这里是有机EL元件)80连接。需要说明的是，电容器85连接在Dr-TrlOOB的源极电极与栅极电极之间。在上述结构的像素电路中，在选择线94工作时，若Sw-TrlOOA的开关接通，则驱动电压从数据线92输入，该驱动电压通过Sw-TrlOOA来选择，从而向电容器85蓄积电荷。并且，通过该电荷而产生的电压向Dr-TrlOOB的栅极电极施加，且与该电压对应的漏极电流向显示部80供给，由此使显示部(有机EL元件)80发光。图14(a)及(b)表示通过本实施方式的柔性半导体装置100 (100A、100B)构筑了电路90的层叠结构体200。在图14(a)及(b)所示的层叠结构体200中，在上部侧配置柔性半导体装置100A， 在下部侧配置柔性半导体装置100B。柔性半导体装置100A的漏极电极30d经由通孔82而与柔性半导体装置100B的栅极电极12连接。而且，柔性半导体装置100A的漏极电极30d 经由通孔82而与电容器85的上部电极8 连接。这里，电容器85的介质层是与柔性半导体装置100B的栅极绝缘膜IOg相同的层10。而且，电容器85的下部电极8 是从柔性半导体装置100B的源极电极30s延伸的电极。需要说明的是，柔性半导体装置100B的漏极电极30d经由通孔82而与配线84连接。这里，树脂膜60A的突起部65A插入到柔性半导体装置100A的间隙50。另一方面，树脂膜60B的突起部65B插入到柔性半导体装置100B的间隙50。各突起部65(65A、 65B)均形成与间隙50嵌合的嵌合结构。因此，在该例所示的结构中，使用各柔性半导体装置100(100A、100B)的沟道部分的周边作为嵌合结构，因此具有不用另外形成用于提高粘接性的嵌合结构这样的优点。需要说明的是，参照表示掩模形态的本发明的实施方式的图14(b)可知，柔性半导体装置100A及100B均具有自调整的栅极结构。即，在掩模形态的本发明中，栅极电极12的端面13与源极电极30s的端面31s ·漏极电极30d的端面31d —致。而且，表示了通过本实施方式的柔性半导体装置100(100A、100B)构筑了电路90 的层叠结构体200的另一例。图15A(a)及(b) 图15E(a)及(b)是示意性地表示另一例的层叠结构体200的各层(101 105)的俯视图。图16(a)是沿着图15A(a) 图15E(a)的线VII-VII的剖视图的局部(放大图)，另一方面，是沿着图15A(b) 图15E(b)的线XI-XI 的剖视图的局部(放大图)。而且，图17(a)是沿着图15A(a) 图15E(a)的线VIII-VIII 的剖视图的局部(放大图)，另一方面，图17(b)是沿着图15A(b) 图15E(b)的线XII-XII 的剖视图的局部(放大图)。在图15A(a)及(b)所示的层101上配置栅极电极12。而且，在图15B(a)及(b) 所示的层102上设置源极电极30s、漏极电极30d、及位于(30s、30d)之间的半导体层20。 在图15C(a)及(b)所示的层103上配置栅极电极12及通孔82。在图15D(a)及(b)所示的层104上设置源极电极30s、漏极电极30d、及位于(30s、30d)之间的半导体层20。并且， 在图15E(a)及(b)所示的层105上配置配线84及通孔82。如图16 (a)及(b)所示，树脂膜60A的突起部65A在柔性半导体装置100A的间隙 50处嵌合，另一方面，树脂膜60B的突起部65B在柔性半导体装置100B的间隙50处嵌合。 而且，如图14(a)及(b)所示，电容器85的电介质层10是与柔性半导体装置100B的栅极绝缘膜IOg共用的层。需要说明的是，参照表示掩模形态的本发明的实施方式的图14(b) 及图16(b)可知，柔性半导体装置100A及100B均具有自调整的栅极结构。接下来，说明在所述的晶体管或通过晶体管构成的电路上形成图像显示部的形态 (尤其是由形成在柔性半导体装置上的多个像素构成的图像显示部的形态)。图18是在本发明的柔性半导体装置上将R (红)G (绿)B (蓝)这3色配置于3个像素的OLED (有机EL)图像显示装置300的剖视图。在半导体装置中仅图示了树脂膜及像素电极(阴极)。在所述图像显示装置300中，在R、G、B的各像素的像素电极150上配置与各自的颜色对应的由发光材料构成的发光层170。在相邻的各像素之间形成像素限制部 160，防止发光材料的混杂，同时容易进行EL材料配置时的定位。在发光层170的上表面以覆盖各像素整体的方式形成有透明电极层(阳极层)180。使用于像素电极150的材料列举了 Cu等金属，但为了反射来自用于提高向发光层 170的电荷注入效率的电荷注入层和发光层的光来提高向上侧的光取出效率，也可以将表面形成为0. Ium的与Al的层叠结构(例如Al/Cu)而形成反射电极。使用于发光层170的材料并未特别限定，若列举一例的话，可以使用聚芴系发光材料、具有树木状多分支结构的物质在所谓树状聚合物的树突骨架的中心部使用了 Ir或 Pt等重金属而成的树状聚合物系发光材料。发光层170可以为单层结构，但为了使电荷注入容易而可以使用MoOJt为空穴注入层或使用LiF作为电子注入层并如电子注入层/发光层/空穴注入层那样形成为层叠结构。阳极的透明电极180可以使用ΙΤ0。像素限制部160只要是绝缘材料即可，可以使用例如以聚酰亚胺为主成分的感光性树脂或SiN。需要说明的是，图像显示装置可以是图19所示那样的具有滤色器的结构。在图示的图像显示装置300’中，设有柔性半导体装置100、形成在柔性半导体装置100上的多个像素电极150、以将该像素电极150整体覆盖的方式形成的发光层170、形成在发光层170上的透明电极层180、以及形成在透明电极层180上的滤色器190。在所述图像显示装置300’ 中，滤色器190具有将来自发光层170的光转换成红 绿 蓝这3色的功能，由此，能够构成R(红)G(蓝)B(蓝)这三个像素。S卩，在图18所示的图像显示装置300中，由像素限制部分开的各发光层分别形成红·绿·蓝的发光，相对于此，在图19的图像显示装置300’ 中，虽然从发光层发出的光自身并没有颜色的区别(例如成为白色的光)，但所述光通过滤色器190而产生红·绿·蓝的光。(像素显示装置的制造方法)接下来，说明像素显示装置的制造方法。具体而言，参照图20说明本形态的OLED 的制造方法。首先，如图20(a)所示，准备具有像素电极150的柔性半导体装置100。具体而言， 在柔性半导体装置100的制造时，通过进行金属箔的构图而能够形成像素电极150(即，通过光刻等对设置在挠性膜层上的金属箔进行局部蚀刻而能够形成像素电极150)，此外，通过印刷法等在规定部位涂敷像素电极原料也能够形成像素电极150。接下来，在柔性半导体装置上形成“由多个像素构成的图像显示部”。例如图 20(b) (d)所示，在柔性半导体装置100上形成多个像素限制部160，在由所述多个像素限制部160分隔的区域且像素电极150上形成发光层170。像素限制层160例如可以通过由以聚酰亚胺为主成分的感光性树脂材料覆盖像素电极整体而形成了像素限制部的前驱体层160’之后，对所述前驱体层160’实施光刻来形成。规定的颜色的发光层170形成在规定的像素电极上。作为发光层170的形成方法，例如将聚芴系的发光材料溶解于二甲苯而形成的溶液，使用喷墨法而能够配置在像素电极上。例如，发光层170的厚度可以形成为约80nm。接下来，以覆盖发光层170的方式形成透明导电层180 (例如ITO膜)。所述透明导电层的ITO膜可以通过溅射法来制膜。通过经由以上那样的工序，能够构筑出具有图20(e)及图18所示的结构的图像显示装置300。作为替代的形态，说明具备滤色器的图像显示装置300’的制造形态。所述制造形态虽然存在部分不同但与上述制造方法实质上相同。具体而言，如上述那样设置了像素电极150后(参照图21 (a))，将白色的发光层170在整面形成为完全膜状(参照图21 (b))。 接下来，在与上述同样地实施了透明电极层180的形成之后(参照图21(c))，通过将滤色器 190的R (红)G (绿)B (蓝)这3色配置在所希望的像素位置(参照图21 (d))，而能够完成图像显示装置300，。《辊对辊方式》本发明的柔性半导体装置100由于为“柔性”，因此能够通过辊对辊方式来制作。 图22表示本实施方式的柔性半导体装置100通过辊对辊方法来制作的形态。在辊对辊方法中，如图22所示，包括支承基板72的结构(S卩，图3 (a)或图7 (a)所示的结构)与树脂膜60 —起通过一对辊220A、220B之间，其中该支承基板72形成有包括半导体层20的晶体管(TFT)。由此，能得到“形成有晶体管的支承基板72”与“树脂膜60”被一体化的膜层叠体110( S卩，图3(b)或图7(b)所示的结构)。更详细说明时如下所述。形成有晶体管(TFT)的支承基板72 (图3 (a)或图7 (a) 所示的结构)沿着箭头201的方向前进。另一方面，树脂膜60从辊210卷出(参照箭头 215)，沿着辅助辊212，在箭头202的方向上前进。并且，金属箔70和树脂膜60在如箭头 225那样旋转的加热加压辊(220A、220B)之间被层叠而一体化。在该层叠一体化工序中，将树脂膜60的一部分(6 插入间隙50而形成嵌合结构。在经由层叠一体化工序之后，带树脂膜的金属箔(膜层叠体)110卷绕于辊230(参照箭头235)。需要说明的是，支承基板72由金属材料构成，在对支承基板72进行构图而制作栅极电极12时，经由执行该构图的蚀刻工序(未图示)，完成柔性半导体装置100，从而能够卷绕于辊230。图23(a)及(b)表示卷绕于辊230的膜层叠体110的一部分250的剖面。如图所示，源极·漏极电极30层叠在比树脂膜60靠内侧的位置，因此源极·漏极电极30被压缩， 树脂膜60被拉伸。其结果是，在源极 漏极电极30与树脂膜60中，变形的大小不同，从而成为在该界面产生剪切应力而引起剥离的原因。在通常的层叠结构的情况下，通过源极 漏极电极30 (构图而形成的金属箔70)与树脂膜60的粘接力而抑制剥离的发生。然而，根据本发明的结构，在粘接力的基础上，嵌合结构(50、65)牢固地保持层叠结构，因此密接性提高，且能够防止或缓和剥离等的发生。需要说明的是，在利用辊230将膜层叠体110卷绕之后，在另一工序中，将支承基板72除去，也可以采用形成栅极电极12那样的工序。而且，将金属箔70从初始辊(未图示)卷出，使用辊、室、蚀刻槽等能够连续执行图2(a)至图3(c)所示的工序的全部(或其中的一部分)等。《半导体层的改性》如上所述，根据本发明，能够容易且有效地进行半导体层的改性。尤其是能够进行半导体层20由氧化物半导体构成时的改性。例如，在ZnO等的结晶性的氧化物半导体中，在通过溅射等刚成膜之后，结晶层中包括较多的非晶质层，由此，无法显示作为半导体设备的特性的情况较多。然而，在本发明中，图3(a)或图7(a)所示的状态即在间隙50中填充有半导体材料(这里为氧化物半导体)的状态为柔性的状态，并且由源极·漏极电极 30 (30s .30d)、绝缘层10及半导体层20构成(即，其余为支承基板7 ，因此能够不受到较大制约地执行退火工序、激光照射工序。通过执行这种工序，能提高ZnO等氧化物半导体的结晶性，其结果是，能够改善半导体特性。关于此，若列举一例的话，在将ZnO利用RF磁控管溅射法依次形成SiO2 (50nm)、 Zn0(50nm)的情况下，受激准分子激光照射前未显示半导体特性。另一方面，当照射XeCl受激准分子激光时，能够进行半导体动作，从而能够实现20cm2/Vs左右的移动度。而且，在hfeZnO等的非结晶氧化物半导体中，也能够得到使半导体特性提高的效果。非结晶氧化物半导体时，在向间隙50填充了半导体材料(这里为非结晶氧化物半导体)的状态下，在氧气氛中(例如，大气中)进行激光照射，由此能够修复氧欠缺的情况，其结果是，能够提高移动度。使用^feZnO作为半导体来制作TFT时，在激光照射前非常低的移动度在激光照射后能够提高至10cm7Vs左右。另外，还能够执行氧化物半导体的导电率控制。在氧化物半导体的氧欠缺多时，意味着传动电子多(即，载体浓度高)，因而，导电率高。为了修复氧欠缺(导入氧)，优选使氧化物半导体在高温下暴露于氧气氛中。需要说明的是，也可以取代高温，而利用激光、等离子、臭氧等的方式来向氧化物半导体添加能量。若列举一例的话，将半导体材料(这里为氧化物半导体)向间隙50填充(氧欠缺多的状态)，接下来，在氧气氛下选择性地对沟道区域22进行激光退火时，能够进行氧化物半导体的导电率控制。需要说明的是，在H等离子(氢等离子)处理中也成为还原气氛，氧化物半导体容易发生氧欠缺。《本发明的概括》需要说明的是，概括叙述时，上述的本发明包括以下的形态第一形态一种柔性半导体装置，具有栅极电极；设置在所述栅极电极上，且具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上，且由金属箔构成的源极电极及漏极电极，在所述源极电极与所述漏极电极之间存在间隙，由此，隔开该间隙配置的所述源极电极及所述漏极电极成为提部构件，在所述间隙形成有半导体层，在所述绝缘层上以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式形成树脂膜层，在该树脂膜层设有与所述间隙嵌合的突起部。第二形态一种柔性半导体装置，以所述第一形态为基础，其特征在于，所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的隔开所述间隙对置的端面成为倾斜面。第三形态一种柔性半导体装置，以所述第一或第二形态为基础，其特征在于，所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙和所述树脂膜层的所述突起部具有互补的形状。第四形态一种柔性半导体装置，以所述第一至第三形态中任一形态为基础，其特征在于，所述半导体层含有硅。第五形态一种柔性半导体装置，以所述第一至第三形态中任一形态为基础，其特征在于，所述半导体层含有氧化物半导体。第六形态一种柔性半导体装置，以所述第五形态为基础，其特征在于，所述氧化物半导体为SiO或hGaSiO。第七形态一种柔性半导体装置，以所述第一至第六形态中任一形态为基础，其特征在于，所述栅极绝缘膜由无机材料形成。第八形态一种柔性半导体装置，以所述第一至第六形态中任一形态为基础，其特征在于，所述金属箔含有阀金属，所述栅极绝缘膜是所述阀金属的阳极氧化膜。第九形态一种图像显示装置，使用所述第一至第八形态中任一形态的柔性半导体装置，其特征在于，具有所述柔性半导体装置；以及由形成在所述柔性半导体装置上的多个像素构成的图像显示部，在所述柔性半导体装置的源极电极与漏极电极之间存在间隙，由此，隔开该间隙配置的所述源极电极及所述漏极电极成为提部构件，
在所述间隙形成有所述柔性半导体装置的半导体层，在所述柔性半导体装置的树脂膜层设有与所述间隙嵌合的突起部。第十形态一种图像显示装置，以所述第九形态为基础，其特征在于，所述图像显示部具有形成在所述柔性半导体装置上的像素电极；形成在所述像素电极上的发光层；以及形成在所述发光层上的透明电极层。第十一形态一种图像显示装置，以所述第十形态为基础，其特征在于，所述发光层形成在由像素限制部分隔的区域。第十二形态一种图像显示装置，以所述第十形态为基础，其特征在于，在所述透明电极层上具有滤色器。第十三形态一种柔性半导体装置的制造方法，包括准备金属箔的工序㈧；在所述金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)；在所述绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对所述金属箔的一部分进行蚀刻，而从该金属箔形成源极电极及漏极电极的工序 ⑶；使用所述源极电极及所述漏极电极作为提部构件，而在位于该源极电极与该漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以及以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式在所述绝缘层上形成树脂膜层的工序(F)，在所述工序(F)中，使所述树脂膜层的一部分向所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙嵌合。第十四形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三形态为基础，其特征在于，在所述工序(D)中，对金属箔实施光刻和湿式蚀刻，将所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的隔开所述间隙对置的端面形成为倾斜面。第十五形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三或第十四形态为基础，其特征在于，通过辊对辊方法来进行所述工序(F)。第十六形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三至第十五形态中任一形态为基础，其特征在于，在除去了所述支承基板之后，在所述绝缘层中的成为所述栅极绝缘膜的部位的表面上形成栅极电极。第十七形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三至第十六形态中任一形态为基础，其特征在于，作为所述支承基板，使用陶瓷基材或金属基材。第十八形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三至第十七形态中任一形态为基础，其特征在于，在所述工序(B)中，通过溶胶凝胶法来形成所述栅极绝缘膜。第十九形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十七形态为基础，其特征在于，在所述工序(B)之后，对所述栅极绝缘膜实施加热处理。第二十形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十七或第十九形态为基础，其特征在于，在所述工序(E)之后，对所述半导体层实施加热处理。31/36 页第二十一形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第十三至第十五形态中任一形态为基础，其特征在于，使用金属基材作为所述支承基板，在所述工序(F)之后，通过对所述金属基材进行构图，来形成栅极电极。第二十二形态一种柔性半导体装置，具有具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上，且由金属箔构成的源极电极及漏极电极，在所述源极电极与所述漏极电极之间的间隙形成有半导体层，在所述绝缘层的主面中的形成有所述源极电极及所述漏极电极的一侧的相反侧的主面上形成栅极电极，所述源极电极的一方的端面与所述栅极电极的一方的端面相互匹配设置，并且所述漏极电极的一方的端面与所述栅极电极的另一方的端面相互匹配设置。第二十三形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二形态为基础，其特征在于， 所述栅极电极的所述端面以相对于所述源极电极及所述漏极电极这双方的所述端面自动匹配成一致的方式形成。第二十四形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二形态为基础，其特征在于， 所述源极电极的所述一方的端面与所述绝缘层的接点A、和所述栅极电极的所述一方的端面与所述绝缘层的接点B相互对置，并且所述漏极电极的所述一方的端面与所述绝缘层的接点C、和所述栅极电极的所述另一方的端面与所述绝缘层的接点D相互对置。第二十五形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十四形态中任一形态为基础，其特征在于，所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的隔开所述间隙对置的端面成为倾斜面。第二十六形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十五形态中任一形态为基础，其特征在于，在所述绝缘层上以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式形成树脂膜层，所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙和所述树脂膜层的所述突起部具有互补的形状。第二十七形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十六形态中任一形态为基础，其特征在于，所述半导体层含有硅。第二十八形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十六形态中任一形态为基础，其特征在于，所述半导体层含有氧化物半导体。第二十九形态一种柔性半导体装置，以所述第二十八形态为基础，其特征在于， 所述氧化物半导体为ZnO或hfeiaiO。第三十形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十九形态中任一形态为基础，其特征在于，所述栅极绝缘膜由无机材料形成。第三十一形态一种柔性半导体装置，以所述第二十二至第二十九形态中任一形态为基础，其特征在于，所述金属箔含有阀金属，所述栅极绝缘膜是所述阀金属的阳极氧化膜。第三十二形态一种图像显示装置，使用所述第二十二至第三十一形态中任一形
34态的柔性半导体装置，其特征在于，具有所述柔性半导体装置；以及由形成在所述柔性半导体装置上的多个像素构成的图像显示部，在所述柔性半导体装置中，源极电极的一方的端面与栅极电极的一方的端面相互匹配设置，并且所述漏极电极的一方的端面与所述栅极电极的另一方的端面相互匹配设置。第三十三形态一种图像显示装置，以所述第三十二形态为基础，其特征在于，所述图像显示部具有形成在所述柔性半导体装置上的像素电极；形成在所述像素电极上的发光层；以及形成在所述发光层上的透明电极层。第三十四形态一种图像显示装置，以所述第三十三形态为基础，其特征在于，所述发光层形成在由像素限制部分隔的区域。第三十五形态一种图像显示装置，以所述第三十三形态为基础，其特征在于，在所述透明电极层上具有滤色器。第三十六形态一种柔性半导体装置的制造方法，包括准备金属箔的工序(A) ’ ；在所述金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)，；对所述金属箔的一部分进行蚀刻，而从该金属箔形成源极电极及漏极电极的工序 (C)，；向所述绝缘层的主面中的形成半导体层的一侧的相反侧的主面供给光固化性的导电性膏，而形成光固化性导电性膏层的工序(D) ’ ；以及使用所述源极电极及所述漏极电极作为掩模，从形成有所述源极电极及所述漏极电极的一侧照射光，由此，使所述光固化性导电性膏层的一部分固化而形成栅极电极的工序⑶’。第三十七形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第三十六形态为基础，其特征在于，在所述工序(C)’之后，以收纳于所述源极电极与所述漏极电极之间的间隙内的方式在所述绝缘层的主面上形成半导体层，在所述工序(E)，中，通过所述照射的光透过所述半导体层，而使所述光固化性导电性膏层的一部分固化。第三十八形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第三十七形态为基础，其特征在于，在所述半导体层的形成中，使用所述源极电极及所述漏极电极作为提部构件，向该源极电极与该漏极电极之间的间隙供给半导体材料。第三十九形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第三十六至第三十八形态中任一形态为基础，其特征在于，在所述工序(C)’中，对金属箔实施光刻和湿式蚀刻，将所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的相互对置的端面形成为倾斜面。第四十形态一种柔性半导体装置的制造方法，以从属于所述第三十七形态的所述第三十八或第三十九形态为基础，其特征在于，还包括以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式在所述绝缘层上形成树脂膜层的工序。
第四十一形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十形态为基础，其特征在于，在形成所述树脂膜层的工序中，使所述树脂膜层的一部分向所述源极电极与所述漏极电极之间的间隙嵌合。第四十二形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十或第四十一形态为基础，其特征在于，通过辊对辊方法来进行形成所述树脂膜层的工序。第四十三形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第三十六至第四十二形态中任一形态为基础，其特征在于，在所述工序(B) ’中，通过溶胶凝胶法来形成所述栅极绝缘膜。第四十四形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第三十六至第四十三形态中任一形态为基础，其特征在于，在所述工序(B)’之后，对所述栅极绝缘膜实施加热处理。第四十五形态一种柔性半导体装置的制造方法，以从属于所述第三十七形态的所述第三十八至第四十四形态中任一形态为基础，其特征在于，包括在所述绝缘层上形成支承基板的工序，对所述半导体层实施加热处理。第四十六形态一种柔性半导体装置的制造方法，包括准备金属箔的工序(A) ”；在所述金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)，，；向所述绝缘层的主面中的形成栅极电极的一侧的相反侧的主面供给光固化性的导电性膏，而形成光固化性导电性膏层的工序(C)”；对所述金属箔的一部分进行蚀刻，而从该金属箔形成栅极电极的工序(D)，，；以及使用所述栅极电极作为掩模，从形成有所述栅极电极的一侧照射光，由此，使所述光固化性导电性膏层的一部分固化而形成源极电极及漏极电极的工序(E) ”。第四十七形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十六形态为基础，其特征在于，在所述工序(E) ”之后，以收纳于所述源极电极与所述漏极电极之间的间隙的方式在所述绝缘膜的主面上形成半导体层，在所述半导体层的形成中，使用所述源极电极及所述漏极电极作为提部构件，向所述源极电极与所述漏极电极之间的间隙供给半导体材料。第四十八形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十七形态为基础，其特征在于，还包括以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式在所述绝缘层上形成树脂膜层的工序。第四十九形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十八形态为基础，其特征在于，在形成所述树脂膜层的工序中，使所述树脂膜层的一部分向所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙嵌合。第五十形态一种柔性半导体装置的制造方法，以所述第四十八或第四十九形态为基础，其特征在于，通过辊对辊方法来进行形成所述树脂膜层的工序。第五十一形态一种图像显示装置的制造方法，具备所述第一至第八形态或第二十二至第三十一形态中任一形态的柔性半导体装置，包括(I)提供具备像素电极的所述柔性半导体装置的工序；以及(II)在所述柔性半导体装置上形成由多个像素构成的图像显示部的工序。
第五十二形态一种图像显示装置的制造方法，以所述第五十一形态为基础，其特征在于，在所述工序(II)中，形成多个像素限制部，在由该多个像素限制部分隔的区域的所述像素电极上形成所述像素。第五十三形态一种图像显示装置的制造方法，以所述第五十一形态为基础，其特征在于，在所述工序(II)中，以覆盖所述像素电极的方式在所述像素电极上形成发光层， 在该发光层上形成滤色器。《本发明的变更形杰》以上，以本发明的优选的实施方式为中心进行了说明，但本发明并未限定于此，本领域技术人员能够理解进行各种改变的情况。例如，在上述掩模形态的本发明的说明中，以使用Ag膏作为光固化性的导电性膏的形态为前提，但本发明未必限定为所述形态。若例示的话，替代Ag粒子而使用Cu粒子， 或使用不饱和聚酯树脂作为光固化树脂，或使用丁基卡必醇乙酸酯(BCA)等作为光固化性的导电性膏。另外，在上述掩模形态的本发明的说明中，作为照射的光的具体例子，提及了使用波长约436nm的光(所谓g线)的形态(树脂膜层由丙烯酸树脂(PMMA)或聚碳酸酯(PC) 构成，栅极绝缘膜由硅氧化物构成，半导体层由InGaZnO构成的情况)，本发明并未限定未所述形态。照射光的波长是能够使光固化性膏固化的波长，且能够选择透过栅极绝缘膜、半导体层及树脂膜的波长。这里透过不是指100%透过，而是指透过成使光固化性膏固化的充分的照射光到达的程度。作为上述结构的变形例，也可以使用波长约365nm的光(所谓 i线)。最后，为了谨慎起见，对本发明的柔性半导体装置的各结构要素的功能进行附带说明。本发明的柔性半导体装置的各结构要素优选适合于柔性半导体装置为TFT(薄膜晶体管)的情况。本领域技术人员能够理解TFT的动作原理和各结构要素的功能自身，但关于本发明如下所述。通常，源极电极为零电位，对漏极电极施加必要的电压。在源极电极与漏极电极之间形成半导体层，称为沟道区域。沟道区域以与栅极绝缘膜相接的方式形成在栅极结构体上。这里，栅极结构体由栅极绝缘膜和栅极电极构成。向栅极电极施加电压时能够使沟道区域的电阻变化，其结果是，能够使在源极电极与漏极电极之间流动的电流值变化。 这是TFT的基本的动作和各结构要素的作用。需要说明的是，树脂膜与上述TFT的动作不直接相关，但起到如下的作用对源极电极等的TFT的各结构要素进行密封保护的作用、对源极电极等的TFT的各结构要素进行机械保持的支承基板的作用、以及因树脂膜自身具有的挠性所引起而对本申请发明的半导体装置整体赋予挠性来实现柔性半导体装置的作用。产业上的可利用性本发明的制造方法在柔性半导体装置的生产性方面优异。得到的柔性半导体装置能够使用于各种图像显示部，也能够使用于电子书或数字书等。例如，能够使用于图对所示的电视图像显示部、图25所示的便携电话的图像显示部、图沈所示的移动式个人计算机或笔记本式个人计算机的图像显示部、图27及图观所示的数码相机及摄像放像机的图像显示部、以及图四所示的电子书的图像显示部等。此外，通过本发明的制造方法而得到的柔性半导体装置当前也能够适应于在印刷电子学中被适用的各种用途(例如，RF-ID、存储器、MPU、太阳能电池、传感器等)。
关联申请的相互参照本申请基于日本国专利申请第2010-112317号(申请日2010年5月14日，发明的名称“柔性半导体装置及其制造方法”)及日本国专利申请第2010-112319号(申请日 2010年5月14日，发明的名称“柔性半导体装置及其制造方法”)而主张巴黎条约上的优先权。该申请所公开的内容全部通过引用而包括在本说明书中。
符号说明
10绝缘层 IOg栅极绝缘膜 11导电性膏 12栅极电极 13栅极电极的端面 20半导体层 22沟道区域 30s源极电极 30d漏极电极 31s源极电极的端面 31d漏极电极的端面50间隙(间隙部)
60树脂膜
62照射光
63照射光
65突起部(嵌合部)
70金属箔
72支承基板
73支承基板
74树脂膜
80显示部
82通孔
84配线
85电容器
90驱动电路
92数据线
94选择线
100柔性半导体装置
110膜层叠体(层叠结构体)
150像素电极
160像素限制部
160’像素限制部的前驱体层
165像素限制部的形成所使用的光掩模
170发光层
180透明电极层
190滤色器
200层叠结构体
210辊
212辅助辊
215箭头
220辊
230辊
300图像显示装置
300，图像显示装置
权利要求
1.一种柔性半导体装置，具有 栅极电极；设置在所述栅极电极上，且具有成为栅极绝缘膜的部位的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上，且由金属箔构成的源极电极及漏极电极， 在所述源极电极与所述漏极电极之间存在间隙，由此，隔开该间隙配置的所述源极电极及所述漏极电极成为提部构件， 在所述间隙形成有半导体层，在所述绝缘层上以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式形成树脂膜层，在该树脂膜层设有与所述间隙嵌合的突起部。
2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的隔开所述间隙对置的端面成为倾斜面。
3.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙和所述树脂膜层的所述突起部具有互补的形状。
4.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于， 所述半导体层含有硅。
5.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于， 所述半导体层含有氧化物半导体。
6.根据权利要求5所述的柔性半导体装置，其特征在于， 所述氧化物半导体为ZnO或hfeiaiO。
7.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于， 所述栅极绝缘膜由无机材料形成。
8.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于， 所述金属箔含有阀金属，所述栅极绝缘膜是所述阀金属的阳极氧化膜。
9.一种图像显示装置，使用权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，具有 所述柔性半导体装置；以及由形成在所述柔性半导体装置上的多个像素构成的图像显示部， 在所述柔性半导体装置的源极电极与漏极电极之间存在间隙，由此，隔开该间隙配置的所述源极电极及所述漏极电极成为提部构件，在所述间隙形成有所述柔性半导体装置的半导体层，在所述柔性半导体装置的树脂膜层设有与所述间隙嵌合的突起部。
10.一种柔性半导体装置的制造方法，包括 准备金属箔的工序(A)；在所述金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)； 在所述绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对所述金属箔的一部分进行蚀刻，而从该金属箔形成源极电极及漏极电极的工序⑶；使用所述源极电极及所述漏极电极作为提部构件，而在位于该源极电极与该漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以及以覆盖所述半导体层、所述源极电极及所述漏极电极的方式在所述绝缘层上形成树脂膜层的工序(F)，在所述工序(F)中，使所述树脂膜层的一部分向所述源极电极与所述漏极电极之间的所述间隙嵌合。
11.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(D)中，对金属箔实施光刻和湿式蚀刻，将所述源极电极与所述漏极电极所构成的面中的隔开所述间隙对置的端面形成为倾斜面。
12.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 通过辊对辊方法来进行所述工序(F)。
13.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于，在除去了所述支承基板之后，在所述绝缘层中的成为所述栅极绝缘膜的部位的表面上形成栅极电极。
14.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 作为所述支承基板，使用陶瓷基材或金属基材。
15.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述工序(B)中，通过溶胶凝胶法来形成所述栅极绝缘膜。
16.根据权利要求14所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述工序(B)之后，对所述栅极绝缘膜实施加热处理。
17.根据权利要求14所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述工序(E)之后，对所述半导体层实施加热处理。
18.根据权利要求10所述的柔性半导体装置的制造方法，其特征在于， 使用金属基材作为所述支承基板，在所述工序(F)之后，通过对所述金属基材进行构图，来形成栅极电极。
全文摘要
本发明提供一种柔性半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括准备金属箔的工序(A)；在金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)；在绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对金属箔的一部分进行蚀刻，而从金属箔形成源极电极及漏极电极的工序(D)；使用源极电极及漏极电极作为堤部构件，而在位于源极电极与漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序(F)。在工序(F)中，使树脂膜层的一部分向位于源极电极与漏极电极之间的间隙嵌合。
文档编号H01L51/50GK102598231SQ20118000435
公开日2012年7月18日 申请日期2011年4月22日 优先权日2010年5月14日
发明者平野浩一, 铃木武 申请人:松下电器产业株式会社